JP2013021906A - 非接触給電システム - Google Patents

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Abstract

【課題】電力の伝送効率を高めることができる共鳴方式による非接触給電システムを提供する。
【解決手段】高周波電源と電気的に接続された送電用コイルと、送電用コイルとの電磁誘導によって、送電される送電用共鳴コイルと、磁気共鳴によって高周波電力が励起される受電用共鳴コイルと、受電用共鳴コイルとの電磁誘導によって高周波電力が励起される負荷用コイルと、負荷と、可変手段と、を有し、負荷が、負荷のインピーダンスを制御するマイクロプロセッサーと、負荷用コイルに励起された高周波電力を基に充電が行われるバッテリー充電装置およびバッテリーを有する非接触給電システムを提供する。
【選択図】図1

Description

本発明は受電装置を具備する非接触給電システムに関する。
電力供給源(以下、送電装置ともいう)と接触していない状態において、対象物(以下、受電装置ともいう)に対して給電を行う(非接触給電、ワイヤレス給電などともいう)方式として、磁気共鳴方式と呼ばれる方式が注目されている。磁気共鳴方式は、送電装置および受電装置の双方に設けられる共鳴コイルを磁気共鳴させることでエネルギーの伝搬路を形成する方式であり、他の方式(電磁誘導方式、電界誘導方式など)と比較して給電可能距離が長い。例えば、非特許文献1では、磁気共鳴方式における伝送効率が当該共鳴コイル間の距離が1mであれば約90%、2mであれば約45%という値を示すことが開示されている。
Andre Kurs, et al.,"Wireless Power Transfer via Strongly Coupled Magnetic Resonances",Science,Vol.317,pp・83−86,2007
上述の磁気共鳴方式においては、等しい共鳴周波数を有する一対の共鳴コイルが共鳴した状態における磁気共鳴を利用して給電を行っており、送電装置が有する送電用共鳴用コイルと受電装置が有する受電用共鳴コイルとの距離(以下、コイル間距離ともいう)によって、効率が高い送電が可能な条件が異なってしまい、安定して効率の高い給電を行うことが困難である。
図8は、コイル間距離と電力の伝送効率の関係を示している。図8(A1)は、コイル間距離が近すぎる場合、図8(B1)は、コイル間距離が適切な場合、図8(C1)は、コイル間距離が離れてすぎている場合をそれぞれ示し、図8(A2)、図8(B2)、図8(C2)は、それぞれの伝送効率と周波数の関係を示している。
図8(B1)に示すように、コイル間距離が適切な場合、図8(B2)に示すように、周波数が共振周波数fのとき電力の伝送効率は最大となる。しかしながら、図8(A1)に示すように、コイル間距離が近すぎる場合でも電力の伝送効率にピークのスプリットが発生し、ピークは周波数f’のときであり、共振周波数fにおいてはピークの谷となってしまうため、電力の伝送効率が低下してしまう。また、図8(C1)に示すように、コイル間距離が離れている場合、図8(C2)ピークのスプリットは発生しないが共振周波数fにおいて、図8(B2)と比較して共鳴コイル間の磁気結合が弱くなるため、電力の伝送効率が低くなってしまう。なお、図8では、理解を容易にするため、高周波電源111と、送電用共鳴コイル112、送電用コイル117、負荷121、受電用共鳴コイル122、負荷用コイル129のみを示している。
図8に示すように、コイル間距離が適切な場合でないと最大効率がある共鳴周波数fにおいて得られないことが分かる。したがって、磁気共鳴型ワイヤレス給電は、コイル間距離が近い分には、一見して空間的制約が少ないように思われがちだが、実際には、コイルが密に磁気結合した際には電力の伝送効率が急激に低下するという問題を抱えている。
また、負荷が二次電池である場合、二次電池(たとえばリチウムイオン電池)は、通常、定電流充電期間と定電圧充電期間に分けて充電される。充電が開始された直後は、定電流充電で、印加電圧が徐々に増加するため、充電が進むにつれ、インピーダンスは徐々に増加する。定電圧充電に移行してからは充電電流が急激に下がるため、インピーダンスは一挙に増加してしまう。負荷のインピーダンスが変化すると、磁気共鳴による給電はさらに困難になる。
そこで、本発明の一態様は、電力の伝送効率を高めることができる共鳴方式による非接触給電システムを提供することを目的とする。
本発明の一態様は、送電用コイルと、送電用コイルとの電磁誘導によって、送電される送電用共鳴コイルと、磁気共鳴によって高周波電力が励起される受電用共鳴コイルと、受電用共鳴コイルとの電磁誘導によって高周波電力が励起される負荷用コイルと、負荷用コイルと電気的に接続される負荷と、負荷への充電電流を制御する可変手段と、可変手段を制御するマイクロプロセッサーと、を有し、負荷が、負荷用コイルに励起された高周波電力を基に充電が行われるバッテリー充電装置およびバッテリーを有する非接触給電システムである。
本発明の他の一態様は、高周波電源と、送電用コイルと、送電用コイルとの電磁誘導によって、送電される送電用共鳴コイルと、高周波電源の出力を制御する第1のマイクロプロセッサーと、磁気共鳴によって高周波電力が励起される受電用共鳴コイルと、受電用共鳴コイルとの電磁誘導によって高周波電力が励起される負荷用コイルと、負荷用コイルと電気的に接続される負荷と、負荷への充電電流を制御する可変手段と、第2のマイクロプロセッサーと、を有し、負荷が、負荷用コイルに励起された高周波電力を基に充電が行われるバッテリー充電装置およびバッテリーを有し、第2のマイクロプロセッサーは、可変手段を制御し、かつ、第1のマイクロプロセッサーへ、高周波電源からの供給電流を制御するための信号を送る非接触給電システムである。
本発明の他の一態様は、上記の非接触給電システムにおいて、可変手段が、バッテリー充電装置に設けられるスイッチであることが好ましい。
本発明の他の一態様は、上記の非接触給電システムにおいて、負荷が、負荷用コイルと電気的に接続している整流回路を有することが好ましい。
本発明の一態様は、外部からの制御によって、負荷のインピーダンスを調節し、送電装置が有する送電用共鳴用コイルと、受電装置が有する受電用共鳴用コイルとがどのような位置関係であっても、その状況に応じて最も電力伝送効率が高くなる条件で給電することができる非接触給電システムを提供することができる。
給電システムの構成例を示す図。 給電システムの動作例を示すフローチャート。 給電システムの構成例を示す図。 給電システムの動作例を示すフローチャート。 給電システムの構成例を示す図。 給電システムの用途例を示す図。 実施例を説明するための図。 コイル間距離と電力の伝送効率の関係を示す図。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨およびその範囲から逸脱することなくその形態および詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において、同じ物を指し示す符号は異なる図面間において共通とする。
なお、各実施の形態の図面等において示す各構成の大きさ、層の厚さ、信号波形は、明瞭化のために誇張されて表記している場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。
なお、本明細書等における「第1」、「第2」、「第3」などの序数詞は、構成要素の混同を避けるために付すものであり、数的に限定するものではないことを付記する。
(実施の形態1)
本実施の形態では、本発明の一態様における共鳴方式による非接触給電を行う非接触給電システムについて説明する。
<非接触給電システムの構成例>
図1に、本発明の一態様に係る非接触給電システムの構成について示す。図1に示す非接触給電システムでは、磁気共鳴型電力伝送手法が適用されている。図1に示す非接触給電システムは、送電装置140および受電装置150を含むように構成される。図1では、送電装置140における送電用共鳴コイル112と、受電装置150における受電用共鳴コイル122とが共鳴することで、電磁波による給電を行うことができる。
