JP2013012314A - スパークプラグおよびスパークプラグの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】貴金属チップが接合された電極を有するスパークプラグにおいて、より確実に貴金属チップの電極からの脱落を防止する。
【解決手段】貴金属チップの軸に向かって外周側から照射されたレーザーによるレーザー溶接を用いて貴金属チップが直接的又は間接的に接合された電極を有するスパークプラグは、レーザー溶接によって形成され、貴金属チップ内への溶け込み深さが異なる複数の溶融部を備える。溶融部のうち、貴金属チップ内に形成される部位をチップ溶融部としたとき、複数のチップ溶融部のうちの軸に最も近い点を通り、かつ、軸に直交する平面において、複数のチップ溶融部の幾何学的重心と軸との距離は、０．２Ｄ（Ｄは、平面における軸を中心とする貴金属チップに内接する円の径）以下である。
【選択図】図４

Description

本発明は、スパークプラグおよびスパークプラグの製造方法に関し、特に、貴金属チップが接合された電極を有するスパークプラグおよびその製造方法に関する。

中心電極や接地電極（以下、まとめて単に「電極」とも呼ぶ）における火花放電部位に、耐火花消耗性や耐酸化消耗性に優れた貴金属（例えば白金やイリジウム、ルテニウム、ロジウム）あるいは貴金属を主成分とする合金により形成された電極チップ（以下、「貴金属チップ」と呼ぶ）が接合されたスパークプラグが知られている（例えば、特許文献１ないし３参照）。一般に、貴金属チップは、レーザー溶接により直接、電極に接合される。あるいは、貴金属チップがレーザー溶接により中間部材に接合され、貴金属チップが接合された中間部材が電極に接合されることによって、貴金属チップが間接的に電極に接合される。

特開２００２−２１６９３０号公報 特開２００３−１８３１６７号公報 特開２００９−２８３２６２号公報

スパークプラグの使用に伴い、貴金属チップが接合された電極が冷熱サイクルに晒されると、貴金属チップと電極との熱膨張差によって接合部に亀裂が発生し、貴金属チップが電極から脱落するおそれがある。貴金属チップが接合された電極を有する従来のスパークプラグでは、貴金属チップの電極からの脱落を確実に防止するという観点で、向上の余地があった。

本発明は、上述の課題を解決するためになされたものであり、貴金属チップが接合された電極を有するスパークプラグにおいて、より確実に貴金属チップの電極からの脱落を防止することを目的とする。

上記課題の少なくとも一部を解決するために、本発明は、以下の形態または適用例として実現することが可能である。

［適用例１］貴金属チップの軸に向かって外周側から照射されたレーザーによるレーザー溶接を用いて前記貴金属チップが直接的又は間接的に接合された電極を有するスパークプラグにおいて、
前記レーザー溶接によって形成され、前記貴金属チップ内への溶け込み深さが異なる複数の溶融部を備え、
前記溶融部のうち、前記貴金属チップ内に形成される部位をチップ溶融部としたとき、前記複数のチップ溶融部のうちの前記軸に最も近い点を通り、かつ、前記軸に直交する平面において、前記複数のチップ溶融部の幾何学的重心と前記軸との距離は、０．２Ｄ（Ｄは、前記平面における前記軸を中心とする前記貴金属チップに内接する円の径）以下である、スパークプラグ。

このスパークプラグは、貴金属チップの電極への接合のためのレーザー溶接によって形成され、貴金属チップ内への溶け込み深さが異なる複数の溶融部を備える。溶け込み深さが比較的深い溶融部は、物理的な接合強度が比較的高い。また、溶け込み深さが比較的浅い溶融部は、溶融部と貴金属チップとの界面に亀裂が発生する傾向にある点で、亀裂発生の態様が深い溶融部とは異なっている。そのため、このスパークプラグでは、比較的深い溶融部が主体となって貴金属チップの接合を保持するが、仮に、比較的深い溶融部における貴金属チップと被接合体との界面に亀裂が発生した場合にも、比較的浅い溶融部の存在により、貴金属チップの接合が保持される。また、このスパークプラグは、複数のチップ溶融部のうちの軸に最も近い点を通り、かつ、軸に直交する平面において、複数のチップ溶融部の幾何学的重心と貴金属チップの軸との距離が０．２Ｄ以下であるため、溶融部の配置の偏りが抑制される。従って、このスパークプラグでは、より確実に貴金属チップの電極からの脱落を防止することができる。

［適用例２］適用例１に記載のスパークプラグにおいて、
前記貴金属チップの周囲に配置された中間部材を備え、
前記貴金属チップは、前記レーザー溶接によって前記中間部材を介して前記電極に接合されている、スパークプラグ。

このスパークプラグでは、貴金属チップがレーザー溶接によって中間部材を介して電極に接合されているため、貴金属チップの接合をより強固にして、より確実に貴金属チップの電極からの脱落を防止することができる。

［適用例３］適用例２に記載のスパークプラグにおいて、
前記中間部材の底面から前記溶融部の前記軸に最も近い点までの前記軸に沿った距離Ｌ１は、前記中間部材の厚さＴ１の０．３倍以上、かつ、０．７倍以下である、スパークプラグ。

このスパークプラグでは、貴金属チップと中間部材との間で非常に大きな接合強度を保つことができ、さらに確実に貴金属チップの電極からの脱落を防止することができる。

［適用例４］適用例１ないし適用例３のいずれかに記載のスパークプラグにおいて、
前記複数の溶融部は、前記溶け込み深さが平均より深く、かつ、前記軸を挟んで対向する少なくとも１組の前記溶融部を含む、スパークプラグ。

このスパークプラグでは、溶融部の配置の偏りがさらに良好に抑制されるため、さらに確実に貴金属チップの電極からの脱落を防止することができる。

［適用例５］貴金属チップの軸に向かって外周側から照射されたレーザーによるレーザー溶接によって形成された溶融部を有する前記貴金属チップを有する電極を有するスパークプラグの製造方法において、
前記溶融部のうち、前記貴金属チップ内に形成される部位をチップ溶融部としたとき、前記貴金属チップは、Ｎ箇所（Ｎは５以上の整数）のチップ溶融部を有し、
前記レーザー溶接は、順次実行されるＮ回の照射工程を備え、
前記Ｎ箇所のチップ溶融部を、任意のチップ溶融部を起点として周に沿って順番にＡ₁〜Ａ_Nとし、Ａ_i（ｉは１以上かつＮ以下の整数）を形成する工程をＡ_i形成工程としたとき、Ａ_m形成工程（ｍは１以上かつ（Ｎ−１）以下の整数）とＡ_m+1形成工程との間にＡ_j形成工程（ｊ≠ｍ−１、ｊ≠ｍ、かつ、ｊ≠ｍ＋１であり、Ａ₀形成工程はＡ_N形成工程を意味する）を有する、スパークプラグの製造方法。

このスパークプラグの製造方法では、Ｎ回のレーザー照射工程が順次実行されるため、貴金属チップ内への溶け込み深さが異なる複数の溶融部を形成することができる。また、このスパークプラグの製造方法では、溶融部を形成すべき位置の内のある位置に溶融部が形成された直後には、当該位置に隣接する位置ではない位置で溶融部が形成されることとなる。そのため、複数のチップ溶融部のうちの貴金属チップの軸に最も近い点を通り、かつ、軸に直交する平面において、複数のチップ溶融部の幾何学的重心と軸との距離を小さくすることができ、溶融部の配置の偏りを抑制することができる。従って、このスパークプラグの製造方法では、より確実に貴金属チップの電極からの脱落を防止することができる。

［適用例６］適用例５に記載のスパークプラグの製造方法において、
前記複数のチップ溶融部は前記貴金属チップの全周にわたって形成され、
ｘ回目（ｘは１以上かつ（Ｎ−１）以下の整数）の照射工程により形成されるチップ溶融部と（ｘ＋１）回目の照射工程により形成されるチップ溶融部との間のチップ溶融部の数をｎとしたとき、Ｎ、ｘ、及びｎは、次の（１）及び（２）の条件を満たす、スパークプラグの製造方法。
（１）１＋ｎ≦Ｎ−２
（２）{（１＋ｎ）（ｘ−１）＋１}をＶ_x,nとし、Ｎの整数倍がＶ_x,n未満で最大となる数をＮ_x,nとし、Ｖ_x,n−Ｎ_x,nをＹ_x,nとしたとき、
Ｙ_x1,n＝Ｙ_x2,nを満たすｘ１、ｘ２が存在しない（ただし、ｘ１≠ｘ２、ｘ１≦Ｎ、ｘ２≦Ｎ）

このスパークプラグの製造方法では、ある溶融部を形成する位置と、当該溶融部形成位置に溶融部が形成された直後に溶融部が形成される位置との間の回転角度が一定となるため、貴金属チップの接合を効率的に実行することができる。

［適用例７］適用例５または適用例６に記載のスパークプラグの製造方法において、
前記レーザー溶接は、所定の回転数γ（ｒｐｓ）で前記貴金属チップをレーザー照射源に対して相対的に回転させつつ実行され、
前記Ｎ回の照射工程を実行する周波数ｆは、
（ａ）Ｎが奇数の場合には、ｆ＝γ・Ｎ／２であり、
（ｂ）Ｎ＝４ｕ（≠４ｖ−２）（ｕは２以上の整数、ｖは３以上の整数）の場合には、ｆ＝γ・Ｎ／（Ｎ／２−１）であり、
（ｃ）Ｎ＝４ｖ−２（≠４ｕ）の場合には、ｆ＝２γ・Ｎ／（Ｎ−４）であり、
（ｄ）Ｎ＝４ｕ＝４ｖ−２の場合には、ｆ＝γ・Ｎ／（Ｎ／２−１）又はｆ＝２γ・Ｎ／（Ｎ−４）である、スパークプラグの製造方法。

このスパークプラグでは、所定の回転数γで貴金属チップをレーザー照射源に対して相対的に回転させつつ、一定の周波数ｆでＮ回の照射工程を実行すればよいため、貴金属チップの接合を効率的に実行することができる。

