JP2013012606A - 太陽電池及びその製造方法 - Google Patents
太陽電池及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013012606A JP2013012606A JP2011144747A JP2011144747A JP2013012606A JP 2013012606 A JP2013012606 A JP 2013012606A JP 2011144747 A JP2011144747 A JP 2011144747A JP 2011144747 A JP2011144747 A JP 2011144747A JP 2013012606 A JP2013012606 A JP 2013012606A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- conductive layer
- electrode conductive
- solar cell
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 59
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 209
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 29
- 230000005012 migration Effects 0.000 claims description 28
- 238000013508 migration Methods 0.000 claims description 28
- 230000001629 suppression Effects 0.000 claims description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 14
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 9
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 13
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 4
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 2
- -1 silicon oxide Chemical class 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229920006163 vinyl copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/054—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
- H01L31/056—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means the light-reflecting means being of the back surface reflector [BSR] type
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/52—PV systems with concentrators
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
【課題】改善された光電変換効率を有する太陽電池を提供する。
【解決手段】太陽電池１は、光電変換部１０と、第１の電極２１と、第２の電極２２とを備える。第１の電極２１は、光電変換部１０の一主面１０ａの上に配されている、第２の電極２２は、光電変換部１０の他主面１０ｂの上に、第１の電極２１よりも小面積に配されている。第１の電極２１は、第１の第１電極導電層２１ａと、第２の第１電極導電層２１ｃとを含む。第１の第１電極導電層２１ａは、光電変換部１０の一主面１０ａの上に配されている。第２の第１電極導電層２１ｃは、第１の第１電極導電層２１ａの上に配されている。第１の第１電極導電層２１ａは、第２の第１電極導電層２１ｃよりも高い光反射率を有する。第２の第１電極導電層２１ｃは、第１の第１電極導電層２１ａよりも低い電気抵抗を有する。
【選択図】図１
【解決手段】太陽電池１は、光電変換部１０と、第１の電極２１と、第２の電極２２とを備える。第１の電極２１は、光電変換部１０の一主面１０ａの上に配されている、第２の電極２２は、光電変換部１０の他主面１０ｂの上に、第１の電極２１よりも小面積に配されている。第１の電極２１は、第１の第１電極導電層２１ａと、第２の第１電極導電層２１ｃとを含む。第１の第１電極導電層２１ａは、光電変換部１０の一主面１０ａの上に配されている。第２の第１電極導電層２１ｃは、第１の第１電極導電層２１ａの上に配されている。第１の第１電極導電層２１ａは、第２の第１電極導電層２１ｃよりも高い光反射率を有する。第２の第１電極導電層２１ｃは、第１の第１電極導電層２１ａよりも低い電気抵抗を有する。
【選択図】図１
Description
本発明は、太陽電池及びその製造方法に関する。
近年、環境負荷が低いエネルギー源として、太陽電池に対する注目が高まっている。太陽電池の光電変換特性を向上させるために、太陽電池の裏面に反射膜を設け、太陽電池を透過した光を再度太陽電池内に入射させることが検討されている。例えば、特許文献１には、裏面上に部分的に形成された集電極と、集電極上を含んで裏面の全面上に形成されたＡｇからなる反射膜とを有する太陽電池が記載されている。
