JP2012533143A - 不揮発性メモリセルの階層的クロスポイントアレイ - Google Patents
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Abstract
Description
データ記憶装置は、概して、高速かつ効率的な方法でデータを記憶および読出すように動作する。ある記憶装置は、ソリッドステートメモリセルのアレイを利用して、データの個別ビットを記憶する。そのようなメモリセルは、揮発性(たとえば、DRAM,SRAM)または不揮発性(RRAM(登録商標),STRAM,フラッシュなど)であり得る。
本発明のさまざまな実施形態は、不揮発性メモリセルからデータ読出すための方法および装置に向けられる。
図1は、本発明のさまざまな実施形態に従って構築されかつ動作されるデータ記憶装置100の機能ブロック図を提供する。装置100の上位制御は、適当なコントローラ102によって実行され、コントローラ102はプログラム可能であってもよいし、ハードウェアベースのマイクロコントローラであってもよい。コントローラ102は、コントローラインターフェース(I/F)回路104を介して、ホスト装置と通信する。メモリ空間が(アレイ0〜アレイNで示される)多くのメモリアレイ108を含むように106に示されるが、必要に応じて単一のアレイが利用可能であることが理解されるであろう。各アレイ108は、選択された記憶容量の半導体メモリのブロックを含む。コントローラ102とメモリ空間106との間の通信は、I/F104を介して行なわれる。
Claims (20)
- 装置であって、
行および列に配列された不揮発性メモリセルのクロスポイントアレイと、
第2のメモリセルブロックを非活性化しながら、第1のメモリセルブロックを活性化することができる選択回路と、
少なくとも1つの第2のブロック選択素子に第2の抵抗状態をプログラミングしながら、少なくとも1つの第1のブロック選択素子に第1の抵抗状態をプログラミングすることによって、低減された漏れ電流で、前記第1のメモリセルブロックにおける予め定められたメモリセルの論理状態を読出すことができる読出回路とを備える、装置。 - 複数の行は、前記第1のメモリセルブロックおよび前記第2のメモリセルブロックを規定する、請求項1に記載の装置。
- 前記第1および第2のメモリセルブロックは、各列に沿って直列に接続される、請求項1に記載の装置。
- 前記選択回路は、各ブロックおよび列について、グローバル制御ラインとグローバル選択制御ラインとの間に接続されるブロック選択素子を含む、請求項1に記載の装置。
- 各グローバル制御ラインは、メモリセルブロックの数に等しい数のブロック選択素子だけに接続される、請求項4に記載の装置。
- 単一のグローバル選択制御ラインが、選択されたメモリセルブロックの全ての前記ブロック選択素子の抵抗状態をプログラムする、請求項4に記載の装置。
- 前記ブロック選択素子は、プログラマブルメタライゼーションセル(PMC)として特徴付けられる、請求項4に記載の装置。
- 前記ブロック選択素子は、ダイオードに直列に接続される、請求項4に記載の装置。
- 前記不揮発性メモリセルは、抵抗検知素子(RSE)を含む、請求項1に記載の装置。
- 前記RSEは、抵抗性ランダムアクセスメモリ(RRAM(登録商標))セルとして特徴付けられる、請求項7に記載の装置。
- 予め定められたしきい値を下回る電流が前記ブロック選択素子に流れるのを防止するユニフローデバイス(uni-flow device)をさらに備える、請求項1に記載の装置。
- 方法であって、
行および列に配列された不揮発性メモリセルのクロスポイントアレイ、第2のメモリセルブロックを非活性化しながら第1のメモリセルブロックを活性化することができる選択回路、および読出回路を提供するステップと、
少なくとも1つの第2のブロック選択素子に第2の抵抗状態をプログラミングしながら、少なくとも1つの第1のブロック選択素子に第1の抵抗状態をプログラミングすることによって、低減された漏れ電流で、前記第1のメモリセルブロックにおける予め定められたメモリセルの論理状態を読出すステップとを備える、方法。 - 前記選択回路は、各ブロックおよび列について、グローバル制御ラインとグローバル選択制御ラインとの間に接続されるブロック選択素子を含む、請求項12に記載の方法。
- 各グローバル制御ラインは、メモリセルブロックの数に等しい数のブロック選択素子だけに接続される、請求項13に記載の方法。
- 単一のグローバル選択制御ラインが、選択されたメモリセルブロックの全ての前記ブロック選択素子の抵抗状態をプログラムする、請求項13に記載の方法。
- 前記ブロック選択素子は、プログラマブルメタライゼーションセル(PMC)として特徴付けられる、請求項13に記載の方法。
- 前記ブロック選択素子は、前記グローバル制御ラインおよび前記グローバル選択制御ラインに電流を流すことによってプログラムされる、請求項13に記載の方法。
- 抵抗検知素子(RSE)が、行と列との間に接続される、請求項12に記載の方法。
- 漏れ電流量は、前記予め定められたメモリセルを読出している間に測定される、請求項12に記載の方法。
- 装置であって、
行および列に配列された不揮発性メモリセルのクロスポイントアレイと、
第2のメモリセルブロックを非活性化しながら、第1のメモリセルブロックを活性化することができる選択回路とを備え、
多くの選択ラインは、前記第1および第2のメモリセルブロックに結合され、
前記装置は、
少なくとも1つの第2のブロック選択素子に第2の抵抗状態をプログラミングしながら、少なくとも1つの第1のブロック選択素子に第1の抵抗状態をプログラミングすることによって、低減された漏れ電流で、前記第1のメモリセルブロックにおける予め定められたメモリセルの論理状態を読出すことができる読出回路をさらに備え、
第1のグローバル制御ラインは、前記第1のブロック選択素子の各々を管理し、第2のグローバル制御ラインは前記第2のブロック選択素子の各々を管理し、
各第1および第2の選択素子は、前記不揮発性メモリセルと前記グローバル制御ラインとの間の共通の水平面に存在する、装置。
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US8982647B2 (en) * | 2012-11-14 | 2015-03-17 | Crossbar, Inc. | Resistive random access memory equalization and sensing |
US10157669B2 (en) * | 2013-04-02 | 2018-12-18 | Micron Technology, Inc. | Method of storing and retrieving information for a resistive random access memory (RRAM) with multi-memory cells per bit |
WO2016018328A1 (en) * | 2014-07-31 | 2016-02-04 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Crossbar arrays with shared drivers |
