JP2019176736A - 非接触給電システム - Google Patents

非接触給電システム Download PDF

Info

Publication number
JP2019176736A
JP2019176736A JP2019131600A JP2019131600A JP2019176736A JP 2019176736 A JP2019176736 A JP 2019176736A JP 2019131600 A JP2019131600 A JP 2019131600A JP 2019131600 A JP2019131600 A JP 2019131600A JP 2019176736 A JP2019176736 A JP 2019176736A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
power
load
coil
microprocessor
power transmission
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2019131600A
Other languages
English (en)
Inventor
康一郎 鎌田
Koichiro Kamata
康一郎 鎌田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Original Assignee
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd filed Critical Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Publication of JP2019176736A publication Critical patent/JP2019176736A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
    • H02J7/00—Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries
    • H02J7/02—Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries for charging batteries from ac mains by converters
    • H02J7/04—Regulation of charging current or voltage
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
    • H02J50/00—Circuit arrangements or systems for wireless supply or distribution of electric power
    • H02J50/10—Circuit arrangements or systems for wireless supply or distribution of electric power using inductive coupling
    • H02J50/12—Circuit arrangements or systems for wireless supply or distribution of electric power using inductive coupling of the resonant type
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
    • H02J50/00—Circuit arrangements or systems for wireless supply or distribution of electric power
    • H02J50/80—Circuit arrangements or systems for wireless supply or distribution of electric power involving the exchange of data, concerning supply or distribution of electric power, between transmitting devices and receiving devices
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
    • H02J50/00—Circuit arrangements or systems for wireless supply or distribution of electric power
    • H02J50/90—Circuit arrangements or systems for wireless supply or distribution of electric power involving detection or optimisation of position, e.g. alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
    • H02J7/00—Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries
    • H02J7/007—Regulation of charging or discharging current or voltage
    • H02J7/00712—Regulation of charging or discharging current or voltage the cycle being controlled or terminated in response to electric parameters
    • H02J7/007182—Regulation of charging or discharging current or voltage the cycle being controlled or terminated in response to electric parameters in response to battery voltage

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Charge And Discharge Circuits For Batteries Or The Like (AREA)
  • Secondary Cells (AREA)
  • Electric Propulsion And Braking For Vehicles (AREA)

Abstract

【課題】電力の伝送効率を高めることができる共鳴方式による非接触給電システムを提供する。【解決手段】高周波電源と電気的に接続された送電用コイルと、送電用コイルとの電磁誘導によって、送電される送電用共鳴コイルと、磁気共鳴によって高周波電力が励起される受電用共鳴コイルと、受電用共鳴コイルとの電磁誘導によって高周波電力が励起される負荷用コイルと、負荷と、可変手段と、を有し、負荷が、負荷のインピーダンスを制御するマイクロプロセッサーと、負荷用コイルに励起された高周波電力を基に充電が行われるバッテリー充電装置およびバッテリーを有する非接触給電システムを提供する。【選択図】図１

