본 발명의 일 특징에 의하면, 기판 처리 장치는 공정 챔버, 상기 공정 챔버 내부에 설치되어 기판을 지지하는 기판 지지부; 상기 공정 챔버 상부에 설치되며 상기 기판 지지부상으로 가스를 분사하는 샤워헤드를 갖는 상부챔버를 포함하되; 상기 상부 챔버는 기판과 평행하도록 배치되며 길이방향으로 다수의 분사공들을 갖는 적어도 2개의 공급관을 갖으며 상기 상부 챔버의 내부 공간에 나란히 위치되는 복수의 노즐부들을 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 노즐부는 상기 공급관들을 회전시키기 위 한 회전부를 더 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 노즐부는 상기 공급관들 사이에서 상기 공급관들을 지지하는 수평축과; 상기 공급관들이 상기 수평축을 중심으로 회전되도록 상기 수평축을 회전시키는 구동부를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 공급관들은 제1가스를 공급하는 제1공급관과 제2가스를 공급하는 제2공급관을 포함하며, 상기 노즐부는 상기 제1공급관과 상기 제2공급관 사이에 평행하게 위치되며 상기 제1,2공급관을 지지하는 수평축; 및 상기 제1,2공급관이 상기 수평축을 중심으로 회전하면서 제1가스와 제2가스를 분사하도록 상기 수평축을 회전시키는 구동부를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 노즐부는 상기 수평축의 회전에 따라 상기 제1,2공급관으로부터 분사되어 상기 공정챔버로 제공되는 제1,2가스의 분포도가 상이하게 조절된다.
본 발명의 다른 특징에 의하면, 기판 처리 방법은 공정 챔버의 기판 지지부로 로딩된 기판으로 제1가스와 제2가스를 순차적으로 공급하여 기판상에 박막을 증착하는 단계를 포함하되; 상기 제1,2가스는 수평축의 양측에 나란하게 지지되고 상기 수평축을 중심으로 회전되는 제1,2공급관을 통해 분사된 후 기판으로 제공된다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제1,2가스는 상기 제1,2공급관을 통해 지속적으로 분사되며, 상기 제1공급관이 상기 기판과 가까워지는 경우에는 상기 제1가스의 분포가 상기 제2가스보다 높은 상태로 기판에 제공되고, 상기 제2공급관이 상기 기판과 가까워지는 경우에는 상기 제2가스의 분포가 상기 제1가스보다 높은 상태로 기판에 제공된다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 기판상에 증착되는 박막의 두께는 상기 제1공급관과 상기 제2공급관의 회전 속도 및 회전되는 횟수 등에 따라 조절된다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제1가스는 Ni, Cu, Al 등의 유기 금속 가스이고, 상기 제2가스는 질소와 같은 불활성가스이다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 기판상에 증착되는 박막의 두께는 수Å 단위이다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제1,2공급관을 통해 분사되는 제1,2가스는 기판상으로 균일한 흐름을 갖도록 샤워헤드를 통해서 기판으로 제공된다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
본 실시예에서 기판은 반도체 웨이퍼 및 평판 디스플레이(Flat Panel Display)를 제조에 사용되는 기판으로, 평판 디스플레이는 액정 디스플레이(Liquid Crystal Display), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panal), 진공 형광 디스플레이(Vacuum Fluorescent Display), 전계 방출 디스플레이(Field Emission Display)일 수 있다.
본 실시예에서는 금속-유기물 원료(Metal-Organic Source)를 이용하는 기판상에 얇은 박막을 형성시키기 위한 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition; 금속 유기물 화학기상증착) 방법을 사용한 기판 처리 장치를 예를 들어 설명한다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않으며, 기판상에 박막을 증착하는 다른 종류의 모든 장치에도 적용될 수 있다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 구성도이다. 도 2 및 도 3은 본 발명에서 노즐부들이 설치된 상부 챔버를 보여주는 단면 사시도 및 평면도이다.