なお、本発明は、種々の態様で実現することが可能であり、例えば、スパークプラグ、スパークプラグ用の中心電極、スパークプラグ用の接地電極、これらの製造方法等の形態で実現することができる。

本発明の実施例におけるスパークプラグ１００の構成を示す説明図である。 スパークプラグ１００用の接地電極３０の詳細構成を示す説明図である。 スパークプラグ１００用の接地電極３０の詳細構成を示す説明図である。 本実施例における径方向溶融部８１の形成順序を示す説明図である。 比較例における径方向溶融部８１’の形成順序を示す説明図である。 電極チップ７０と中間部材７６との接合強度についての第１の試験結果を示す説明図である。 電極チップ７０と中間部材７６との接合強度についての第２の試験結果を示す説明図である。 本実施例におけるスパークプラグ１００用の接地電極３０の製造方法を示すフローチャートである。 第１変形例における径方向溶融部８１ａの形成順序を示す説明図である。 第２変形例における径方向溶融部８１ｂの形成順序を示す説明図である。 第３変形例における径方向溶融部８１ｃの形成順序を示す説明図である。 第４変形例における径方向溶融部８１ｄの形成順序を示す説明図である。 第５変形例における径方向溶融部８１ｅの形成順序を示す説明図である。 その他の変形例における径方向溶融部８１の形成態様を示す説明図である。 その他の変形例における径方向溶融部８１の形成態様を示す説明図である。 その他の変形例における径方向溶融部８１の形成態様を示す説明図である。 その他の変形例におけるスパークプラグ用の接地電極３０ｍの詳細構成を示す説明図である。 変形例における中心電極２０ｎの構成を示す説明図である。

次に、本発明の実施の形態を実施例に基づいて以下の順序で説明する。
Ａ．実施例：
Ａ−１．スパークプラグの構成：
Ａ−２．スパークプラグ用接地電極の詳細構成：
Ａ−３．スパークプラグ用接地電極の製造方法：
Ｂ．変形例：

Ａ．実施例：
Ａ−１．スパークプラグの構成：
図１は、本発明の実施例におけるスパークプラグ１００の構成を示す説明図である。図１において、スパークプラグ１００の中心軸である軸線ＯＬの右側にはスパークプラグ１００の側面構成を示しており、軸線ＯＬの左側にはスパークプラグ１００の断面構成を示している。なお、以下の説明では、後述の放電ギャップＤＧ（火花放電のための間隙）側をスパークプラグ１００の先端側と呼び、先端側とは反対側を後端側と呼ぶものとする。

図１に示すように、スパークプラグ１００は、絶縁碍子１０と、中心電極２０と、接地電極（外側電極）３０と、端子金具４０と、主体金具５０と、を備えている。中心電極２０は絶縁碍子１０によって保持され、絶縁碍子１０は主体金具５０によって保持されている。接地電極３０は主体金具５０の先端側に取り付けられており、端子金具４０は絶縁碍子１０の後端側に取り付けられている。

絶縁碍子１０は、中心電極２０および端子金具４０を収容する貫通孔である軸孔１２が中心に形成された筒状の絶縁体であり、例えばアルミナを始めとするセラミックス材料を焼成して形成される。絶縁碍子１０における軸線ＯＬ方向に沿った中央付近には、他の部分より外径の大きい中央胴部１９が形成されている。中央胴部１９よりも後端側には、端子金具４０と主体金具５０との間を絶縁する後端側胴部１８が形成されている。中央胴部１９よりも先端側には、先端側胴部１７が形成され、先端側胴部１７のさらに先端側には、先端側胴部１７より外径が小さい脚長部１３が形成されている。

主体金具５０は、絶縁碍子１０の後端側胴部１８の一部から脚長部１３にわたる部位を包囲して保持する略円筒形状の金具であり、例えば低炭素鋼といった金属により形成されている。主体金具５０は、略円筒形状のネジ部５２を有しており、ネジ部５２の側面には、スパークプラグ１００をエンジンヘッドに取り付ける際にエンジンヘッドのネジ孔に螺合するネジ山が形成されている。主体金具５０の先端側の端面である先端面５７は中空円形状であり、先端面５７の中空部分から絶縁碍子１０の脚長部１３の先端が突出している。主体金具５０は、また、スパークプラグ１００をエンジンヘッドに取り付ける際に工具が嵌合する工具係合部５１と、ネジ部５２の後端側に鍔状に形成されたシール部５４と、を有している。シール部５４とエンジンヘッドとの間には、板体を折り曲げて形成した環状のガスケット５が嵌挿される。工具係合部５１は、例えば六角形断面形状である。

中心電極２０は、略棒状形状の電極であり、例えばニッケルまたはニッケルを主成分とするニッケル合金により形成されている。中心電極２０は、先端側が絶縁碍子１０の脚長部１３の軸孔１２から突出した状態で絶縁碍子１０の軸孔１２内に収容されており、セラミック抵抗３およびシール体４を介して、絶縁碍子１０の後端に設けられた端子金具４０に電気的に接続されている。

接地電極３０は、屈曲した略棒状形状の電極であり、例えばニッケルまたはニッケルを主成分とするニッケル合金により形成されている。接地電極３０の一方の端部である基端部３７は主体金具５０の先端面５７に接合されており、他方の端部である自由端部３８は中心電極２０の先端側の端部と対向するように屈曲されている。接地電極３０の自由端部３８と中心電極２０の先端側の端部との間には、火花放電のための間隙（放電ギャップＤＧ）が形成される。接地電極３０の自由端部３８における中心電極２０と対向する位置（放電ギャップＤＧを形成する位置）には、耐火花消耗性や耐酸化消耗性を向上させるために、電極チップ７０が接合されている。

Ａ−２．スパークプラグ用接地電極の詳細構成：
図２および図３は、スパークプラグ１００用の接地電極３０の詳細構成を示す説明図である。図３には、接地電極３０の自由端部３８付近における中心電極２０と対向する側の平面（以下、「内側面３１」と呼ぶ）の構成を示している。また、図２には、図３のＡ１−Ａ１の位置における接地電極３０の軸線ＯＬに平行な断面の構成を示している。

上述したように、接地電極３０の自由端部３８における中心電極２０と対向する位置（放電ギャップＤＧを形成する位置）には、電極チップ７０が接合されている。電極チップ７０は、略円柱形状であり、耐火花消耗性や耐酸化消耗性に優れた貴金属（例えば白金やイリジウム、ルテニウム、ロジウム）あるいは貴金属を主成分とする合金により形成されている。本実施例では、電極チップ７０の中心軸（以下、「チップ中心軸ＰＬ」と呼ぶ）は、スパークプラグ１００の軸線ＯＬと略一致している。

電極チップ７０は、円筒形状の中間部材７６の中空部分に挿入されている。中間部材７６は、例えばニッケルまたはニッケルを主成分とするニッケル合金により形成されている。なお、本実施例では、中間部材７６の中空部分の内径φｄと電極チップ７０の直径φＤとの差Δｄ（＝ｄ−Ｄ）は、０．０１ミリメートル以上、０．１ミリメートル以下となっている。Δｄが０．１ミリメートルより大きいと、電極チップ７０の外周面と中間部材７６の内周面との隙間が過大となり、後述するレーザー溶接による電極チップ７０と中間部材７６との接合強度が低下するおそれがある。一方、Δｄが０．０１ミリメートルより小さいと、電極チップ７０を中間部材７６の中空部分に挿入する際に中間部材７６の内壁が削られてバリが発生するおそれがある。バリが発生すると、電極チップ７０と中間部材７６との位置関係や電極チップ７０と接地電極３０との位置関係にずれが生じ、レーザー溶接による電極チップ７０と中間部材７６との接合強度が低下するおそれがある。本実施例では、Δｄ（＝ｄ−Ｄ）を０．０１ミリメートル以上、０．１ミリメートル以下とすることにより、電極チップ７０の挿入性を良好にすると共に、電極チップ７０の外周面と中間部材７６の内周面との隙間を適正に保ち、レーザー溶接による電極チップ７０と中間部材７６との接合強度の低下を抑制している。

電極チップ７０と中間部材７６とは、電極チップ７０が中間部材７６の中空部分に挿入された状態で、チップ中心軸ＰＬに向かって外周側から照射されるレーザーによるレーザー溶接によって、互いに接合されている。より具体的には、中間部材７６の外周に沿った８つの位置（以下、「溶融部形成位置」と呼ぶ）で行われるレーザー溶接により形成される、中間部材７６の外周面から電極チップ７０内部まで達する８つの溶融部８１（後述する溶融部８３と区別するために「径方向溶融部８１」とも呼ぶ）により、電極チップ７０と中間部材７６とが一体となっている。なお、以下の説明では、一体接合された電極チップ７０および中間部材７６を、チップ接合体と呼ぶ。

図２に示すように、本実施例では、中間部材７６の厚さ（チップ中心軸ＰＬに沿った大きさ）Ｔ１は、電極チップ７０の厚さＴ０より小さい。また、レーザー溶接は、電極チップ７０および中間部材７６の底面（接地電極３０に対向する面）が揃った状態で実行される。そのため、チップ接合体において、電極チップ７０の一部（中心電極２０に対向する側の部分）は中間部材７６から突出した状態となる。

図２に示すように、レーザー照射高さＬ１（中間部材７６の底面からレーザー照射位置までのチップ中心軸ＰＬ方向に沿った距離）は、各径方向溶融部８１で同じである。また、図３には、径方向溶融部８１とチップ接合体との位置関係を示すために、レーザー照射高さＬ１に対応する平面（中間部材７６の底面からチップ中心軸ＰＬ方向に距離Ｌ１離れた平面）における各径方向溶融部８１の形状を破線で示しているが、本実施例では、８つの径方向溶融部８１が略均等に（中心位置が４５度ずつずれた状態で）配置されている。

