JP2012510251A - 低電圧電力供給 - Google Patents
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Abstract
【選択図】図2
Description
(a)出力DC電圧レベルを提供するレールと、
(b)出力DC電圧レベルをレールから誤差検出器に提供する感知フィードバック信号とを含み、
(c)誤差検出器は、上部高速高電力ドライバ、及び下部高速高電力ドライバを制御するために、感知フィードバック信号に応答して制御信号を提供するように構成され、
(d)高速高電力ドライバは、制御信号に応答してデュアルMOSFET構造を駆動するように構成され、
(e)高速高電力ドライバは、レールに出力DC電圧レベルを生成するために、デュアルMOSFET構造を効果的に駆動するように互いに補完的な方法で作動し、
(f)高速高電力ドライバの補完的な出力は、双方のMOSFETが決して同時にオンできないように構成される。
(a)出力DC電圧レベルの電圧レベル誤差を感知する誤差増幅器と、
(b)感知した電圧レベル誤差に対応するデューティサイクルを有するPWMと、
(c)PWMに結合され、かつ高速推移パルス波形を提供するパルス整形器と、
(d)高速推移パルス波形を受信し、補完的な上部駆動電圧、及び下部駆動電圧を提供する上部電力ドライバ、及び下部電力ドライバであって、下部駆動電圧は、V+電圧レベルであり、上部駆動電圧は、V+電圧レベルのほぼ2倍のスーパー電圧レベルVssである上部、及び下部電力ドライバと、
(e)トーテムポール配置に接続される上部FET、及び下部FETであって、下部FETは、下部駆動電圧を受信するゲートを有し、上部FETは、上部駆動電圧を受信する他のゲートを有する上部FET、及び下部FETとを含み、
(f)2つのFETは、DC電圧レベルを出力するインダクタに結合される。DC電圧レベルを提供するために、V+の第1の駆動電圧は、第1のFETを駆動し、Vssの第2の駆動電圧は、補完的な方法で第2のFETを駆動する。Vssのスーパー電圧レベルは、V+入力電圧レベルに結合されるチャージポンプ回路により生成される。パルス整形器は、複数のインバータを有するチップから構成される少なくとも1つのインバータを含む。上部電力ドライバが、高速推移入力波形に応答して反転出力を作り出すとき、下部電力ドライバは、非反転信号を作り出す。上部電力ドライバが、高速推移入力波形に応答して非反転の出力を作り出すとき、下部電力ドライバは、反転信号を作り出す。
(a)同期した整流は、トーテムポールに配置される2つのN型MOSFETとともにバックレギュレータトポロジーにおいて使用される。
(b)LM339、又はLM393、若しくは均等物のようなオープンコレクタ形式のコンパレータが使用される。
(c)CD4069、又は均等物のような少なくとも1つのCMOSインバータが使用される。
(d)IXDF502などの第1の高速ドライバチップを使用して、一方のMOSFETを駆動するために入力電圧(V+)から電力を提供する。
(e)第2の高速ドライバチップを使用して、他方のMOSFETのゲートを駆動するためにスーパー電圧(Vss)から電力を提供する。スーパー電圧(Vss)は、入力電圧(V+)のほぼ2倍である。すなわち、Vssは、2V+にほぼ等しい。
(f)コンパレータの入力端子の相対的な位相化、及びいくつかのCMOSインバータが採用される第1、及び第2の高速ドライバチップの相対的な位相化によって、可能な限り大きく、かつ多くの場合50%より小さくないコンパレータ出力の安定状態のデューティサイクルを提供する。この配置によって、オープンコレクタ形式のコンパレータとともに生じるプルアップ抵抗において、最小の消費電力を保障する。
(g)本発明によって、大きさが効率化されることが理解される。高速ドライバチップは、反転出力、及び非反転出力の双方を有するデュアルゲートドライバチップとして随意的に提供されるためである。ドライバチップは、部品数を最小化するように構成され、2つのレール出力電圧が必要なときでさえも50%よりも大きいコンパレータデューティサイクルを維持する。レール出力電圧の1つは、入力電圧(V+)の50%より大きくできる。