기판 처리 장치(100)는, 소정의 밀폐된 분위기를 제공하는 공정 챔버(process chamber, 110)가 있고, 이 공정 챔버(110) 내부에는 게이트 슬롯(112)의 개방에 따라 로봇에 의해 투입 위치되는 기판(w)이 놓여지는 기판 지지부(120)가 구비된다. 게이트 슬롯(112)은 게이트 밸브(114)에 의해 개폐된다.
기판 지지부(120)는 기판을 일정온도로 가열하기 위한 히터 및 상술한 로봇으로 하여금 기판의 이송이 용이하도록 기판을 지지하는 형태로 승하강 구동하는 리프트 어셈블리(미도시됨) 등이 구비된 통상의 구성을 갖는다. 기판 지지부(120)는 기판(w)상에 유기금속의 증착성을 좋게 해줄 수 있는 적정온도로 가열 유지된다. 도시하지 않았지만, 통상의 리프트 어셈블리는 게이트 슬롯(112)의 개방에 따라 로봇(미도시됨)에 의해 투입 위치되는 기판(w)의 저면을 받쳐 지지하는 리프트 핀들과, 리프트 핀들을 상승(업 위치)/하강(다운 위치)시키기 위한 구동부를 포함할 수 있다. 기판(w)은 리프트 핀들에 의해 기판 지지부 상면으로부터 이격된 업 위치와, 기판 지지부 상면에 놓이는 다운 위치로 이동하게 된다.
공정 챔버(110)의 바닥에는 진공펌프에 연결되는 진공흡입포트(vacuum suction port, 116)가 대칭으로 형성된다. 진공 배기부(150)는 공정 챔버(110)의 내부를 진공 상태로 형성하고, 박막 증착 공정이 수행되는 동안 발생하는 반응 부산물 등을 배출시키기 위한 것으로, 펌프(152)와, 진공흡입포트(116)에 연결되는 진공라인(154)을 포함한다. 공정 챔버(110)와 펌프(152)를 연결하는 진공라인(154)에는 각종 밸브(도시되지 않음)가 설치되어 진공라인(154)을 개폐하고 개폐 정도를 조절함으로써 진공 정도를 조절한다.
공정 챔버(110)의 상부에는 상부 챔버(130)가 위치된다. 상부 챔버(130)에는 기판과 대향되게 설치되는 가스 분배 플레이트(Gas Distribution Plate, GDP;132)(일명 샤워헤드라고 함)와, 상부 챔버(130) 내부 공간에 설치되는 4개의 노즐부(140)를 갖는다.
가스 분배 플레이트(132)는 균일한 가스 공급을 위해 동심원주에 일정 간격으로 형성되는 다수의 분사공(134)들을 갖는다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 노즐부(140) 각각은 상부 챔버(130)의 내부 공간에 기판(w)과 평행하도록 배치된다. 노즐부(140)는 길이방향으로 다수의 분사공(143)들을 갖는 제1공급관(142)과 제2공급관(144) 그리고 회전부(146)를 갖는다. 본 실시예에서는 분사공(143)들이 제1,2공급관(142,144)의 길이방향으로 이격되어 배치되는 원형 타입으로 도시하고 설명하였으나 이에 한정되는 것은 아니며, 길이방향으로 길게 형성된 슬릿 노즐 타입으로도 이루어질 수 있다. 이처럼, 제1,2공급 관(142,144)에 형성된 분사공(143)은 다양하게 형성될 수 있다.
회전부(146)는 제1공급관(142)과 제2공급관(144)을 회전시키기 위한 것으로, 제1공급관(142)과 제2공급관(144) 사이에서 제1,2공급관(142,144)과 평행하게 위치되어 제1,2공급관(142,144)들을 지지하는 수평축(147)과, 제1,2공급관(142.144)이 수평축(147)을 중심으로 회전되도록 수평축을 회전시키는 구동부(148)를 포함한다. 제1공급관(142)은 유기금속 소스부(190)로부터 유기금속(Ni, Cu, Al 등) 가스를 제공받고, 제2공급관(144)은 불활성가스 소스부(192)로부터 질소가스(불활성 가스)를 제공받는다.