送電装置140は、高周波電源111と、送電用共鳴コイル112と、送電用コイル117と、容量素子118とを有する。送電装置140において、高周波電源111は、送電用コイル117と接続される。送電用共鳴コイル112は、送電用コイル117と電磁誘導をし、送電用共鳴コイル112の一方の端子は、容量素子118の一方の端子と接続され、送電用共鳴コイル112の他方の端子は、容量素子118の他方の端子と接続されている。
なお、高周波電源111の構成は、送電用共鳴コイル112の自己共振周波数と同等の周波数を有する高周波電力を生成することが可能であれば、どのような構成としてもよい。
また、図1に示す受電装置150は、負荷121と、受電用共鳴コイル122と、マイクロプロセッサー125と、整流回路127と、負荷用コイル129と、容量素子130とを有し、負荷121は、バッテリー充電装置123、バッテリー124と、可変手段126と、を有する。受電装置150において、受電用共鳴コイル122と電磁誘導をする負荷用コイル129が、整流回路127を介して負荷121に接続されている。負荷121の可変手段126が、バッテリー充電装置123に内蔵されており、バッテリー124の一方の端子がバッテリー充電装置123と接続されており、バッテリー124の他方の端子が接地されている。
なお、容量素子118および容量素子130は、それぞれ送電用共鳴コイル112、受電用共鳴コイル122の浮遊容量であってもよいし、それぞれ独立に容量素子が設けられていてもよい。また、可変手段126は、バッテリー充電装置123の外部にあり、バッテリー充電装置123と接続されていてもよい。
高周波電源111からの交流電力である高周波電力が、整流回路127に与えられ、整流される。整流されることで得られた直流電圧および直流電流は、負荷121に与えられる。
なお、図示しないが、受電装置150において、整流回路127とマイクロプロセッサー125との間に、A/D変換回路を設けてもよいし、マイクロプロセッサー125にA/D変換回路が内蔵されている構成としてもよい。
また、整流回路127と負荷121の間にDCDCコンバータを設ける構成としてもよい。整流回路で整流され、得られた直流電圧は、DCDCコンバータに入力され、その大きさが調整されて出力される。
また、可変手段126は、受電装置150のバッテリー124への充電電流を制御することでバッテリー充電装置123およびバッテリー124のインピーダンスを制御させることができる。可変手段126として、例えば、バッテリー充電装置123に内蔵され、マイクロプロセッサー125によってスイッチングが制御されるスイッチを適用することが可能である。なお、可変手段126として、スイッチを適用する場合、高周波電力が印加されうるため、接点が存在するか否かを制御する機械的スイッチ(機械的リレー、MEMSスイッチなど)を適用することが好ましい。
なお、コイルを用いた電力伝送技術において、高い伝送効率を示す指標となるパラメータとしてk×Qがある(kは結合係数、Qは共鳴コイルのQ値)。結合係数kは、送電側の共鳴コイルと受電側の共鳴コイルとの磁気結合の度合いを示す係数である。また、Q値は、共振回路の共振のピークの鋭さを表す値である。共鳴型非接触給電技術では、高い伝送効率を実現するため、当該送電用共鳴コイル112および受電用共鳴コイル122として、Q値が非常に高く設定された共鳴コイル(例えば、Qは100より大きい、または、k×Qが1より大きい)を用いることが好ましい。
<非接触給電システムにおける給電方法>
次に、本発明の一態様に係る非接触給電システムにおける給電方法について図2を参照して説明する。図2は、非接触給電システムにおける給電方法の一例を示すフローチャートである。
まず、送電装置140に対して、受電装置150が任意の位置に設置されると、送電装置140の高周波電源111をオンとすることにより送電が開始される(図2に示すステップS1参照)。このとき、効率の良い送電が行われているとは限らない。つまり、伝送効率が最大であるとは限らない。なお、本実施の形態では、受電装置150のバッテリー124への充電電流を制御することでインピーダンスを調節する場合について説明する。
送電装置140から受電装置150へ送電が開始されると、送電装置140の送電用共鳴コイル112から受電装置150の受電用共鳴コイル122へ、磁気結合を介して送電され、さらに、整流回路127によって、直流電圧および直流電流に変換され、負荷121(例えば、二次電池、LED、ICチップのいずれかを少なくとも含む)へ印加される。このとき、受電装置150の負荷121に印加される直流電圧値および直流電流値を取得する。このときの直流電圧値および直流電流値の積を電力値P1とする。取得した直流電圧値および直流電流値の積(電力値P1)のデータD1は、マイクロプロセッサー125に格納する(図2に示すステップS2参照)
次に、マイクロプロセッサー125によって可変手段126が制御され、バッテリー124の充電電流を変更させる。バッテリー124の充電電流が変わることでバッテリー充電装置123およびバッテリー124のインピーダンスが変わり、結果として負荷121全体のインピーダンスが変わる。同時にマイクロプロセッサー125は、負荷121に印加される直流電圧値および直流電流値を取得し、直流電圧値および直流電流値の積である電力値P2を算出する。電力値P2のデータD2は、マイクロプロセッサー125に格納する。
n種類のインピーダンス変更を行い、その都度得た電力値のデータ(D1、D2、…、Dn)をマイクロプロセッサー125に格納する(図2に示すステップS2参照)。
格納された電力値のデータ(D1、D2、…、Dn)の中から最も電力の伝送効率の高い条件で給電を行うようにマイクロプロセッサー125がバッテリー124の充電電流を変更させ、バッテリー124の充電を行う(図2に示すステップS3、S4参照)。
次に、一定期間(例えば、10sec)、充電を行ったら、現状のインピーダンスで充電が最も電力の伝送効率の高い条件であるか否かを確認する。
再度、図2に示すステップS2〜ステップS2、ステップS3を経て、バッテリー124の充電電流を変更させ、負荷121全体のインピーダンスが最適条件となるように設定し、充電を行う。
その後の処理は、ステップS2〜ステップS2、ステップS3、ステップS4のループ処理が繰り返し実行され、充電が完了したら、高周波電源111をオフにする。
このように、上記ループ処理が繰り返されることにより、充電を行っている途中で、送電装置140と受電装置150との距離が変わった場合であっても、バッテリー124の充電を効率よく行うことができる。
図1に示す非接触給電システムにおいて、図2に示す給電方法を適用することで、送電装置140と受電装置150の配置に応じて、電力の伝送効率を高めることができるため、効率よく、給電を行うことができる。このため、給電利用者にとって、より利便性が高い給電システムを提供することができる。
(実施の形態2)
本実施の形態では、図1とは一部異なる非接触給電システムの構成について説明する。
<非接触給電システムの構成例>
図3に、本発明の一態様に係る非接触給電システムの構成について示す。送電装置160は、高周波電源111と、送電用共鳴コイル112と、送電用コイル117と、容量素子118と、を有する点においては、図1と同様である。図1と異なる点は、送電装置160において、アンテナ113と、マイクロプロセッサー115と、第1の送受信回路119を有し、第1の送受信回路119は、マイクロプロセッサー115およびアンテナ113と接続され、マイクロプロセッサー115は高周波電源111と接続されている点にある。
また、受電装置170は、負荷121と、受電用共鳴コイル122と、マイクロプロセッサー125と、整流回路127と、負荷用コイル129と、容量素子130とを有し、負荷121は、バッテリー充電装置123と、バッテリー124と、可変手段126と、を有する点においては、図1と同様である。図1と異なる部分は、受電装置170において、アンテナ133と、第2の送受信回路128とを有し、第2の送受信回路128は、マイクロプロセッサー125およびアンテナ133と接続されている点にある。