ところで、近年、太陽電池の大面積化が進められている。太陽電池の面積が大きくなると、電極により収集されるキャリアの量が多くなり、電極の電流密度が大きくなる。このため、太陽電池を大面積化するに際しては、電極を低抵抗化する必要がある。
しかしながら、上記従来の構成では電極の低抵抗化が困難であるため、光電変換効率が低くなりがちである。
本発明の目的は、改善された光電変換効率を有する太陽電池を提供することにある。
本発明に係る太陽電池は、光電変換部と、第１の電極と、第２の電極とを備える。第１の電極は、光電変換部の一主面の上に配されている、第２の電極は、光電変換部の他主面の上に、第１の電極よりも小面積に配されている。第１の電極は、第１の第１電極導電層と、第２の第１電極導電層とを含む。第１の第１電極導電層は、光電変換部の一主面の上に配されている。第２の第１電極導電層は、第１の第１電極導電層の上に配されている。第１の第１電極導電層は、第２の第１電極導電層よりも高い光反射率を有する。第２の第１電極導電層は、第１の第１電極導電層よりも低い電気抵抗を有する。
本発明によれば、改善された光電変換効率を有する太陽電池を提供することができる。
以下、本発明を実施した好ましい形態の一例について説明する。但し、下記の実施形態は、単なる例示である。本発明は、下記の実施形態に何ら限定されない。
また、実施形態等において参照する各図面において、実質的に同一の機能を有する部材は同一の符号で参照することとする。また、実施形態等において参照する図面は、模式的に記載されたものであり、図面に描画された物体の寸法の比率などは、現実の物体の寸法の比率などとは異なる場合がある。図面相互間においても、物体の寸法比率等が異なる場合がある。具体的な物体の寸法比率等は、以下の説明を参酌して判断されるべきである。
《第１の実施形態》
図１に示されるように、本実施形態に係る太陽電池１は、光電変換部１０と、第１の電極２１と、第２の電極２２とを有する。光電変換部１０は、互いに対抗する第１の主面１０aと、第２の主面１０ｂとを有する。第１の電極２１は、光電変換部１０の第１の主面１０ａ上に配されている。第２の電極２２は、光電変換部の第２の主面１０ｂ上に配されている。
図１に示されるように、本実施形態に係る太陽電池１は、光電変換部１０と、第１の電極２１と、第２の電極２２とを有する。光電変換部１０は、互いに対抗する第１の主面１０aと、第２の主面１０ｂとを有する。第１の電極２１は、光電変換部１０の第１の主面１０ａ上に配されている。第２の電極２２は、光電変換部の第２の主面１０ｂ上に配されている。
光電変換部１０は、受光により電子や正孔のキャリアを発生させる。光電変換部１０は、第２の主面１０ｂで受光する。第２の電極２２は、第２の主面１０ｂで受光可能となるように、第２の主面１０ｂ上に部分的に配される。第２の主面１０ｂの第２の電極２２から露出する部分上には、パッシベーション層３１が設けられている。パッシベーション層３１は、少なくとも光電変換部１０で吸収可能な波長範囲の光に対する透光性を有する。また、パッシベーション層３１は、少なくとも第２の主面１０ｂの第２の電極２２から露出する表面でのキャリアの再結合を抑制する。
第１の電極２１は少なくとも一部に、光電変換部１０を透過した光を反射できるように第１の主面１０ａの略全面を覆うように配された反射膜を有する。
（光電変換部）
図３に示されるように、光電変換部１０は、一の導電型を有する半導体材料からなる基板１１を含む。光電変換部１０は、ＰＮ接合等の、キャリア分離用の電界を形成するための半導体接合を有する。この半導体接合は、基板１１内に所定のドーパントを拡散させることによって形成しても良いし、基板１１の主面上に所定のドーパントを含む半導体層を設けることによって形成しても良い。図３に示される光電変換部１０は、基板１１と、基板１１の主面上に設けられた所定のドーパントを含む半導体層との間に形成される半導体接合を有する。
図３に示されるように、光電変換部１０は、一の導電型を有する半導体材料からなる基板１１を含む。光電変換部１０は、ＰＮ接合等の、キャリア分離用の電界を形成するための半導体接合を有する。この半導体接合は、基板１１内に所定のドーパントを拡散させることによって形成しても良いし、基板１１の主面上に所定のドーパントを含む半導体層を設けることによって形成しても良い。図３に示される光電変換部１０は、基板１１と、基板１１の主面上に設けられた所定のドーパントを含む半導体層との間に形成される半導体接合を有する。
基板１１は、互いに対向する第１の主面１１ａと、第２の主面１１ｂとを有する。図４に示されるように、第１の主面１１ａは、複数の凹凸を含むテクスチャ構造を有する。テクスチャ構造は、（１００）面を有する単結晶シリコンからなる基板の表面に異方性エッチングを施すことによって得られるピラミッド状（四角錐状や、四角錐台状）の凹凸構造であってもよい。また、単結晶シリコンや多結晶シリコンからなる基板の表面に等方性エッチングを施すことによって得られる凹凸構造であっても良い。なお、第２の主面１１ｂは、第１の主面１１ａと同様にテクスチャ構造を有していてもよいし、平面状の形状を有していてもよい。
基板１１の第１の主面１１ａの上には、第１の導電型の第１の半導体層１５が配されている。一方、基板１１の第２の主面１１ｂの上には、第２の導電型の第２の半導体層１３が配されている。第１の半導体層１５の略全面の上には、第１の透明導電層１７が配されている。第２の半導体層１３の略全面の上には、第２の透明導電層１６が配されている。
光電変換部１０は、基板１１と第１の半導体層１５との間に、ｉ型の第３の半導体層１４を備えていても良い。同様に、光電変換部１０は、基板１１と第２の半導体層１３との