Description

本発明は受電装置を具備する非接触給電システムに関する。
電力供給源（以下、送電装置ともいう）と接触していない状態において、対象物（以下
、受電装置ともいう）に対して給電を行う（非接触給電、ワイヤレス給電などともいう）
方式として、磁気共鳴方式と呼ばれる方式が注目されている。磁気共鳴方式は、送電装置
および受電装置の双方に設けられる共鳴コイルを磁気共鳴させることでエネルギーの伝搬
路を形成する方式であり、他の方式（電磁誘導方式、電界誘導方式など）と比較して給電
可能距離が長い。例えば、非特許文献１では、磁気共鳴方式における伝送効率が当該共鳴
コイル間の距離が１ｍであれば約９０％、２ｍであれば約４５％という値を示すことが開
示されている。
Ａｎｄｒｅ Ｋｕｒｓ， ｅｔ ａｌ．，"Ｗｉｒｅｌｅｓｓ Ｐｏｗｅｒ Ｔｒａｎｓｆｅｒ ｖｉａ Ｓｔｒｏｎｇｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅｓ"，Ｓｃｉｅｎｃｅ，Ｖｏｌ．３１７，ｐｐ・８３−８６，２００７
上述の磁気共鳴方式においては、等しい共鳴周波数を有する一対の共鳴コイルが共鳴し
た状態における磁気共鳴を利用して給電を行っており、送電装置が有する送電用共鳴用コ
イルと受電装置が有する受電用共鳴コイルとの距離（以下、コイル間距離ともいう）によ
って、効率が高い送電が可能な条件が異なってしまい、安定して効率の高い給電を行うこ
とが困難である。
図８は、コイル間距離と電力の伝送効率の関係を示している。図８（Ａ１）は、コイル
間距離が近すぎる場合、図８（Ｂ１）は、コイル間距離が適切な場合、図８（Ｃ１）は、
コイル間距離が離れてすぎている場合をそれぞれ示し、図８（Ａ２）、図８（Ｂ２）、図
８（Ｃ２）は、それぞれの伝送効率と周波数の関係を示している。
図８（Ｂ１）に示すように、コイル間距離が適切な場合、図８（Ｂ２）に示すように、
周波数が共振周波数ｆ０のとき電力の伝送効率は最大となる。しかしながら、図８（Ａ１
）に示すように、コイル間距離が近すぎる場合でも電力の伝送効率にピークのスプリット
が発生し、ピークは周波数ｆ０’のときであり、共振周波数ｆ０においてはピークの谷と
なってしまうため、電力の伝送効率が低下してしまう。また、図８（Ｃ１）に示すように
、コイル間距離が離れている場合、図８（Ｃ２）ピークのスプリットは発生しないが共振
周波数ｆ０において、図８（Ｂ２）と比較して共鳴コイル間の磁気結合が弱くなるため、
電力の伝送効率が低くなってしまう。なお、図８では、理解を容易にするため、高周波電
源１１１と、送電用共鳴コイル１１２、送電用コイル１１７、負荷１２１、受電用共鳴コ
イル１２２、負荷用コイル１２９のみを示している。
図８に示すように、コイル間距離が適切な場合でないと最大効率がある共鳴周波数ｆ０
において得られないことが分かる。したがって、磁気共鳴型ワイヤレス給電は、コイル間
距離が近い分には、一見して空間的制約が少ないように思われがちだが、実際には、コイ
ルが密に磁気結合した際には電力の伝送効率が急激に低下するという問題を抱えている。
また、負荷が二次電池である場合、二次電池（たとえばリチウムイオン電池）は、通常
、定電流充電期間と定電圧充電期間に分けて充電される。充電が開始された直後は、定電
流充電で、印加電圧が徐々に増加するため、充電が進むにつれ、インピーダンスは徐々に
増加する。定電圧充電に移行してからは充電電流が急激に下がるため、インピーダンスは
一挙に増加してしまう。負荷のインピーダンスが変化すると、磁気共鳴による給電はさら
に困難になる。
そこで、本発明の一態様は、電力の伝送効率を高めることができる共鳴方式による非接
触給電システムを提供することを目的とする。
本発明の一態様は、送電用コイルと、送電用コイルとの電磁誘導によって、送電される
送電用共鳴コイルと、磁気共鳴によって高周波電力が励起される受電用共鳴コイルと、受
電用共鳴コイルとの電磁誘導によって高周波電力が励起される負荷用コイルと、負荷用コ
イルと電気的に接続される負荷と、負荷への充電電流を制御する可変手段と、可変手段を
制御するマイクロプロセッサーと、を有し、負荷が、負荷用コイルに励起された高周波電
力を基に充電が行われるバッテリー充電装置およびバッテリーを有する非接触給電システ
ムである。
本発明の他の一態様は、高周波電源と、送電用コイルと、送電用コイルとの電磁誘導に
よって、送電される送電用共鳴コイルと、高周波電源の出力を制御する第１のマイクロプ
ロセッサーと、磁気共鳴によって高周波電力が励起される受電用共鳴コイルと、受電用共
鳴コイルとの電磁誘導によって高周波電力が励起される負荷用コイルと、負荷用コイルと
電気的に接続される負荷と、負荷への充電電流を制御する可変手段と、第２のマイクロプ
ロセッサーと、を有し、負荷が、負荷用コイルに励起された高周波電力を基に充電が行わ
れるバッテリー充電装置およびバッテリーを有し、第２のマイクロプロセッサーは、可変
手段を制御し、かつ、第１のマイクロプロセッサーへ、高周波電源からの供給電流を制御
するための信号を送る非接触給電システムである。
本発明の他の一態様は、上記の非接触給電システムにおいて、可変手段が、バッテリー
充電装置に設けられるスイッチであることが好ましい。
本発明の他の一態様は、上記の非接触給電システムにおいて、負荷が、負荷用コイルと
電気的に接続している整流回路を有することが好ましい。
本発明の一態様は、外部からの制御によって、負荷のインピーダンスを調節し、送電装
置が有する送電用共鳴用コイルと、受電装置が有する受電用共鳴用コイルとがどのような
位置関係であっても、その状況に応じて最も電力伝送効率が高くなる条件で給電すること
ができる非接触給電システムを提供することができる。
給電システムの構成例を示す図。 給電システムの動作例を示すフローチャート。 給電システムの構成例を示す図。 給電システムの動作例を示すフローチャート。 給電システムの構成例を示す図。 給電システムの用途例を示す図。 実施例を説明するための図。 コイル間距離と電力の伝送効率の関係を示す図。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。但し、本発明は多く
の異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨およびその範囲から逸脱するこ
となくその形態および詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。
従って実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する
発明の構成において、同じ物を指し示す符号は異なる図面間において共通とする。
なお、各実施の形態の図面等において示す各構成の大きさ、層の厚さ、信号波形は、明
瞭化のために誇張されて表記している場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定
されない。
なお、本明細書等における「第１」、「第２」、「第３」などの序数詞は、構成要素の
混同を避けるために付すものであり、数的に限定するものではないことを付記する。
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様における共鳴方式による非接触給電を行う非接触給
電システムについて説明する。
＜非接触給電システムの構成例＞
図１に、本発明の一態様に係る非接触給電システムの構成について示す。図１に示す非
接触給電システムでは、磁気共鳴型電力伝送手法が適用されている。図１に示す非接触給
電システムは、送電装置１４０および受電装置１５０を含むように構成される。図１では
、送電装置１４０における送電用共鳴コイル１１２と、受電装置１５０における受電用共
鳴コイル１２２とが共鳴することで、電磁波による給電を行うことができる。
送電装置１４０は、高周波電源１１１と、送電用共鳴コイル１１２と、送電用コイル１
１７と、容量素子１１８とを有する。送電装置１４０において、高周波電源１１１は、送
電用コイル１１７と接続される。送電用共鳴コイル１１２は、送電用コイル１１７と電磁
誘導をし、送電用共鳴コイル１１２の一方の端子は、容量素子１１８の一方の端子と接続
され、送電用共鳴コイル１１２の他方の端子は、容量素子１１８の他方の端子と接続され
ている。
なお、高周波電源１１１の構成は、送電用共鳴コイル１１２の自己共振周波数と同等の
周波数を有する高周波電力を生成することが可能であれば、どのような構成としてもよい
。
また、図１に示す受電装置１５０は、負荷１２１と、受電用共鳴コイル１２２と、マイ
クロプロセッサー１２５と、整流回路１２７と、負荷用コイル１２９と、容量素子１３０
とを有し、負荷１２１は、バッテリー充電装置１２３、バッテリー１２４と、可変手段１
２６と、を有する。受電装置１５０において、受電用共鳴コイル１２２と電磁誘導をする
負荷用コイル１２９が、整流回路１２７を介して負荷１２１に接続されている。負荷１２
１の可変手段１２６が、バッテリー充電装置１２３に内蔵されており、バッテリー１２４
の一方の端子がバッテリー充電装置１２３と接続されており、バッテリー１２４の他方の
端子が接地されている。
なお、容量素子１１８および容量素子１３０は、それぞれ送電用共鳴コイル１１２、受
電用共鳴コイル１２２の浮遊容量であってもよいし、それぞれ独立に容量素子が設けられ
ていてもよい。また、可変手段１２６は、バッテリー充電装置１２３の外部にあり、バッ
テリー充電装置１２３と接続されていてもよい。
高周波電源１１１からの交流電力である高周波電力が、整流回路１２７に与えられ、整
流される。整流されることで得られた直流電圧および直流電流は、負荷１２１に与えられ
る。
なお、図示しないが、受電装置１５０において、整流回路１２７とマイクロプロセッサ
ー１２５との間に、Ａ／Ｄ変換回路を設けてもよいし、マイクロプロセッサー１２５にＡ
／Ｄ変換回路が内蔵されている構成としてもよい。
また、整流回路１２７と負荷１２１の間にＤＣＤＣコンバータを設ける構成としてもよ
い。整流回路で整流され、得られた直流電圧は、ＤＣＤＣコンバータに入力され、その大
きさが調整されて出力される。
また、可変手段１２６は、受電装置１５０のバッテリー１２４への充電電流を制御する
ことでバッテリー充電装置１２３およびバッテリー１２４のインピーダンスを制御させる
ことができる。可変手段１２６として、例えば、バッテリー充電装置１２３に内蔵され、
マイクロプロセッサー１２５によってスイッチングが制御されるスイッチを適用すること
が可能である。なお、可変手段１２６として、スイッチを適用する場合、高周波電力が印
加されうるため、接点が存在するか否かを制御する機械的スイッチ（機械的リレー、ＭＥ
ＭＳスイッチなど）を適用することが好ましい。
なお、コイルを用いた電力伝送技術において、高い伝送効率を示す指標となるパラメー
タとしてｋ×Ｑがある（ｋは結合係数、Ｑは共鳴コイルのＱ値）。結合係数ｋは、送電側
の共鳴コイルと受電側の共鳴コイルとの磁気結合の度合いを示す係数である。また、Ｑ値
は、共振回路の共振のピークの鋭さを表す値である。共鳴型非接触給電技術では、高い伝
送効率を実現するため、当該送電用共鳴コイル１１２および受電用共鳴コイル１２２とし
て、Ｑ値が非常に高く設定された共鳴コイル（例えば、Ｑは１００より大きい、または、
ｋ×Ｑが１より大きい）を用いることが好ましい。
＜非接触給電システムにおける給電方法＞
次に、本発明の一態様に係る非接触給電システムにおける給電方法について図２を参照
して説明する。図２は、非接触給電システムにおける給電方法の一例を示すフローチャー
トである。
まず、送電装置１４０に対して、受電装置１５０が任意の位置に設置されると、送電装
置１４０の高周波電源１１１をオンとすることにより送電が開始される（図２に示すステ
ップＳ１参照）。このとき、効率の良い送電が行われているとは限らない。つまり、伝送