図3に示す非接触給電システムの構成は、受電装置170で生成されている直流電圧値および直流電流値の情報をアンテナ133を用いて、送電装置160に返している。受電装置170における直流電圧値および直流電流値の情報を受け取った送電装置160は、必要に応じて、高周波電源111の出力を調整することができる。
たとえば、バッテリー124がリチウムイオン二次電池の場合、過電圧印加を防止するため、一定以上の電圧をバッテリー124に印加させない設計になっている。したがって、バッテリー124への印加電圧が必要以上に上昇してしまった時は、結局、バッテリー充電装置123に内蔵されている充電制御回路によって減圧されてしまい、その減圧されてしまった分の電力は無駄に消費してしまうので送電装置160の高周波電源111の出力電力を下げ、その充電状態を維持できる必要最低限の電力を供給することが好ましい。
<非接触給電システムにおける給電方法>
次に、本発明の一態様に係る非接触給電システムにおける給電方法について図4を参照して説明する。図4は、非接触給電システムにおける給電方法の一例を示すフローチャートである。
まず、送電装置160に対して、受電装置170が任意の位置に設置されると、送電装置160は受電装置170へ送電を開始する。送電装置160の高周波電源111をオンとすることにより送電が開始される(図4に示すステップS11参照)。このとき、効率の良い送電が行われているとは限らない。つまり、伝送効率が最大であるとは限らない。なお、本実施の形態では、受電装置170のバッテリー124への充電電流を制御することでインピーダンスを調節する場合について説明する。
送電装置160から受電装置170へ送電が開始されると、送電装置160の送電用共鳴コイル112から受電装置170の受電用共鳴コイル122へ、磁気結合を介して送電され、さらに、整流回路127によって、直流電圧および直流電流に変換され、負荷121(例えば、二次電池、LED、ICチップのいずれかを少なくとも含む)へ印加される。このとき、受電装置170の負荷121に印加される直流電圧値および直流電流値を取得する。このときの直流電圧値および直流電流値の積を電力値P1とする。取得した直流電圧値および直流電流値の積(電力値P1)のデータD1は、マイクロプロセッサー125に格納する(図4に示すステップS12参照)。
次に、マイクロプロセッサー125によって可変手段126が制御され、バッテリー124の充電電流を変更させる。バッテリー124の充電電流が変わることでバッテリー充電装置123およびバッテリー124のインピーダンスが変わり、結果として、負荷121全体のインピーダンスが変わる。同時にマイクロプロセッサー125は、負荷121に印加される直流電圧値および直流電流値を取得し、直流電圧値および直流電流値の積である電力値P2を算出する。電力値P2のデータD2は、マイクロプロセッサー125に格納する。
n種類のインピーダンス変更を行い、その都度得た電力値のデータ(D1、D2、…、Dn)をマイクロプロセッサー125に格納する(図4に示すステップS12参照)。
格納された電力値のデータ(D1、D2、…、Dn)の中から最も電力の伝送効率の高い条件で給電を行うようにマイクロプロセッサー125がバッテリー124の充電電流を変更させる(図4に示すステップS13a参照)。
次に、マイクロプロセッサー125は高周波電源111から最適な電力が供給されるように、電力を調節する信号を第2の送受信回路128に出力し、第2の送受信回路128からアンテナ133およびアンテナ113を介して第1の送受信回路119へ送信し、第1の送受信回路119からマイクロプロセッサー115へ出力される。
マイクロプロセッサー115は、出力を調整するように高周波電源111に命令し、高周波電源111は、最適な電力を供給するように調整を行う。マイクロプロセッサー115は、第1の送受信回路119、アンテナ113、アンテナ133、第2の送受信回路128を介して高周波電源111の出力が適切であるかを調べるためにマイクロプロセッサー125に直流電圧値をモニターするように命令する。直流電圧値をモニターする処理を繰り返して、最適な電力を供給する。(図4に示すステップS13b参照)。例えば、充電完了間際の場合、高周波電源111は、現状より小さい電力を供給し、直流電圧値をモニターする処理を繰り返し行って、徐々に電力を小さくして最適な電力を供給する。
次に、マイクロプロセッサー115は、高周波電源111の出力を基に充電を継続するか否かを判定する。(図4に示すステップS14参照)。高周波電源111の出力が0になり、充電を継続しないと判定された場合は、高周波電源111をオフにすることで、充電を完了させる(図4に示すステップS15参照)。充電を継続すると判定された場合は、次のステップに進む。
次に、一定期間(例えば、10sec)、充電を行ったら(図4に示すステップS16参照)、現状のインピーダンスで充電が最も電力の伝送効率の高い条件であるか否かを確認する。
再度、図4に示すステップS12〜ステップS12、ステップS13a、ステップS13b、ステップS14を経て、バッテリー124の充電電流を変更させ、負荷121全体のインピーダンスが最適条件となるように設定し、また、高周波電源111が最適出力となるように設定した後、充電を継続するか否かを判定する。
その後の処理は、ステップS12〜ステップS12、ステップS13a、ステップS13b、ステップS14、ステップS16のループ処理が繰り返し実行される。
このように、上記ループ処理が繰り返されることにより、充電を行っている途中で、送電装置160と受電装置170との距離が変わった場合であっても、バッテリー124の充電を効率よく行うことができる。
図3に示す非接触給電システムにおいて、図4に示す給電方法を適用することで、送電装置160と受電装置170の配置に応じて、電力の伝送効率を高めることができるため、効率よく、給電を行うことができる。このため、給電利用者にとって、より利便性が高い給電システムを提供することができる。
(実施の形態3)
本実施の形態では、図1、図3とは一部異なる非接触給電システムの構成について説明する。
<非接触給電システムの構成例>
図5に、本発明の一態様に係る非接触給電システムの構成について示す。送電装置180は、高周波電源111と、送電用共鳴コイル112と、マイクロプロセッサー115と、送電用コイル117と、容量素子118と、第1の送受信回路119とを有する点においては、図3と同様である。図3と異なる点は、送電装置180において、方向性結合器114と、ミキサ116とを有し、高周波電源111は、ミキサ116およびマイクロプロセッサー115と接続されている点、第1の方向性結合器114は、ミキサ116、第1の送受信回路119および送電用コイル117と接続されている点、第1の送受信回路119は、ミキサ116およびマイクロプロセッサー115と接続されている点にある。
また、受電装置190は、負荷121と、受電用共鳴コイル122と、マイクロプロセッサー125と、整流回路127と、第2の送受信回路128と、負荷用コイル129と、容量素子130とを有し、負荷121は、バッテリー充電装置123と、バッテリー124と、可変手段126と、を有する点においては、図3と同様である。図3と異なる点は、受電装置190において、第2の方向性結合器134と、負荷135と、トランジスタ136を有し、整流回路127と負荷用コイル129の一方の端子の間に第2の方向性結合器134が設けられている点、負荷用コイル129の一方の端子と第2の方向性結合器134の間に負荷135が設けられている点、負荷135と負荷用コイル129の他方の端子との間にトランジスタ136が設けられている点にある。第2の方向性結合器134は、第2の送受信回路128と接続され、第2の送受信回路128は、トランジスタ136のゲートと接続され、トランジスタ136のソースまたはドレインの一方は負荷135と、トランジスタ136のソースまたはドレインの他方は負荷用コイル129の他方と接続されている。