(h)本発明に係る電力供給は、DC5V〜20Vの入力電圧範囲よりも小さい出力電圧要求と、レール当たり2ワットよりも小さい電力範囲において非常に高い効率の要求とを有する携帯機器において使用可能である。
Claims (23)
- 入力DC電圧V+を出力DC電圧レベルに変換するバックレギュレータであって、
前記DC電圧レベルを出力する結合インダクタと、
誤差増幅器を有するパルス幅変調器(PWM)であって、前記出力DC電圧レベルにおける誤差を感知し、前記誤差に対応するデューティサイクルを有するパルス波形を提供するパルス幅変調器と、
前記パルス波形に応答して前記V+電圧レベルを出力するV+供給電圧ドライバと、
前記パルス波形に応答してスーパー電圧レベルを出力するスーパー電圧ドライバであって、前記スーパー電圧レベルは、前記V+電圧レベルよりも高く、前記出力されたスーパー電圧レベルは、前記出力されたV+電圧レベルと補完的であるスーパー電圧ドライバと、
前記スーパー電圧レベル、及び前記V+電圧レベルをそれぞれ受信するゲートを有するデュアルMOSFETであって、前記DC電圧レベルを出力する前記結合インダクタを駆動するデュアルMOSFETと、
を具備することを特徴とするバックレギュレータ。 - 前記スーパー電圧レベルを形成し、前記スーパー電圧レベルを前記スーパー電圧ドライバに提供するスーパー電圧生成器を含む請求項1に記載のバックレギュレータ。
- 前記PWMと、前記電圧ドライバとの間に結合されるパルス整形器であって、
前記パルス波形の立ち上がり時間よりも速い立ち上がり時間を有するシャープなパルスを形成し、
前記電圧ドライバを作動する制御信号として前記シャープなパルスを提供するパルス整形器を含む請求項1に記載のバックレギュレータ。 - 前記パルス整形器は、前記シャープなパルスを整形する少なくとも1つのインバータを含む請求項3に記載のバックレギュレータ。
- 前記パルス整形器は、前記シャープなパルスを整形する直列接続される2つのインバータを含む請求項4に記載のバックレギュレータ。
- 前記PWMは、前記誤差に応答して前記パルス波形を提供するオープンコレクタコンパレータと、抵抗負荷とを含む請求項3に記載のバックレギュレータ。
- 前記デュアルMOSFETは、トーテムポール配置に構成され、
前記結合インダクタを駆動するために、前記V+供給電圧レベルと、グラウンド電位との間に結合される請求項1に記載のバックレギュレータ。 - 前記電圧ドライバは、前記V+電圧レベルが提供されないときに、前記スーパー電圧レベルを提供するように構成され、
前記スーパー電圧レベルが提供されないときに、前記V+電圧レベルが提供される請求項1に記載のバックレギュレータ。 - 前記出力DC電圧レベルを電圧基準と比較することによって、指令信号を生成する誤差増幅器を含み、
前記PWMは、前記誤差に対応するデューティサイクルを有する前記パルス波形を提供するために、前記誤差増幅器により生成される前記指令信号と、ランプ波形とを比較する請求項1に記載のバックレギュレータ。 - 前記結合インダクタは、1次コイルと、2次コイルとを含み、
前記1次コイルは、前記デュアルMOSFETと、キャパシタとの間に結合され、前記出力DC電圧レベルを提供する請求項1に記載のバックレギュレータ。 - 前記2次コイルは、前記1次コイルの端部に結合される一端と、他の出力DC電圧レベルを提供するために整流器に結合される他端とを含む請求項10に記載のバックレギュレータ。
- 前記PWMと、前記電圧ドライバとの間に結合されるパルス整形器であって、
前記パルス波形の立ち上がり時間よりも速い立ち上がり時間を有するシャープなパルスを形成し、
前記電圧ドライバを作動する制御信号として前記シャープなパルスを提供するパルス整形器を含み、
前記パルス整形器は、複数のインバータを有するチップに配置され、
前記パルス整形器は、極性感知に基づいて前記電圧ドライバを作動するために、前記複数のインバータの少なくとも1つを含むように構成される請求項1に記載のバックレギュレータ。 - 出力DC電圧レベルを提供するレールと、
前記出力DC電圧レベルを前記レールから誤差検出器に提供する感知フィードバック信号とを含み、
前記誤差検出器は、上部高速高電力ドライバ、及び下部高速高電力ドライバを制御するために、前記感知フィードバック信号に応答して制御信号を提供するように構成され、