間に、ｉ型の第４の半導体層１２を備えていても良い。このようにすることで、基板１１と第１の半導体層１５との間の接合特性、及び基板１１と第２の半導体層１３との間の接合特性を改善することができる。
間に、ｉ型の第４の半導体層１２を備えていても良い。このようにすることで、基板１１と第１の半導体層１５との間の接合特性、及び基板１１と第２の半導体層１３との間の接合特性を改善することができる。
基板１１は、例えばｎ型またはｐ型の結晶系シリコンにより構成することができる。第３の半導体層１４及び第４の半導体層１２は、例えば水素を含むｉ型のアモルファスシリコンにより構成することができる。第３の半導体層１４及び第４の半導体層１２の厚みは、例えば数Å〜２５０Å程度の実質的に発電に寄与しない程度であることが好ましい。第１の半導体層１５及び第２の半導体層１３は、例えば水素を含むｐ型またはｎ型のアモルファスシリコンにより構成することができる。第１の透明導電層１７及び第２の透明導電層１６は、例えば酸化インジウム酸化や酸化亜鉛等の透光性導電酸化物により構成することができる。
前述のように、光電変換部１０は、第１の主面１０ａと、第２の主面１０ｂとを有する。図３に示される光電変換部１０では、第１の主面１０ａは第１の透明導電層１７により構成され、第２の主面１０ｂは第２の透明導電層１６により構成されるが、これに限るものではない。基板１１内に所定のドーパントを拡散させることによって形成した半導体接合を有する光電変換部では、透明導電層を不要とすることができる。この場合、第１の主面１０ａ及び第２の主面１０ｂは、いずれも半導体層から構成される。
（電極）
図１に示されるように、光電変換部１０の第２の主面１０ｂの上には、第２の電極２２が配されている。一方、第１の主面１０ａの上には、第１の電極２１が配されている。第１の電極２１及び第２の電極２２のうち一方の電極が電子を収集する電極であり、他方が正孔を収集する電極である。
図１に示されるように、光電変換部１０の第２の主面１０ｂの上には、第２の電極２２が配されている。一方、第１の主面１０ａの上には、第１の電極２１が配されている。第１の電極２１及び第２の電極２２のうち一方の電極が電子を収集する電極であり、他方が正孔を収集する電極である。
第１の電極２１は、少なくとも一部に光電変換部１０の第１の主面１０ａの実質的に全体を覆うように配された層を含む。第１の電極２１の厚みは、例えば、１μｍ〜２５μｍ程度とすることができる。
太陽電池１において、第１の電極２１は、複数の導電層の積層体により構成されている。詳細には、第１の電極２１は、第１の主面１０ａ側から順に、第１の第１電極導電層２１ａと、マイグレーション抑制層２１ｂと、第２の第１電極導電層２１ｃとを有する。具体的に、第１の第１電極導電層２１ａは、第１の主面１０ａの上に配されている。マイグレーション抑制層２１ｂは、第１の第１電極導電層２１ａの上に配されている。第２の第１電極導電層２１ｃは、マイグレーション抑制層２１ｂの上に配されている。
第１の第１電極導電層２１ａは、第２の第１電極導電層２１ｃよりも高い光反射率を有する。第２の第１電極導電層２１ｃは、第１の第１電極導電層２１ａよりも低い電気抵抗を有する。具体的には、第１の第１電極導電層２１ａは、例えば、Ａｇ，Ａｌ，Ｒｈ，Ａｕ及びＮｉからなる群から選ばれた金属、またはＡｇ，Ａｌ，Ｒｈ，Ａｕ及びＮｉからなる群から選ばれた少なくとも一種の金属を含む合金により構成することができる。なかでも、第１の第１電極導電層２１ａは、ＡｇまたはＲｈにより構成されていることが好ましい。この場合、第１の第１電極導電層２１ａの光反射率をさらに高めることができる。
第２の第１電極導電層２１ｃは、Ｃｕ，Ａｇ，Ｚｎ及びＲｈからなる群から選ばれた金属、またはＣｕ，Ａｇ，Ｚｎ及びＲｈからなる群から選ばれた少なくとも一種の金属を含む合金により構成することができる。なかでも、第２の第１電極導電層２１ｃは、Ｃｕにより構成されていることが好ましい。この場合、第２の第１電極導電層２１ｃの電気抵抗をより低くすることができる。
第１の第１電極導電層２１ａと第２の第１電極導電層２１ｃとの間に配されているマイグレーション抑制層２１ｂは、第１の第１電極導電層２１ａと第２の第１電極導電層２１ｃとの間のマイグレーションを抑制する。マイグレーション抑制層２１ｂは、例えば、Ｎｉ，Ｔｉ，Ｗ及びＭｏからなる群から選ばれた金属、またはＮｉ，Ｔｉ，Ｗ及びＭｏからなる群から選ばれた少なくとも一種の金属を含む合金により構成することができる。なかでも、マイグレーション抑制層２１ｂは、Ｎｉにより構成されていることが好ましい。なお、第１の第１電極導電層２１ａと第２の第１電極導電層２１ｃとの間のマイグレーションは、第１の第１電極導電層２１ａ及び第２の第１電極導電層２１ｃの少なくとも一方が貴金属（金、銀、白金、パラジウム、ロジウム、イリジウム、ルテニウム、オスミウム、銅）または貴金属を含む合金により構成されている場合に生じやすい。このため、マイグレーション抑制層２１ｂによるマイグレーション抑制効果は、第１の第１電極導電層２１ａ及び第２の第１電極導電層２１ｃの少なくとも一方が貴金属または貴金属を含む合金により構成されている場合により強く奏される。尚、第１の第１電極導電層２１ａ及び第２の第１電極導電層２１ｃの両方が貴金属または貴金属を含む合金を含まない場合には、マイグレーション抑制層２１ｂを設けなくても良い。
第１の第１電極導電層２１ａの厚みは、十分に高い光反射率が得られる程度の厚みであれば特に限定されない。第１の第１電極導電層２１ａの厚みは、例えば、１０ｎｍ以上であることが好ましく、１００ｎｍ以上であることが好ましい。但し、第１の第１電極導電層２１ａの厚みが厚すぎると剥離する場合がある。このため、第１の第１電極導電層２１ａの厚みは、１０μｍ以下であることが好ましく、１μｍ以下であることがより好ましい。また、第１の第１電極導電層２１aは、光電変換部１０の第１の主面１０aの略全面上に設けることが好ましい。このようにすることで、光電変換部１０を透過した光のうちの多くの光を反射させ、発電に寄与させることができる。