トランジスタ136は、どのようなものを用いてもよいが、特に酸化物半導体を用いたトランジスタを適用することが好ましい。高純度化された酸化物半導体を適用したトランジスタは、オフ状態における電流値(オフ電流値)を、チャネル幅1μm当たり10zA/μm未満、85℃にて100zA/μm未満レベルにまで低くすることができる。すなわち、測定限界近傍または測定限界近傍以下までオフ電流を下げることができる。このため、トランジスタのオン/オフに基づいて、送電装置180からみた受電装置190のインピーダンスを適切に変化させることができる。
ミキサ116は、アナログ乗算器であり、ミキサ116に高周波電源111の出力と第1の送受信回路119の出力が入力されると、2つの振動波形が掛け合わされ、共鳴周波数に変調信号が重畳される。
第1の方向性結合器114および第2の方向性結合器134は、順方向に伝送する電力(進行波)または逆方向に伝送する電力(反射波)に対する信号を取り出すことができる。本実施の形態では、第1の方向性結合器114に入力された信号は、送電用コイル117および第1の送受信回路119に伝送され、第2の方向性結合器134に入力された信号は、整流回路127および第2の送受信回路128に伝送される。
図5に示す非接触給電システムの構成は、受電装置190で生成されている直流電圧値および直流電流値の情報を送電装置180からみた受電装置190のインピーダンスの変化パターンによって送電装置180に返している。受電装置190における直流電圧値および直流電流値の情報を受け取った送電装置180は、必要に応じて、高周波電源111の出力を調整することができる。
たとえば、バッテリー124がリチウムイオン二次電池の場合、過電圧印加を防止するため、一定以上の電圧をバッテリー124に印加させない設計になっている。したがって、バッテリー124への印加電圧が必要以上に上昇してしまったような時は、結局、バッテリー充電装置123に内蔵されている充電制御回路によって減圧されてしまい、その減圧されてしまった分の電力は無駄に消費してしまうので送電装置180の高周波電源111の出力電力を下げ、その充電状態を維持できる必要最低限の電力を供給することが好ましい。
<非接触給電システムにおける給電方法>
次に、本発明の一態様に係る非接触給電システムにおける給電方法について先の実施の形態で用いた図4を参照して説明する。
送電が開始されてからバッテリー124のインピーダンスを変更させるまで(図4に示すステップS11乃至ステップS13a)は、先の実施の形態の給電方法を参酌する。
次に、マイクロプロセッサー125は、第2の方向性結合器134、第2の送受信回路128を介して得た復調信号に基づいて受電電力取得処理を行う。続いて、取得した受電電力情報を、第2の送受信回路128を介して変調信号として出力し、トランジスタ136のゲートに与える電圧を変化させる。トランジスタ136のゲートに与える電圧を変化させることにより、トランジスタ136のオン/オフに基づいて、送電装置180からみた受電装置190のインピーダンスが変化する。
送電装置180からみた受電装置190のインピーダンスの変化のパターンに付随して、送電用共鳴コイル112、送電用コイル117を介して逆電力(所望の方向と逆方向に伝送する電力)に振幅変調がかけられ、第1の方向性結合器114に信号が入力される。
上記のように振幅変調され、第1の方向性結合器114に入力された上記逆電力は、方向性結合器114によって第1の送受信回路119に伝達され、第1の送受信回路119によって復調され、マイクロプロセッサー115に入力される。マイクロプロセッサー115は、第1の送受信回路119より得た復調信号に応じ、出力を調整するように高周波電源111に命令し、結果として、高周波電源111は充電の進行状況に応じた最適な電力を供給する。(図4に示すステップS13b参照)。同時にマイクロプロセッサー115は、入力された逆電力を第1の送受信回路119を介してミキサ116に入力する。
次に、マイクロプロセッサー115は、高周波電源111の出力を基に充電を継続するか否かを判定する。(図4に示すステップS14参照)。高周波電源111の出力が0になり、充電を継続しないと判定された場合は、高周波電源111をオフにすることで、充電を完了させる(図4に示すステップS15参照)。充電を継続すると判定された場合は、次のステップに進む。
次に、一定期間(例えば、10sec)、充電を行ったら(図4に示すステップS16参照)、現状のインピーダンスで充電が最も電力の伝送効率の高い条件であるか否かを確認する。
再度、図4に示すステップS12〜ステップS12、ステップS13a、ステップS13b、ステップS14を経て、バッテリー124の充電電流を変更させ、負荷121全体のインピーダンスが最適条件となるように設定し、また、高周波電源111が最適出力となるように設定した後、充電を継続するか否かを判定する。
その後の処理は、ステップS12〜ステップS12、ステップS13a、ステップS13b、ステップS14、ステップS16のループ処理が繰り返し実行される。
このように、上記ループ処理が繰り返されることにより、充電を行っている途中で、送電装置180と受電装置190との距離が変わった場合であっても、バッテリー124の充電を効率よく行うことができる。
図5に示す非接触給電システムにおいて、上記に示す給電方法を適用することで、送電装置180と受電装置190の配置に応じて、電力の伝送効率を高めることができるため、効率よく、給電を行うことができる。このため、給電利用者にとって、より利便性が高い給電システムを提供することができる。また、本実施の形態では、共鳴給電用のインターフェイスを介して非接触IC技術に基づく通信を行っている。したがって、本実施の形態の非接触給電システムを携帯電話等のモバイル機器に導入することで、別途の専用通信インターフェイスを設けなくとも、非接触のIC乗車カードや電子マネー等のアプリケーションにおける情報の送受信を行うことができる。
(実施の形態4)
本実施の形態では、上記実施の形態で説明した非接触給電システムを適用できる用途について説明する。なお、本発明の一態様に係る非接触給電システムを適用できる用途としては、例えば、携帯型の電子機器である、デジタルビデオカメラ、携帯情報端末(モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機又は電子書籍等)、記録媒体を備えた画像再生装置(具体的にはDigital Versatile Disc(DVD)再生装置)などが挙げられる。また、電力を基に動力を得る電気自動車等の電気推進移動体が挙げられる。以下、一例について図面を用いて説明する。
図6(A)は携帯電話及び携帯情報端末を非接触給電システムの用途とする一例であり、非接触給電システムは、送電装置701、受電装置703Aを有する携帯電話702A、受電装置703Bを有する携帯電話702B有している。上記実施の形態で説明した非接触給電システムは、送電装置701と受電装置703Aとの間、および送電装置701と受電装置703Bとの間で適用することができる。
例えば、送電装置701には、上記実施の形態に示す送電装置140、送電装置160、送電装置180の構成が適用でき、受電装置703Aおよび受電装置703Bには、上記実施の形態に示す受電装置150、受電装置170、受電装置190の構成が適用できる。
本発明の一態様に係る非接触給電システムを適用することにより、送電装置701と受電装置703Aとの配置、および送電装置701と受電装置703Bとの配置に応じて、送電の効率を高めることができるため、送電装置701から受電装置703Aおよび受電装置703Bへ電力を効率よく供給することができる。
図6(B)は電気推進移動体である電気自動車を非接触給電システムの用途とする一例であり、非接触給電システムは、送電装置711、受電装置713を有する電気自動車712を有している。上記実施の形態で説明した非接触給電システムは、送電装置711と受電装置713との間で適用することができる。