図２に示すように、接地電極３０の内側面３１における中心電極２０に対向する位置には、チップ接合体（電極チップ７０および中間部材７６）の一部分を収容する凹部３５が形成されている。凹部３５の内径は、チップ接合体を収容できるような大きさであり、凹部３５の深さは、中間部材７６の厚さＴ１と略同一である。従って、チップ接合体を底面から凹部３５内に挿入すると、中間部材７６は全体が凹部３５内に収容される。一方、電極チップ７０は、中間部材７６内に挿入された部分は凹部３５内に収容されるが、中間部材７６から突出した部分は凹部３５内に収容されず、外部に露出される。

チップ接合体は、凹部３５内に挿入された状態で、抵抗溶接によって凹部３５の底面３６に接合されている。さらに、チップ接合部と接地電極３０とは、中間部材７６の外周と凹部３５の内周との境界付近において内側面３１側からチップ中心軸ＰＬに平行に照射されるレーザーによるレーザー溶接を用いて接合されている。より具体的には、レーザー溶接により形成される８つの溶融部８３（上述の径方向溶融部８１と区別するために「厚さ方向溶融部８３」とも呼ぶ）により、チップ接合体が接地電極３０に接合される。図３に示すように、８つの厚さ方向溶融部８３は、径方向溶融部８１に干渉しないような位置に、略均等に（中心位置が４５度ずつずれた状態で）配置されている。

このように、本実施例では、電極チップ７０がレーザー溶接により中間部材７６に接合され、電極チップ７０が接合された中間部材７６（すなわち、チップ接合体）が接地電極３０に接合されることによって、電極チップ７０が間接的に（すなわち、中間部材７６を介して）接地電極３０に接合されている。なお、図２には、断面における径方向溶融部８１と厚さ方向溶融部８３との位置関係等を示すために、Ａ１−Ａ１断面には表れない径方向溶融部８１や厚さ方向溶融部８３を破線で示している。

ここで、本実施例では、各径方向溶融部８１の溶け込み深さｋが互いに異なっている。溶け込み深さｋとは、図２および図３に示すように、径方向溶融部８１の内の電極チップ７０内に形成される部位（以下、「チップ溶融部」と呼ぶ）における、チップ中心軸ＰＬに向かう方向（チップ中心軸ＰＬに直交する方向）に沿った最大長を意味する。一般に、チップ溶融部のチップ中心軸ＰＬに向かう方向に沿った長さは、レーザー溶接の際のレーザー光の延長線上の位置で最大となるため、溶け込み深さｋは、チップ溶融部におけるレーザー光の延長線上の長さである。

本実施例では、電極チップ７０と中間部材７６との接合の際に、電極チップ７０および中間部材７６をチップ中心軸ＰＬを中心に回転させて、溶融部形成位置（径方向溶融部８１を形成すべき位置）を順にレーザー照射装置に対向させ、各溶融部形成位置でレーザー溶接を行うことにより、８つの径方向溶融部８１を順に形成している。各回のレーザー溶接は同一の条件（レーザー光出力や照射時間）で行われるが、レーザー溶接を行うと電極チップ７０および中間部材７６の温度が上昇するため、後から行われるレーザー溶接により形成される径方向溶融部８１ほど溶け込み深さｋは深くなる。従って、本実施例では、各径方向溶融部８１の溶け込み深さｋが互いに異なることとなる。

図４は、本実施例における径方向溶融部８１の形成順序を示す説明図である。図４（ａ）には、レーザー照射高さＬ１に対応する平面（中間部材７６の底面からチップ中心軸ＰＬ方向に距離Ｌ１離れた平面）における各径方向溶融部８１の形状を示すと共に、各径方向溶融部８１が形成される順番を括弧付きの数字で示している。また、図４（ｂ）には、一連のレーザー溶接によって径方向溶融部８１が順に形成されていく経過を示している。なお、図４（ｂ）は、単に径方向溶融部８１の形成経過を示すための図であるため、便宜的に各径方向溶融部８１の溶け込み深さｋをすべて同一に表現しているが、各径方向溶融部８１の溶け込み深さｋは実際には図４（ａ）に示した通りである。以降の説明においても、径方向溶融部８１の形成経過を示す図においては、同様に、各径方向溶融部８１の溶け込み深さｋをすべて同一に表現するものとする。

形成される８つの径方向溶融部８１のそれぞれを、１２時の位置から時計回りに、上方向、右上方向、右方向、右下方向、下方向、左下方向、左方向、左上方向の径方向溶融部８１と呼ぶものとすると、図４に示すように、本実施例では、最初に下方向の径方向溶融部８１が形成され、その後は順に、上方向、左下方向、右上方向、左方向、右方向、左上方向、右下方向の径方向溶融部８１が形成される。上述したように、後から行われるレーザー溶接により形成される径方向溶融部８１ほど溶け込み深さｋは深くなるため、ｘ番目に形成される径方向溶融部８１の溶け込み深さをｋ（ｘ）とすると、ｋ（１）＜ｋ（２）＜ｋ（３）＜ｋ（４）＜ｋ（５）＜ｋ（６）＜ｋ（７）＜ｋ（８）となる。

図４に示すように、本実施例では、８つの溶融部形成位置（径方向溶融部８１を形成すべき位置）の内のある溶融部形成位置に径方向溶融部８１が形成された直後には、当該溶融部形成位置に隣接する溶融部形成位置ではなく、比較的遠くの溶融部形成位置で径方向溶融部８１が形成される。例えば、１番目の径方向溶融部８１の形成の後には、回転角度で約１８０度離れた溶融部形成位置で２番目の径方向溶融部８１が形成され、両者の間には３つの溶融部形成位置が存在する。また、２番目の径方向溶融部８１の形成の後には、回転角度で約１３５度離れた溶融部形成位置で３番目の径方向溶融部８１が形成され、両者の間には２つの溶融部形成位置が存在する。なお、ある溶融部形成位置に径方向溶融部８１（チップ溶融部）が形成された直後に、当該溶融部形成位置に隣接しない溶融部形成位置に径方向溶融部８１（チップ溶融部）が形成されることは、「形成すべき径方向溶融部８１（チップ溶融部）の数をＮ（ただしＮは５以上の整数）とし、各径方向溶融部８１（チップ溶融部）を任意の径方向溶融部８１（チップ溶融部）を起点として周に沿って順番にＡ₁〜Ａ_Nと表し、Ａ_i（ｉは１以上かつＮ以下の整数）を形成するレーザー溶接工程をＡ_i形成工程としたとき、Ａ_m形成工程（ｍは１以上かつ（Ｎ−１）以下の整数）とＡ_m+1形成工程との間にＡ_j形成工程（ｊ≠ｍ−１、ｊ≠ｍ、かつ、ｊ≠ｍ＋１であり、Ａ₀形成工程はＡ_N形成工程を意味する）が存在する」と表現できる。

このように、本実施例では、８つの溶融部形成位置の内のある溶融部形成位置に径方向溶融部８１が形成された直後には、当該溶融部形成位置に隣接しない溶融部形成位置で径方向溶融部８１が形成されるため、溶け込み深さｋが比較的浅い径方向溶融部８１同士が近い位置に固まったり、溶け込み深さｋが比較的深い径方向溶融部８１同士が近い位置に固まったりすることが抑制される。結果的に、複数のチップ溶融部（径方向溶融部８１の内の電極チップ７０内に形成される部位）のうちのチップ中心軸ＰＬに最も近い点ＴＰを通り、かつ、チップ中心軸ＰＬに直交する平面（以下、「特定平面」と呼ぶ）において、複数のチップ溶融部の幾何学的重心Ｇとチップ中心軸ＰＬとの距離が比較的小さくなる。

なお、上述したように、各径方向溶融部８１において、チップ中心軸ＰＬに最も近い点は、レーザー光の延長線上の点である。そのため、本実施例において、複数のチップ溶融部のうちのチップ中心軸ＰＬに最も近い点ＴＰとは、最後（８番目）に形成された径方向溶融部８１におけるレーザー光の延長線上の点である（図２および図３参照）。従って、上記特定平面とは、図４（ａ）に示した平面である。また、複数のチップ溶融部の幾何学的重心Ｇは、特定平面におけるすべてのチップ溶融部の輪郭線により規定される図形の幾何学的重心である。

より具体的には、本実施例では、特定平面における複数のチップ溶融部の幾何学的重心Ｇとチップ中心軸ＰＬとの距離をＳ・Ｄ（Ｄは、電極チップ７０の直径（図３参照））と表すと、値Ｓは０．２以下となっている。値Ｓが０．２以下であるとは、図４（ａ）に示すように、特定平面において、幾何学的重心Ｇが、チップ中心軸ＰＬを中心とした半径０．２Ｄの規定範囲ＡＲ内に位置することを意味する。なお、このＳ・Ｄは、特定平面における複数のチップ溶融部と電極チップ７０との同軸度に対応している。

また、本実施例では、１番目に形成される径方向溶融部８１は、チップ中心軸ＰＬを挟んで、２番目に形成される径方向溶融部８１に対向している。また、３番目に形成される径方向溶融部８１は、４番目に形成される径方向溶融部８１に対向している。ここで、１ないし４番目に形成される径方向溶融部８１は、溶け込み深さｋが平均値より小さい。そのため、本実施例では、形成される複数の径方向溶融部８１は、溶け込み深さｋが平均より浅く、かつ、チップ中心軸ＰＬを挟んで対向する径方向溶融部８１の組を含んでいると言える。また、本実施例では、５番目に形成される径方向溶融部８１は、６番目に形成される径方向溶融部８１に対向し、７番目に形成される径方向溶融部８１は、８番目に形成される径方向溶融部８１に対向している。ここで、５ないし８番目に形成される径方向溶融部８１は、溶け込み深さｋが平均値より大きい。そのため、本実施例では、形成される複数の径方向溶融部８１は、溶け込み深さｋが平均より深く、かつ、チップ中心軸ＰＬを挟んで対向する径方向溶融部８１の組を含んでいると言える。このように、本実施例では、溶け込み深さｋが平均値より小さい径方向溶融部８１（１ないし４番目に形成される径方向溶融部８１）同士がチップ中心軸ＰＬを挟んで対向し、溶け込み深さｋが平均値より大きい径方向溶融部８１（５ないし８番目に形成される径方向溶融部８１）同士がチップ中心軸ＰＬを挟んで対向している。

