JP2012514340A5 - - Google Patents
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Claims (11)
- 発光手段の製造方法において、
平坦なチップ実装領域(20,51)を含み、かつ、ヒートシンクとして使用される支持体(10a,4,50)を準備するステップと、
前記平坦なチップ実装領域(51,20)を構造化し、第1の部分領域(17,24,21a,43)と少なくとも1つの第2の部分領域(12a,22a,22b,23,44)とを形成し、前記構造化後に前記第1の部分領域(17,24,21a,43)にはんだを弾く特性を備えさせるステップと、
前記平坦なチップ実装領域(51,20)にはんだを塗布し、該はんだにより前記少なくとも1つの第2の部分領域(12a,22a,22b,23,44)を湿らせるステップと、
前記少なくとも1つの第2の部分領域(12a,22a,22b,23,44)内の前記はんだの上に少なくとも1つのオプトエレクトロニクス素子(100,60)を載置するステップと、
前記オプトエレクトロニクス素子(100,60)への電気的なエネルギの供給に適している電気的なコンタクトを形成するステップと、
切欠部と、少なくとも1つの金属性の導体路(55)と、少なくとも1つのコンタクト領域(54)とを備えた薄膜回路基板(50a)を形成するステップと、
前記薄膜回路基板(50a)を前記支持体に載置する前または載置した後に、前記少なくとも1つのオプトエレクトロニクス素子(60)を載置し、前記切欠部が前記チップ実装領域の上方に位置するように前記薄膜回路基板(50a)を前記支持体に載置するステップとを有することを特徴とする、発光手段の製造方法。 - 前記第2の部分領域(12a,22a,22b,23,44)内の前記平坦なチップ実装領域(51,20)は、前記はんだによって少なくとも部分的に湿らされる、少なくとも1つの金属性の部分層(12,42)を含む、請求項1記載の方法。
- 前記平坦なチップ実装領域を構造化するステップは、
前記平坦なチップ実装領域(51,20)上に、はんだを弾く特性を有するはんだストップ層(43)を被着させるステップと、
前記はんだストップ層を構造化し、前記第1の部分領域および前記第2の部分領域(44)を形成するステップと、
前記第2の部分領域(44)における前記はんだストップ層を除去するステップとを含む、請求項1または2記載の方法。 - 前記平坦なチップ実装領域を構造化するステップは、
前記平坦なチップ実装領域の前記第1の部分領域上に、はんだを弾く特性を有するはんだストップ層を被着させるステップと、
前記第2の部分領域の一部を必要に応じて露出および/または加工し、はんだによって湿らされる表面を前記第2の部分領域に形成するステップとを含む、請求項1または2記載の方法。 - ヒートシンクとして使用される支持体(50)を準備するステップは、少なくとも2つの部分層から成る積層体(11,12)を含む、チップ実装領域を備えた支持体を準備するステップを含み、前記部分層のうちの少なくとも1つの部分層は、
ニッケル、
銅、
アルミニウム、
銀、
金、
チタン、
タングステン
のうちの少なくとも1つを含有する、請求項1から4までのいずれか1項記載の方法。 - 前記第1の部分領域は、少なくとも前記チップ実装領域の縁に沿って延在している、請求項1から5までのいずれか1項記載の方法。
- さらに、
前記チップ実装領域の外側において、前記支持体に誘電層(13,50a)を設けるステップと、
前記誘電層に金属性のコンタクト部(14,55)を形成するステップと、
前記支持体に少なくとも1つの構成素子(59a)を載置し、前記コンタクト部と電気的に接触接続させるステップとを有する、請求項1から6までのいずれか1項記載の方法。 - 隣接する少なくとも2つの第2の部分領域を第1の部分領域によって隔てる、請求項1から7までのいずれか1項記載の方法。
- 電気的なコンタクトを形成するステップは、
前記チップ実装領域の外側に設けられているコンタクトパッドにコンタクトワイヤをボンディングするステップと、
前記オプトエレクトロニクス素子におけるコンタクトパッドにコンタクトワイヤをボンディングし、該コンタクトパッドを、光の放射に適した積層体の部分層に電気的に接触接続させるステップとを含む、請求項1から8までのいずれか1項記載の方法。 - 前記オプトエレクトロニクス素子は、前記はんだと対向する側に反射層を有する、請求項1から9までのいずれか1項記載の方法。
- 前記オプトエレクトロニクス素子は、前記はんだ側とは反対の側にコンタクトパッドを有する、請求項1から10までのいずれか1項記載の方法。
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