例えば、送電装置711には、上記実施の形態に示す送電装置140、送電装置160、送電装置180の構成が適用でき、受電装置713には、上記実施の形態に示す受電装置150、受電装置170、受電装置190の構成が適用できる。
本発明の一態様に係る非接触給電システムを適用することにより、送電装置711と受電装置713との配置に応じて、送電の効率を高めることができるため、送電装置711から受電装置713へ電力を効率よく供給することができる。
以上、上記実施の形態で説明した非接触給電システムは電力をもって駆動させる物品であればどのようなものにでも設けて使用することができる。
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。
本実施例では、送電用共鳴コイルと受電用共鳴コイルとの間の伝送効率が最大となるバッテリーのインピーダンスが、送電用共鳴コイルと受電用共鳴コイルとの間(コイル間ともいう)の距離によって変化する様子を図7に示す。図7(A)は、コイル間の距離がコイル間の伝送効率が最大となる距離よりも離れており、コイル間の磁気結合が弱い状態の場合、図7(B)は、コイル間の距離がコイル間の伝送効率が最大となる距離よりも近く、コイル間の磁気結合が強い状態の場合を示している。図7(A)、図7(B)の横軸は周波数f[MHz]、縦軸は電力の伝送効率[%]を表している。また、バッテリーのインピーダンスを変える負荷抵抗は、20Ω、35Ω、50Ω、100Ωの4種類を用意し、測定を行った。
図7(A)に示すように、コイル間の距離がコイル間の伝送効率が最大となる距離よりも離れている状態において、電力の伝送効率が最大(f=13.56MHz)となるのは、バッテリーのインピーダンスが35Ω〜50Ω程度の時であるのが確認された。
また、図7(B)に示すように、コイル間の距離がコイル間の伝送効率が最大となる距離よりも近い状態において、電力の伝送効率が最大(f=13.56MHz)となるのは、バッテリーのインピーダンスが20Ω程度の時であるのが確認された。
図7に示すように、コイル間の位置関係、すなわち、コイル間の磁気結合度に応じて、常に最大の電力の伝送効率となるようにバッテリーのインピーダンスを、負荷抵抗を用いて調整すれば、電力を無駄に消費することなく充電を行うことができる。
111 高周波電源
112 送電用共鳴コイル
113 アンテナ
115 マイクロプロセッサー
117 送電用コイル
118 容量素子
119 第1の送受信回路
121 負荷
122 受電用共鳴コイル
123 バッテリー充電装置
124 バッテリー
125 マイクロプロセッサー
126 可変手段
127 整流回路
128 第2の送受信回路
129 負荷用コイル
130 容量素子
133 アンテナ
135 負荷
136 トランジスタ
140 送電装置
150 受電装置
160 送電装置
170 受電装置
180 送電装置
190 受電装置
701 送電装置
702A 携帯電話
702B 携帯電話
703A 受電装置
703B 受電装置
711 送電装置
712 電気自動車
713 受電装置

Claims (6)

  1. 送電用コイルと、
    前記送電用コイルとの電磁誘導によって、送電される送電用共鳴コイルと、
    磁気共鳴によって高周波電力が励起される受電用共鳴コイルと、
    前記受電用共鳴コイルとの電磁誘導によって高周波電力が励起される負荷用コイルと、
    前記負荷用コイルと電気的に接続される負荷と、
    前記負荷への充電電流を制御する可変手段と、
    前記可変手段を制御するマイクロプロセッサーと、を有し、
    前記負荷が、前記負荷用コイルに励起された高周波電力を基に充電が行われるバッテリー充電装置およびバッテリーを有する非接触給電システム。
  2. 前記可変手段が、前記バッテリー充電装置に設けられるスイッチである、請求項1に記載の非接触給電システム。
  3. 前記負荷が、前記負荷用コイルと電気的に接続している整流回路を有する、請求項1または請求項2に記載の非接触給電システム。
  4. 高周波電源と、
    送電用コイルと、
    前記送電用コイルとの電磁誘導によって、送電される送電用共鳴コイルと、
    前記高周波電源の出力を制御する第1のマイクロプロセッサーと、
    磁気共鳴によって高周波電力が励起される受電用共鳴コイルと、
    前記受電用共鳴コイルとの電磁誘導によって高周波電力が励起される負荷用コイルと、
    前記負荷用コイルと電気的に接続される負荷と、
    前記負荷への充電電流を制御する可変手段と、
    第2のマイクロプロセッサーと、を有し、
    前記負荷が、前記負荷用コイルに励起された高周波電力を基に充電が行われるバッテリー充電装置およびバッテリーを有し、
    前記第2のマイクロプロセッサーは、前記可変手段を制御し、かつ、前記第1のマイクロプロセッサーへ、高周波電源からの供給電流を制御するための信号を送る非接触給電システム。
  5. 前記可変手段が、前記バッテリー充電装置に設けられるスイッチである、請求項4に記載の非接触給電システム。
  6. 前記負荷が、前記負荷用コイルと電気的に接続している整流回路を有する、請求項4または請求項5に記載の非接触給電システム。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2827469A1 (en) 2013-07-02 2015-01-21 Renesas Electronics Corporation Electric power receiving device and non-contact power supply system
JP2015154512A (ja) * 2014-02-10 2015-08-24 キヤノン株式会社 電子機器及び送電装置
WO2015189997A1 (ja) * 2014-06-13 2015-12-17 株式会社 東芝 制御装置、無線電力伝送装置および伝送効率推定方法
US11075526B2 (en) 2015-11-06 2021-07-27 Ihi Corporation Charging control device

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9099885B2 (en) * 2011-06-17 2015-08-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Wireless power feeding system
KR101991341B1 (ko) * 2013-01-04 2019-06-20 삼성전자 주식회사 무선 전력 수신 장치 및 무선 전력 전송 시스템
CN103094962A (zh) * 2013-01-10 2013-05-08 李鹏 一种用于无线充电的移动电源及无线充电系统
JP2014166084A (ja) * 2013-02-27 2014-09-08 Hitachi Ltd 給電装置、受電装置、電気自動車、充電システム及び充電方法
JP2014168358A (ja) * 2013-02-28 2014-09-11 Nitto Denko Corp 無線電力伝送装置、無線電力伝送装置における入力インピーダンスの負荷変動応答性の調整方法、及び、無線電力伝送装置の製造方法
JP6169380B2 (ja) * 2013-03-19 2017-07-26 日東電工株式会社 無線電力伝送装置、無線電力伝送装置の発熱制御方法、及び、無線電力伝送装置の製造方法
JP2014209813A (ja) * 2013-04-16 2014-11-06 日東電工株式会社 無線電力伝送装置、無線電力伝送装置の発熱制御方法、及び、無線電力伝送装置の製造方法
CN103633746A (zh) * 2013-11-04 2014-03-12 上海华勤通讯技术有限公司 无线供电装置、无线充电装置及移动终端