前記高速高電力ドライバは、前記制御信号に応答してデュアルMOSFET構造を駆動するように構成され、
前記高速高電力ドライバは、前記レールに前記出力DC電圧レベルを生成するために、前記デュアルMOSFET構造を効果的に駆動するように互いに補完的な方法で作動する、
ことを特徴とする低電圧調節電力供給。 - 前記誤差検出器と、前記上部高速高電力ドライバ、及び前記下部高速高電力ドライバとの間に結合されるパルス整形器を含み、
前記パルス整形器は、前記制御信号に速い立ち上がり時間を提供することによって、前記制御信号を整形するように構成され、
前記制御信号は、互いに補完的な方法で、前記高速高電力ドライバの一方をオンし、前記高速高電力ドライバの他方をオフするように構成される請求項13に記載の低電圧調節電力供給。 - 前記デュアルMOSFET構造は、トーテムポール配置に構成される上部MOSFET、及び下部MOSFETを含み、第1のMOSFETのゲートは、前記高速高電力ドライバの一方により駆動され、第2のMOSFETのゲートは、他方の前記高速高電力ドライバにより駆動される請求項14に記載の低電圧調節電力供給。
- 前記第1のMOSFETは、V+の入力DC電圧を前記第1のMOSFETの前記ゲートに提供する前記高速高電力ドライバの一方により駆動され、
前記第2のMOSFETは、Vssのスーパー電圧を前記第2のMOSFETの前記ゲートに提供する他方の前記高速高電力ドライバにより駆動され、
前記Vss電圧レベルは、前記V+電圧レベルのほぼ2倍である請求項15に記載の低電圧調節電力供給。 - V+の入力電圧レベルを使用してDC電圧を出力するバックレギュレータであって、
前記出力DC電圧レベルの電圧レベル誤差を感知するPWMと、
前記PWMに結合され、かつ前記感知した電圧レベル誤差に対応するデューティサイクルを有する高速推移パルス波形を提供するパルス整形器と、
前記高速推移パルス波形を受信し、補完的な上部駆動電圧、及び下部駆動電圧を提供する上部電力ドライバ、及び下部電力ドライバであって、第1の駆動電圧は、前記V+電圧レベルであり、第2の駆動電圧は、前記V+電圧レベルのほぼ2倍のスーパー電圧レベルVssである上部電力ドライバ、及び下部電力ドライバと、
トーテムポール配置に接続される上部FET、及び下部FETであって、第1のFETは、前記第1の駆動電圧を受信するゲートを有し、第2のFETは、前記第2の駆動電圧を受信する他のゲートを有する上部FET、及び下部FETとを具備し、
前記2つのFETは、前記DC電圧レベルを出力する結合インダクタに結合され、
V+の前記第1の駆動電圧は、前記DC電圧レベルを提供する補完的な方法で、第1のFETを駆動し、Vssの前記第2の駆動電圧は、前記第2のFETを駆動することを特徴とするバックレギュレータ。 - Vssの前記スーパー電圧レベルは、前記V+入力電圧レベルに結合される整流器により生成される請求項17に記載のバックレギュレータ。
- 前記パルス整形器は、複数のインバータを有するチップから構成される少なくとも1つのインバータを含む請求項17に記載のバックレギュレータ。
- 前記第1の電力ドライバが、前記高速推移パルス波形に応答して反転出力を含むとき、前記第2の電力ドライバは、非反転信号を含み、
前記第1の電力ドライバが、前記高速推移パルス波形に応答して非反転の出力を含むとき、前記第2の電力ドライバは、反転信号を含む請求項17に記載のバックレギュレータ。 - 前記トーテムポール配置において、前記下部FETは、ダイオードに置換される請求項17に記載のバックレギュレータ。
- 前記上部FET、及び前記下部FETの間に接続され、第1のDC出力電圧レベルを提供する1次コイルと、
前記1次コイルにフェーズされ、第2のDC出力電圧レベルを提供する2次コイルと、
を具備し、前記2次コイルの一端は、前記第2のDC出力電圧レベルを提供するように構成され、前記2次コイルの他端は、MOSFETデバイスによって前記第1のDC出力電圧レベルに結合される請求項17に記載のバックレギュレータ。 - 前記MOSFETデバイスのゲートは、前記下部駆動電圧により駆動される請求項22に記載のバックレギュレータ。
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