効率が最大であるとは限らない。なお、本実施の形態では、受電装置１５０のバッテリー
１２４への充電電流を制御することでインピーダンスを調節する場合について説明する。
送電装置１４０から受電装置１５０へ送電が開始されると、送電装置１４０の送電用共
鳴コイル１１２から受電装置１５０の受電用共鳴コイル１２２へ、磁気結合を介して送電
され、さらに、整流回路１２７によって、直流電圧および直流電流に変換され、負荷１２
１（例えば、二次電池、ＬＥＤ、ＩＣチップのいずれかを少なくとも含む）へ印加される
。このとき、受電装置１５０の負荷１２１に印加される直流電圧値および直流電流値を取
得する。このときの直流電圧値および直流電流値の積を電力値Ｐ１とする。取得した直流
電圧値および直流電流値の積（電力値Ｐ１）のデータＤ１は、マイクロプロセッサー１２
５に格納する（図２に示すステップＳ２１参照）
次に、マイクロプロセッサー１２５によって可変手段１２６が制御され、バッテリー１
２４の充電電流を変更させる。バッテリー１２４の充電電流が変わることでバッテリー充
電装置１２３およびバッテリー１２４のインピーダンスが変わり、結果として負荷１２１
全体のインピーダンスが変わる。同時にマイクロプロセッサー１２５は、負荷１２１に印
加される直流電圧値および直流電流値を取得し、直流電圧値および直流電流値の積である
電力値Ｐ２を算出する。電力値Ｐ２のデータＤ２は、マイクロプロセッサー１２５に格納
する。
ｎ種類のインピーダンス変更を行い、その都度得た電力値のデータ（Ｄ１、Ｄ２、…、
Ｄｎ）をマイクロプロセッサー１２５に格納する（図２に示すステップＳ２ｎ参照）。
格納された電力値のデータ（Ｄ１、Ｄ２、…、Ｄｎ）の中から最も電力の伝送効率の高
い条件で給電を行うようにマイクロプロセッサー１２５がバッテリー１２４の充電電流を
変更させ、バッテリー１２４の充電を行う（図２に示すステップＳ３、Ｓ４参照）。
次に、一定期間（例えば、１０ｓｅｃ）、充電を行ったら、現状のインピーダンスで充
電が最も電力の伝送効率の高い条件であるか否かを確認する。
再度、図２に示すステップＳ２１〜ステップＳ２ｎ、ステップＳ３を経て、バッテリー
１２４の充電電流を変更させ、負荷１２１全体のインピーダンスが最適条件となるように
設定し、充電を行う。
その後の処理は、ステップＳ２１〜ステップＳ２ｎ、ステップＳ３、ステップＳ４のル
ープ処理が繰り返し実行され、充電が完了したら、高周波電源１１１をオフにする。
このように、上記ループ処理が繰り返されることにより、充電を行っている途中で、送
電装置１４０と受電装置１５０との距離が変わった場合であっても、バッテリー１２４の
充電を効率よく行うことができる。
図１に示す非接触給電システムにおいて、図２に示す給電方法を適用することで、送電
装置１４０と受電装置１５０の配置に応じて、電力の伝送効率を高めることができるため
、効率よく、給電を行うことができる。このため、給電利用者にとって、より利便性が高
い給電システムを提供することができる。
（実施の形態２）
本実施の形態では、図１とは一部異なる非接触給電システムの構成について説明する。
＜非接触給電システムの構成例＞
図３に、本発明の一態様に係る非接触給電システムの構成について示す。送電装置１６
０は、高周波電源１１１と、送電用共鳴コイル１１２と、送電用コイル１１７と、容量素
子１１８と、を有する点においては、図１と同様である。図１と異なる点は、送電装置１
６０において、アンテナ１１３と、マイクロプロセッサー１１５と、第１の送受信回路１
１９を有し、第１の送受信回路１１９は、マイクロプロセッサー１１５およびアンテナ１
１３と接続され、マイクロプロセッサー１１５は高周波電源１１１と接続されている点に
ある。
また、受電装置１７０は、負荷１２１と、受電用共鳴コイル１２２と、マイクロプロセ
ッサー１２５と、整流回路１２７と、負荷用コイル１２９と、容量素子１３０とを有し、
負荷１２１は、バッテリー充電装置１２３と、バッテリー１２４と、可変手段１２６と、
を有する点においては、図１と同様である。図１と異なる部分は、受電装置１７０におい
て、アンテナ１３３と、第２の送受信回路１２８とを有し、第２の送受信回路１２８は、
マイクロプロセッサー１２５およびアンテナ１３３と接続されている点にある。
図３に示す非接触給電システムの構成は、受電装置１７０で生成されている直流電圧値
および直流電流値の情報をアンテナ１３３を用いて、送電装置１６０に返している。受電
装置１７０における直流電圧値および直流電流値の情報を受け取った送電装置１６０は、
必要に応じて、高周波電源１１１の出力を調整することができる。
たとえば、バッテリー１２４がリチウムイオン二次電池の場合、過電圧印加を防止する
ため、一定以上の電圧をバッテリー１２４に印加させない設計になっている。したがって
、バッテリー１２４への印加電圧が必要以上に上昇してしまった時は、結局、バッテリー
充電装置１２３に内蔵されている充電制御回路によって減圧されてしまい、その減圧され
てしまった分の電力は無駄に消費してしまうので送電装置１６０の高周波電源１１１の出
力電力を下げ、その充電状態を維持できる必要最低限の電力を供給することが好ましい。
＜非接触給電システムにおける給電方法＞
次に、本発明の一態様に係る非接触給電システムにおける給電方法について図４を参照
して説明する。図４は、非接触給電システムにおける給電方法の一例を示すフローチャー
トである。
まず、送電装置１６０に対して、受電装置１７０が任意の位置に設置されると、送電装
置１６０は受電装置１７０へ送電を開始する。送電装置１６０の高周波電源１１１をオン
とすることにより送電が開始される（図４に示すステップＳ１１参照）。このとき、効率
の良い送電が行われているとは限らない。つまり、伝送効率が最大であるとは限らない。
なお、本実施の形態では、受電装置１７０のバッテリー１２４への充電電流を制御するこ
とでインピーダンスを調節する場合について説明する。
送電装置１６０から受電装置１７０へ送電が開始されると、送電装置１６０の送電用共
鳴コイル１１２から受電装置１７０の受電用共鳴コイル１２２へ、磁気結合を介して送電
され、さらに、整流回路１２７によって、直流電圧および直流電流に変換され、負荷１２
１（例えば、二次電池、ＬＥＤ、ＩＣチップのいずれかを少なくとも含む）へ印加される
。このとき、受電装置１７０の負荷１２１に印加される直流電圧値および直流電流値を取
得する。このときの直流電圧値および直流電流値の積を電力値Ｐ１とする。取得した直流
電圧値および直流電流値の積（電力値Ｐ１）のデータＤ１は、マイクロプロセッサー１２
５に格納する（図４に示すステップＳ１２１参照）。
次に、マイクロプロセッサー１２５によって可変手段１２６が制御され、バッテリー１
２４の充電電流を変更させる。バッテリー１２４の充電電流が変わることでバッテリー充
電装置１２３およびバッテリー１２４のインピーダンスが変わり、結果として、負荷１２
１全体のインピーダンスが変わる。同時にマイクロプロセッサー１２５は、負荷１２１に
印加される直流電圧値および直流電流値を取得し、直流電圧値および直流電流値の積であ
る電力値Ｐ２を算出する。電力値Ｐ２のデータＤ２は、マイクロプロセッサー１２５に格
納する。
ｎ種類のインピーダンス変更を行い、その都度得た電力値のデータ（Ｄ１、Ｄ２、…、
Ｄｎ）をマイクロプロセッサー１２５に格納する（図４に示すステップＳ１２ｎ参照）。
格納された電力値のデータ（Ｄ１、Ｄ２、…、Ｄｎ）の中から最も電力の伝送効率の高
い条件で給電を行うようにマイクロプロセッサー１２５がバッテリー１２４の充電電流を
変更させる（図４に示すステップＳ１３ａ参照）。
次に、マイクロプロセッサー１２５は高周波電源１１１から最適な電力が供給されるよ
うに、電力を調節する信号を第２の送受信回路１２８に出力し、第２の送受信回路１２８
からアンテナ１３３およびアンテナ１１３を介して第１の送受信回路１１９へ送信し、第
１の送受信回路１１９からマイクロプロセッサー１１５へ出力される。
マイクロプロセッサー１１５は、出力を調整するように高周波電源１１１に命令し、高
周波電源１１１は、最適な電力を供給するように調整を行う。マイクロプロセッサー１１
５は、第１の送受信回路１１９、アンテナ１１３、アンテナ１３３、第２の送受信回路１
２８を介して高周波電源１１１の出力が適切であるかを調べるためにマイクロプロセッサ
ー１２５に直流電圧値をモニターするように命令する。直流電圧値をモニターする処理を
繰り返して、最適な電力を供給する。（図４に示すステップＳ１３ｂ参照）。例えば、充
電完了間際の場合、高周波電源１１１は、現状より小さい電力を供給し、直流電圧値をモ
ニターする処理を繰り返し行って、徐々に電力を小さくして最適な電力を供給する。
次に、マイクロプロセッサー１１５は、高周波電源１１１の出力を基に充電を継続する
か否かを判定する。（図４に示すステップＳ１４参照）。高周波電源１１１の出力が０に
なり、充電を継続しないと判定された場合は、高周波電源１１１をオフにすることで、充
電を完了させる（図４に示すステップＳ１５参照）。充電を継続すると判定された場合は
、次のステップに進む。
次に、一定期間（例えば、１０ｓｅｃ）、充電を行ったら（図４に示すステップＳ１６
参照）、現状のインピーダンスで充電が最も電力の伝送効率の高い条件であるか否かを確
認する。
再度、図４に示すステップＳ１２１〜ステップＳ１２ｎ、ステップＳ１３ａ、ステップ
Ｓ１３ｂ、ステップＳ１４を経て、バッテリー１２４の充電電流を変更させ、負荷１２１
全体のインピーダンスが最適条件となるように設定し、また、高周波電源１１１が最適出
力となるように設定した後、充電を継続するか否かを判定する。
その後の処理は、ステップＳ１２１〜ステップＳ１２ｎ、ステップＳ１３ａ、ステップ
Ｓ１３ｂ、ステップＳ１４、ステップＳ１６のループ処理が繰り返し実行される。
このように、上記ループ処理が繰り返されることにより、充電を行っている途中で、送
電装置１６０と受電装置１７０との距離が変わった場合であっても、バッテリー１２４の
充電を効率よく行うことができる。
図３に示す非接触給電システムにおいて、図４に示す給電方法を適用することで、送電
装置１６０と受電装置１７０の配置に応じて、電力の伝送効率を高めることができるため
、効率よく、給電を行うことができる。このため、給電利用者にとって、より利便性が高
い給電システムを提供することができる。
（実施の形態３）
本実施の形態では、図１、図３とは一部異なる非接触給電システムの構成について説明
する。
＜非接触給電システムの構成例＞
図５に、本発明の一態様に係る非接触給電システムの構成について示す。送電装置１８
０は、高周波電源１１１と、送電用共鳴コイル１１２と、マイクロプロセッサー１１５と
、送電用コイル１１７と、容量素子１１８と、第１の送受信回路１１９とを有する点にお
いては、図３と同様である。図３と異なる点は、送電装置１８０において、方向性結合器
１１４と、ミキサ１１６とを有し、高周波電源１１１は、ミキサ１１６およびマイクロプ
ロセッサー１１５と接続されている点、第１の方向性結合器１１４は、ミキサ１１６、第
１の送受信回路１１９および送電用コイル１１７と接続されている点、第１の送受信回路
１１９は、ミキサ１１６およびマイクロプロセッサー１１５と接続されている点にある。
また、受電装置１９０は、負荷１２１と、受電用共鳴コイル１２２と、マイクロプロセ
ッサー１２５と、整流回路１２７と、第２の送受信回路１２８と、負荷用コイル１２９と
、容量素子１３０とを有し、負荷１２１は、バッテリー充電装置１２３と、バッテリー１
２４と、可変手段１２６と、を有する点においては、図３と同様である。図３と異なる点
は、受電装置１９０において、第２の方向性結合器１３４と、負荷１３５と、トランジス
タ１３６を有し、整流回路１２７と負荷用コイル１２９の一方の端子の間に第２の方向性
結合器１３４が設けられている点、負荷用コイル１２９の一方の端子と第２の方向性結合