JP2015133834A (ja) * 2014-01-14 2015-07-23 日東電工株式会社 無線電力伝送装置及びその製造方法
KR102103982B1 (ko) * 2014-02-17 2020-04-23 삼성전자주식회사 자기공명영상용 RF(radio frequency) 코일 어셈블리 및 자기공명영상 시스템
CN106030957B (zh) * 2014-02-23 2020-03-03 苹果公司 针对感应式功率传输系统的阻抗匹配
US10032557B1 (en) 2014-05-29 2018-07-24 Apple Inc. Tuning of primary and secondary resonant frequency for improved efficiency of inductive power transfer
JP6205308B2 (ja) * 2014-05-29 2017-09-27 日東電工株式会社 無線電力伝送装置
US9537353B1 (en) 2014-06-03 2017-01-03 Apple Inc. Methods for detecting mated coils
US9685814B1 (en) 2014-06-13 2017-06-20 Apple Inc. Detection of coil coupling in an inductive charging system
US9813041B1 (en) 2014-07-31 2017-11-07 Apple Inc. Automatic boost control for resonant coupled coils
US10014733B2 (en) 2014-08-28 2018-07-03 Apple Inc. Temperature management in a wireless energy transfer system
US10193372B2 (en) 2014-09-02 2019-01-29 Apple Inc. Operating an inductive energy transfer system
WO2016099032A1 (ko) * 2014-12-16 2016-06-23 주식회사 한림포스텍 무선 전력 전송 네트워크의 전력 전송 커버리지 제어 장치 및 방법
US10666084B2 (en) 2015-07-10 2020-05-26 Apple Inc. Detection and notification of an unpowered releasable charging device
JP6618006B2 (ja) * 2015-09-29 2019-12-11 パナソニックIpマネジメント株式会社 無線電力伝送システムおよび送電装置
US10644531B1 (en) 2016-09-22 2020-05-05 Apple Inc. Adaptable power rectifier for wireless charger system
US10523063B2 (en) 2017-04-07 2019-12-31 Apple Inc. Common mode noise compensation in wireless power systems
EP3605781B1 (en) * 2017-04-07 2023-08-02 Guangdong Oppo Mobile Telecommunications Corp., Ltd. Wireless charging apparatus and method, and device to be charged
US10389274B2 (en) 2017-04-07 2019-08-20 Apple Inc. Boosted output inverter for electronic devices
JP7150472B2 (ja) * 2018-05-22 2022-10-11 スタンレー電気株式会社 車両用灯具、照明システム、および照灯制御方法
CN109004768B (zh) * 2018-06-26 2022-05-31 华为技术有限公司 一种无线充电的装置和方法
EP3952002A4 (en) * 2019-03-28 2023-04-19 Aoi Japan Co., Ltd. WIRELESS POWER SUPPLY SYSTEM WITH BATTERY MOUNTED DEVICE INTERLOCKED WITH A POWER RECEIVING DEVICE WITH LIGHT UNIT MOUNTED
CN114043882A (zh) * 2021-11-16 2022-02-15 桔充充(杭州)新能源有限公司 一种适配于多种二轮电动车电池的无线充电系统

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001502833A (ja) * 1996-12-10 2001-02-27 レジ オートノム デ トランスポール パリジャン 端末と遠隔電力供給型携帯式物体の間の非接触型通信によるデータ交換のためのシステム
JP2009189231A (ja) * 2008-01-09 2009-08-20 Seiko Epson Corp 送電制御装置、送電装置、無接点電力伝送システムおよび電子機器
JP2010109972A (ja) * 2008-10-03 2010-05-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 変調回路及びそれを備えた半導体装置
JP2010522534A (ja) * 2007-03-22 2010-07-01 パワーマット リミテッド 信号転送システム
JP2011120443A (ja) * 2009-11-09 2011-06-16 Toyota Industries Corp 共鳴型非接触電力伝送装置

Family Cites Families (140)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60198861A (ja) 1984-03-23 1985-10-08 Fujitsu Ltd 薄膜トランジスタ
JPH0244256B2 (ja) 1987-01-28 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244260B2 (ja) 1987-02-24 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPS63210023A (ja) 1987-02-24 1988-08-31 Natl Inst For Res In Inorg Mater InGaZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法
JPH0244258B2 (ja) 1987-02-24 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244262B2 (ja) 1987-02-27 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244263B2 (ja) 1987-04-22 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH05251705A (ja) 1992-03-04 1993-09-28 Fuji Xerox Co Ltd 薄膜トランジスタ
FR2695266B1 (fr) * 1992-09-02 1994-09-30 Cableco Sa Ensemble pour recharger les batteries d'accumulateurs d'un véhicule automobile électrique.
