JP2012256855A - 半導体素子、記憶回路、集積回路、及び集積回路の駆動方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】独立した2つの電気的スイッチを単体の酸化物半導体層を用いて構成することを要旨とする。例えば、当該半導体素子は、当該酸化物半導体層の下面(第1の面)近傍におけるチャネル(電流経路)の形成と、上面(第2の面)近傍におけるチャネルの形成とを独立して制御する。これにより、2つの電気的スイッチを別個に設ける場合(例えば、2つのトランジスタを別個に設ける場合)と比較して、回路面積を縮小することが可能となる。すなわち、当該半導体素子を用いて回路を構成することで、回路規模の拡大に伴う回路面積の拡大を抑制することが可能になる。
【選択図】図1
Description
図1(A)〜(C)は、本発明の一態様に係る半導体素子の構成例を示す図である。なお、図1(A)は当該半導体素子の上面図であり、図1(B)は図1(A)に示す線分ABにおける当該半導体素子の断面図であり、図1(C)は図1(A)に示す線分CDにおける当該半導体素子の断面図である。
図1(A)〜(C)に示す半導体素子は本発明の半導体素子の一態様であり、図1(A)〜(C)に示した半導体素子とは異なる構成を有する半導体素子も本発明の一態様には含まれる。例えば、図2(A)〜(C)に示す半導体素子も本発明の一態様である。
図1、2に示す半導体素子が有する酸化物半導体層10は、少なくともインジウム(In)あるいは亜鉛(Zn)を含むことが好ましい。特にIn及びZnを含むことが好ましい。また、酸化物半導体層10を有する半導体素子の電気特性のばらつきを低減するためのスタビライザーとして、In及びZnに加えて、ガリウム(Ga)を含むことが好ましい。また、スタビライザーとしてスズ(Sn)を含むことが好ましい。また、スタビライザーとしてハフニウム(Hf)を含むことが好ましい。また、スタビライザーとしてアルミニウム(Al)を含むことが好ましい。
図1、2に示す半導体素子が有する絶縁層21、22として、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化タンタルなどの絶縁体を適用することができる。また、これらの材料の積層構造を適用することもできる。なお、酸化窒化シリコンとは、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多いものであり、濃度範囲として酸素が55〜65原子%、窒素が1〜20原子%、シリコンが25〜35原子%、水素が0.1〜10原子%の範囲において、合計100原子%となるように各元素を任意の濃度で含むものをいう。また、窒化酸化シリコン膜とは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多いものであり、濃度範囲として酸素が15〜30原子%、窒素が20〜35原子%、Siが25〜35原子%、水素が15〜25原子%の範囲において、合計100原子%となるように各元素を任意の濃度で含むものをいう。
図1、2に示す半導体素子が有する導電層31〜36として、アルミニウム(Al)、銅(Cu)、チタン(Ti)、タンタル(Ta)、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、クロム(Cr)、ネオジム(Nd)、スカンジウム(Sc)から選ばれた元素、上述した元素を成分とする合金、または上述した元素を成分とする窒化物を適用することができる。また、これらの材料の積層構造を適用することもできる。
次いで、上述したCAACの一例について、図6乃至図8を用いて詳細に説明する。なお、特に断りがない限り、図6乃至図8は上方向をc軸方向とし、c軸方向と直交する面をab面とする。なお、単に上半分、下半分という場合、ab面を境にした場合の上半分、下半分をいう。また、図6において、丸で囲まれたOは4配位のOを示し、二重丸で囲まれたOは3配位のOを示す。
次いで、上述した半導体素子を有する記憶回路について図3を参照して説明する。図3(A)、(B)は、記憶回路の構成例を示す図である。具体的には、図3(A)、(B)は、上述した半導体素子と、2つの記憶素子と、を有する記憶回路の構成例を示す図である。なお、当該半導体素子は、酸化物半導体層10に電気的に接続された4つの端子(図1、2における導電層33〜36に対応)を有すると表現できる。さらに、当該4つの端子に含まれる、いずれか2つの端子間の電気的な接続及び残りの2つの端子間の電気的な接続を制御する機能を有すると表現できる。この点に鑑み、本明細書においては、図3(A)、(B)に示す50が付された記号を上述の半導体素子を表す記号として使用することとする。