器１３４の間に負荷１３５が設けられている点、負荷１３５と負荷用コイル１２９の他方
の端子との間にトランジスタ１３６が設けられている点にある。第２の方向性結合器１３
４は、第２の送受信回路１２８と接続され、第２の送受信回路１２８は、トランジスタ１
３６のゲートと接続され、トランジスタ１３６のソースまたはドレインの一方は負荷１３
５と、トランジスタ１３６のソースまたはドレインの他方は負荷用コイル１２９の他方と
接続されている。
トランジスタ１３６は、どのようなものを用いてもよいが、特に酸化物半導体を用いた
トランジスタを適用することが好ましい。高純度化された酸化物半導体を適用したトラン
ジスタは、オフ状態における電流値（オフ電流値）を、チャネル幅１μｍ当たり１０ｚＡ
／μｍ未満、８５℃にて１００ｚＡ／μｍ未満レベルにまで低くすることができる。すな
わち、測定限界近傍または測定限界近傍以下までオフ電流を下げることができる。このた
め、トランジスタのオン／オフに基づいて、送電装置１８０からみた受電装置１９０のイ
ンピーダンスを適切に変化させることができる。
ミキサ１１６は、アナログ乗算器であり、ミキサ１１６に高周波電源１１１の出力と第
１の送受信回路１１９の出力が入力されると、２つの振動波形が掛け合わされ、共鳴周波
数に変調信号が重畳される。
第１の方向性結合器１１４および第２の方向性結合器１３４は、順方向に伝送する電力
（進行波）または逆方向に伝送する電力（反射波）に対する信号を取り出すことができる
。本実施の形態では、第１の方向性結合器１１４に入力された信号は、送電用コイル１１
７および第１の送受信回路１１９に伝送され、第２の方向性結合器１３４に入力された信
号は、整流回路１２７および第２の送受信回路１２８に伝送される。
図５に示す非接触給電システムの構成は、受電装置１９０で生成されている直流電圧値
および直流電流値の情報を送電装置１８０からみた受電装置１９０のインピーダンスの変
化パターンによって送電装置１８０に返している。受電装置１９０における直流電圧値お
よび直流電流値の情報を受け取った送電装置１８０は、必要に応じて、高周波電源１１１
の出力を調整することができる。
たとえば、バッテリー１２４がリチウムイオン二次電池の場合、過電圧印加を防止する
ため、一定以上の電圧をバッテリー１２４に印加させない設計になっている。したがって
、バッテリー１２４への印加電圧が必要以上に上昇してしまったような時は、結局、バッ
テリー充電装置１２３に内蔵されている充電制御回路によって減圧されてしまい、その減
圧されてしまった分の電力は無駄に消費してしまうので送電装置１８０の高周波電源１１
１の出力電力を下げ、その充電状態を維持できる必要最低限の電力を供給することが好ま
しい。
＜非接触給電システムにおける給電方法＞
次に、本発明の一態様に係る非接触給電システムにおける給電方法について先の実施の
形態で用いた図４を参照して説明する。
送電が開始されてからバッテリー１２４のインピーダンスを変更させるまで（図４に示
すステップＳ１１乃至ステップＳ１３ａ）は、先の実施の形態の給電方法を参酌する。
次に、マイクロプロセッサー１２５は、第２の方向性結合器１３４、第２の送受信回路
１２８を介して得た復調信号に基づいて受電電力取得処理を行う。続いて、取得した受電
電力情報を、第２の送受信回路１２８を介して変調信号として出力し、トランジスタ１３
６のゲートに与える電圧を変化させる。トランジスタ１３６のゲートに与える電圧を変化
させることにより、トランジスタ１３６のオン／オフに基づいて、送電装置１８０からみ
た受電装置１９０のインピーダンスが変化する。
送電装置１８０からみた受電装置１９０のインピーダンスの変化のパターンに付随して
、送電用共鳴コイル１１２、送電用コイル１１７を介して逆電力（所望の方向と逆方向に
伝送する電力）に振幅変調がかけられ、第１の方向性結合器１１４に信号が入力される。
上記のように振幅変調され、第１の方向性結合器１１４に入力された上記逆電力は、方
向性結合器１１４によって第１の送受信回路１１９に伝達され、第１の送受信回路１１９
によって復調され、マイクロプロセッサー１１５に入力される。マイクロプロセッサー１
１５は、第１の送受信回路１１９より得た復調信号に応じ、出力を調整するように高周波
電源１１１に命令し、結果として、高周波電源１１１は充電の進行状況に応じた最適な電
力を供給する。（図４に示すステップＳ１３ｂ参照）。同時にマイクロプロセッサー１１
５は、入力された逆電力を第１の送受信回路１１９を介してミキサ１１６に入力する。
次に、マイクロプロセッサー１１５は、高周波電源１１１の出力を基に充電を継続する
か否かを判定する。（図４に示すステップＳ１４参照）。高周波電源１１１の出力が０に
なり、充電を継続しないと判定された場合は、高周波電源１１１をオフにすることで、充
電を完了させる（図４に示すステップＳ１５参照）。充電を継続すると判定された場合は
、次のステップに進む。
次に、一定期間（例えば、１０ｓｅｃ）、充電を行ったら（図４に示すステップＳ１６
参照）、現状のインピーダンスで充電が最も電力の伝送効率の高い条件であるか否かを確
認する。
再度、図４に示すステップＳ１２１〜ステップＳ１２ｎ、ステップＳ１３ａ、ステップ
Ｓ１３ｂ、ステップＳ１４を経て、バッテリー１２４の充電電流を変更させ、負荷１２１
全体のインピーダンスが最適条件となるように設定し、また、高周波電源１１１が最適出
力となるように設定した後、充電を継続するか否かを判定する。
その後の処理は、ステップＳ１２１〜ステップＳ１２ｎ、ステップＳ１３ａ、ステップ
Ｓ１３ｂ、ステップＳ１４、ステップＳ１６のループ処理が繰り返し実行される。
このように、上記ループ処理が繰り返されることにより、充電を行っている途中で、送
電装置１８０と受電装置１９０との距離が変わった場合であっても、バッテリー１２４の
充電を効率よく行うことができる。
図５に示す非接触給電システムにおいて、上記に示す給電方法を適用することで、送電
装置１８０と受電装置１９０の配置に応じて、電力の伝送効率を高めることができるため
、効率よく、給電を行うことができる。このため、給電利用者にとって、より利便性が高
い給電システムを提供することができる。また、本実施の形態では、共鳴給電用のインタ
ーフェイスを介して非接触ＩＣ技術に基づく通信を行っている。したがって、本実施の形
態の非接触給電システムを携帯電話等のモバイル機器に導入することで、別途の専用通信
インターフェイスを設けなくとも、非接触のＩＣ乗車カードや電子マネー等のアプリケー
ションにおける情報の送受信を行うことができる。
（実施の形態４）
本実施の形態では、上記実施の形態で説明した非接触給電システムを適用できる用途に
ついて説明する。なお、本発明の一態様に係る非接触給電システムを適用できる用途とし
ては、例えば、携帯型の電子機器である、デジタルビデオカメラ、携帯情報端末（モバイ
ルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機又は電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再
生装置（具体的にはＤｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ（ＤＶＤ）再生装置
）などが挙げられる。また、電力を基に動力を得る電気自動車等の電気推進移動体が挙げ
られる。以下、一例について図面を用いて説明する。
図６（Ａ）は携帯電話及び携帯情報端末を非接触給電システムの用途とする一例であり
、非接触給電システムは、送電装置７０１、受電装置７０３Ａを有する携帯電話７０２Ａ
、受電装置７０３Ｂを有する携帯電話７０２Ｂ有している。上記実施の形態で説明した非
接触給電システムは、送電装置７０１と受電装置７０３Ａとの間、および送電装置７０１
と受電装置７０３Ｂとの間で適用することができる。
例えば、送電装置７０１には、上記実施の形態に示す送電装置１４０、送電装置１６０
、送電装置１８０の構成が適用でき、受電装置７０３Ａおよび受電装置７０３Ｂには、上
記実施の形態に示す受電装置１５０、受電装置１７０、受電装置１９０の構成が適用でき
る。
本発明の一態様に係る非接触給電システムを適用することにより、送電装置７０１と受
電装置７０３Ａとの配置、および送電装置７０１と受電装置７０３Ｂとの配置に応じて、
送電の効率を高めることができるため、送電装置７０１から受電装置７０３Ａおよび受電
装置７０３Ｂへ電力を効率よく供給することができる。
図６（Ｂ）は電気推進移動体である電気自動車を非接触給電システムの用途とする一例
であり、非接触給電システムは、送電装置７１１、受電装置７１３を有する電気自動車７
１２を有している。上記実施の形態で説明した非接触給電システムは、送電装置７１１と
受電装置７１３との間で適用することができる。
例えば、送電装置７１１には、上記実施の形態に示す送電装置１４０、送電装置１６０
、送電装置１８０の構成が適用でき、受電装置７１３には、上記実施の形態に示す受電装
置１５０、受電装置１７０、受電装置１９０の構成が適用できる。
本発明の一態様に係る非接触給電システムを適用することにより、送電装置７１１と受
電装置７１３との配置に応じて、送電の効率を高めることができるため、送電装置７１１
から受電装置７１３へ電力を効率よく供給することができる。
以上、上記実施の形態で説明した非接触給電システムは電力をもって駆動させる物品で
あればどのようなものにでも設けて使用することができる。
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可
能である。
本実施例では、送電用共鳴コイルと受電用共鳴コイルとの間の伝送効率が最大となるバ
ッテリーのインピーダンスが、送電用共鳴コイルと受電用共鳴コイルとの間（コイル間と
もいう）の距離によって変化する様子を図７に示す。図７（Ａ）は、コイル間の距離がコ
イル間の伝送効率が最大となる距離よりも離れており、コイル間の磁気結合が弱い状態の
場合、図７（Ｂ）は、コイル間の距離がコイル間の伝送効率が最大となる距離よりも近く
、コイル間の磁気結合が強い状態の場合を示している。図７（Ａ）、図７（Ｂ）の横軸は
周波数ｆ［ＭＨｚ］、縦軸は電力の伝送効率［％］を表している。また、バッテリーのイ
ンピーダンスを変える負荷抵抗は、２０Ω、３５Ω、５０Ω、１００Ωの４種類を用意し
、測定を行った。
図７（Ａ）に示すように、コイル間の距離がコイル間の伝送効率が最大となる距離より
も離れている状態において、電力の伝送効率が最大（ｆ＝１３．５６ＭＨｚ）となるのは
、バッテリーのインピーダンスが３５Ω〜５０Ω程度の時であるのが確認された。
また、図７（Ｂ）に示すように、コイル間の距離がコイル間の伝送効率が最大となる距
離よりも近い状態において、電力の伝送効率が最大（ｆ＝１３．５６ＭＨｚ）となるのは
、バッテリーのインピーダンスが２０Ω程度の時であるのが確認された。
図７に示すように、コイル間の位置関係、すなわち、コイル間の磁気結合度に応じて、
常に最大の電力の伝送効率となるようにバッテリーのインピーダンスを、負荷抵抗を用い
て調整すれば、電力を無駄に消費することなく充電を行うことができる。
１１１ 高周波電源
１１２ 送電用共鳴コイル
１１３ アンテナ
１１５ マイクロプロセッサー
１１７ 送電用コイル
１１８ 容量素子
１１９ 第１の送受信回路
１２１ 負荷
１２２ 受電用共鳴コイル
１２３ バッテリー充電装置
１２４ バッテリー
１２５ マイクロプロセッサー
１２６ 可変手段
１２７ 整流回路
１２８ 第２の送受信回路
１２９ 負荷用コイル
１３０ 容量素子
１３３ アンテナ
１３５ 負荷
１３６ トランジスタ
１４０ 送電装置
１５０ 受電装置
１６０ 送電装置
１７０ 受電装置
１８０ 送電装置
１９０ 受電装置
７０１ 送電装置
７０２Ａ 携帯電話
７０２Ｂ 携帯電話
７０３Ａ 受電装置
７０３Ｂ 受電装置
７１１ 送電装置
７１２ 電気自動車
７１３ 受電装置