US10134470B2 (en) | 2015-11-04 | 2018-11-20 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods including memory and operation of same |
CN107086202A (zh) * | 2016-02-14 | 2017-08-22 | 复旦大学 | 一种可抑制三维水平交叉点式电阻转换存储器漏电流的集成结构 |
US10446226B2 (en) | 2016-08-08 | 2019-10-15 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses including multi-level memory cells and methods of operation of same |
CN111724847A (zh) * | 2020-06-03 | 2020-09-29 | 厦门半导体工业技术研发有限公司 | 一种半导体集成电路器件及其使用方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5975500A (ja) * | 1982-09-20 | 1984-04-28 | フエアチアイルド・カメラ・アンド・インストルメント・コ−ポレ−シヨン | バイト幅メモリ用冗長列 |
JPH11312395A (ja) * | 1998-03-26 | 1999-11-09 | Siemens Ag | ワ―ド線―ビット線―短絡の自動的識別及び除去のための回路装置及び方法 |
JP2002170379A (ja) * | 2000-09-19 | 2002-06-14 | Nec Corp | メモリセルアレイ、不揮発性記憶ユニットおよび不揮発性半導体記憶装置 |
JP2006069756A (ja) * | 2004-09-03 | 2006-03-16 | Shigeo Sakai | スリングにおけるアイスプライス端部の処理構造 |
JP2006155846A (ja) * | 2004-01-29 | 2006-06-15 | Sharp Corp | 半導体記憶装置 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5625780A (en) | 1991-10-30 | 1997-04-29 | I-Cube, Inc. | Programmable backplane for buffering and routing bi-directional signals between terminals of printed circuit boards |
DE10032274A1 (de) | 2000-07-03 | 2002-01-24 | Infineon Technologies Ag | Integrierte Speicher mit Speicherzellen mit magnetoresistivem Speichereffekt |
KR100451096B1 (ko) | 2000-09-19 | 2004-10-02 | 엔이씨 일렉트로닉스 가부시키가이샤 | 자기메모리셀어레이를 갖는 비휘발성 반도체메모리장치 |
KR20030060327A (ko) * | 2002-01-08 | 2003-07-16 | 삼성전자주식회사 | 고집적 자성체 메모리 소자 및 그 구동 방법 |
US6686624B2 (en) * | 2002-03-11 | 2004-02-03 | Monolithic System Technology, Inc. | Vertical one-transistor floating-body DRAM cell in bulk CMOS process with electrically isolated charge storage region |
JP4355136B2 (ja) | 2002-12-05 | 2009-10-28 | シャープ株式会社 | 不揮発性半導体記憶装置及びその読み出し方法 |
JP4331966B2 (ja) | 2003-04-14 | 2009-09-16 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体集積回路 |
EP1526548A1 (en) | 2003-10-22 | 2005-04-27 | STMicroelectronics S.r.l. | Improved bit line discharge method and circuit for a semiconductor memory |
JP4490323B2 (ja) | 2005-04-20 | 2010-06-23 | 日本電信電話株式会社 | メモリ装置 |
JP2007018588A (ja) * | 2005-07-06 | 2007-01-25 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置および半導体記憶装置の駆動方法 |
JP4909619B2 (ja) | 2006-04-13 | 2012-04-04 | パナソニック株式会社 | 半導体記憶装置 |
JP2008027544A (ja) | 2006-07-24 | 2008-02-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体記憶装置及びそのテスト方法 |
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US7359226B2 (en) * | 2006-08-28 | 2008-04-15 | Qimonda Ag | Transistor, memory cell array and method for forming and operating a memory device |
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Patent Citations (5)
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JPS5975500A (ja) * | 1982-09-20 | 1984-04-28 | フエアチアイルド・カメラ・アンド・インストルメント・コ−ポレ−シヨン | バイト幅メモリ用冗長列 |
JPH11312395A (ja) * | 1998-03-26 | 1999-11-09 | Siemens Ag | ワ―ド線―ビット線―短絡の自動的識別及び除去のための回路装置及び方法 |
JP2002170379A (ja) * | 2000-09-19 | 2002-06-14 | Nec Corp | メモリセルアレイ、不揮発性記憶ユニットおよび不揮発性半導体記憶装置 |
JP2006155846A (ja) * | 2004-01-29 | 2006-06-15 | Sharp Corp | 半導体記憶装置 |
JP2006069756A (ja) * | 2004-09-03 | 2006-03-16 | Shigeo Sakai | スリングにおけるアイスプライス端部の処理構造 |
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