JP2012511259A - 化学気相成長用の流入口要素及び化学気相成長方法 - Google Patents
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Abstract
【選択図】図2
Description
本願は、2008年12月4日に出願された米国仮特許出願第61/201,074号の出願日の利益を主張し、その開示内容を引用することにより本明細書の一部をなすものとする。
Claims (24)
- 化学気相成長反応器であって、
(a)上流方向及び下流方向を有する反応チャンバと、
(b)前記上流方向及び前記下流方向に延在する軸を中心に回転するように、前記反応チャンバ内のキャリア位置にウェハキャリアを支持するキャリア支持体と、
(c)前記キャリア位置の上流で前記チャンバに取り付けられた流入口要素であって、互いに垂直でありかつ前記上流方向に対して垂直なX水平方向及びY水平方向に延在するガス分配面を有し、ガスを前記チャンバ内に排出する複数の細長いガス入口を有し、前記細長いガス入口は、互いに平行にかつ前記ガス分配面を前記X水平方向に横切って延在すると共に、該反応器のY方向中央面を横切って延在し、前記細長いガス入口は、第1の反応性ガスを排出する複数の第1のガス入口と第2の反応性ガスを排出する複数の第2のガス入口とを有し、前記第1のガス入口は、前記Y水平方向において互いに間隔を空けて配置され、前記第2のガス入口は、前記Y水平方向において互いに間隔を空けて配置されると共に、前記第1のガス入口が間に点在している、流入口要素と
を含んでなる反応器。 - 前記細長いガス入口は、前記入口要素の前記ガス分配面の主要部分にわたって延在するパターンで配置される、請求項1に記載の反応器。
- 前記第1のガス入口及び前記第2のガス入口は、前記X水平方向に延在する前記反応器の中央面を中心に対称ではないパターンで配置される、請求項1に記載の反応器。
- 前記第1のガス入口及び前記第2のガス入口は、前記X水平方向に延在する前記中央面を中心に反対称であるパターンで配置され、それにより、前記X方向中央面の一方の側への正のY距離に配置された任意の第1のガス入口に対し、第2のガス入口が、前記X方向中央面の反対側への対応する負のY距離に配置される、請求項3に記載の反応器。
- 流入口要素であって、
下流方向に向くと共に、互いに垂直でありかつ前記下流方向に対して垂直なX水平方向及びY水平方向に延在するガス分配面を有し、ガスをチャンバ内に排出する複数の細長いガス入口を有し、前記細長いガス入口は、前記X水平方向において互いに平行に延在し、前記細長いガス入口は、前記ガス分配面の主要部分にわたって延在するパターンで配置され、前記細長いガス入口は、第1の反応性ガスを排出する複数の第1のガス入口と、第2の反応性ガスを排出する複数の第2のガス入口とを有し、前記第1のガス入口は、前記Y水平方向において互いに間隔を空けて配置され、前記第2のガス入口は、前記Y水平方向において互いに間隔を空けて配置されると共に、前記第1のガス入口が間に点在している、流入口要素。 - 化学気相成長反応器用の流入口要素であって、下流側を有すると共に該下流側から離れる下流方向を画定する構造体を具備し、前記構造体は、前記下流方向に開放すると共に、該下流方向に対して垂直なX水平方向において互いに平行に延在する、複数の細長い基礎ガス入口を画定し、前記基礎ガス入口は、前記X水平方向に対して垂直なY水平方向において互いに間隔を空けて配置され、前記構造体は、前記基礎ガス入口の間で前記X水平方向において互いに平行に延在する、前記基礎ガス入口から下流に突出する複数の細長いディフューザをさらに有し、前記ディフューザは、前記Y水平方向における各前記ディフューザの寸法が、前記下流方向において前記基礎ガス入口から下流の縁まで低減するように先細りであり、前記ディフューザの少なくともいくつかは、該ディフューザの前記縁において開口部を有する追加のガス入口を有する、流入口要素。
- 各前記ディフューザは、当該ディフューザ内で前記X方向に延在する少なくとも1つの冷却剤通路を有し、前記構造体は、各前記ディフューザに関連する前記X方向に延在するガス分配流路を有し、前記ガス分配流路は、前記冷却剤通路から上流に配置されると共に、前記追加のガス入口と連通する、請求項6に記載の流入口要素。
- 各前記ディフューザは、前記Y方向に互いに間隔を空けて配置された2つの冷却剤通路を有し、1つ以上の接続通路が、前記ディフューザに関連する前記ガス分配流路から前記ディフューザの前記追加のガス入口の前記開口部まで延在し、各前記ディフューザの前記接続通路は、当該ディフューザの前記冷却剤通路の間に延在する、請求項7に記載の流入口要素。
- 前記構造体は、前記ディフューザの各々に関連する管状の要素を有し、各前記ディフューザに関連する該管状の要素は、当該ディフューザに関連する前記ガス分配流路を画定すると共にそのようなディフューザを構造的に支持し、前記管状の要素は前記X方向において互いに平行に延在する、請求項7に記載の流入口要素。
- 前記基礎ガス入口は、前記管状の要素の隣接するものの間に延在する、請求項9に記載の流入口要素。
- 前記構造体は、前記基礎ガス入口及び前記追加のガス入口を有する活性化領域と、前記活性化領域から水平方向にずれている1つ以上のマニホルドとを画定し、前記管状の要素の少なくともいくつかは、前記1つ以上のマニホルドまで延在する、請求項8に記載の流入口要素。
- 化学気相成長反応器用の流入口要素であって、互いに平行に延在すると共に、協働して上流側及び下流側を有する板を画定するように互いに機械的に取り付けられる、複数の細長い要素を具備し、前記板は、前記細長い要素の隣接するものの間において前記上流側から前記下流側まで延在する基礎入口開口部を有し、該流入口要素は、前記板の上流に1つ以上のガス空間を画定すると共に前記基礎入口開口部と連通する構造体をさらに具備する、流入口要素。
- 前記細長い要素の少なくともいくつかは管状であり、該管状の要素は1つ以上のガス分配流路を画定する、請求項12に記載の流入口要素。