Claims (2)

  1. 送電装置と受電装置とを有する非接触給電システムであって、
    前記送電装置は、
    送電用コイルとの電磁誘導によって送電することができる機能を有する送電用共鳴コイルと、
    前記送電用コイルと電気的に接続された高周波電源と、
    前記高周波電源と電気的に接続された第１のマイクロプロセッサーと、を有し、
    前記受電装置は、
    受電用共鳴コイルとの電磁誘導によって高周波電力を励起することができる機能を有する負荷用コイルと、
    前記負荷用コイルと電気的に接続された整流回路と、
    前記負荷用コイルの一方の端子と前記整流回路との間の方向性結合器と、
    前記整流回路及び前記方向性結合器を介して前記負荷用コイルの一方の端子と電気的に接続された第１の負荷と、
    前記負荷用コイルの一方の端子及び前記方向性結合器と電気的に接続された第２の負荷と、
    前記第２の負荷と前記負荷用コイルの他方の端子との間のトランジスタと、
    前記第１の負荷と電気的に接続された第２のマイクロプロセッサーと、を有し、
    前記負荷は、バッテリーと、可変手段を有するバッテリー充電装置と、を有し、
    前記バッテリー充電装置は、前記負荷用コイルによって励起された高周波電力を用いて充電することができる機能を有し、
    前記可変手段は、前記バッテリーへの充電電流を制御することができる機能を有し、
    前記第２のマイクロプロセッサーは、前記可変手段を制御することができる機能を有する、非接触給電システム。
  2. 送電装置と受電装置とを有する非接触給電システムであって、
    前記送電装置は、
    送電用コイルとの電磁誘導によって送電することができる機能を有する送電用共鳴コイルと、
    前記送電用コイルと電気的に接続された高周波電源と、
    前記高周波電源と電気的に接続された第１のマイクロプロセッサーと、を有し、
    前記受電装置は、
    受電用共鳴コイルとの電磁誘導によって高周波電力を励起することができる機能を有する負荷用コイルと、
    前記負荷用コイルと電気的に接続された整流回路と、
    前記負荷用コイルの一方の端子と前記整流回路との間の方向性結合器と、
    前記整流回路及び前記方向性結合器を介して前記負荷用コイルの一方の端子と電気的に接続された第１の負荷と、
    前記負荷用コイルの一方の端子及び前記方向性結合器と電気的に接続された第２の負荷と、
    前記第２の負荷と前記負荷用コイルの他方の端子との間のトランジスタと、
    前記第１の負荷と電気的に接続された第２のマイクロプロセッサーと、を有し、
    前記負荷は、バッテリーと、可変手段を有するバッテリー充電装置と、を有し、
    前記バッテリー充電装置は、前記負荷用コイルによって励起された高周波電力を用いて充電することができる機能を有し、
    前記可変手段は、前記バッテリーへの充電電流を制御することができる機能を有し、
    前記第２のマイクロプロセッサーは、前記可変手段を制御することができる機能を有し、
    前記送電装置から前記受電装置へ供給された電力が前記整流回路で直流電圧及び直流電流に変換されて前記負荷に印加されるとともに、前記負荷に印加された直流電圧値及び直流電流値から得た電力値データを、前記第２のマイクロプロセッサーに格納する第１のステップと、
    前記第１のステップの後、前記第２のマイクロプロセッサーによって前記可変手段を制御して前記バッテリーの充電電流を変更し、前記負荷のインピーダンスを変更するとともに、前記負荷に印加された直流電圧値及び直流電流値から得た電力値データを前記第２のマイクロプロセッサーに格納する第２のステップと、
    前記第１のステップで得た電力値データ及び、前記第２のステップをｎ回繰り返して得た複数の電力値データの中から、電力の伝送効率が最も高い条件で電力の供給が行われるように、前記第２のマイクロプロセッサーによって前記バッテリーの充電電流を変更する第３のステップと、
    前記第３のステップの後、前記第２のマイクロプロセッサーによって電力を調節する信号を前記送電装置に送信する第４のステップと、
    前記電力を調節する信号に基づいて、前記第１のマイクロプロセッサーによって前記高周波電源の出力を調整する第５のステップと、
    前記第１のマイクロプロセッサーによって前記高周波電源の出力に基づいて、充電を継続するか否かを判定する第６のステップと、
    前記第６のステップにおいて充電を継続すると判定された場合、前記第１乃至前記第６のステップを繰り返す、非接触給電システム。
JP2019131600A 2011-06-17 2019-07-17 非接触給電システム Withdrawn JP2019176736A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011135059 2011-06-17
JP2011135059 2011-06-17

