JP2012519480A5

JP2012519480A5 -

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Publication number: JP2012519480A5
Application number: JP2011552562A
Authority: JP
Filing date: 2010-03-03
Publication date: 2013-02-14
Anticipated expiration: 2030-03-03

Claims

卵含有食品を低温殺菌する方法であって、製品が入口（２）及び出口（５）を備えた少なくとも１つの導管（６）を有するプラント（１）内に流体状で導入され、該方法が、下記のステップ：
ａ）前記導管（６）の第１の区域（１４）内で第１の作業速度（Ｖ_１）の製品を、第１の最大作業時間（ｔ_１）の間、５０℃以上の第１の作業温度（Ｔ_１）まで加熱すること、
ｂ）前記導管（６）の中間部分（１６）の第１の熱的維持区域（１５）内で第１の維持速度（Ｖ_ｓ１）の製品を、第１の所定の熱的維持時間（ｔ_ｓ１）の間、初めて熱的に維持すること、
ｃ）前記導管（６）の第２の区域（１７）内で製品を、前記第１の作業温度（Ｔ _１）より高い第２の作業温度（Ｔ_２）まで過熱すること、
から成り、
前記過熱ステップｃ）が、前記第２の区域（１７）内で、製品に電流を通過させることなく、製品に直接高周波振動電磁場を加えることにより実施され、製品の劣化及び変性を回避しながら細菌数の効果的な減少が達成されるような方法で、製品が０．１〜５秒である第２の最大作業時間（ｔ _２）の間前記電磁場内に維持され、そして製品内に乱流を生じさせる為に、製品が導管（６）の第２の区域（１７）内に０．５〜１０ｍ／秒である第２の最低作業速度（Ｖ _２）で供給される、
ことを特徴とする方法。
当該第２の最大作業時間（ｔ_２）が０．１〜３秒であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
当該第２の作業温度（Ｔ_２）が５５〜７５℃であることを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。
当該第２の作業速度（Ｖ_２）が、２〜９ｍ／秒、より好ましくは８ｍ／秒であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の方法。
当該過熱ステップｃ）の後、好ましくは１〜１５０秒、より好ましくは３〜１００秒である第２の熱的維持時間（ｔ_ｓ２）の間、製品が前記第２の作業温度（Ｔ_２）で保持される、第２の熱的維持ステップｄ）が実施されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の方法。
当該第２の熱的維持ステップｄ）の間、製品は前記導管（６）内に、０．３〜５ｍ／秒、好ましくは０．５〜３ｍ／秒、より好ましくは１〜２．１ｍ／秒である第２の維持速度（Ｖ_ｓ２）で流入することを特徴とする請求項５に記載の方法。
当該維持ステップｂ）の後、当該第２の区域（１７）内で製品内の空気含有量を減少することができる超過圧力（Ｐ）で、製品が加圧ステップｅ）にさらされることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに記載の方法。
当該超過圧力（Ｐ）が５〜４０バールであることを特徴とする請求項７に記載の方法。
当該加圧ステップｅ）が、前記加熱ステップから下流において前記第２の熱的維持ステップｄ）の終わりまで、実施されることを特徴とする請求項７又は８に記載の方法。
当該過熱ステップｃ）の間に、第３の所定の熱的維持時間（ｔ_ｓｉ）の間、中間熱的維持ステップｆ）が実施されることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１つに記載の方法。
当該第３の熱的維持時間（ｔ_ｓｉ）が実質的に約１秒であることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
製品冷却ステップｇ）が当該第２の熱的維持ステップｄ）のすぐ後に実施され、製品予熱ステップｈ）が当該加熱ステップａ）の前に実施されることを特徴とする請求項５〜１１のいずれか１つに記載の方法。
請求項１〜１２のいずれか１つに記載の方法を利用して卵含有食品を低温殺菌する為のプラントであって、該プラントが、
−製品を５０℃以上の第１の作業温度（Ｔ_１）まで加熱する為の加熱区域（３）と、
−製品を前記第１の作業温度（Ｔ_１）より高い第２の作業温度（Ｔ_２）まで過熱する為の過熱区域（４）と、
−前記過熱区域内（４）で高周波電磁場を発生する為の振動手段（１８）と、
−入口（２）及び出口（５）、当該加熱区域（３）を通って伸びている第１の部分（１４）、当該過熱区域（４）を通って伸びている第２の部分（１７）、並びに前記加熱区域（３）を過熱区域（４）と接続する少なくとも１つの中間部分（１６）を有する、少なくとも１つの導管（６）と、
−前記中間部分（１６）に備えられた少なくとも１つの第１の熱的維持区域（１５）と、
−前記導管（６）内で製品を循環させる為の手段（８）と、
から成り、
前記振動手段（１８）が、製品が電極に接触することなく、前記導管（６）の第２の部分（１７）に高周波電磁場を放射する為の付与装置から成り、前記循環手段（８）が、製品の劣化及び変性を回避しながら細菌数の効果的な減少が達成されるような方法で、０．１〜５秒である第２の最大作業時間（ｔ _２）の間製品内に相対的な乱流を生じさせる為に、前記過熱区域内（４）で製品を０．５〜１０ｍ／秒である第２の作業速度（Ｖ_２）で循環させるのに適していることを特徴とするプラント。
少なくとも当該導管の当該中間部分を、大気圧よりも高い超過圧力、好ましくは５〜４０バールまで加圧する為の弁手段（２５）を有することを特徴とする請求項１３に記載のプラント。