以上説明したように、本実施例では、各径方向溶融部８１の溶け込み深さｋが互いに異なっているため、より確実に電極チップ７０の接地電極３０からの脱落を防止することができる。溶け込み深さｋが比較的深い径方向溶融部８１は、物理的な接合強度が比較的高い。一方、溶け込み深さｋが比較的浅い径方向溶融部８１は、物理的な接合強度が比較的低いが、使用時の亀裂発生の態様が深い径方向溶融部８１とは異なっている。すなわち、比較的深い径方向溶融部８１では、電極チップ７０と中間部材７６との界面に亀裂が発生する傾向にあるのに対し、比較的浅い径方向溶融部８１では、径方向溶融部８１と電極チップ７０との界面に亀裂が発生する傾向にある。これは、比較的浅い径方向溶融部８１では、電極チップ７０の成分に対して中間部材７６の成分の割合が高いからである。従って、基本的には、比較的深い径方向溶融部８１が主体となって電極チップ７０と中間部材７６との接合を保持するが、仮に、比較的深い径方向溶融部８１における電極チップ７０と中間部材７６との界面に亀裂が発生した場合にも、比較的浅い径方向溶融部８１の存在により、電極チップ７０と中間部材７６との接合が保持される。従って、本実施例では、より確実に電極チップ７０の接地電極３０からの脱落を防止することができる。

なお、溶け込み深さｋが、８つの径方向溶融部８１の溶け込み深さｋの平均値の１．１倍以上である径方向溶融部８１を「深い」径方向溶融部８１と呼び（ただし、溶け込み深さｋの上限値は電極チップ７０の直径Ｄの２分の１）、溶け込み深さｋが、８つの径方向溶融部８１の溶け込み深さｋの平均値の０．１倍以上、０．９倍以下である径方向溶融部８１を「浅い」径方向溶融部８１と呼ぶものとすると、８つの径方向溶融部８１に、「深い」径方向溶融部８１と「浅い」径方向溶融部８１とが混在していることが、電極チップ７０の脱落防止の点で、より好ましい。

また、本実施例では、特定平面における複数のチップ溶融部の幾何学的重心Ｇとチップ中心軸ＰＬとの距離が０．２Ｄ以下であるため、当該平面方向における径方向溶融部８１の配置の偏りが抑制され、さらに確実に電極チップ７０の接地電極３０からの脱落を防止することができる。図５は、比較例における径方向溶融部８１'の形成順序を示す説明図である。図５（ａ）には、図４（ａ）と同様に、レーザー照射高さＬ１に対応する平面における各径方向溶融部８１'の形状を示すと共に、各径方向溶融部８１'が形成される順番を括弧付きの数字で示している。また、図５（ｂ）には、図４（ｂ）と同様に、一連のレーザー溶接によって径方向溶融部８１'が順に形成されていく経過を示している。なお、本明細書では、各実施例や比較例を互いに区別して説明するときには、各構成要素の符号の末尾に「’」やアルファベット等の区別記号を付加するものとし、各実施例や比較例について共通して説明するときには、上記区別記号を適宜省略するものとする。

図５に示した比較例では、最初に下方向の径方向溶融部８１'が形成され、その後は順に、右下方向、右方向、右上方向、上方向、左上方向、左方向、左下方向の径方向溶融部８１'が形成される。すなわち、図５に示した比較例では、８つの溶融部形成位置の内のある溶融部形成位置に径方向溶融部８１'が形成された直後には、当該溶融部形成位置に隣接する溶融部形成位置で径方向溶融部８１'が形成される。そのため、溶け込み深さｋが平均値より小さい径方向溶融部８１'（１ないし４番目に形成される径方向溶融部８１'）は、チップ中心軸ＰＬを挟んで、溶け込み深さｋが平均値より大きい径方向溶融部８１'（５ないし８番目に形成される径方向溶融部８１'）と対向する。従って、この比較例では、比較的浅い径方向溶融部８１同士が近い位置に固まると共に、比較的深い径方向溶融部８１同士が近い位置に固まり、結果的に、特定平面における複数のチップ溶融部の幾何学的重心Ｇは規定範囲ＡＲ外（６番目や７番目の径方向溶融部８１'付近）に位置することとなる。従って、図５に示した比較例では、特定平面方向における径方向溶融部８１'の配置が偏るため、電極チップ７０の脱落を有効に抑制できない。これに対し、本実施例では、特定平面における複数のチップ溶融部の幾何学的重心Ｇとチップ中心軸ＰＬとの距離が０．２Ｄ以下であるため、当該平面方向における径方向溶融部８１の配置の偏りが抑制され、さらに確実に電極チップ７０の接地電極３０からの脱落を防止することができる。

また、本実施例では、形成される複数の径方向溶融部８１は、溶け込み深さｋが平均より深く、かつ、チップ中心軸ＰＬを挟んで対向する径方向溶融部８１の組を含んでいるため、径方向溶融部８１の配置の偏りがさらに良好に抑制され、さらに確実に電極チップ７０の接地電極３０からの脱落を防止することができる。特に、本実施例では、溶け込み深さｋが平均値より小さい径方向溶融部８１同士がチップ中心軸ＰＬを挟んで対向し、溶け込み深さｋが平均値より大きい径方向溶融部８１同士がチップ中心軸ＰＬを挟んで対向しているため、径方向溶融部８１の配置の偏りが極めて良好に抑制され、さらに確実に電極チップ７０の接地電極３０からの脱落を防止することができる。

図６は、電極チップ７０と中間部材７６との接合強度についての第１の試験結果を示す説明図である。第１の試験では、各径方向溶融部８１の溶け込み深さｋが均一のサンプルと均一でないサンプルを用いて、6気筒コージェネレーションエンジンにて高負荷条件（定格出力の100％）と低負荷条件（定格出力の50％）とのそれぞれの試験環境における耐久試験後に、電極チップ７０と中間部材７６との接合強度を測定した。なお、一般に、高負荷条件とは定格出力の６０％以上を意味し、低負荷条件とは定格出力の６０％未満を意味する。各サンプルにおいて、径方向溶融部８１の数は１０個であり、電極チップ７０の直径Ｄは２．５ミリメートルである。溶け込み深さｋが均一でないサンプルについては、上述した同軸度に対応する値Ｓを０．１から０．４の間で変化させた複数のサンプル（溶け込み深さｋの平均値はいずれも０．５ミリメートル）について試験を行った。また、溶け込み深さｋが均一のサンプルについては、溶け込み深さｋが浅い（０．１ミリメートル）サンプルと、中間（０．５ミリメートル）のサンプルと、深い（１．０ミリメートル）サンプルとの３つについて試験を行った。なお、溶け込み深さｋが均一のサンプルは、例えば、レーザー光の出力を調整しつつ順に径方向溶融部８１を形成したり、すべての径方向溶融部８１を同時に形成したりすることにより、製造することができる。

図６に示すように、溶け込み深さｋが均一でないサンプルの接合強度は、いずれも、必要最低値３５０Ｎを上回った。一方、溶け込み深さｋが均一のサンプルの接合強度は、少なくとも高負荷条件の試験環境に関して必要最低値３５０Ｎを下回り、溶け込み深さｋが浅いサンプルでは、低負荷条件の試験環境に関しても必要最低値３５０Ｎを下回った。また、溶け込み深さｋが均一でないサンプルの内、値Ｓが０．２以下のサンプルでは、いずれも接合強度が目標値３８０Ｎを上回った。このように、第１の試験結果から、電極チップ７０と中間部材７６との接合のために溶け込み深さｋが異なる複数の径方向溶融部８１を形成すると共に、特定平面における複数のチップ溶融部の幾何学的重心Ｇとチップ中心軸ＰＬとの距離をＳ・Ｄ（Ｄは電極チップ７０の直径）としたときの値Ｓが０．２以下であれば、冷熱サイクルに晒されても電極チップ７０と中間部材７６との間で十分な接合強度を保つことができ、より確実に電極チップ７０の接地電極３０からの脱落を防止することができることがわかる。

図７は、電極チップ７０と中間部材７６との接合強度についての第２の試験結果を示す説明図である。第２の試験では、各径方向溶融部８１の溶け込み深さｋが均一でないサンプルについて、上述したレーザー照射高さＬ１（図２参照）を０．１Ｔ１（Ｔ１は中間部材７６の厚さであり、本試験では０．９ミリメートルとした）から０．９Ｔ１の間で変化させた複数のサンプル（溶け込み深さｋの平均値はいずれも０．５ミリメートル）について試験を行った。各サンプルにおいて、径方向溶融部８１の数は１０個であり、電極チップ７０の直径Ｄは２．５ミリメートルであり、値Ｓは０．２である。なお、レーザー照射高さＬ１は、中間部材７６の底面から径方向溶融部８１におけるチップ中心軸ＰＬに最も近い点までのチップ中心軸ＰＬに沿った距離であるとも表現できる。

図７に示すように、レーザー照射高さＬ１が０．３Ｔ１から０．７Ｔ１の間のサンプルの接合強度は、いずれも、さらに高い目標値４２０Ｎを上回った。従って、第２の試験結果から、電極チップ７０と中間部材７６との接合のために溶け込み深さｋが異なる複数の径方向溶融部８１を形成すると共に、値Ｓが０．２以下であり、さらにレーザー照射高さＬ１が０．３Ｔ１以上０．７Ｔ１以下であれば、電極チップ７０と中間部材７６との間で非常に大きな接合強度を保つことができ、さらに確実に電極チップ７０の接地電極３０からの脱落を防止することができることがわかる。