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017235940A Division JP6559761B2 (ja) 2011-06-17 2017-12-08 非接触給電システム

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2019176736A true JP2019176736A (ja) 2019-10-10

Family

ID=47353175

Family Applications (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012133988A Withdrawn JP2013021906A (ja) 2011-06-17 2012-06-13 非接触給電システム
JP2016163722A Withdrawn JP2016195543A (ja) 2011-06-17 2016-08-24 非接触給電システム及び受電装置
JP2017235940A Active JP6559761B2 (ja) 2011-06-17 2017-12-08 非接触給電システム
JP2019131600A Withdrawn JP2019176736A (ja) 2011-06-17 2019-07-17 非接触給電システム

Family Applications Before (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012133988A Withdrawn JP2013021906A (ja) 2011-06-17 2012-06-13 非接触給電システム
JP2016163722A Withdrawn JP2016195543A (ja) 2011-06-17 2016-08-24 非接触給電システム及び受電装置
JP2017235940A Active JP6559761B2 (ja) 2011-06-17 2017-12-08 非接触給電システム

Country Status (2)

Country Link
US (2) US9099885B2 (ja)
JP (4) JP2013021906A (ja)

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9099885B2 (en) * 2011-06-17 2015-08-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Wireless power feeding system
KR101991341B1 (ko) * 2013-01-04 2019-06-20 삼성전자 주식회사 무선 전력 수신 장치 및 무선 전력 전송 시스템
CN103094962A (zh) * 2013-01-10 2013-05-08 李鹏 一种用于无线充电的移动电源及无线充电系统
JP2014166084A (ja) * 2013-02-27 2014-09-08 Hitachi Ltd 給電装置、受電装置、電気自動車、充電システム及び充電方法
JP2014168358A (ja) * 2013-02-28 2014-09-11 Nitto Denko Corp 無線電力伝送装置、無線電力伝送装置における入力インピーダンスの負荷変動応答性の調整方法、及び、無線電力伝送装置の製造方法
JP6169380B2 (ja) * 2013-03-19 2017-07-26 日東電工株式会社 無線電力伝送装置、無線電力伝送装置の発熱制御方法、及び、無線電力伝送装置の製造方法
JP2014209813A (ja) * 2013-04-16 2014-11-06 日東電工株式会社 無線電力伝送装置、無線電力伝送装置の発熱制御方法、及び、無線電力伝送装置の製造方法
JP6110236B2 (ja) 2013-07-02 2017-04-05 ルネサスエレクトロニクス株式会社 受電装置及び非接触給電システム
CN103633746A (zh) * 2013-11-04 2014-03-12 上海华勤通讯技术有限公司 无线供电装置、无线充电装置及移动终端
JP2015133834A (ja) * 2014-01-14 2015-07-23 日東電工株式会社 無線電力伝送装置及びその製造方法
JP2015154512A (ja) * 2014-02-10 2015-08-24 キヤノン株式会社 電子機器及び送電装置
KR102103982B1 (ko) * 2014-02-17 2020-04-23 삼성전자주식회사 자기공명영상용 RF(radio frequency) 코일 어셈블리 및 자기공명영상 시스템
EP3111530B1 (en) * 2014-02-23 2022-04-13 Apple Inc. Impedance matching for inductive power transfer systems
US10032557B1 (en) 2014-05-29 2018-07-24 Apple Inc. Tuning of primary and secondary resonant frequency for improved efficiency of inductive power transfer
JP6205308B2 (ja) * 2014-05-29 2017-09-27 日東電工株式会社 無線電力伝送装置
US9537353B1 (en) 2014-06-03 2017-01-03 Apple Inc. Methods for detecting mated coils
US9685814B1 (en) 2014-06-13 2017-06-20 Apple Inc. Detection of coil coupling in an inductive charging system
WO2015189997A1 (ja) * 2014-06-13 2015-12-17 株式会社 東芝 制御装置、無線電力伝送装置および伝送効率推定方法
US9813041B1 (en) 2014-07-31 2017-11-07 Apple Inc. Automatic boost control for resonant coupled coils
US10014733B2 (en) 2014-08-28 2018-07-03 Apple Inc. Temperature management in a wireless energy transfer system
US10193372B2 (en) 2014-09-02 2019-01-29 Apple Inc. Operating an inductive energy transfer system
WO2016099032A1 (ko) * 2014-12-16 2016-06-23 주식회사 한림포스텍 무선 전력 전송 네트워크의 전력 전송 커버리지 제어 장치 및 방법
US10666084B2 (en) 2015-07-10 2020-05-26 Apple Inc. Detection and notification of an unpowered releasable charging device
JP6618006B2 (ja) * 2015-09-29 2019-12-11 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 無線電力伝送システムおよび送電装置
JP6631174B2 (ja) 2015-11-06 2020-01-15 株式会社Ihi 充電制御装置
US10644531B1 (en) 2016-09-22 2020-05-05 Apple Inc. Adaptable power rectifier for wireless charger system
KR102335722B1 (ko) 2017-04-07 2021-12-06 광동 오포 모바일 텔레커뮤니케이션즈 코포레이션 리미티드 무선 충전 장치, 충전 대기 설비 및 그 제어 방법
US10523063B2 (en) 2017-04-07 2019-12-31 Apple Inc. Common mode noise compensation in wireless power systems
US10389274B2 (en) 2017-04-07 2019-08-20 Apple Inc. Boosted output inverter for electronic devices
JP7150472B2 (ja) * 2018-05-22 2022-10-11 スタンレー電気株式会社 車両用灯具、照明システム、および照灯制御方法
CN109004768B (zh) * 2018-06-26 2022-05-31 华为技术有限公司 一种无线充电的装置和方法
EP3952002A4 (en) * 2019-03-28 2023-04-19 Aoi Japan Co., Ltd. WIRELESS POWER SUPPLY SYSTEM WITH BATTERY MOUNTED DEVICE INTERLOCKED WITH A POWER RECEIVING DEVICE WITH LIGHT UNIT MOUNTED
CN114043882A (zh) * 2021-11-16 2022-02-15 桔充充(杭州)新能源有限公司 一种适配于多种二轮电动车电池的无线充电系统

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001502833A (ja) * 1996-12-10 2001-02-27 レジ オートノム デ トランスポール パリジャン 端末と遠隔電力供給型携帯式物体の間の非接触型通信によるデータ交換のためのシステム
JP2010068634A (ja) * 2008-09-11 2010-03-25 Yazaki Corp 車両用ワイヤレス充電システム
JP2010522534A (ja) * 2007-03-22 2010-07-01 パワーマット リミテッド 信号転送システム
JP2011010435A (ja) * 2009-06-25 2011-01-13 Fujitsu Ten Ltd 非接触式電力供給装置および非接触式電力供給ユニット
JP2011120443A (ja) * 2009-11-09 2011-06-16 Toyota Industries Corp 共鳴型非接触電力伝送装置