- 前記ガス分配流路と連通する追加のガス入口をさらに具備し、該追加のガス入口は前記板の前記下流側に開放している、請求項12に記載の流入口要素。
- 前記管状の要素の少なくともいくつかに沿って延在すると共に当該管状の要素の下流に突出する細長いディフューザをさらに具備し、前記追加のガス入口の少なくともいくつかは前記ディフューザ内に延在する、請求項13に記載の流入口要素。
- 前記管状の要素の端部において該管状の要素に接続されると共に前記ガス分配流路と連通する1つ以上のマニホルドをさらに具備する、請求項13に記載の流入口要素。
- 化学気相成長反応器であって、
(a)上流方向及び下流方向を有する反応チャンバと、
(b)前記上流方向及び前記下流方向に延在する軸を中心に回転するように、前記反応チャンバ内のキャリア位置にウェハキャリアを支持するキャリア支持体と、
(c)前記キャリア位置の上流で前記チャンバに取り付けられた流入口要素であって、前記下流方向に対して垂直な水平方向に延在するガス分配面を有し、ガスを前記チャンバ内に排出する複数の細長いガス入口を有し、前記細長いガス入口は前記水平方向のうちの第1の方向において互いに平行に延在し、前記細長いガス入口は、第1の反応性ガスを排出する複数の第1のガス入口と、第2の反応性ガスを排出する複数の第2のガス入口と、実質的に前記第1の反応性ガス及び前記第2の反応性ガスがなく、かつ該第1の反応性ガス及び該第2の反応性ガスと実質的に反応しないキャリアガスを排出する複数の第3のガス入口とを有し、前記ガス入口は、前記第1の水平方向に対して垂直な前記水平方向のうちの第2の方向において互いに間隔を空けて配置されると共に、前記第1のガス入口及び前記第2のガス入口のうちの少なくともいくつかが隣接する入口の対を構成し、かつ前記第3のガス入口の少なくともいくつかが前記対のうちの少なくともいくつかの前記第1のガス入口と前記第2のガス入口との間に配置されるように、互いの間に点在する、流入口要素と
を含んでなる反応器。 - 前記第3のガス入口は、隣接する第1のガス入口及び第2のガス入口の前記対のすべての対の前記第1のガス入口と前記第2のガス入口との間に配置される、請求項17に記載の反応器。
- 前記流入口要素は、前記第1の水平方向に延在すると共に前記第3のガス入口から下流に突出する、細長いディフューザを有し、前記第1のガス入口及び前記第2のガス入口は前記ディフューザの上に配置される、請求項17に記載の反応器。
- 化学気相成長方法であって、
(a)反応チャンバ内で1つ以上のウェハを保持するウェハキャリアを、該ウェハの表面が上流方向に向くように維持するステップと、
(b)前記上流方向及び下流方向に延在する軸を中心に前記ウェハキャリアを回転させるステップと、
(c)前記軸を横切る第1の水平方向において互いに平行に延在する複数の細長いガス入口から、前記ウェハキャリアに向かって下流に複数種類のガスを排出するステップであって、第1の反応性ガスの流れ及び第2の反応性ガスの流れが、前記細長い入口の別個のものから排出されるように、かつ前記第1の反応性ガス及び前記第2の反応性ガスが実質的になく、かつ該第1の反応性ガス及び該第2の反応性ガスと実質的に反応しないキャリアガスが、前記細長い入口のうちの他のものから排出されるように、かつ前記キャリアガスの流れのうちの少なくとも一部が、前記第1のキャリアガス及び前記第2のキャリアガスの隣接する流れの間で排出されるように行われる、排出するステップと
を含んでなる方法。 - 前記第1の反応性ガスは、一種以上のIII族金属の1つ以上の金属源を有し、前記第2の反応性ガスは、一種以上のV族元素の1つ以上の元素源を有する、請求項20に記載の方法。
- 化学気相成長反応器であって、
(a)上流方向及び下流方向を有する反応チャンバと、
(b)前記上流方向及び前記下流方向に延在する軸を中心に回転するように、前記反応チャンバ内のキャリア位置にウェハキャリアを支持するキャリア支持体と、
(c)前記キャリア位置の上流において前記チャンバに取り付けられた流入口要素であって、前記下流方向に対して垂直な水平方向に延在するガス分配要素を有し、第1の反応性ガスを排出する複数の第1のガス入口と、第2の反応性ガスを排出する複数の第2のガス入口と、実質的に前記第1の反応性ガス及び前記第2の反応性ガスがなく、かつ該第1の反応性ガス及び該第2の反応性ガスと実質的に反応しないキャリアガスを排出する複数の第3のガス入口とを有し、前記第1のガス入口、前記第2のガス入口及び前記第3のガス入口は、それぞれ前記軸から第1の半径方向距離、第2の半径方向距離及び第3の半径方向距離まで延在し、該第3の半径方向距離は該第1の半径方向距離及び該第2の半径方向距離のうちの少なくとも一方より大きい、流入口要素と
を含んでなる反応器。 - 前記第1の半径方向距離及び前記第2の半径方向距離は互いに実質的に等しい、請求項22に記載の反応器。
- 化学気相成長方法であって、
(a)軸を中心に基板を支持するディスク状ホルダを回転させるステップであって、その間、前記基板の表面を、前記軸に対して実質的に垂直にかつ前記軸に沿って上流方向に向くように維持する、回転させるステップと、該回転させるステップの間、
(b)互いに反応する第1のガス及び第2のガスを、前記基板に向かって前記軸に対して平行な下流方向に、前記軸からそれぞれ第1の半径方向距離及び第2の半径方向距離まで広がるガス流の第1のセット及び第2のセットとして排出し、同時に、前記第1のガス及び前記第2のガスと実質的に反応しない第3のガスを、前記下流方向に、前記軸から、前記第1の半径方向距離及び前記第2の半径方向距離のうちの少なくとも一方より大きい第3の半径方向距離まで広がるガス流の第3のセットとして排出するステップと
を含んでなる方法。
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CN (4) | CN105420688B (ja) |
TW (2) | TWI484063B (ja) |