JP3479375B2 (ja) 1995-03-27 2003-12-15 科学技術振興事業団 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法
JPH11505377A (ja) 1995-08-03 1999-05-18 フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ 半導体装置
JP3625598B2 (ja) 1995-12-30 2005-03-02 三星電子株式会社 液晶表示装置の製造方法
JPH09213377A (ja) 1996-01-30 1997-08-15 Ricoh Co Ltd 角形電池
JP4170454B2 (ja) 1998-07-24 2008-10-22 Hoya株式会社 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
JP2000150861A (ja) 1998-11-16 2000-05-30 Tdk Corp 酸化物薄膜
JP3276930B2 (ja) 1998-11-17 2002-04-22 科学技術振興事業団 トランジスタ及び半導体装置
TW460731B (en) 1999-09-03 2001-10-21 Ind Tech Res Inst Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD
JP4089858B2 (ja) 2000-09-01 2008-05-28 国立大学法人東北大学 半導体デバイス
JP4200257B2 (ja) 2000-09-26 2008-12-24 パナソニック電工株式会社 非接触電力伝達装置
KR20020038482A (ko) 2000-11-15 2002-05-23 모리시타 요이찌 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널
JP3997731B2 (ja) 2001-03-19 2007-10-24 富士ゼロックス株式会社 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法
JP2002289859A (ja) 2001-03-23 2002-10-04 Minolta Co Ltd 薄膜トランジスタ
JP4090716B2 (ja) 2001-09-10 2008-05-28 雅司 川崎 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
JP3925839B2 (ja) 2001-09-10 2007-06-06 シャープ株式会社 半導体記憶装置およびその試験方法
WO2003040441A1 (en) 2001-11-05 2003-05-15 Japan Science And Technology Agency Natural superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film
JP4164562B2 (ja) 2002-09-11 2008-10-15 独立行政法人科学技術振興機構 ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
JP4083486B2 (ja) 2002-02-21 2008-04-30 独立行政法人科学技術振興機構 LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法
CN1445821A (zh) 2002-03-15 2003-10-01 三洋电机株式会社 ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法
JP3933591B2 (ja) 2002-03-26 2007-06-20 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
US7339187B2 (en) 2002-05-21 2008-03-04 State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University Transistor structures
JP2004022625A (ja) 2002-06-13 2004-01-22 Murata Mfg Co Ltd 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法
US7105868B2 (en) 2002-06-24 2006-09-12 Cermet, Inc. High-electron mobility transistor with zinc oxide
US7067843B2 (en) 2002-10-11 2006-06-27 E. I. Du Pont De Nemours And Company Transparent oxide semiconductor thin film transistors
JP4166105B2 (ja) 2003-03-06 2008-10-15 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2004273732A (ja) 2003-03-07 2004-09-30 Sharp Corp アクティブマトリクス基板およびその製造方法
JP4108633B2 (ja) 2003-06-20 2008-06-25 シャープ株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス
US7262463B2 (en) 2003-07-25 2007-08-28 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Transistor including a deposited channel region having a doped portion
US7297977B2 (en) 2004-03-12 2007-11-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor device
US7282782B2 (en) 2004-03-12 2007-10-16 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Combined binary oxide semiconductor device
WO2005088726A1 (ja) 2004-03-12 2005-09-22 Japan Science And Technology Agency アモルファス酸化物及び薄膜トランジスタ
US7145174B2 (en) 2004-03-12 2006-12-05 Hewlett-Packard Development Company, Lp. Semiconductor device
US7211825B2 (en) 2004-06-14 2007-05-01 Yi-Chi Shih Indium oxide-based thin film transistors and circuits
JP2006100760A (ja) 2004-09-02 2006-04-13 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタおよびその製造方法
US7285501B2 (en) 2004-09-17 2007-10-23 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of forming a solution processed device
US7298084B2 (en) 2004-11-02 2007-11-20 3M Innovative Properties Company Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes
CN101057338B (zh) 2004-11-10 2011-03-16 佳能株式会社 采用无定形氧化物的场效应晶体管
US7863611B2 (en) 2004-11-10 2011-01-04 Canon Kabushiki Kaisha Integrated circuits utilizing amorphous oxides
CA2585063C (en) 2004-11-10 2013-01-15 Canon Kabushiki Kaisha Light-emitting device
US7453065B2 (en) 2004-11-10 2008-11-18 Canon Kabushiki Kaisha Sensor and image pickup device
KR100998527B1 (ko) 2004-11-10 2010-12-07 고쿠리츠다이가쿠호진 토쿄고교 다이가꾸 비정질 산화물 및 전계 효과 트랜지스터
US7791072B2 (en) 2004-11-10 2010-09-07 Canon Kabushiki Kaisha Display
US7829444B2 (en) 2004-11-10 2010-11-09 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor manufacturing method
US7579224B2 (en) 2005-01-21 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a thin film semiconductor device
TWI562380B (en) 2005-01-28 2016-12-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device
TWI445178B (zh) 2005-01-28 2014-07-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法
US7858451B2 (en) 2005-02-03 2010-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof
US7948171B2 (en) 2005-02-18 2011-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US20060197092A1 (en) 2005-03-03 2006-09-07 Randy Hoffman System and method for forming conductive material on a substrate
US8681077B2 (en) 2005-03-18 2014-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof
WO2006105077A2 (en) 2005-03-28 2006-10-05 Massachusetts Institute Of Technology Low voltage thin film transistor with high-k dielectric material
US7645478B2 (en) 2005-03-31 2010-01-12 3M Innovative Properties Company Methods of making displays
US8300031B2 (en) 2005-04-20 2012-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element
EP1898510A4 (en) * 2005-04-22 2017-03-01 Daifuku Co., Ltd. Secondary-side power receiving circuit of noncontact power supplying equipment
JP2006344849A (ja) 2005-06-10 2006-12-21 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタ
US7402506B2 (en) 2005-06-16 2008-07-22 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7691666B2 (en) 2005-06-16 2010-04-06 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7507618B2 (en) 2005-06-27 2009-03-24 3M Innovative Properties Company Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles
KR100711890B1 (ko) 2005-07-28 2007-04-25 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법
JP2007059128A (ja) 2005-08-23 2007-03-08 Canon Inc 有機el表示装置およびその製造方法
JP5116225B2 (ja) 2005-09-06 2013-01-09 キヤノン株式会社 酸化物半導体デバイスの製造方法
JP4280736B2 (ja) 2005-09-06 2009-06-17 キヤノン株式会社 半導体素子
JP4850457B2 (ja) 2005-09-06 2012-01-11 キヤノン株式会社 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード
JP2007073705A (ja) 2005-09-06 2007-03-22 Canon Inc 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法
EP1995787A3 (en) 2005-09-29 2012-01-18 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method therof
JP5037808B2 (ja) 2005-10-20 2012-10-03 キヤノン株式会社 アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置
KR101117948B1 (ko) 2005-11-15 2012-02-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 디스플레이 장치 제조 방법
TWI292281B (en) 2005-12-29 2008-01-01 Ind Tech Res Inst Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same
US7867636B2 (en) 2006-01-11 2011-01-11 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transparent conductive film and method for manufacturing the same
JP4977478B2 (ja) 2006-01-21 2012-07-18 三星電子株式会社 ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法
US8169185B2 (en) * 2006-01-31 2012-05-01 Mojo Mobility, Inc. System and method for inductive charging of portable devices
US7576394B2 (en) 2006-02-02 2009-08-18 Kochi Industrial Promotion Center Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof
US7977169B2 (en) 2006-02-15 2011-07-12 Kochi Industrial Promotion Center Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof
KR20070101595A (ko) 2006-04-11 2007-10-17 삼성전자주식회사 ZnO TFT
US20070252928A1 (en) 2006-04-28 2007-11-01 Toppan Printing Co., Ltd. Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof
JP5028033B2 (ja) 2006-06-13 2012-09-19 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
JP4999400B2 (ja) 2006-08-09 2012-08-15 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
JP4609797B2 (ja) 2006-08-09 2011-01-12 Nec液晶テクノロジー株式会社 薄膜デバイス及びその製造方法
JP4332545B2 (ja) 2006-09-15 2009-09-16 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ及びその製造方法
JP5164357B2 (ja) 2006-09-27 2013-03-21 キヤノン株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP4274219B2 (ja) 2006-09-27 2009-06-03 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置
US7622371B2 (en) 2006-10-10 2009-11-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Fused nanocrystal thin film semiconductor and method
US7772021B2 (en) 2006-11-29 2010-08-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays
JP2008140684A (ja) 2006-12-04 2008-06-19 Toppan Printing Co Ltd カラーelディスプレイおよびその製造方法
KR101303578B1 (ko) 2007-01-05 2013-09-09 삼성전자주식회사 박막 식각 방법
US8207063B2 (en) 2007-01-26 2012-06-26 Eastman Kodak Company Process for atomic layer deposition
AU2008211541B2 (en) 2007-01-29 2012-03-08 Powermat Technologies Ltd. Pinless power coupling
US20150214752A1 (en) 2007-01-29 2015-07-30 Powermat Technologies, Ltd. Wireless power outlet
KR100851215B1 (ko) 2007-03-14 2008-08-07 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치
US20120038619A1 (en) 2007-03-22 2012-02-16 Powermat Ltd. System and method for controlling inductive power to multiple modules
US7795613B2 (en) 2007-04-17 2010-09-14 Toppan Printing Co., Ltd. Structure with transistor
KR101325053B1 (ko) 2007-04-18 2013-11-05 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
KR20080094300A (ko) 2007-04-19 2008-10-23 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이
KR101334181B1 (ko) 2007-04-20 2013-11-28 삼성전자주식회사 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법
WO2008133345A1 (en) 2007-04-25 2008-11-06 Canon Kabushiki Kaisha Oxynitride semiconductor
KR101345376B1 (ko) 2007-05-29 2013-12-24 삼성전자주식회사 ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
US8202365B2 (en) 2007-12-17 2012-06-19 Fujifilm Corporation Process for producing oriented inorganic crystalline film, and semiconductor device using the oriented inorganic crystalline film
US8188709B2 (en) 2008-01-09 2012-05-29 Seiko Epson Corporation Power transmission control device, power transmitting device, non-contact power transmitting system, and electronic instrument
JP2010068634A (ja) * 2008-09-11 2010-03-25 Yazaki Corp 車両用ワイヤレス充電システム
JP4623179B2 (ja) 2008-09-18 2011-02-02 ソニー株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法
RU2469880C1 (ru) 2008-09-25 2012-12-20 Тойота Дзидося Кабусики Кайся Система подачи энергии и транспортное средство с электроприводом
JP5451280B2 (ja) 2008-10-09 2014-03-26 キヤノン株式会社 ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置
JP5258521B2 (ja) 2008-11-14 2013-08-07 トヨタ自動車株式会社 給電システム
JP5308127B2 (ja) * 2008-11-17 2013-10-09 株式会社豊田中央研究所 給電システム
US20110241440A1 (en) 2008-12-09 2011-10-06 Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki Non-contact power transmission apparatus and power transmission method using a non-contact power transmission apparatus
JP2010193598A (ja) 2009-02-17 2010-09-02 Nippon Soken Inc 非接触給電設備および非接触給電システム
CN102439813A (zh) 2009-03-12 2012-05-02 鲍尔马特有限公司 控制对多模块的感应电力配送的系统和方法
JP5621203B2 (ja) 2009-03-30 2014-11-12 富士通株式会社 無線電力供給システム、無線電力供給方法
US8441047B2 (en) * 2009-04-10 2013-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP4865001B2 (ja) 2009-04-13 2012-02-01 株式会社日本自動車部品総合研究所 非接触給電設備、非接触受電装置および非接触給電システム
JP2010252468A (ja) 2009-04-14 2010-11-04 Sony Corp 送電装置および方法、受電装置および方法、並びに、電力伝送システム
JP5362453B2 (ja) 2009-06-16 2013-12-11 三洋電機株式会社 充電台
JP2011010435A (ja) * 2009-06-25 2011-01-13 Fujitsu Ten Ltd 非接触式電力供給装置および非接触式電力供給ユニット
JP2011120382A (ja) 2009-12-03 2011-06-16 Toyota Motor Corp 非接触給電設備、非接触受電装置および非接触給電システム
JP2011142559A (ja) * 2010-01-08 2011-07-21 Sony Corp 給電装置、受電装置、およびワイヤレス給電システム
TWI610512B (zh) 2010-02-05 2018-01-01 半導體能源研究所股份有限公司 受電裝置
WO2011114919A1 (en) * 2010-03-19 2011-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2011258807A (ja) * 2010-06-10 2011-12-22 Showa Aircraft Ind Co Ltd 非接触給電装置
US8853890B2 (en) * 2010-07-09 2014-10-07 Sony Corporation Power supply device, communication terminal device, and non-contact power transmission method
CN104967198B (zh) 2010-07-28 2018-08-14 株式会社半导体能源研究所 无线供电系统及无线供电方法
JP5755066B2 (ja) 2010-07-30 2015-07-29 株式会社半導体エネルギー研究所 無線給電システム、及び無線給電方法
JP5755067B2 (ja) 2010-07-30 2015-07-29 株式会社半導体エネルギー研究所 無線給電システム、及び無線給電方法
US9391476B2 (en) 2010-09-09 2016-07-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power feeding device, wireless power feeding system using the same and wireless power feeding method
US9054544B2 (en) 2010-12-22 2015-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power feeding device, power receiving device, and wireless power feed system
KR101842180B1 (ko) 2010-12-24 2018-03-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 급전 장치 및 급전 장치를 구비한 비접촉 급전 시스템
US20120193994A1 (en) 2011-01-28 2012-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power receiving device, power supply system, and method for supplying power
US20120223593A1 (en) 2011-03-03 2012-09-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power receiving device and wireless power supply system
JP2012186949A (ja) * 2011-03-07 2012-09-27 Hitachi Maxell Energy Ltd 磁界共鳴を利用した非接触電力伝送装置
US9887583B2 (en) 2011-03-10 2018-02-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power-receiving device, wireless power-feeding system including power-receiving device, and wireless communication system including power-receiving device
US9099885B2 (en) * 2011-06-17 2015-08-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Wireless power feeding system
WO2015155774A1 (en) 2014-04-10 2015-10-15 Powermat Technologies Ltd. Wireless power outlet

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001502833A (ja) * 1996-12-10 2001-02-27 レジ オートノム デ トランスポール パリジャン 端末と遠隔電力供給型携帯式物体の間の非接触型通信によるデータ交換のためのシステム
JP2010522534A (ja) * 2007-03-22 2010-07-01 パワーマット リミテッド 信号転送システム
JP2009189231A (ja) * 2008-01-09 2009-08-20 Seiko Epson Corp 送電制御装置、送電装置、無接点電力伝送システムおよび電子機器
JP2010109972A (ja) * 2008-10-03 2010-05-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 変調回路及びそれを備えた半導体装置
JP2011120443A (ja) * 2009-11-09 2011-06-16 Toyota Industries Corp 共鳴型非接触電力伝送装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2827469A1 (en) 2013-07-02 2015-01-21 Renesas Electronics Corporation Electric power receiving device and non-contact power supply system
US10079514B2 (en) 2013-07-02 2018-09-18 Renesas Electronics Corporation Electric power receiving device and non-contact power supply system
JP2015154512A (ja) * 2014-02-10 2015-08-24 キヤノン株式会社 電子機器及び送電装置
WO2015189997A1 (ja) * 2014-06-13 2015-12-17 株式会社 東芝 制御装置、無線電力伝送装置および伝送効率推定方法
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