マイグレーション抑制層２１ｂの厚みは、第１の第１電極導電層２１ａと第２の第１電極導電層２１ｃとの間のマイグレーションを抑制できる程度であれば特に限定されない。マイグレーション抑制層２１ｂの厚みは、例えば、２０ｎｍ以上であることが好ましく、１００ｎｍ以上であることが好ましい。但し、マイグレーション抑制層２１ｂの厚みが厚すぎると導電率が悪くなる場合がある。このため、マイグレーション抑制層２１ｂの厚みは、１０μｍ以下であることが好ましく、１μｍ以下であることがより好ましい。
第２の第１電極導電層２１ｃの厚みは、第１の電極２１の電気抵抗を十分に低くできる程度であれば特に限定されない。第２の第１電極導電層２１ｃの厚みは、例えば、０．２μｍ以上であることが好ましく、１μｍ以上であることが好ましい。但し、第２の第１電極導電層２１ｃの厚みが厚すぎると電極全体が剥離する場合がある。このため、第２の第１電極導電層２１ｃの厚みは、１００μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ以下であることがより好ましい。尚、第２の第１電極導電層２１cは、少なくとも光電変換部１０の第１の主面１０aの一部分の上に設ければよい。
第１の第１電極導電層２１ａ、マイグレーション抑制層２１ｂ及び第２の第１電極導電層２１ｃの形成方法は特に限定されない。第１の第１電極導電層２１ａ、マイグレーション抑制層２１ｂ及び第２の第１電極導電層２１ｃは、例えば、スパッタリング法、蒸着法、めっき法等により形成することができる。なかでも第２の第１電極導電層２１ｃは、めっき法により形成されためっき膜であることが好ましい。この場合、第２の第１電極導電層２１ｃを容易に厚く形成でき、第２の第１電極導電層２１ｃの電気抵抗を低くしやすいためである。
第２の電極２２は、光電変換部１０の第２の主面１０ｂの一部分の上に配されている。
第２の主面１０ｂの他の部分は、第２の電極２２から露出している。少なくとも第２の主面１０ｂの第２の電極２２からの露出部の上には、パッシベーション層３１が配されている。これらパッシベーション層３１及び第２の電極２２により、第２の主面１０ｂの実質的に全体が覆われている。なお、パッシベーション層３１は、例えば、酸化シリコンなどの金属酸化物，窒化シリコンなどの金属窒化物等の他，イミド，アクリル，エポキシ、ウレタン，エチレンビニル共重合物などの樹脂等有機物により構成することができる。
第２の主面１０ｂの他の部分は、第２の電極２２から露出している。少なくとも第２の主面１０ｂの第２の電極２２からの露出部の上には、パッシベーション層３１が配されている。これらパッシベーション層３１及び第２の電極２２により、第２の主面１０ｂの実質的に全体が覆われている。なお、パッシベーション層３１は、例えば、酸化シリコンなどの金属酸化物，窒化シリコンなどの金属窒化物等の他，イミド，アクリル，エポキシ、ウレタン，エチレンビニル共重合物などの樹脂等有機物により構成することができる。
図２に示されるように、第２の電極２２は、複数のフィンガー部２２Ａと、バスバー部２２Ｂとを有する。複数のフィンガー部２２Ａは、ｙ方向（一の方向）に沿って延び、ｙ方向に交差するｘ方向（他の方向）に沿って相互に間隔をおいて配されている。
バスバー部２２Ｂは、ｘ方向に沿って延び、複数のフィンガー部２２Ａに電気的に接続される。フィンガー部２２Ａは、光電変換部１０で生成されたキャリアを収集する、バスバー部２２Ｂは、夫々のフィンガー部２２Ａで収集されたキャリアを集電する。このため、バスバー部２２Ｂは、抵抗損失を減らすことができるよう、フィンガー部２２Ａよりも幅広にされる。
第２の電極２２の厚みは、第１の電極２１の厚みよりも大きくすることが好ましい。このようにすることにより、面積の相対的に小さな第２の電極２２の電気抵抗をより低くすることができる。従って、太陽電池１の光電変換効率を改善することができる。より改善された光電変換効率を得る観点からは、第２の電極２２の厚みは、第１の電極２１の厚みの１．５倍以上であることが好ましく、５倍以上であることがより好ましい。具体的には、第２の電極２２の厚みは、５μｍ以上であることが好ましく、１０μｍ以上であることがより好ましい。但し、第２の電極２２の厚みが大きすぎると、電極が剥離する場合がある。従って、第２の電極２２の厚みは、１００μｍ以下であることが好ましく、４０μｍ以下であることがより好ましい。
第２の電極２２の構成及び材料は特に限定されるものではなく、単層構造であっても良いし、積層構造であっても良い。図１に示される太陽電池１では、第２の電極２２は、複数の導電層の積層体により構成されている。詳細には、第２の電極２２は、第１の第２電極導電層２２ａと、第２の第２電極導電層２２ｂと、第３の第２電極導電層２２ｃとを有する。第１の第２電極導電層２２ａは、光電変換部１０の第２の主面１０ｂの上に配されている。第２の第２電極導電層２２ｂは、第１の第２電極導電層２２ａの上に配されている。第３の第２電極導電層２２ｃは、第２の第２電極導電層２２ｂの上に配されている。
第２の電極２２は、構成材料に関し、第１の電極２１の少なくとも一部と同じ層構成を有する部分を含むように構成することができる。具体的には、第２の電極２２は、構成材料に関し、第１の電極２１と同じ層構成とすることができる。すなわち、最も光電変換部１０側の第１の第１電極導電層２１ａと第１の第２電極導電層２２ａとは同じ材料からなる。光電変換部１０から２層目のマイグレーション抑制層２１ｂと第２の第２電極導電層２２ｂとは同じ材料からなる。光電変換部１０から３層目の第２の第１電極導電層２１ｃと第３の第２電極導電層２２ｃとは同じ材料からなる。このようにすることで、第１の電極２１と第２の電極２２とを同じ工程で一括して形成することができる。