WO (1) | WO2010065695A2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016004998A (ja) * | 2014-06-17 | 2016-01-12 | ビーコ インストゥルメンツ インコーポレイテッド | 化学蒸着のための回転ディスクリアクタのためのガスフローフランジ |
WO2018047440A1 (ja) * | 2016-09-12 | 2018-03-15 | 株式会社東芝 | 流路構造及び処理装置 |
JP2021521332A (ja) * | 2018-04-13 | 2021-08-26 | ビーコ・インストゥルメンツ・インコーポレイテッド | マルチゾーンインジェクターブロックを備える化学蒸着装置 |
JP7495882B2 (ja) | 2018-04-13 | 2024-06-05 | ビーコ・インストゥルメンツ・インコーポレイテッド | マルチゾーンインジェクターブロックを備える化学蒸着装置 |
Families Citing this family (47)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101611472B (zh) * | 2007-01-12 | 2015-03-25 | 威科仪器有限公司 | 气体处理系统 |
US7976631B2 (en) * | 2007-10-16 | 2011-07-12 | Applied Materials, Inc. | Multi-gas straight channel showerhead |
EP2159304A1 (en) * | 2008-08-27 | 2010-03-03 | Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Apparatus and method for atomic layer deposition |
CN105420688B (zh) * | 2008-12-04 | 2019-01-22 | 威科仪器有限公司 | 用于化学气相沉积的进气口元件及其制造方法 |
KR101064210B1 (ko) * | 2009-06-01 | 2011-09-14 | 한국생산기술연구원 | 막증착 진공장비용 샤워헤드 |
DE102009043840A1 (de) | 2009-08-24 | 2011-03-03 | Aixtron Ag | CVD-Reaktor mit streifenförmig verlaufenden Gaseintrittszonen sowie Verfahren zum Abscheiden einer Schicht auf einem Substrat in einem derartigen CVD-Reaktor |
EP2360293A1 (en) | 2010-02-11 | 2011-08-24 | Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Method and apparatus for depositing atomic layers on a substrate |
EP2362411A1 (en) | 2010-02-26 | 2011-08-31 | Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Apparatus and method for reactive ion etching |
US8986451B2 (en) | 2010-05-25 | 2015-03-24 | Singulus Mocvd Gmbh I. Gr. | Linear batch chemical vapor deposition system |
US9169562B2 (en) | 2010-05-25 | 2015-10-27 | Singulus Mocvd Gmbh I. Gr. | Parallel batch chemical vapor deposition system |
US9869021B2 (en) | 2010-05-25 | 2018-01-16 | Aventa Technologies, Inc. | Showerhead apparatus for a linear batch chemical vapor deposition system |
US8906160B2 (en) * | 2010-12-23 | 2014-12-09 | Intermolecular, Inc. | Vapor based processing system with purge mode |
JP5926742B2 (ja) | 2010-12-30 | 2016-05-25 | ビーコ・インストゥルメンツ・インコーポレイテッド | 反応器及びウェハを処理する方法 |
WO2012129358A1 (en) * | 2011-03-23 | 2012-09-27 | Pilkington Group Limited | Method of depositing zinc oxide coatings by chemical vapor deposition |
US20130145989A1 (en) * | 2011-12-12 | 2013-06-13 | Intermolecular, Inc. | Substrate processing tool showerhead |
JP6038618B2 (ja) * | 2011-12-15 | 2016-12-07 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 成膜装置および成膜方法 |
KR101881894B1 (ko) * | 2012-04-06 | 2018-07-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 증착 장치 및 그것을 이용한 박막 증착 방법 |
CN102618921B (zh) * | 2012-04-11 | 2015-06-03 | 浙江金瑞泓科技股份有限公司 | 一种双排气平板式外延炉 |