노즐부(140)의 회전부(146)는 수평축(147)을 일방향으로 회전시킬 수 있으며, 수평축(147)의 회전에 따라 제1,2공급관(142,144)으로부터 분사되어 공정 챔버(110)로 제공되는 유기금속과 질소가스의 분포도가 상이하게 조절된다. 도 4a 내지 도 4e는 회전되는 노즐부들을 통해 기판으로 공급되는 가스 분포 변화를 단계적으로 보여주는 도면들이다. 도 4a에서와 같이, 제1공급관(142)이 기판(w)과 가까워지는 아래측으로 회동되는 경우에는, 유기금속의 분포(농도)가 질소가스보다 높은 상태의 소스 가스(x1)가 기판으로 제공된다. 예컨대, 소스가스(x1)의 비율은 유기금속이 70%이상, 질소가스가 30%이하 인 것이 바람직하다. 도 4b에서와 같이, 제1공급관(142)과 제2공급관(144)이 동일 수평선상에 위치되는 경우, 유기금속과 질소가스의 분포가 거의 비슷한 상태의 혼합 가스(x2)가 소스 가스(x1)에 비해 상대적으로 짧은 시간동안 기판으로 제공된다. 혼합 가스(x2)는 제공되는 시간이 매우 짧기 때문에 그 가스 층도 소스 가스(x1)의 층이나 퍼지 가스(x3)의 층보다 매우 얇다. 그리고 도 4c에서와 같이, 제2공급관(144)이 기판(w)과 가까워지는 아래측으로 회동되는 경우에는 질소가스의 분포가 유기금속보다 높은 상태의 퍼지 가스(x3)가 기판으로 제공된다. 예컨대, 퍼지가스(x3)의 비율은 유기금속이 30%이하, 질소가스가 70%이상 인 것이 바람직하다. 그리고 도 4d에서는 도 4b와 동일하게, 유기금속과 질소가스의 분포가 거의 비슷한 상태의 혼합 가스(x2)가 기판으로 제공되며, 도 4e에서는 도 4a와 동일하게, 유기금속의 분포가 질소가스보다 높은 상태의 소스 가스(x1)가 기판에 제공된다.
도 4a 내지 도 4e에서와 같이, 노즐부는 회전하는 동안 서로 다른 가스(유기금속과 질소가스)를 교대로 반복해서 기판으로 제공하게 된다. 예에컨대, 제1공급관이 도 4d 위치에서 도 4b 위치로 180도 회전되는 동안에 기판은 유기금속 분포가 높은 가스를 공급받아 박막이 형성되며, 제2공급관이 도 4b 위치에서 도 도 4d 위치로 180도 회전되는 동안에 기판은 질소가스 분포가 높은 퍼지용 가스를 제공되어 한 싸이클 공정이 완료된다. 이러한 공정이 반복됨에 따라, 기판상에는 원하는 두께의 얇은 박막이 형성된다. 여기서, 도 4b의 상태에서 노즐부가 1번 회전(360도 회전) 할 때, 기판상에는 금속 박막이 1회 증착되는 1주기에 해당된다. 이 경우, 노즐부의 회전수 및 회전속도를 조절함으로써, 기판 상에 형성되는 박막의 두께를 정확히 제어할 수 있게 된다. 또한, 본 발명에 따르면, 가스의 공급 유량 등 다른 조건이 일정할 때, 노즐부의 회전수 및 회전속도 등을 조절하면 수Å 단위로 금속 박막을 조절할 수 있게 된다.
한편, 상기 실시형태에 따르면, 기판은 노즐부의 1회 회전에 의해 서로 다른 가스를 교대로 1번 공급받기 때문에, 종래와 달리 가스 전환에 시간이 소요되지 않는다.
본 발명의 노즐부들은 제1공급관과 제2공급관의 회전을 이용하여 소스 가스와 퍼지 가스를 교대로 반복해서 공정 챔버로 공급해주게 된다. 여기서, 중요한 것은 소스 가스와 퍼지 가스(서로 다른 가스)를 교대로 공급해주는 전환 과정이 스위칭 밸브 등을 통해 이루어지는 것이 아니라, 회전을 통해 가스의 분포를 바꾸어주는 것으로, 제1,2공급관의 회전 속도를 빠르게 하면 가스의 신속한 전환이 가능하다. 특히, 본 발명에서 기판상에 증착되는 박막의 두께는 제1공급관과 제2공급관의 회전 속도 및 회전 횟수 등에 따라 조절되며, 그 박막의 두께는 수 Å 단위로 조절 가능하다.