以上のように、太陽電池１は、光電変換部１０の第１の主面１０ａ上に、光反射率が相対的に高い第１の第１電極導電層２１ａと、電気抵抗が相対的に低い第２の第１電極導電層２１ｃと有する。このため、第１の第１電極導電層２１ａの構成材料として、電気抵抗の大きさに関わらず、光反射率が高い材料を選択することができる。具体的には、第１の第１電極導電層２１ａの構成材料として、例えば、Ａｇ，Ａｌ，Ｒｈ，Ａｕ及びＮｉからなる群から選ばれた金属、またはＡｇ，Ａｌ，Ｒｈ，Ａｕ及びＮｉからなる群から選ばれ
た少なくとも一種の金属を含む合金を選択することができる。このため、第１の第１電極導電層２１ａの光反射率をより高くし得る。また、第１の第１電極導電層２１ａの厚みを薄くすることもできる。このため、厚くすると剥離し易くなる第１の第１電極導電層２１ａの剥離を抑制することができる。さらに、厚く形成すると剥離し易くなるスパッタリング法等の形成方法も使用することができる。このため、材料面及び形成方法の面で、第１の第１電極導電層２１ａの選択肢を広げることが可能となり、特性及び生産性の良い第１の第１電極導電層２１ａを提供することができる。
た少なくとも一種の金属を含む合金を選択することができる。このため、第１の第１電極導電層２１ａの光反射率をより高くし得る。また、第１の第１電極導電層２１ａの厚みを薄くすることもできる。このため、厚くすると剥離し易くなる第１の第１電極導電層２１ａの剥離を抑制することができる。さらに、厚く形成すると剥離し易くなるスパッタリング法等の形成方法も使用することができる。このため、材料面及び形成方法の面で、第１の第１電極導電層２１ａの選択肢を広げることが可能となり、特性及び生産性の良い第１の第１電極導電層２１ａを提供することができる。
また、第２の第１電極導電層２１ｃの構成材料として、光反射率の高さに関わらず、電気抵抗が低い材料を選択することができる。具体的には、第２の第１電極導電層２１ｃの構成材料として、例えば、Ｃｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｚｎ及びＲｈからなる群から選ばれた金属、またはＣｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｚｎ及びＲｈからなる群から選ばれた少なくとも一種の金属を含む合金を選択することができる。このため、第２の第１電極導電層２１ｃの電気抵抗をより低くし得る。さらに、光反射を考慮する必要がないので、メッキ法等の厚い膜を形成可能な形成方法を選択することもできる。従って、材料面及び形成方法の面で、第２の第１電極導電層２１ｃの選択肢を広げることが可能となり、特性及び生産性の良い第２の第１電極導電層２１ｃを提供することができる。
また、第１の第１電極導電層２１ａ及び第２の第１電極導電層２１ｃを有する第１の電極２１の低い電気抵抗と高い光反射率とを両立させることができる。その結果、第１の電極２１による集電効率を向上できると共に、第２の主面１０ｂ側から入射した光の光電変換部１０における光路長を長くすることができるため、改善された光電変換効率を実現することができる。
特に、第１の主面１１ａは、複数の凹凸を含むテクスチャ構造を有するため、第２の主面１０ｂ側から入射した光の光電変換部１０における光路長をより長くすることができる。従って、より改善された光電変換効率を実現することができる。
また、第２の第１電極導電層２１ｃをめっき膜により構成した場合は、第２の第１電極導電層２１ｃを厚く形成しやすい。従って、第２の第１電極導電層２１ｃの電気抵抗をより低くすることができる。その結果、より改善された光電変換効率を実現することができる。
太陽電池１では、第１の第１電極導電層２１ａと第２の第１電極導電層２１ｃとの間に、マイグレーション抑制層２１ｂが配されている。このため、このマイグレーション抑制層２１ｂにより、第１の第１電極導電層２１ａと第２の第１電極導電層２１ｃとの間のマイグレーションが抑制される。よって、第１の第１電極導電層２１ａの光反射率の低下及び第２の第１電極導電層２１ｃの電気抵抗の増大を抑制することができる。従って、さらに改善された光電変換効率が実現されると共に、光電変換効率の経時的な劣化を抑制することができるので、太陽電池１の長寿命化を図ることができる。
太陽電池１では、第２の電極２２が、構成材料に関し、第１の電極２１の少なくとも一部と同じ層構成を有する部分を含む。具体的には、第２の電極２２は、構成材料に関し、第１の電極２１と同じ層構成を有している。このため、例えば、めっき法やディッピング法などを用いることにより、第１の電極２１と第２の電極２２とを容易に同一工程で形成し得る。従って、太陽電池１は、簡易な製造工程により製造可能である。
（太陽電池１の製造方法）
太陽電池１は、例えば以下の製造方法により製造することができる。
太陽電池１は、例えば以下の製造方法により製造することができる。
まず、光電変換部１０を用意する。例えば、光電変換部１０は、ｎ型の単結晶シリコンからなる基板１１に対して、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により第３の半導体層１４、第１の半導体層１５、第４の半導体層１２、第２の半導体層１３を形成し、その後スパッタリング法により第１の透明導電層１７及び第２の透明導電層１６を形成することにより作製することができる。
次に、光電変換部１０の第２の主面１０ｂの上に、パッシベーション層３１を形成する。パッシベーション層３１は、例えば、第２の主面１０ｂの上に、スパッタ法，印刷法，スプレー法、ディッピング法等によりパッシベーション膜を形成した後に、エッチング法，リフトオフ法等により一部を除去することにより形成することができる。或いは、マスクを用いて所定形状のパッシベーション層３１を形成するようにしても良い。