CN105274498B (zh) * | 2012-05-11 | 2017-10-27 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 气体喷淋头、其制造方法及薄膜生长反应器 |
US20150345046A1 (en) * | 2012-12-27 | 2015-12-03 | Showa Denko K.K. | Film-forming device |
US9388493B2 (en) | 2013-01-08 | 2016-07-12 | Veeco Instruments Inc. | Self-cleaning shutter for CVD reactor |
TWI683382B (zh) * | 2013-03-15 | 2020-01-21 | 應用材料股份有限公司 | 具有光學測量的旋轉氣體分配組件 |
WO2014189650A1 (en) * | 2013-05-22 | 2014-11-27 | Singulus Technologies Mocvd, Inc. | Showerhead apparatus for a linear batch chemical vapor deposition system |
JP6199619B2 (ja) * | 2013-06-13 | 2017-09-20 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 気相成長装置 |
JP6153401B2 (ja) * | 2013-07-02 | 2017-06-28 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 気相成長装置および気相成長方法 |
EP2871038A1 (en) * | 2013-11-07 | 2015-05-13 | Maan Research & Development B.V. | Device for treating a surface |
JP2017503079A (ja) | 2014-01-05 | 2017-01-26 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 空間的原子層堆積又はパルス化学気相堆積を使用する膜堆積 |
TWI545224B (zh) * | 2014-02-26 | 2016-08-11 | 國立中央大學 | 用於有機金屬化學氣相沉積設備之進氣系統 |
CN105200395B (zh) * | 2014-06-18 | 2017-11-03 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 用于mocvd设备的进气及冷却装置 |
CN104264128B (zh) * | 2014-09-11 | 2017-06-16 | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 | 一种用于mocvd反应器的格栅式气体分布装置 |
JP2016081945A (ja) * | 2014-10-09 | 2016-05-16 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 気相成長装置および気相成長方法 |
CN105624645B (zh) * | 2014-11-06 | 2018-04-24 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 反应气体输送装置及化学气相沉积或外延层生长反应器 |
JP6404111B2 (ja) * | 2014-12-18 | 2018-10-10 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
CN106011789B (zh) * | 2015-03-26 | 2018-08-10 | 中晟光电设备(上海)股份有限公司 | Mocvd系统及其反应气体输送装置 |
US9748113B2 (en) | 2015-07-30 | 2017-08-29 | Veeco Intruments Inc. | Method and apparatus for controlled dopant incorporation and activation in a chemical vapor deposition system |
DE102017203255A1 (de) * | 2016-03-02 | 2017-09-07 | Veeco Instruments Inc. | Peripheriespülverschluss -und flusssteuerungssysteme und -verfahren |
TWI677593B (zh) * | 2016-04-01 | 2019-11-21 | 美商應用材料股份有限公司 | 用於提供均勻流動的氣體的設備及方法 |
KR102096700B1 (ko) * | 2017-03-29 | 2020-04-02 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
US11139149B2 (en) * | 2017-11-29 | 2021-10-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Gas injector |
JP7180984B2 (ja) | 2018-03-01 | 2022-11-30 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 気相成長方法 |
WO2020028062A1 (en) * | 2018-07-31 | 2020-02-06 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for ald processes |
CN214848503U (zh) | 2018-08-29 | 2021-11-23 | 应用材料公司 | 注入器设备、基板处理设备及在机器可读介质中实现的结构 |