Family Cites Families (140)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60198861A (ja) 1984-03-23 1985-10-08 Fujitsu Ltd 薄膜トランジスタ
JPH0244256B2 (ja) 1987-01-28 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244260B2 (ja) 1987-02-24 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244258B2 (ja) 1987-02-24 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPS63210023A (ja) 1987-02-24 1988-08-31 Natl Inst For Res In Inorg Mater ＩｎＧａＺｎ↓４Ｏ↓７で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法
JPH0244262B2 (ja) 1987-02-27 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244263B2 (ja) 1987-04-22 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH05251705A (ja) 1992-03-04 1993-09-28 Fuji Xerox Co Ltd 薄膜トランジスタ
FR2695266B1 (fr) * 1992-09-02 1994-09-30 Cableco Sa Ensemble pour recharger les batteries d'accumulateurs d'un véhicule automobile électrique.
JP3479375B2 (ja) 1995-03-27 2003-12-15 科学技術振興事業団 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとｐｎ接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法
JPH11505377A (ja) 1995-08-03 1999-05-18 フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ 半導体装置
JP3625598B2 (ja) 1995-12-30 2005-03-02 三星電子株式会社 液晶表示装置の製造方法
JPH09213377A (ja) 1996-01-30 1997-08-15 Ricoh Co Ltd 角形電池
JP4170454B2 (ja) 1998-07-24 2008-10-22 Ｈｏｙａ株式会社 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
JP2000150861A (ja) 1998-11-16 2000-05-30 Tdk Corp 酸化物薄膜
JP3276930B2 (ja) 1998-11-17 2002-04-22 科学技術振興事業団 トランジスタ及び半導体装置
TW460731B (en) 1999-09-03 2001-10-21 Ind Tech Res Inst Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD
JP4089858B2 (ja) 2000-09-01 2008-05-28 国立大学法人東北大学 半導体デバイス
JP4200257B2 (ja) 2000-09-26 2008-12-24 パナソニック電工株式会社 非接触電力伝達装置
KR20020038482A (ko) 2000-11-15 2002-05-23 모리시타 요이찌 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널
JP3997731B2 (ja) 2001-03-19 2007-10-24 富士ゼロックス株式会社 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法
JP2002289859A (ja) 2001-03-23 2002-10-04 Minolta Co Ltd 薄膜トランジスタ
JP4090716B2 (ja) 2001-09-10 2008-05-28 雅司 川崎 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
JP3925839B2 (ja) 2001-09-10 2007-06-06 シャープ株式会社 半導体記憶装置およびその試験方法
JP4164562B2 (ja) 2002-09-11 2008-10-15 独立行政法人科学技術振興機構 ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
US7061014B2 (en) 2001-11-05 2006-06-13 Japan Science And Technology Agency Natural-superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film
JP4083486B2 (ja) 2002-02-21 2008-04-30 独立行政法人科学技術振興機構 ＬｎＣｕＯ（Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ）単結晶薄膜の製造方法
CN1445821A (zh) 2002-03-15 2003-10-01 三洋电机株式会社 ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法
JP3933591B2 (ja) 2002-03-26 2007-06-20 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
US7339187B2 (en) 2002-05-21 2008-03-04 State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University Transistor structures
JP2004022625A (ja) 2002-06-13 2004-01-22 Murata Mfg Co Ltd 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法
US7105868B2 (en) 2002-06-24 2006-09-12 Cermet, Inc. High-electron mobility transistor with zinc oxide
US7067843B2 (en) 2002-10-11 2006-06-27 E. I. Du Pont De Nemours And Company Transparent oxide semiconductor thin film transistors
JP4166105B2 (ja) 2003-03-06 2008-10-15 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2004273732A (ja) 2003-03-07 2004-09-30 Sharp Corp アクティブマトリクス基板およびその製造方法
JP4108633B2 (ja) 2003-06-20 2008-06-25 シャープ株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス
US7262463B2 (en) 2003-07-25 2007-08-28 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Transistor including a deposited channel region having a doped portion
US7145174B2 (en) 2004-03-12 2006-12-05 Hewlett-Packard Development Company, Lp. Semiconductor device
CN102354658B (zh) 2004-03-12 2015-04-01 独立行政法人科学技术振兴机构 薄膜晶体管的制造方法
US7297977B2 (en) 2004-03-12 2007-11-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor device
US7282782B2 (en) 2004-03-12 2007-10-16 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Combined binary oxide semiconductor device
US7211825B2 (en) 2004-06-14 2007-05-01 Yi-Chi Shih Indium oxide-based thin film transistors and circuits
JP2006100760A (ja) 2004-09-02 2006-04-13 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタおよびその製造方法
US7285501B2 (en) 2004-09-17 2007-10-23 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of forming a solution processed device
US7298084B2 (en) 2004-11-02 2007-11-20 3M Innovative Properties Company Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes
EP1810335B1 (en) 2004-11-10 2020-05-27 Canon Kabushiki Kaisha Light-emitting device
US7453065B2 (en) 2004-11-10 2008-11-18 Canon Kabushiki Kaisha Sensor and image pickup device
US7863611B2 (en) 2004-11-10 2011-01-04 Canon Kabushiki Kaisha Integrated circuits utilizing amorphous oxides
RU2358355C2 (ru) 2004-11-10 2009-06-10 Кэнон Кабусики Кайся Полевой транзистор
EP1812969B1 (en) 2004-11-10 2015-05-06 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor comprising an amorphous oxide
US7829444B2 (en) 2004-11-10 2010-11-09 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor manufacturing method
US7791072B2 (en) 2004-11-10 2010-09-07 Canon Kabushiki Kaisha Display
US7579224B2 (en) 2005-01-21 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a thin film semiconductor device
TWI569441B (zh) 2005-01-28 2017-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法
TWI505473B (zh) 2005-01-28 2015-10-21 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法
US7858451B2 (en) 2005-02-03 2010-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof
US7948171B2 (en) 2005-02-18 2011-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US20060197092A1 (en) 2005-03-03 2006-09-07 Randy Hoffman System and method for forming conductive material on a substrate
US8681077B2 (en) 2005-03-18 2014-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof
US7544967B2 (en) 2005-03-28 2009-06-09 Massachusetts Institute Of Technology Low voltage flexible organic/transparent transistor for selective gas sensing, photodetecting and CMOS device applications
US7645478B2 (en) 2005-03-31 2010-01-12 3M Innovative Properties Company Methods of making displays
US8300031B2 (en) 2005-04-20 2012-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element
KR101254550B1 (ko) * 2005-04-22 2013-04-19 가부시키가이샤 다이후쿠 무접촉 급전 설비의 2차측 수전 회로 장치
JP2006344849A (ja) 2005-06-10 2006-12-21 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタ
US7691666B2 (en) 2005-06-16 2010-04-06 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7402506B2 (en) 2005-06-16 2008-07-22 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7507618B2 (en) 2005-06-27 2009-03-24 3M Innovative Properties Company Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles
KR100711890B1 (ko) 2005-07-28 2007-04-25 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법
JP2007059128A (ja) 2005-08-23 2007-03-08 Canon Inc 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
JP5116225B2 (ja) 2005-09-06 2013-01-09 キヤノン株式会社 酸化物半導体デバイスの製造方法
JP4280736B2 (ja) 2005-09-06 2009-06-17 キヤノン株式会社 半導体素子
JP4850457B2 (ja) 2005-09-06 2012-01-11 キヤノン株式会社 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード
JP2007073705A (ja) 2005-09-06 2007-03-22 Canon Inc 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法
EP1998374A3 (en) 2005-09-29 2012-01-18 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof
JP5037808B2 (ja) 2005-10-20 2012-10-03 キヤノン株式会社 アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置
KR101117948B1 (ko) 2005-11-15 2012-02-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 디스플레이 장치 제조 방법
TWI292281B (en) 2005-12-29 2008-01-01 Ind Tech Res Inst Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same
US7867636B2 (en) 2006-01-11 2011-01-11 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transparent conductive film and method for manufacturing the same
JP4977478B2 (ja) 2006-01-21 2012-07-18 三星電子株式会社 ＺｎＯフィルム及びこれを用いたＴＦＴの製造方法
US8169185B2 (en) * 2006-01-31 2012-05-01 Mojo Mobility, Inc. System and method for inductive charging of portable devices
US7576394B2 (en) 2006-02-02 2009-08-18 Kochi Industrial Promotion Center Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof
US7977169B2 (en) 2006-02-15 2011-07-12 Kochi Industrial Promotion Center Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof
KR20070101595A (ko) 2006-04-11 2007-10-17 삼성전자주식회사 ＺｎＯ ＴＦＴ
US20070252928A1 (en) 2006-04-28 2007-11-01 Toppan Printing Co., Ltd. Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof
JP5028033B2 (ja) 2006-06-13 2012-09-19 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
JP4609797B2 (ja) 2006-08-09 2011-01-12 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 薄膜デバイス及びその製造方法
JP4999400B2 (ja) 2006-08-09 2012-08-15 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
JP4332545B2 (ja) 2006-09-15 2009-09-16 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ及びその製造方法
JP5164357B2 (ja) 2006-09-27 2013-03-21 キヤノン株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP4274219B2 (ja) 2006-09-27 2009-06-03 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置
US7622371B2 (en) 2006-10-10 2009-11-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Fused nanocrystal thin film semiconductor and method
US7772021B2 (en) 2006-11-29 2010-08-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays
JP2008140684A (ja) 2006-12-04 2008-06-19 Toppan Printing Co Ltd カラーｅｌディスプレイおよびその製造方法
KR101303578B1 (ko) 2007-01-05 2013-09-09 삼성전자주식회사 박막 식각 방법
US8207063B2 (en) 2007-01-26 2012-06-26 Eastman Kodak Company Process for atomic layer deposition
US20150214752A1 (en) 2007-01-29 2015-07-30 Powermat Technologies, Ltd. Wireless power outlet
AU2008211541B2 (en) 2007-01-29 2012-03-08 Powermat Technologies Ltd. Pinless power coupling
KR100851215B1 (ko) 2007-03-14 2008-08-07 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치
WO2010103525A2 (en) 2009-03-12 2010-09-16 Powermat Ltd. System and method for controlling inductive power to multiple modules
US20120038619A1 (en) 2007-03-22 2012-02-16 Powermat Ltd. System and method for controlling inductive power to multiple modules
US7795613B2 (en) 2007-04-17 2010-09-14 Toppan Printing Co., Ltd. Structure with transistor
KR101325053B1 (ko) 2007-04-18 2013-11-05 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
KR20080094300A (ko) 2007-04-19 2008-10-23 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이
KR101334181B1 (ko) 2007-04-20 2013-11-28 삼성전자주식회사 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법
US8274078B2 (en) 2007-04-25 2012-09-25 Canon Kabushiki Kaisha Metal oxynitride semiconductor containing zinc
KR101345376B1 (ko) 2007-05-29 2013-12-24 삼성전자주식회사 ＺｎＯ 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
JP5215158B2 (ja) 2007-12-17 2013-06-19 富士フイルム株式会社 無機結晶性配向膜及びその製造方法、半導体デバイス
KR101011836B1 (ko) 2008-01-09 2011-01-31 세이코 엡슨 가부시키가이샤 송전 제어 장치, 송전 장치, 무접점 전력 전송 시스템 및 전자 기기
JP5556002B2 (ja) * 2008-01-09 2014-07-23 セイコーエプソン株式会社 送電制御装置、送電装置、無接点電力伝送システムおよび電子機器
JP4623179B2 (ja) 2008-09-18 2011-02-02 ソニー株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法
BRPI0823208A2 (pt) 2008-09-25 2015-06-30 Toyota Motor Co Ltd Sistema de alimentação de energia e veículo mjovido a eletricidade
KR20110069831A (ko) * 2008-10-03 2011-06-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 변조회로 및 그것을 갖는 반도체장치
JP5451280B2 (ja) 2008-10-09 2014-03-26 キヤノン株式会社 ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置
JP5258521B2 (ja) 2008-11-14 2013-08-07 トヨタ自動車株式会社 給電システム
JP5308127B2 (ja) * 2008-11-17 2013-10-09 株式会社豊田中央研究所 給電システム
US20110241440A1 (en) 2008-12-09 2011-10-06 Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki Non-contact power transmission apparatus and power transmission method using a non-contact power transmission apparatus
JP2010193598A (ja) 2009-02-17 2010-09-02 Nippon Soken Inc 非接触給電設備および非接触給電システム
JP5621203B2 (ja) 2009-03-30 2014-11-12 富士通株式会社 無線電力供給システム、無線電力供給方法
US8441047B2 (en) * 2009-04-10 2013-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP4865001B2 (ja) 2009-04-13 2012-02-01 株式会社日本自動車部品総合研究所 非接触給電設備、非接触受電装置および非接触給電システム
JP2010252468A (ja) 2009-04-14 2010-11-04 Sony Corp 送電装置および方法、受電装置および方法、並びに、電力伝送システム
JP5362453B2 (ja) 2009-06-16 2013-12-11 三洋電機株式会社 充電台
JP2011120382A (ja) 2009-12-03 2011-06-16 Toyota Motor Corp 非接触給電設備、非接触受電装置および非接触給電システム
JP2011142559A (ja) * 2010-01-08 2011-07-21 Sony Corp 給電装置、受電装置、およびワイヤレス給電システム
TWI610512B (zh) 2010-02-05 2018-01-01 半導體能源研究所股份有限公司 受電裝置
CN102812547B (zh) * 2010-03-19 2015-09-09 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
JP2011258807A (ja) * 2010-06-10 2011-12-22 Showa Aircraft Ind Co Ltd 非接触給電装置
US8853890B2 (en) * 2010-07-09 2014-10-07 Sony Corporation Power supply device, communication terminal device, and non-contact power transmission method
KR101937732B1 (ko) 2010-07-28 2019-01-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 무선 급전 시스템 및 무선 급전 방법
JP5755067B2 (ja) 2010-07-30 2015-07-29 株式会社半導体エネルギー研究所 無線給電システム、及び無線給電方法
JP5755066B2 (ja) 2010-07-30 2015-07-29 株式会社半導体エネルギー研究所 無線給電システム、及び無線給電方法
US9391476B2 (en) 2010-09-09 2016-07-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power feeding device, wireless power feeding system using the same and wireless power feeding method
US9054544B2 (en) 2010-12-22 2015-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power feeding device, power receiving device, and wireless power feed system
KR101842180B1 (ko) 2010-12-24 2018-03-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 급전 장치 및 급전 장치를 구비한 비접촉 급전 시스템
US20120193994A1 (en) 2011-01-28 2012-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power receiving device, power supply system, and method for supplying power
US20120223593A1 (en) 2011-03-03 2012-09-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power receiving device and wireless power supply system
JP2012186949A (ja) * 2011-03-07 2012-09-27 Hitachi Maxell Energy Ltd 磁界共鳴を利用した非接触電力伝送装置
US9887583B2 (en) 2011-03-10 2018-02-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power-receiving device, wireless power-feeding system including power-receiving device, and wireless communication system including power-receiving device
US9099885B2 (en) * 2011-06-17 2015-08-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Wireless power feeding system
WO2015155774A1 (en) 2014-04-10 2015-10-15 Powermat Technologies Ltd. Wireless power outlet