도 5는 특정 가스만을 오래 공급해주기 위한 노즐부의 회전을 보여주는 도면이다.
노즐부(140)는 일방향으로만 일정속도로 계속 회전되면서 유기금속과 질소가스를 규칙적으로 교대로 공급해줄 수 있을 뿐만 아니라, 도 5에 도시된 바와 같이, 일예로 불규칙적으로 유기금속을 보다 많이 공급하기 위해서, 제1공급관(142)이 아래쪽으로 위치한 상태에서 일정 각도 범위내에서 스윙하면, 유기금속의 분포가 높은 공정가스를 기판상으로 제공할 수 있는 것이다.
도 6은 3개의 공급관과 4개의 공급관이 구비된 노즐부를 보여주는 도면이다.
도 6에 도시된 바와 같이, 노즐부(140a,140b)는 4개의 공급관(142,142',144,144') 또는 3개의 공급관(142,144,145)을 구비할 수 있으며, 3개 의 공급관 및 4개의 공급관 각각에는 서로 다른 가스를 공급하거나, 또는 2개의 가스를 교대로 공급할 수 있다.
도 7은 다른 형태의 제1,2공급관을 갖는 노즐부를 보여주는 도면이다.
도 7에 도시된 바와 같이, 노즐부(140c)의 제1,2공급관(142a,144a)은 그 단면이 반구 형상으로 이루어진다. 제1,2공급관(142a,144a)은 보다 도 2에 도시된 제1,2공급관(142,144)보다 넓은 분사각도를 갖는다. 즉, 제1,2공급관(142a,144a)은 분사공(143)들이 일정 각도마다 형성되어 있기 때문에 샤워헤드(132) 전면에 걸쳐 동시에 가스를 균일하게 분사할 수 있는 것이다.
예컨대, 본 발명은, 유기금속과 질소가스간의 가스 전환을 보다 확실하게 해주기 위해서는 제1,2공급관으로 공급되는 가스 유량을 제어하는 기술이 요구될 수 있다. 예컨대, 제1공급관이 아래쪽으로 회동될 때 유기금속의 분포(농도)를 높이기 위해 제2공급관으로 공급되는 질소가스의 유량을 줄이고, 반대로 제2공급관이 아래쪽으로 회동될 때 질소가스의 분포(농도)를 높이기 위해 제1공급관으로 공급되는 유기금속의 유량을 줄이도록 유량조절밸브들와 이들을 제어하는 제어부가 제공될 수 있다. 즉, 제1,2공급관이 아래쪽으로 회동될때는 최대로 유량 공급이 이루어지고, 반대로 위쪽으로 회동될때는 점차적으로 줄여지는 유량 공급이 이루어지는 것이다. 이렇게 함으로써, 유기금속과 질소가스간의 가스 전환이 보다 확실하게 이루어질 수 있는 것이다. 여기서, 유기금속은 소스 가스, 질소 가스는 퍼지가스에 해당된다.
이와 같이, 본 발명의 기판 처리 장치(100)는 기판 처리 방식에 따라 노즐부 의 개수 또는 제1공급관과 제2공급관으로 공급되는 가스의 종류를 변경할 수 있으며, 제1공급관과 제2공급관의 분사공 분사 각도 역시 변경될 수 있다.
한편, 본 발명은 상기의 구성으로 이루어진 기판 처리 장치는 다양하게 변형될 수 있고 여러 가지 형태를 취할 수 있다. 본 발명은 상기의 상세한 설명에서 언급되는 특별한 형태로 한정되는 것이 아닌 것으로 이해되어야 하며, 오히려 첨부된 청구범위에 의해 정의되는 본 발명의 정신과 범위 내에 있는 모든 변형물과 균등물 및 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.