次に、第１の主面１０ａの上に第１の第１電極導電層２１ａ、マイグレーション抑制層２１ｂ及び第２の第１電極導電層２１ｃをこの順に形成して第１の電極２１を形成する。また、第２の主面１０ｂの所定の領域上に、部分的に第１の第２電極導電層２２ａ，第２の第２電極導電層２２ｂ及び第３の第２電極導電層２２ｃをこの順に形成して第２の電極２２を形成する。第１の第１電極導電層２１ａ、マイグレーション抑制層２１ｂ及び第２の第１電極導電層２１ｃ、第１の第２電極導電層２２ａ，第２の第２電極導電層２２ｂ及び第３の第２電極導電層２２ｃの形成は、例えば、スパッタリング法、ＣＶＤ法、めっき法、ディッピング法等により行うことができ、なかでも、めっき法、ディッピング法が好ましく用いられる。これらの方法によれば、第１の主面１０ａの上に設けられる第１の第１電極導電層２１ａ、マイグレーション抑制層２１ｂ及び第２の第１電極導電層２１ｃと、第２の主面１０ｂの上に設けられる第１の第２電極導電層２２ａ，第２の第２電極導電層２２ｂ及び第３の第２電極導電層２２ｃとを同じ工程で形成可能であるからである。
なお、ここではパッシベーション層３１を形成した後に第２の電極２２を形成する例について説明したが、電極２２を形成した後に、パッシベーション層３１を形成してもよい。
以下、本発明の好ましい実施形態の他の例について説明する。以下の説明において、上記第１の実施形態と実質的に共通の機能を有する部材を共通の符号で参照し、説明を省略する。
《第２の実施形態》
図５は、第２の実施形態に係る太陽電池２の略図的断面図である。太陽電池２は、第１の電極２１が最外層に第１の保護層２１ｄを有し、第２の電極２２が最外層に第２の保護層２２ｄを有する点において太陽電池１と異なっている。第１の保護層２１ｄにより、低電気抵抗な第２の第１電極導電層２１ｃが外気や水分から保護されるため、第２の第１電極導電層２１ｃの変性による電気抵抗の増大等を効果的に抑制することができる。また、第２の保護層２２ｄにより、第３の第２電極導電層２２ｃが外気や水分から保護されるため、第３の第２電極導電層２２ｃの変性による電気抵抗の増大等を効果的に抑制することができる。その結果、太陽電池２の長寿命化を図ることができる。
図５は、第２の実施形態に係る太陽電池２の略図的断面図である。太陽電池２は、第１の電極２１が最外層に第１の保護層２１ｄを有し、第２の電極２２が最外層に第２の保護層２２ｄを有する点において太陽電池１と異なっている。第１の保護層２１ｄにより、低電気抵抗な第２の第１電極導電層２１ｃが外気や水分から保護されるため、第２の第１電極導電層２１ｃの変性による電気抵抗の増大等を効果的に抑制することができる。また、第２の保護層２２ｄにより、第３の第２電極導電層２２ｃが外気や水分から保護されるため、第３の第２電極導電層２２ｃの変性による電気抵抗の増大等を効果的に抑制することができる。その結果、太陽電池２の長寿命化を図ることができる。
なお、第１の保護層２１ｄ及び第２の保護層２２ｄは、酸素や水分等に対する耐久性が高いものであり、かつ、導電性を有するものであることが好ましい。具体的には、第１の保護層２１ｄ及び第２の保護層２２ｄは、例えば、Ｎｉ，Ｓｎ及びＺｎからなる群から選ばれた金属、またはＮｉ，Ｓｎ及びＺｎからなる群から選ばれた少なくとも一種の金属を含む合金により構成することができる。なかでも、ＮｉまたはＮｉを含む合金からなることが好ましい。
以上のように、本発明はここでは記載していない様々な実施形態を含む。従って、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
１、２…太陽電池
１０…光電変換部
１０ａ…第１の主面
１０ｂ…第２の主面
１１…基板
１１ａ…第１の主面
１１ｂ…第２の主面
２１…第１の電極
２２…第２の電極
２１ａ…第１の第１電極導電層
２１ｂ…マイグレーション抑制層
２１ｃ…第２の第１電極導電層
２１ｄ…第１の保護層
２２ａ…第１の第２電極導電層
２２ｂ…第２の第２電極導電層
２２ｃ…第３の第２電極導電層
２２ｄ…第２の保護層
２２Ａ…フィンガー部
２２Ｂ…バスバー部
３１…パッシベーション層
１０…光電変換部
１０ａ…第１の主面
１０ｂ…第２の主面
１１…基板
１１ａ…第１の主面
１１ｂ…第２の主面
２１…第１の電極
２２…第２の電極
２１ａ…第１の第１電極導電層
２１ｂ…マイグレーション抑制層
２１ｃ…第２の第１電極導電層
２１ｄ…第１の保護層
２２ａ…第１の第２電極導電層
２２ｂ…第２の第２電極導電層
２２ｃ…第３の第２電極導電層
２２ｄ…第２の保護層
２２Ａ…フィンガー部
２２Ｂ…バスバー部
３１…パッシベーション層
Claims (10)
- 光電変換部と、
前記光電変換部の一主面の上に配された第１の電極と、
前記光電変換部の他主面の上に、前記第１の電極よりも小面積に配された第２の電極と、
を備え、
前記第１の電極は、前記光電変換部の一主面の上に配された第１の第１電極導電層と、前記第１の第１電極導電層の上に配された第２の第１電極導電層とを含み、
前記第１の第１電極導電層は、前記第２の第１電極導電層よりも高い光反射率を有し、
前記第２の第１電極導電層は、前記第１の第１電極導電層よりも低い電気抵抗を有する、太陽電池。 - 請求項１に記載の太陽電池であって、
前記第１の第１電極導電層は、Ａｇ，Ａｌ，Ｒｈ，Ａｕ及びＮｉからなる群から選ばれた金属、またはＡｇ，Ａｌ，Ｒｈ，Ａｕ及びＮｉからなる群から選ばれた少なくとも一種の金属を含む合金からなる。 - 請求項１または２に記載の太陽電池であって、