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001502833A (ja) * 1996-12-10 2001-02-27 レジ オートノム デ トランスポール パリジャン 端末と遠隔電力供給型携帯式物体の間の非接触型通信によるデータ交換のためのシステム
JP2010522534A (ja) * 2007-03-22 2010-07-01 パワーマット リミテッド 信号転送システム
JP2010068634A (ja) * 2008-09-11 2010-03-25 Yazaki Corp 車両用ワイヤレス充電システム
JP2011010435A (ja) * 2009-06-25 2011-01-13 Fujitsu Ten Ltd 非接触式電力供給装置および非接触式電力供給ユニット
JP2011120443A (ja) * 2009-11-09 2011-06-16 Toyota Industries Corp 共鳴型非接触電力伝送装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20120319646A1 (en) 2012-12-20
US20150311744A1 (en) 2015-10-29
JP2016195543A (ja) 2016-11-17
US9099885B2 (en) 2015-08-04
US9923417B2 (en) 2018-03-20
JP2013021906A (ja) 2013-01-31
JP6559761B2 (ja) 2019-08-14
JP2018038265A (ja) 2018-03-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6559761B2 (ja) 非接触給電システム
US9812893B2 (en) Wireless power receiver
US10020670B2 (en) Power receiving device and wireless power supply system
EP3108565B1 (en) Device detection through dynamic impedance change measurement
JP5855713B2 (ja) 双方向無線電力転送
JP6224155B2 (ja) 非接触給電方法
US9966998B2 (en) Wireless power transmitter, wireless power receiver, and power transmission method of wireless power transmitting system
JP5177187B2 (ja) 電力伝送システム
TWI539709B (zh) 無線電力饋送系統
US10340739B2 (en) Power receiving device, power transmission device, and power feeding system
KR101730406B1 (ko) 무선 전력 전송 및 수신 장치
US20130043734A1 (en) Wireless power receiver with multiple receiver coils
KR101515479B1 (ko) 멀티모드 무선전력 수신기기 및 그 무선전력 수신방법
JP2020120580A (ja) 給電システムの動作方法
US20110316347A1 (en) Wireless power receiving apparatus
JP2018078795A (ja) 受電装置
EP3143629A1 (en) System, method and apparatus for reducing the height of bipolar transmitters and/or receivers in electric vehicle charging
JP5960438B2 (ja) 給電システム、給電方法
US9912194B2 (en) Wireless power apparatus and operation method thereof
KR101931256B1 (ko) 무선 전력 수신 장치 및 방법
WO2014030689A1 (ja) 非接触電力伝送装置および受電機器
Keskin RF Front End Tuning Methods for Wireless Power Transfer Systems

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190725

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20200701

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200818

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20200827