JP6702514B1 (ja) * | 2018-11-30 | 2020-06-03 | 株式会社明電舎 | 酸化膜形成装置 |
US11225715B2 (en) * | 2019-04-11 | 2022-01-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Showerhead, semiconductor manufacturing apparatus including the same, and semiconductor manufacturing method |
CN112090602B (zh) * | 2020-09-24 | 2021-11-16 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体工艺设备及其进气结构 |
CN114768578B (zh) * | 2022-05-20 | 2023-08-18 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 混气装置及半导体工艺设备 |
CN114855267B (zh) * | 2022-07-05 | 2022-10-11 | 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 | 一种晶圆外延生长系统及晶圆外延生长方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004165445A (ja) * | 2002-11-13 | 2004-06-10 | Furukawa Co Ltd | 半導体製造装置 |
WO2006091448A2 (en) * | 2005-02-23 | 2006-08-31 | Bridgelux, Inc. | Chemical vapor deposition reactor having multiple inlets |
WO2008064109A2 (en) * | 2006-11-22 | 2008-05-29 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies | Equipment for high volume manufacture of group iii-v semiconductor materials |
WO2010024671A1 (en) * | 2008-08-27 | 2010-03-04 | Nederlandse Organisatie Voor Toegepast-Natuurwetenschappelijk Onderzoek Tno | Apparatus and method for atomic layer deposition |
Family Cites Families (60)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CH643469A5 (fr) * | 1981-12-22 | 1984-06-15 | Siv Soc Italiana Vetro | Installation pour deposer en continu, sur la surface d'un substrat porte a haute temperature, une couche d'une matiere solide. |
US4993358A (en) * | 1989-07-28 | 1991-02-19 | Watkins-Johnson Company | Chemical vapor deposition reactor and method of operation |
US5248253A (en) * | 1992-01-28 | 1993-09-28 | Digital Equipment Corporation | Thermal processing furnace with improved plug flow |
JPH07142394A (ja) * | 1993-11-12 | 1995-06-02 | Sony Corp | Cvd方法及びcvd装置 |
US6200389B1 (en) * | 1994-07-18 | 2001-03-13 | Silicon Valley Group Thermal Systems Llc | Single body injector and deposition chamber |
JP3360098B2 (ja) * | 1995-04-20 | 2002-12-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置のシャワーヘッド構造 |
US6090210A (en) * | 1996-07-24 | 2000-07-18 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone gas flow control in a process chamber |
AU5461998A (en) * | 1996-11-27 | 1998-06-22 | Emcore Corporation | Chemical vapor deposition apparatus |
EP0854210B1 (en) * | 1996-12-19 | 2002-03-27 | Toshiba Ceramics Co., Ltd. | Vapor deposition apparatus for forming thin film |
GB9712400D0 (en) * | 1997-06-16 | 1997-08-13 | Trikon Equip Ltd | Shower head |
US6537418B1 (en) * | 1997-09-19 | 2003-03-25 | Siemens Aktiengesellschaft | Spatially uniform gas supply and pump configuration for large wafer diameters |