Ａ−３．スパークプラグ用接地電極の製造方法：
図８は、本実施例におけるスパークプラグ１００用の接地電極３０の製造方法を示すフローチャートである。最初に、電極チップ７０と中間部材７６とを、径方向溶融部８１を形成するレーザー溶接を用いて接合し、チップ接合体を製造する（ステップＳ１１０）。次に、接地電極３０を所定の長さに切断する切断加工を行い（ステップＳ１２０）、接地電極３０の内側面３１に凹部３５を形成する穴加工を行う（ステップＳ１３０）。その後、チップ接合体を接地電極３０の凹部３５内に挿入してチップ接合体と接地電極３０とを抵抗溶接し（ステップＳ１４０）、最後に、チップ接合体と接地電極３０とを、厚さ方向溶融部８３を形成するレーザー溶接により接合する（ステップＳ１５０）。

このように、本実施例における接地電極３０の製造方法では、接地電極３０の切断加工（ステップＳ１２０）の後にチップ接合体と接地電極３０との接合（ステップＳ１４０およびＳ１５０）を行うため、チップ接合体と接地電極３０との接合を行った後に接地電極３０の切断加工を行う従来の製造方法と比較して、接地電極３０の切断加工の際に加わる応力によってチップ接合体と接地電極３０との接合強度やチップ接合体内の接合強度（電極チップ７０と中間部材７６との接合強度）が低下することを抑制することができる。

Ｂ．変形例：
なお、この発明は上記の実施例や実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の態様において実施することが可能であり、例えば次のような変形も可能である。

Ｂ−１．第１変形例：
図９は、第１変形例における径方向溶融部８１ａの形成順序を示す説明図である。第１変形例では、径方向溶融部８１ａの形成順序が、図４に示した実施例とは異なっている。図９（ａ）には、図４（ａ）と同様に、レーザー照射高さＬ１に対応する平面における各径方向溶融部８１ａの形状を示すと共に、各径方向溶融部８１ａが形成される順番を括弧付きの数字で示している。また、図９（ｂ）には、図４（ｂ）と同様に、一連のレーザー溶接によって径方向溶融部８１ａが順に形成されていく経過を示している。

図９に示すように、第１変形例では、最初に下方向の径方向溶融部８１ａが形成され、その後は順に、右方向、上方向、左方向、右下方向、右上方向、左上方向、左下方向の径方向溶融部８１ａが形成される。すなわち、第１変形例では、８つの溶融部形成位置（径方向溶融部８１ａを形成すべき位置）の内のある溶融部形成位置に径方向溶融部８１ａが形成された直後には、当該溶融部形成位置に隣接しない溶融部形成位置で径方向溶融部８１ａが形成される。例えば、１番目の径方向溶融部８１ａの形成の後には、回転角度で約９０度離れた溶融部形成位置で２番目の径方向溶融部８１ａが形成され、両者の間には１つの溶融部形成位置が存在する。また、４番目の径方向溶融部８１ａの形成の後には、回転角度で約１３５度離れた溶融部形成位置で５番目の径方向溶融部８１ａが形成され、両者の間には２つの溶融部形成位置が存在する。従って、第１変形例では、上述した実施例と同様に、溶け込み深さｋが比較的浅い径方向溶融部８１ａ同士が近い位置に固まったり、溶け込み深さｋが比較的深い径方向溶融部８１ａ同士が近い位置に固まったりすることが抑制され、結果的に、上述した同軸度に対応する値Ｓが０．２以下となる。

また、第１変形例では、１番目に形成される径方向溶融部８１ａは、チップ中心軸ＰＬを挟んで、３番目に形成される径方向溶融部８１ａに対向し、２番目に形成される径方向溶融部８１ａは、４番目に形成される径方向溶融部８１ａに対向している。そのため、第１変形例では、形成される複数の径方向溶融部８１ａは、溶け込み深さｋが平均より浅く、かつ、チップ中心軸ＰＬを挟んで対向する径方向溶融部８１ａの組を含んでいると言える。また、第１変形例では、５番目に形成される径方向溶融部８１ａは、７番目に形成される径方向溶融部８１ａに対向し、６番目に形成される径方向溶融部８１ａは、８番目に形成される径方向溶融部８１ａに対向している。そのため、第１変形例では、形成される複数の径方向溶融部８１ａは、溶け込み深さｋが平均より深く、かつ、チップ中心軸ＰＬを挟んで対向する径方向溶融部８１ａの組を含んでいると言える。このように、第１変形例では、溶け込み深さｋが平均値より小さい径方向溶融部８１ａ（１ないし４番目に形成される径方向溶融部８１ａ）同士がチップ中心軸ＰＬを挟んで対向し、溶け込み深さｋが平均値より大きい径方向溶融部８１ａ（５ないし８番目に形成される径方向溶融部８１ａ）同士がチップ中心軸ＰＬを挟んで対向している。

以上のように、第１変形例では、上記実施例と同様に、各径方向溶融部８１ａの溶け込み深さｋが互いに異なっているため、より確実に電極チップ７０ａの脱落を防止することができる。また、第１変形例では、上記実施例と同様に、特定平面における複数のチップ溶融部の幾何学的重心Ｇとチップ中心軸ＰＬとの距離が０．２Ｄ以下であるため、当該平面方向における径方向溶融部８１ａの配置の偏りが抑制され、さらに確実に電極チップ７０ａの脱落を防止することができる。また、第１変形例では、上記実施例と同様に、形成される複数の径方向溶融部８１ａは、溶け込み深さｋが平均より深く、かつ、チップ中心軸ＰＬを挟んで対向する径方向溶融部８１ａの組を含んでいるため、径方向溶融部８１ａの配置の偏りがさらに良好に抑制され、さらに確実に電極チップ７０ａの接地電極３０の脱落を防止することができる。特に、第１変形例では、溶け込み深さｋが平均値より小さい径方向溶融部８１ａ同士がチップ中心軸ＰＬを挟んで対向し、溶け込み深さｋが平均値より大きい径方向溶融部８１ａ同士がチップ中心軸ＰＬを挟んで対向しているため、径方向溶融部８１ａの配置の偏りが極めて良好に抑制され、さらに確実に電極チップ７０ａの脱落を防止することができる。

Ｂ−２．第２変形例：
図１０は、第２変形例における径方向溶融部８１ｂの形成順序を示す説明図である。第２変形例では、径方向溶融部８１ｂの形成順序が、図４に示した実施例とは異なっている。図１０（ａ）には、図４（ａ）と同様に、レーザー照射高さＬ１に対応する平面における各径方向溶融部８１ｂの形状を示すと共に、各径方向溶融部８１ｂが形成される順番を括弧付きの数字で示している。また、図１０（ｂ）には、図４（ｂ）と同様に、一連のレーザー溶接によって径方向溶融部８１ｂが順に形成されていく経過を示している。

図１０に示すように、第２変形例では、最初に下方向の径方向溶融部８１ｂが形成され、その後は順に、右上方向、左方向、右下方向、上方向、左下方向、右方向、左上方向の径方向溶融部８１ｂが形成される。すなわち、第２変形例では、８つの溶融部形成位置（径方向溶融部８１ｂを形成すべき位置）の内のある溶融部形成位置に径方向溶融部８１ｂが形成された直後には、当該溶融部形成位置に隣接しない溶融部形成位置で径方向溶融部８１ｂが形成される。例えば、１番目の径方向溶融部８１ｂの形成の後には、回転角度で約１３５度離れた溶融部形成位置で２番目の径方向溶融部８１ｂが形成され、両者の間には２つの溶融部形成位置が存在する。また、２番目の径方向溶融部８１ｂの形成の後には、回転角度で約１３５度離れた溶融部形成位置で３番目の径方向溶融部８１ｂが形成され、両者の間には２つの溶融部形成位置が存在する。従って、第２変形例では、上述した実施例と同様に、溶け込み深さｋが比較的浅い径方向溶融部８１ｂ同士が近い位置に固まったり、溶け込み深さｋが比較的深い径方向溶融部８１ｂ同士が近い位置に固まったりすることが抑制され、結果的に、上述した同軸度に対応する値Ｓが０．２以下となる。

また、第２変形例では、ある溶融部形成位置と、当該溶融部形成位置に径方向溶融部８１ｂが形成された直後に径方向溶融部８１ｂが形成される溶融部形成位置と、の間の回転角度は、常に一定（約１３５度）となっている。なお、このことは、「複数の径方向溶融部８１ｂ（チップ溶融部）が電極チップ７０の全周にわたって形成され、ｘ回目（ｘは１以上かつ（Ｎ−１）以下の整数）のレーザー照射工程により形成される径方向溶融部８１ｂ（チップ溶融部）と（ｘ＋１）回目のレーザー照射工程により形成される径方向溶融部８１ｂ（チップ溶融部）との間の径方向溶融部８１ｂ（チップ溶融部）の数をｎとしたとき、Ｎ、ｘ、及びｎは、次の（１）及び（２）の条件を満たしている。
（１）１＋ｎ≦Ｎ−２
（２）{（１＋ｎ）（ｘ−１）＋１}をＶ_x,nとし、Ｎの整数倍がＶ_x,n未満で最大となる数をＮ_x,nとし、Ｖ_x,n−Ｎ_x,nをＹ_x,nとしたとき、Ｙ_x1,n＝Ｙ_x2,nを満たすｘ１、ｘ２が存在しない（ただし、ｘ１≠ｘ２、ｘ１≦Ｎ、ｘ２≦Ｎ）」と表現できる。上記条件（１）は、上述したように各径方向溶融部８１ｂを任意の径方向溶融部８１ｂを起点として周に沿って順番にＡ₁〜Ａ_Nと表したとき、２回目のレーザー照射工程により形成される径方向溶融部８１ｂがＡ_Nである場合（すなわち、１＋ｎ＝Ｎ−１の場合）を避けるための条件である。また、上記条件（２）は、ｘ回目のレーザー照射工程までに数える径方向溶融部８１ｂの数は（１＋ｎ）（ｘ−１）＋１であることから、この{（１＋ｎ）（ｘ−１）＋１}をＶ_x,nとし、Ｎの整数倍がＶ_x,n未満で最大となる数をＮ_x,nとし、Ｖ_x,n−Ｎ_x,nをＹ_x,nとしたとき、Ｙ_x1,n＝Ｙ_x2,nを満たすｘ１、ｘ２が存在する（つまり、ｘ１回目のレーザー照射工程とｘ２回目のレーザー照射工程とが同じ位置で実行される）ことを避けるための条件である。なお、「複数の径方向溶融部８１ｂが電極チップ７０の全周にわたって形成され」とは、電極チップ７０の全周にわたって複数の径方向溶融部８１ｂが均等間隔で配置されていることまでを意味するものではなく、電極チップ７０の全周にわたって複数の径方向溶融部８１ｂが満遍なく配置されていることを意味する。