前記第２の第１電極導電層は、Ｃｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｚｎ及びＲｈからなる群から選ばれた金属、またはＣｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｚｎ及びＲｈからなる群から選ばれた少なくとも一種の金属を含む合金からなる。 - 請求項１〜３のいずれか一項に記載の太陽電池であって、
前記第１の電極は、前記第１の第１電極導電層と前記第２の第１電極導電層との間に、マイグレーション抑制層をさらに有する。 - 請求項４に記載の太陽電池であって、
前記マイグレーション抑制層は、Ｎｉ，Ｔｉ，Ｗ及びＭｏ，またはＮｉ，Ｔｉ，Ｗ及びＭｏからなる群から選ばれた少なくとも一種の金属を含む合金からなる。 - 請求項１〜５のいずれか一項に記載の太陽電池であって、
前記第２の電極は、構成材料に関し、前記第１の電極の少なくとも一部と同じ層構成を有する部分を含む。 - 請求項１〜６のいずれか一項に記載の太陽電池
前記光電変換部は、半導体材料からなり、前記第１の電極側を向く第１の主面及び前記第２の電極側を向く第２の主面を有する基板を含み、
前記基板の前記第１の主面は、複数の凹凸を有する。 - 請求項１〜７のいずれか一項に記載の太陽電池であって、
前記第１の電極は、前記第２の第１電極導電層の上に配されている保護層をさらに備える。 - 請求項１１に記載の太陽電池であって、
前記保護層は、Ｎｉ，Ｓｎ及びＺｎまたはＮｉ，Ｓｎ及びＺｎからなる群から選ばれた少なくとも一種の金属を含む合金からなる。 - 請求項１〜９のいずれか一項に記載の太陽電池の製造方法であって、
前記第２の第１電極導電層をめっきにより形成する、太陽電池の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011144747A JP2013012606A (ja) | 2011-06-29 | 2011-06-29 | 太陽電池及びその製造方法 |
| PCT/JP2012/056860 WO2013001861A1 (ja) | 2011-06-29 | 2012-03-16 | 太陽電池及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011144747A JP2013012606A (ja) | 2011-06-29 | 2011-06-29 | 太陽電池及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2013012606A true JP2013012606A (ja) | 2013-01-17 |
Family
ID=47423772
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011144747A Withdrawn JP2013012606A (ja) | 2011-06-29 | 2011-06-29 | 太陽電池及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2013012606A (ja) |
| WO (1) | WO2013001861A1 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015060432A1 (ja) * | 2013-10-25 | 2015-04-30 | シャープ株式会社 | 光電変換装置 |
| KR101627782B1 (ko) * | 2014-12-26 | 2016-06-08 | 전자부품연구원 | 결정질 태양전지 |
| EP3125302A1 (en) * | 2015-07-27 | 2017-02-01 | Lg Electronics Inc. | Solar cell |
| KR20170013160A (ko) * | 2015-07-27 | 2017-02-06 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 |
| US10193007B2 (en) | 2014-03-26 | 2019-01-29 | Kaneka Corporation | Solar cell module and method for manufacturing same |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10217887B2 (en) | 2014-05-02 | 2019-02-26 | Kaneka Corporation | Crystalline silicon-based solar cell, crystalline-silicon solar cell module, and manufacturing methods therefor |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01139458U (ja) * | 1988-03-17 | 1989-09-22 | ||
| JP2994735B2 (ja) * | 1990-11-27 | 1999-12-27 | シャープ株式会社 | 太陽電池 |
| FR2711276B1 (fr) * | 1993-10-11 | 1995-12-01 | Neuchatel Universite | Cellule photovoltaïque et procédé de fabrication d'une telle cellule. |
| JP2000223728A (ja) * | 1999-01-28 | 2000-08-11 | Sharp Corp | 薄膜太陽電池モジュール |