US6161500A (en) * | 1997-09-30 | 2000-12-19 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and method for preventing the premature mixture of reactant gases in CVD and PECVD reactions |
US6302964B1 (en) | 1998-06-16 | 2001-10-16 | Applied Materials, Inc. | One-piece dual gas faceplate for a showerhead in a semiconductor wafer processing system |
US6289842B1 (en) * | 1998-06-22 | 2001-09-18 | Structured Materials Industries Inc. | Plasma enhanced chemical vapor deposition system |
KR100331544B1 (ko) * | 1999-01-18 | 2002-04-06 | 윤종용 | 반응챔버에 가스를 유입하는 방법 및 이에 사용되는 샤워헤드 |
US6772827B2 (en) * | 2000-01-20 | 2004-08-10 | Applied Materials, Inc. | Suspended gas distribution manifold for plasma chamber |
TW544775B (en) * | 2001-02-28 | 2003-08-01 | Japan Pionics | Chemical vapor deposition apparatus and chemical vapor deposition method |
JP2002261021A (ja) * | 2001-02-28 | 2002-09-13 | Japan Pionics Co Ltd | 気相成長装置及び気相成長方法 |
KR100423953B1 (ko) * | 2001-03-19 | 2004-03-24 | 디지웨이브 테크놀러지스 주식회사 | 화학기상증착장치 |
US20040060514A1 (en) * | 2002-01-25 | 2004-04-01 | Applied Materials, Inc. A Delaware Corporation | Gas distribution showerhead |
US6793733B2 (en) * | 2002-01-25 | 2004-09-21 | Applied Materials Inc. | Gas distribution showerhead |
JP2003253431A (ja) * | 2002-02-28 | 2003-09-10 | Ulvac Japan Ltd | 薄膜形成装置 |
US20040129212A1 (en) * | 2002-05-20 | 2004-07-08 | Gadgil Pradad N. | Apparatus and method for delivery of reactive chemical precursors to the surface to be treated |
US7153542B2 (en) * | 2002-08-06 | 2006-12-26 | Tegal Corporation | Assembly line processing method |
US6821563B2 (en) * | 2002-10-02 | 2004-11-23 | Applied Materials, Inc. | Gas distribution system for cyclical layer deposition |
KR100862658B1 (ko) * | 2002-11-15 | 2008-10-10 | 삼성전자주식회사 | 반도체 처리 시스템의 가스 주입 장치 |
US20060096604A1 (en) * | 2002-11-21 | 2006-05-11 | Cousins Distributing, Inc. | Device for filling a cigarette tube with a metered amount of tobacco |
US7601223B2 (en) * | 2003-04-29 | 2009-10-13 | Asm International N.V. | Showerhead assembly and ALD methods |
JP4571787B2 (ja) * | 2003-07-08 | 2010-10-27 | 東ソー・ファインケム株式会社 | 固体有機金属化合物用充填容器およびその充填方法 |
US20050011459A1 (en) * | 2003-07-15 | 2005-01-20 | Heng Liu | Chemical vapor deposition reactor |
TW200508413A (en) * | 2003-08-06 | 2005-03-01 | Ulvac Inc | Device and method for manufacturing thin films |
WO2005054537A2 (en) * | 2003-12-01 | 2005-06-16 | Structured Materials Industries, Inc. | System and method for forming multi-component films |
JP4231417B2 (ja) * | 2004-01-07 | 2009-02-25 | パナソニック株式会社 | 基板処理装置及びそのクリーニング方法 |
CN1669796B (zh) * | 2004-02-23 | 2012-05-23 | 周星工程股份有限公司 | 用于制造显示基板的装置及装配在其中的喷头组合 |