以上のように、第２変形例では、上記実施例と同様に、各径方向溶融部８１ｂの溶け込み深さｋが互いに異なっているため、より確実に電極チップ７０ｂの脱落を防止することができる。また、第２変形例では、上記実施例と同様に、特定平面における複数のチップ溶融部の幾何学的重心Ｇとチップ中心軸ＰＬとの距離が０．２Ｄ以下であるため、当該平面方向における径方向溶融部８１ｂの配置の偏りが抑制され、さらに確実に電極チップ７０ｂの脱落を防止することができる。また、第２変形例では、ある溶融部形成位置と、当該溶融部形成位置に径方向溶融部８１ｂが形成された直後に径方向溶融部８１ｂが形成される溶融部形成位置と、の間の回転角度が常に一定であるため、電極チップ７０ｂと中間部材７６ｂとの接合の際に、所定の回転数γ（ｒｐｓ）で電極チップ７０ｂおよび中間部材７６ｂをレーザー照射源に対して相対的に回転させ、レーザー照射源により一定の周波数ｆでレーザー照射を行えばよく、電極チップ７０ｂの接合を効率的に実行することができる。

なお、このときのレーザー照射の周波数ｆは、（ａ）Ｎが奇数の場合には、ｆ＝γ・Ｎ／２であり、（ｂ）Ｎ＝４ｕ（≠４ｖ−２）（ｕは２以上の整数、ｖは３以上の整数）の場合には、ｆ＝γ・Ｎ／（Ｎ／２−１）であり、（ｃ）Ｎ＝４ｖ−２（≠４ｕ）の場合には、ｆ＝２γ・Ｎ／（Ｎ−４）であり、（ｄ）Ｎ＝４ｕ＝４ｖ−２の場合には、ｆ＝γ・Ｎ／（Ｎ／２−１）又はｆ＝２γ・Ｎ／（Ｎ−４）である。すなわち、第２変形例ではＮ＝８であるため、式（ｂ）に従って、周波数ｆは８／３γとなる。

Ｂ−３．第３変形例：
図１１は、第３変形例における径方向溶融部８１ｃの形成順序を示す説明図である。第３変形例では、径方向溶融部８１ｃの数Ｎが９個である点が、図４に示した実施例とは異なっている。図１１には、図４（ｂ）と同様に、一連のレーザー溶接によって径方向溶融部８１ｃが順に形成されていく経過を示している。なお、上述したように、本明細書では、図１１のように径方向溶融部８１ｃの形成経過を示す図においては、各径方向溶融部８１ｃの溶け込み深さｋを便宜的にすべて同一に表現している。

図１１に示すように、第３変形例では、９つの溶融部形成位置（径方向溶融部８１ｃを形成すべき位置）の内のある溶融部形成位置に径方向溶融部８１ｃが形成された直後には、当該溶融部形成位置に隣接しない溶融部形成位置で径方向溶融部８１ｃが形成される。例えば、１番目の径方向溶融部８１ｃの形成の後には、回転角度で約８０度離れた溶融部形成位置で２番目の径方向溶融部８１ｃが形成され、両者の間には１つの溶融部形成位置が存在する。また、２番目の径方向溶融部８１ｃの形成の後には、回転角度で約８０度離れた溶融部形成位置で３番目の径方向溶融部８１ｃが形成され、両者の間には１つの溶融部形成位置が存在する。従って、第３変形例では、上述した実施例と同様に、溶け込み深さｋが比較的浅い径方向溶融部８１ｃ同士が近い位置に固まったり、溶け込み深さｋが比較的深い径方向溶融部８１ｃ同士が近い位置に固まったりすることが抑制され、結果的に、上述した同軸度に対応する値Ｓが０．２以下となる。

また、第３変形例では、第２変形例と同様に、ある溶融部形成位置と、当該溶融部形成位置に径方向溶融部８１ｃが形成された直後に径方向溶融部８１ｃが形成される溶融部形成位置と、の間の回転角度は、常に一定（約８０度）となっている。

以上のように、第３変形例では、上記実施例と同様に、各径方向溶融部８１ｃの溶け込み深さｋが互いに異なっているため、より確実に電極チップ７０ｃの脱落を防止することができる。また、第３変形例では、上記実施例と同様に、特定平面における複数のチップ溶融部の幾何学的重心Ｇとチップ中心軸ＰＬとの距離が０．２Ｄ以下であるため、当該平面方向における径方向溶融部８１ｃの配置の偏りが抑制され、さらに確実に電極チップ７０ｃの脱落を防止することができる。また、第３変形例では、ある溶融部形成位置と、当該溶融部形成位置に径方向溶融部８１ｃが形成された直後に径方向溶融部８１ｃが形成される溶融部形成位置と、の間の回転角度が常に一定であるため、電極チップ７０ｃと中間部材７６ｃとの接合の際に、所定の回転数γ（ｒｐｓ）で電極チップ７０ｃおよび中間部材７６ｃをレーザー照射源に対して相対的に回転させ、レーザー照射源により一定の周波数ｆでレーザー照射を行えばよく、電極チップ７０ｃの接合を効率的に実行することができる。第３変形例ではＮ＝９であるため、レーザー照射の周波数ｆを示す上記式（ａ）に従って、周波数ｆは９／２γとなる。

Ｂ−４．第４変形例：
図１２は、第４変形例における径方向溶融部８１ｄの形成順序を示す説明図である。第４変形例では、径方向溶融部８１ｄの数Ｎが１０個である点が、図４に示した実施例とは異なっている。図１２には、図４（ｂ）と同様に、一連のレーザー溶接によって径方向溶融部８１ｄが順に形成されていく経過を示している。なお、上述したように、本明細書では、図１２のように径方向溶融部８１ｄの形成経過を示す図においては、各径方向溶融部８１ｄの溶け込み深さｋを便宜的にすべて同一に表現している。

図１２に示すように、第４変形例では、１０個の溶融部形成位置（径方向溶融部８１ｄを形成すべき位置）の内のある溶融部形成位置に径方向溶融部８１ｄが形成された直後には、当該溶融部形成位置に隣接しない溶融部形成位置で径方向溶融部８１ｄが形成される。例えば、１番目の径方向溶融部８１ｄの形成の後には、回転角度で約１０８度離れた溶融部形成位置で２番目の径方向溶融部８１ｄが形成され、両者の間には２つの溶融部形成位置が存在する。また、２番目の径方向溶融部８１ｄの形成の後には、回転角度で約１０８度離れた溶融部形成位置で３番目の径方向溶融部８１ｄが形成され、両者の間には２つの溶融部形成位置が存在する。従って、第４変形例では、上述した実施例と同様に、溶け込み深さｋが比較的浅い径方向溶融部８１ｄ同士が近い位置に固まったり、溶け込み深さｋが比較的深い径方向溶融部８１ｄ同士が近い位置に固まったりすることが抑制され、結果的に、上述した同軸度に対応する値Ｓが０．２以下となる。

また、第４変形例では、第２変形例と同様に、ある溶融部形成位置と、当該溶融部形成位置に径方向溶融部８１ｄが形成された直後に径方向溶融部８１ｄが形成される溶融部形成位置と、の間の回転角度は、常に一定（約１０８度）となっている。

以上のように、第４変形例では、上記実施例と同様に、各径方向溶融部８１ｄの溶け込み深さｋが互いに異なっているため、より確実に電極チップ７０ｄの脱落を防止することができる。また、第４変形例では、上記実施例と同様に、特定平面における複数のチップ溶融部の幾何学的重心Ｇとチップ中心軸ＰＬとの距離が０．２Ｄ以下であるため、当該平面方向における径方向溶融部８１ｄの配置の偏りが抑制され、さらに確実に電極チップ７０ｄの脱落を防止することができる。また、第４変形例では、ある溶融部形成位置と、当該溶融部形成位置に径方向溶融部８１ｄが形成された直後に径方向溶融部８１ｄが形成される溶融部形成位置と、の間の回転角度が常に一定であるため、電極チップ７０ｄと中間部材７６ｄとの接合の際に、所定の回転数γ（ｒｐｓ）で電極チップ７０ｄおよび中間部材７６ｄをレーザー照射源に対して相対的に回転させ、レーザー照射源により一定の周波数ｆでレーザー照射を行えばよく、電極チップ７０ｄの接合を効率的に実行することができる。第４変形例ではＮ＝１０であるため、レーザー照射の周波数ｆを示す上記式（ｃ）に従って、周波数ｆは１０／３γとなる。

Ｂ−５．第５変形例：
図１３は、第５変形例における径方向溶融部８１ｅの形成順序を示す説明図である。第５変形例では、径方向溶融部８１ｅの数Ｎが１２個である点が、図４に示した実施例とは異なっている。図１３には、図４（ｂ）と同様に、一連のレーザー溶接によって径方向溶融部８１ｅが順に形成されていく経過を示している。なお、上述したように、本明細書では、図１３のように径方向溶融部８１ｅの形成経過を示す図においては、各径方向溶融部８１ｅの溶け込み深さｋを便宜的にすべて同一に表現している。