| US7388147B2 (en) * | 2003-04-10 | 2008-06-17 | Sunpower Corporation | Metal contact structure for solar cell and method of manufacture |
| US9048360B2 (en) * | 2009-06-22 | 2015-06-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Solar cell, solar cell with interconnection sheet attached and solar cell module |
-
2011
- 2011-06-29 JP JP2011144747A patent/JP2013012606A/ja not_active Withdrawn
-
2012
- 2012-03-16 WO PCT/JP2012/056860 patent/WO2013001861A1/ja active Application Filing
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015060432A1 (ja) * | 2013-10-25 | 2015-04-30 | シャープ株式会社 | 光電変換装置 |
| US10193007B2 (en) | 2014-03-26 | 2019-01-29 | Kaneka Corporation | Solar cell module and method for manufacturing same |
| KR101627782B1 (ko) * | 2014-12-26 | 2016-06-08 | 전자부품연구원 | 결정질 태양전지 |
| EP3125302A1 (en) * | 2015-07-27 | 2017-02-01 | Lg Electronics Inc. | Solar cell |
| KR20170013160A (ko) * | 2015-07-27 | 2017-02-06 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 |
| CN106409928A (zh) * | 2015-07-27 | 2017-02-15 | Lg电子株式会社 | 太阳能电池 |
| US10217877B2 (en) | 2015-07-27 | 2019-02-26 | Lg Electronics Inc. | Solar cell |
| US10879405B2 (en) | 2015-07-27 | 2020-12-29 | Lg Electronics Inc. | Solar cell |
| KR102634626B1 (ko) | 2015-07-27 | 2024-02-08 | 상라오 신위안 웨동 테크놀러지 디벨롭먼트 컴퍼니, 리미티드 | 태양 전지 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2013001861A1 (ja) | 2013-01-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6404474B2 (ja) | 太陽電池および太陽電池モジュール | |
| JP5306352B2 (ja) | 太陽電池モジュール、太陽電池及び太陽電池モジュールの製造方法 | |
| JP5705968B2 (ja) | 光電変換装置及びその製造方法 | |
| JP5485062B2 (ja) | 太陽電池の製造方法及び太陽電池 | |
| WO2013001861A1 (ja) | 太陽電池及びその製造方法 | |
| JP5642591B2 (ja) | 太陽電池モジュール | |
| JP5388970B2 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| JP2012074414A (ja) | 太陽電池モジュール及びその製造方法 | |
| JP2013219065A (ja) | 太陽電池及び太陽電池の製造方法 | |
| WO2012105155A1 (ja) | 光電変換装置及びその製造方法 | |
| JP2012142452A (ja) | 太陽電池及び太陽電池モジュール | |
| US20140130862A1 (en) | Solar cell | |
| JPWO2012105146A1 (ja) | 光電変換装置及び光電変換モジュール | |
| JP2013125963A (ja) | 光起電力素子 | |
| WO2012132835A1 (ja) | 太陽電池 | |
| JP4641858B2 (ja) | 太陽電池 | |
| US9627557B2 (en) | Solar cell | |
| JP6029023B2 (ja) | 太陽電池、太陽電池モジュール及び太陽電池の製造方法 | |
| WO2012090650A1 (ja) | 太陽電池 | |
| WO2013002008A1 (ja) | 太陽電池 | |
| WO2012124464A1 (ja) | 太陽電池 | |
| JP2013030520A (ja) | 太陽電池 | |
| JP5950136B2 (ja) | 太陽電池 | |
| JP5967555B2 (ja) | 太陽電池 | |
| JP2016096201A (ja) | 太陽電池および太陽電池の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20140902 |