US20060021703A1 (en) * | 2004-07-29 | 2006-02-02 | Applied Materials, Inc. | Dual gas faceplate for a showerhead in a semiconductor wafer processing system |
KR101309334B1 (ko) * | 2004-08-02 | 2013-09-16 | 비코 인스트루먼츠 인코포레이티드 | 화학적 기상 증착 반응기용 멀티 가스 분배 인젝터 |
US7416635B2 (en) * | 2005-03-02 | 2008-08-26 | Tokyo Electron Limited | Gas supply member and plasma processing apparatus |
US7413982B2 (en) * | 2006-03-29 | 2008-08-19 | Eastman Kodak Company | Process for atomic layer deposition |
US7456429B2 (en) * | 2006-03-29 | 2008-11-25 | Eastman Kodak Company | Apparatus for atomic layer deposition |
US20070234956A1 (en) * | 2006-04-05 | 2007-10-11 | Dalton Jeremie J | Method and apparatus for providing uniform gas delivery to a reactor |
KR100849929B1 (ko) * | 2006-09-16 | 2008-08-26 | 주식회사 피에조닉스 | 반응 기체의 분사 속도를 적극적으로 조절하는 샤워헤드를구비한 화학기상 증착 방법 및 장치 |
KR100825970B1 (ko) * | 2006-09-28 | 2008-04-29 | (주)리드 | 기판 처리 장치 및 방법 |
CN100451163C (zh) * | 2006-10-18 | 2009-01-14 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 用于半导体工艺件处理反应器的气体分布装置及其反应器 |
US20080099147A1 (en) * | 2006-10-26 | 2008-05-01 | Nyi Oo Myo | Temperature controlled multi-gas distribution assembly |
KR20080048243A (ko) * | 2006-11-28 | 2008-06-02 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플라즈마 화학기상 증착장치 |
US20080166880A1 (en) * | 2007-01-08 | 2008-07-10 | Levy David H | Delivery device for deposition |
US11136667B2 (en) * | 2007-01-08 | 2021-10-05 | Eastman Kodak Company | Deposition system and method using a delivery head separated from a substrate by gas pressure |
US7789961B2 (en) * | 2007-01-08 | 2010-09-07 | Eastman Kodak Company | Delivery device comprising gas diffuser for thin film deposition |
CN101611472B (zh) * | 2007-01-12 | 2015-03-25 | 威科仪器有限公司 | 气体处理系统 |
US8207063B2 (en) | 2007-01-26 | 2012-06-26 | Eastman Kodak Company | Process for atomic layer deposition |
US8182608B2 (en) * | 2007-09-26 | 2012-05-22 | Eastman Kodak Company | Deposition system for thin film formation |
US8211231B2 (en) * | 2007-09-26 | 2012-07-03 | Eastman Kodak Company | Delivery device for deposition |
US8398770B2 (en) * | 2007-09-26 | 2013-03-19 | Eastman Kodak Company | Deposition system for thin film formation |
US7858144B2 (en) * | 2007-09-26 | 2010-12-28 | Eastman Kodak Company | Process for depositing organic materials |
US7976631B2 (en) * | 2007-10-16 | 2011-07-12 | Applied Materials, Inc. | Multi-gas straight channel showerhead |
EP2053663A1 (en) * | 2007-10-25 | 2009-04-29 | Applied Materials, Inc. | Hover cushion transport for webs in a web coating process |
CN105420688B (zh) * | 2008-12-04 | 2019-01-22 | 威科仪器有限公司 | 用于化学气相沉积的进气口元件及其制造方法 |