図１３に示すように、第５変形例では、１２個の溶融部形成位置（径方向溶融部８１ｅを形成すべき位置）の内のある溶融部形成位置に径方向溶融部８１ｅが形成された直後には、当該溶融部形成位置に隣接しない溶融部形成位置で径方向溶融部８１ｅが形成される。例えば、１番目の径方向溶融部８１ｅの形成の後には、回転角度で約１５０度離れた溶融部形成位置で２番目の径方向溶融部８１ｅが形成され、両者の間には４つの溶融部形成位置が存在する。また、２番目の径方向溶融部８１ｅの形成の後には、回転角度で約１５０度離れた溶融部形成位置で３番目の径方向溶融部８１ｅが形成され、両者の間には４つの溶融部形成位置が存在する。従って、第５変形例では、上述した実施例と同様に、溶け込み深さｋが比較的浅い径方向溶融部８１ｅ同士が近い位置に固まったり、溶け込み深さｋが比較的深い径方向溶融部８１ｅ同士が近い位置に固まったりすることが抑制され、結果的に、上述した同軸度に対応する値Ｓが０．２以下となる。

また、第５変形例では、第２変形例と同様に、ある溶融部形成位置と、当該溶融部形成位置に径方向溶融部８１ｅが形成された直後に径方向溶融部８１ｅが形成される溶融部形成位置と、の間の回転角度は、常に一定（約１５０度）となっている。

以上のように、第５変形例では、上記実施例と同様に、各径方向溶融部８１ｅの溶け込み深さｋが互いに異なっているため、より確実に電極チップ７０ｅの脱落を防止することができる。また、第５変形例では、上記実施例と同様に、特定平面における複数のチップ溶融部の幾何学的重心Ｇとチップ中心軸ＰＬとの距離が０．２Ｄ以下であるため、当該平面方向における径方向溶融部８１ｅの配置の偏りが抑制され、さらに確実に電極チップ７０ｅの脱落を防止することができる。また、第５変形例では、ある溶融部形成位置と、当該溶融部形成位置に径方向溶融部８１ｅが形成された直後に径方向溶融部８１ｅが形成される溶融部形成位置と、の間の回転角度が常に一定であるため、電極チップ７０ｅと中間部材７６ｅとの接合の際に、所定の回転数γ（ｒｐｓ）で電極チップ７０ｅおよび中間部材７６ｅをレーザー照射源に対して相対的に回転させ、レーザー照射源により一定の周波数ｆでレーザー照射を行えばよく、電極チップ７０ｅの接合を効率的に実行することができる。第５変形例ではＮ＝１２であるため、レーザー照射の周波数ｆを示す上記式（ｂ）に従って、周波数ｆは１２／５γとなる。

Ｂ−６．その他の変形例：
図１４ないし図１６は、その他の変形例における径方向溶融部８１の形成態様を示す説明図である。図１４（ａ）に示す変形例では、溶け込み深さｋの異なる２種類の径方向溶融部８１ｆがそれぞれ５つずつ形成されている。２種類の径方向溶融部８１ｆは、特定平面における複数のチップ溶融部の幾何学的重心Ｇとチップ中心軸ＰＬとの距離が０．２Ｄ以下となるように、中間部材７６ｆの外周に沿って互い違いに配置されている。そのため、図１４（ａ）に示す変形例では、より確実に電極チップ７０ｆの脱落を防止することができる。

図１４（ｂ）に示す変形例では、溶け込み深さｋの異なる３種類の径方向溶融部８１ｇがそれぞれ３つずつ形成されている。３種類の径方向溶融部８１ｇは、特定平面における複数のチップ溶融部の幾何学的重心Ｇとチップ中心軸ＰＬとの距離が０．２Ｄ以下となるように、中間部材７６ｇの外周に沿って各種類が１つずつ順に並ぶように配置されている。そのため、図１４（ｂ）に示す変形例では、より確実に電極チップ７０ｇの脱落を防止することができる。

図１４（ｃ）に示す変形例では、溶け込み深さｋの異なる２種類の径方向溶融部８１ｈの内、溶け込み深さｋが深い方が４つ、溶け込み深さｋが浅い方が６つ形成されている。２種類の径方向溶融部８１ｈは、特定平面における複数のチップ溶融部の幾何学的重心Ｇとチップ中心軸ＰＬとの距離が０．２Ｄ以下となるように、中間部材７６ｈの外周に沿って配置されている。また、図１４（ｃ）に示す変形例では、形成される複数の径方向溶融部８１ｈは、溶け込み深さｋが平均より深く、かつ、チップ中心軸ＰＬを挟んで対向する径方向溶融部８１ｈの組を含んでいるため、より確実に電極チップ７０ｈの脱落を防止することができる。特に、図１４（ｃ）に示す変形例では、溶け込み深さｋが平均値より小さい径方向溶融部８１ｈ同士がチップ中心軸ＰＬを挟んで対向し、溶け込み深さｋが平均値より大きい径方向溶融部８１ｈ同士がチップ中心軸ＰＬを挟んで対向しているため、より確実に電極チップ７０ｈの脱落を防止することができる。

図１５（ａ）に示す変形例では、径方向溶融部８１ｉが電極チップ７０ｉおよび中間部材７６ｉの外周に沿って連続的に形成されているが、同様に、径方向溶融部８１ｉは溶け込み深さｋの異なる２種類の径方向溶融部によって構成されている。径方向溶融部８１ｉは、特定平面におけるチップ溶融部の幾何学的重心Ｇとチップ中心軸ＰＬとの距離が０．２Ｄ以下となるように、中間部材７６ｉの外周に沿って配置されている。また、図１５（ａ）に示す変形例では、形成される複数の径方向溶融部８１ｉは、溶け込み深さｋが平均より深く、かつ、チップ中心軸ＰＬを挟んで対向する径方向溶融部８１ｉの組を含んでいるため、より確実に電極チップ７０ｉの脱落を防止することができる。特に、図１５（ａ）に示す変形例では、溶け込み深さｋが平均値より小さい径方向溶融部８１ｉ同士がチップ中心軸ＰＬを挟んで対向し、溶け込み深さｋが平均値より大きい径方向溶融部８１ｉ同士がチップ中心軸ＰＬを挟んで対向しているため、より確実に電極チップ７０ｉの脱落を防止することができる。

図１５（ｂ）に示す変形例では、径方向溶融部８１ｊが電極チップ７０ｊおよび中間部材７６ｊの外周に沿って連続的に形成されているが、同様に、径方向溶融部８１ｊは溶け込み深さｋの異なる３種類の径方向溶融部によって構成されている。径方向溶融部８１ｊは、特定平面におけるチップ溶融部の幾何学的重心Ｇとチップ中心軸ＰＬとの距離が０．２Ｄ以下となるように、中間部材７６ｊの外周に沿って配置されている。また、図１５（ｂ）に示す変形例では、形成される複数の径方向溶融部８１ｊは、溶け込み深さｋが平均より深く、かつ、チップ中心軸ＰＬを挟んで対向する径方向溶融部８１ｊの組を含んでいるため、より確実に電極チップ７０ｊの脱落を防止することができる。特に、図１５（ｂ）に示す変形例では、溶け込み深さｋが平均値より小さい径方向溶融部８１ｊ同士がチップ中心軸ＰＬを挟んで対向し、溶け込み深さｋが平均値より大きい径方向溶融部８１ｊ同士がチップ中心軸ＰＬを挟んで対向しているため、より確実に電極チップ７０ｊの脱落を防止することができる。

図１６（ａ）に示す変形例では、電極チップ７０ｋおよび中間部材７６ｋの平面形状が矩形であるが、同様に、溶け込み深さｋの異なる２種類の径方向溶融部８１ｋがそれぞれ４つずつ形成されている。２種類の径方向溶融部８１ｋは、特定平面における複数のチップ溶融部の幾何学的重心Ｇとチップ中心軸ＰＬとの距離が０．２Ｄ以下となるように、中間部材７６ｋの外周に沿って互い違いに配置されている。なお、電極チップ７０の平面形状が円形でないときに、電極チップ７０の径Ｄとは、特定平面におけるチップ中心軸ＰＬを中心とする電極チップ７０に内接する円の径である。また、図１６（ａ）に示す変形例では、形成される複数の径方向溶融部８１ｋは、溶け込み深さｋが平均より深く、かつ、チップ中心軸ＰＬを挟んで対向する径方向溶融部８１ｋの組を含んでいるため、より確実に電極チップ７０ｋの脱落を防止することができる。特に、図１６（ａ）に示す変形例では、溶け込み深さｋが平均値より小さい径方向溶融部８１ｋ同士がチップ中心軸ＰＬを挟んで対向し、溶け込み深さｋが平均値より大きい径方向溶融部８１ｋ同士がチップ中心軸ＰＬを挟んで対向しているため、より確実に電極チップ７０ｋの脱落を防止することができる。

図１６（ｂ）に示す変形例では、中間部材７６ｌの平面形状が矩形であるが、同様に、溶け込み深さｋの異なる２種類の径方向溶融部８１ｌがそれぞれ４つずつ形成されている。２種類の径方向溶融部８１ｌは、特定平面における複数のチップ溶融部の幾何学的重心Ｇとチップ中心軸ＰＬとの距離が０．２Ｄ以下となるように、中間部材７６ｌの外周に沿って互い違いに配置されている。また、図１６（ｂ）に示す変形例では、形成される複数の径方向溶融部８１ｌは、溶け込み深さｋが平均より深く、かつ、チップ中心軸ＰＬを挟んで対向する径方向溶融部８１ｌの組を含んでいるため、より確実に電極チップ７０ｌの脱落を防止することができる。特に、図１６（ｂ）に示す変形例では、溶け込み深さｋが平均値より小さい径方向溶融部８１ｌ同士がチップ中心軸ＰＬを挟んで対向し、溶け込み深さｋが平均値より大きい径方向溶融部８１ｌ同士がチップ中心軸ＰＬを挟んで対向しているため、より確実に電極チップ７０ｌの脱落を防止することができる。

上記実施例では、電極チップ７０がレーザー溶接により中間部材７６に接合され、電極チップ７０が接合された中間部材７６が接地電極３０に接合されることによって、電極チップ７０が間接的に接地電極３０に接合されているが、電極チップ７０が直接的に（中間部材７６を介さず）接地電極３０に接合されているとしてもよい。図１７は、その他の変形例におけるスパークプラグ用の接地電極３０ｍの詳細構成を示す説明図である。図１７に示す変形例では、電極チップ７０ｍが接地電極３０ｍの凹部３５ｍ内に挿入された状態で、チップ中心軸ＰＬに向かって外周側から照射されるレーザーによるレーザー溶接によって、接地電極３０ｍの外周面から電極チップ７０ｍ内部まで達する径方向溶融部８１ｍが形成され、これにより電極チップ７０ｍが接地電極３０ｍに直接的に接合されている。このような変形例においても、溶け込み深さｋが異なる径方向溶融部８１ｍを形成すると共に、特定平面における複数のチップ溶融部の幾何学的重心Ｇとチップ中心軸ＰＬとの距離が０．２Ｄ以下となるように径方向溶融部８１ｍを配置することにより、より確実に電極チップ７０ｍの接地電極３０ｍからの脱落を防止することができる。

また、上記実施例におけるスパークプラグ１００およびその構成部品としての接地電極３０の構成は、あくまで一例であり、種々変形可能である。例えば、接地電極３０や電極チップ７０を形成する材料は、上記実施例に記載された材料に限られない。また、上記実施例では、各径方向溶融部８１の溶け込み深さｋが互いに異なっているとしているが、すべての径方向溶融部８１の溶け込み深さｋが互いに異なっている必要はない。複数の径方向溶融部８１の中に、溶け込み深さｋが互いに同じである径方向溶融部８１が含まれていても、溶け込み深さｋが互いに異なる少なくとも２つの径方向溶融部８１が含まれていれば、より確実に電極チップ７０の接地電極３０からの脱落を防止することができる。

また、上記実施例では、各回のレーザー溶接を同一の条件（レーザー光出力や照射時間）で行い、後から行われるレーザー溶接により形成される径方向溶融部８１ほど溶け込み深さｋが深くなるようにしているが、各回のレーザー溶接の条件を変更することにより、溶け込み深さｋの異なる径方向溶融部８１を形成するとしてもよい。

また、上記実施例では、電極チップ７０と中間部材７６との接合の際に、電極チップ７０および中間部材７６をチップ中心軸ＰＬを中心に回転させて径方向溶融部８１を形成すべき各位置を順にレーザー照射装置に対向させ、各位置でレーザー溶接を行うことにより、各径方向溶融部８１を順に形成しているが、反対に、電極チップ７０および中間部材７６を固定し、レーザー照射装置を電極チップ７０および中間部材７６の周囲に回転させて径方向溶融部８１を形成すべき各位置を順にレーザー照射装置に対向させるものとしてもよい。また、電極チップ７０および中間部材７６の周囲に複数のレーザー照射装置を設置し、所定の順番に従って各レーザー照射装置を用いたレーザー溶接を行うとしてもよい。また、レーザー溶接は１箇所ずつ行う必要はなく、同時に複数の位置でレーザー溶接を行うことにより複数の径方向溶融部８１を同時に形成するとしてもよい。

また、上記実施例では、本発明を接地電極３０に適用した場合について説明したが、本発明は、中心電極２０にも適用可能である。図１８は、変形例における中心電極２０ｎの構成を示す説明図である。図１８に示す変形例の中心電極２０ｎは、先端側の端部に電極チップ７０ｎが接合されている。チップ中心軸ＰＬに向かって外周側から照射されるレーザーによるレーザー溶接によって、中心電極２０ｎの外周面から電極チップ７０ｎ内部まで達する径方向溶融部８１ｎが形成され、これにより電極チップ７０ｎが中心電極２０ｎに直接的に接合される。図１８に示す変形例において、溶け込み深さｋが異なる径方向溶融部８１ｎを形成すると共に、特定平面における複数のチップ溶融部の幾何学的重心Ｇとチップ中心軸ＰＬとの距離が０．２Ｄ以下となるように径方向溶融部８１ｎを配置することにより、より確実に電極チップ７０ｎの中心電極２０ｎからの脱落を防止することができる。

なお、上述した実施形態における本発明の構成要素のうち、独立請求項に記載された要素以外の要素は、付加的な要素であり、適宜省略、または、組み合わせが可能である。

３…セラミック抵抗
４…シール体
５…ガスケット
１０…絶縁碍子
１２…軸孔
１３…脚長部
１７…先端側胴部
１８…後端側胴部
１９…中央胴部
２０…中心電極
３０…接地電極
３１…内側面
３５…凹部
３６…底面
３７…基端部
３８…自由端部
４０…端子金具
５０…主体金具
５１…工具係合部
５２…ネジ部
５４…シール部
５７…先端面
７０…電極チップ
７６…中間部材
８１…径方向溶融部
８３…厚さ方向溶融部
１００…スパークプラグ
ｋ…溶け込み深さ
Ｇ…面心
ＤＧ…放電ギャップ
ＯＬ…軸線
ＰＬ…チップ中心軸
ＡＲ…規定範囲
ＡＲ外…規定範囲

Claims (7)

1. 貴金属チップの軸に向かって外周側から照射されたレーザーによるレーザー溶接を用いて前記貴金属チップが直接的又は間接的に接合された電極を有するスパークプラグにおいて、
   前記レーザー溶接によって形成され、前記貴金属チップ内への溶け込み深さが異なる複数の溶融部を備え、
   前記溶融部のうち、前記貴金属チップ内に形成される部位をチップ溶融部としたとき、前記複数のチップ溶融部のうちの前記軸に最も近い点を通り、かつ、前記軸に直交する平面において、前記複数のチップ溶融部の幾何学的重心と前記軸との距離は、０．２Ｄ（Ｄは、前記平面における前記軸を中心とする前記貴金属チップに内接する円の径）以下である、スパークプラグ。
2. 請求項１に記載のスパークプラグにおいて、
   前記貴金属チップの周囲に配置された中間部材を備え、
   前記貴金属チップは、前記レーザー溶接によって前記中間部材を介して前記電極に接合されている、スパークプラグ。
3. 請求項２に記載のスパークプラグにおいて、
   前記中間部材の底面から前記溶融部の前記軸に最も近い点までの前記軸に沿った距離Ｌ１は、前記中間部材の厚さＴ１の０．３倍以上、かつ、０．７倍以下である、スパークプラグ。
4. 請求項１ないし請求項３のいずれかに記載のスパークプラグにおいて、
   前記複数の溶融部は、前記溶け込み深さが平均より深く、かつ、前記軸を挟んで対向する少なくとも１組の前記溶融部を含む、スパークプラグ。
5. 貴金属チップの軸に向かって外周側から照射されたレーザーによるレーザー溶接によって形成された溶融部を有する前記貴金属チップを有する電極を有するスパークプラグの製造方法において、
   前記溶融部のうち、前記貴金属チップ内に形成される部位をチップ溶融部としたとき、前記貴金属チップは、Ｎ箇所（Ｎは５以上の整数）のチップ溶融部を有し、
   前記レーザー溶接は、順次実行されるＮ回の照射工程を備え、
   前記Ｎ箇所のチップ溶融部を、任意のチップ溶融部を起点として周に沿って順番にＡ₁〜Ａ_Nとし、Ａ_i（ｉは１以上かつＮ以下の整数）を形成する工程をＡ_i形成工程としたとき、Ａ_m形成工程（ｍは１以上かつ（Ｎ−１）以下の整数）とＡ_m+1形成工程との間にＡ_j形成工程（ｊ≠ｍ−１、ｊ≠ｍ、かつ、ｊ≠ｍ＋１であり、Ａ₀形成工程はＡ_N形成工程を意味する）を有する、スパークプラグの製造方法。
6. 請求項５に記載のスパークプラグの製造方法において、
   前記複数のチップ溶融部は前記貴金属チップの全周にわたって形成され、
   ｘ回目（ｘは１以上かつ（Ｎ−１）以下の整数）の照射工程により形成されるチップ溶融部と（ｘ＋１）回目の照射工程により形成されるチップ溶融部との間のチップ溶融部の数をｎとしたとき、Ｎ、ｘ、及びｎは、次の（１）及び（２）の条件を満たす、スパークプラグの製造方法。
   （１）１＋ｎ≦Ｎ−２
   （２）{（１＋ｎ）（ｘ−１）＋１}をＶ_x,nとし、Ｎの整数倍がＶ_x,n未満で最大となる数をＮ_x,nとし、Ｖ_x,n−Ｎ_x,nをＹ_x,nとしたとき、
   Ｙ_x1,n＝Ｙ_x2,nを満たすｘ１、ｘ２が存在しない（ただし、ｘ１≠ｘ２、ｘ１≦Ｎ、ｘ２≦Ｎ）
7. 請求項５または請求項６に記載のスパークプラグの製造方法において、
   前記レーザー溶接は、所定の回転数γ（ｒｐｓ）で前記貴金属チップをレーザー照射源に対して相対的に回転させつつ実行され、
   前記Ｎ回の照射工程を実行する周波数ｆは、
   （ａ）Ｎが奇数の場合には、ｆ＝γ・Ｎ／２であり、
   （ｂ）Ｎ＝４ｕ（≠４ｖ−２）（ｕは２以上の整数、ｖは３以上の整数）の場合には、ｆ＝γ・Ｎ／（Ｎ／２−１）であり、
   （ｃ）Ｎ＝４ｖ−２（≠４ｕ）の場合には、ｆ＝２γ・Ｎ／（Ｎ−４）であり、
   （ｄ）Ｎ＝４ｕ＝４ｖ−２の場合には、ｆ＝γ・Ｎ／（Ｎ／２−１）又はｆ＝２γ・Ｎ／（Ｎ−４）である、スパークプラグの製造方法。

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