US8888919B2 (en) * | 2010-03-03 | 2014-11-18 | Veeco Instruments Inc. | Wafer carrier with sloped edge |
US8460466B2 (en) * | 2010-08-02 | 2013-06-11 | Veeco Instruments Inc. | Exhaust for CVD reactor |
KR101881894B1 (ko) * | 2012-04-06 | 2018-07-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 증착 장치 및 그것을 이용한 박막 증착 방법 |
-
2009
- 2009-12-03 CN CN201510494081.XA patent/CN105420688B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2009-12-03 EP EP09831089.9A patent/EP2356672B1/en not_active Not-in-force
- 2009-12-03 WO PCT/US2009/066502 patent/WO2010065695A2/en active Application Filing
- 2009-12-03 EP EP18193548.7A patent/EP3471130A1/en not_active Withdrawn
- 2009-12-03 JP JP2011539676A patent/JP5662334B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2009-12-03 CN CN201811626515.7A patent/CN110079789A/zh active Pending
- 2009-12-03 KR KR1020117015335A patent/KR101639230B1/ko active IP Right Grant
- 2009-12-03 CN CN200980156161.7A patent/CN102308368B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2009-12-03 EP EP18193544.6A patent/EP3483919A1/en not_active Withdrawn
- 2009-12-03 CN CN201310276212.8A patent/CN103352206B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2009-12-04 TW TW102119218A patent/TWI484063B/zh not_active IP Right Cessation
- 2009-12-04 TW TW098141558A patent/TWI417415B/zh not_active IP Right Cessation
- 2009-12-04 US US12/631,079 patent/US8303713B2/en active Active
-
2012
- 2012-09-07 US US13/606,130 patent/US8636847B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-01-08 US US14/150,091 patent/US10017876B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2018
- 2018-07-03 US US16/026,826 patent/US20180320289A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004165445A (ja) * | 2002-11-13 | 2004-06-10 | Furukawa Co Ltd | 半導体製造装置 |
WO2006091448A2 (en) * | 2005-02-23 | 2006-08-31 | Bridgelux, Inc. | Chemical vapor deposition reactor having multiple inlets |
WO2008064109A2 (en) * | 2006-11-22 | 2008-05-29 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies | Equipment for high volume manufacture of group iii-v semiconductor materials |
WO2010024671A1 (en) * | 2008-08-27 | 2010-03-04 | Nederlandse Organisatie Voor Toegepast-Natuurwetenschappelijk Onderzoek Tno | Apparatus and method for atomic layer deposition |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2016004998A (ja) * | 2014-06-17 | 2016-01-12 | ビーコ インストゥルメンツ インコーポレイテッド | 化学蒸着のための回転ディスクリアクタのためのガスフローフランジ |
WO2018047440A1 (ja) * | 2016-09-12 | 2018-03-15 | 株式会社東芝 | 流路構造及び処理装置 |
JP2021521332A (ja) * | 2018-04-13 | 2021-08-26 | ビーコ・インストゥルメンツ・インコーポレイテッド | マルチゾーンインジェクターブロックを備える化学蒸着装置 |
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