次いで、上述した記憶回路を有する集積回路について図4を参照して説明する。図4(A)、(B)は、集積回路の構成例を示すブロック図であり、図4(C)は、当該集積回路の動作例を示すフローチャートである。
次いで、上述した集積回路の構造例について図5を参照して説明する。
21 絶縁層
22 絶縁層
31 導電層
32 導電層
33 導電層
34 導電層
35 導電層
36 導電層
50 半導体素子
51 容量素子
52 容量素子
53 配線
54 トランジスタ
55 容量素子
56 トランジスタ
57 容量素子
58 配線
59 配線
60 単結晶シリコン基板
61 機能回路部
70 層
Claims (17)
- 酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層の第1の面に接する第1の絶縁層と、
前記第1の面の裏面である前記酸化物半導体層の第2の面に接する第2の絶縁層と、
前記第1の絶縁層を介して前記酸化物半導体層と重畳する第1の導電層と、
前記第2の絶縁層を介して前記酸化物半導体層と重畳する第2の導電層と、
前記第1の面の一端において前記酸化物半導体層と接する第3の導電層と、
前記第1の面の他端において前記酸化物半導体層と接する第4の導電層と、
前記第2の面の一端において前記酸化物半導体層と接する第5の導電層と、
前記第2の面の他端において前記酸化物半導体層と接する第6の導電層と、を有する半導体素子。 - 請求項1において、
前記第1の導電層の一端が前記第1の絶縁層を介して前記第3の導電層の一端と重畳し、且つ前記第1の導電層の他端が前記第1の絶縁層を介して前記第4の導電層の一端と重畳し、
前記第2の導電層の一端が前記第2の絶縁層を介して前記第5の導電層の一端と重畳し、且つ前記第2の導電層の他端が前記第2の絶縁層を介して前記第6の導電層の一端と重畳する半導体素子。 - 請求項1において、
前記第1の導電層の一端が前記第1の絶縁層を介して前記第3の導電層の一端と重畳せず、且つ前記第1の導電層の他端が前記第1の絶縁層を介して前記第4の導電層の一端と重畳せず、
前記第2の導電層の一端が前記第2の絶縁層を介して前記第5の導電層の一端と重畳せず、且つ前記第2の導電層の他端が前記第2の絶縁層を介して前記第6の導電層の一端と重畳しない半導体素子。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、
前記酸化物半導体層が、前記第1の面を含む第1の酸化物半導体領域と、前記第2の面を含む第2の酸化物半導体領域と、前記第1の酸化物半導体領域及び前記第2の酸化物半導体領域に挟まれた酸化物絶縁体領域と、を有する半導体素子。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、
前記第1の導電層が前記第2の導電層よりも前記第3の導電層及び前記第4の導電層に近接し、且つ前記第2の導電層が前記第1の導電層よりも前記第5の導電層及び前記第6の導電層に近接する半導体素子。 - 請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載の半導体素子と、
前記第4の導電層と電気的に接続するノードにおいてデータの保持を行う第1の記憶素子と、
前記第6の導電層と電気的に接続するノードにおいてデータの保持を行う第2の記憶素子と、を有する記憶回路。 - 請求項6に記載の記憶回路と、
前記第3の導電層と電気的に接続する第1のフリップフロップと、
前記第5の導電層と電気的に接続する第2のフリップフロップと、を有する集積回路。 - 酸化物半導体層と、
第1のゲート絶縁層及び第2のゲート絶縁層と、
第1のゲート及び第2のゲートと、
第1のソース及び第2のソースと、
第1のドレイン及び第2のドレインと、を有し、
前記第1のゲート絶縁層を介して前記酸化物半導体層の第1の面近傍に生じる電界を前記第1のゲート及び前記第1のソース間の電圧に応じて制御することで、前記酸化物半導体層に前記第1のソース及び前記第1のドレイン間のチャネルが形成され、
前記第2のゲート絶縁層を介して前記第1の面の裏面である前記酸化物半導体層の第2の面近傍に生じる電界を前記第2のゲート及び前記第2のソース間の電圧に応じて制御することで、前記酸化物半導体層に前記第2のソース及び前記第2のドレイン間のチャネルが形成される半導体素子。 - 請求項8において、
前記第1のソース及び前記第1のドレイン間のチャネルと、前記第2のソース及び前記第2のドレイン間のチャネルとが重畳する領域を有する半導体素子。 - 請求項8又は請求項9において、
前記酸化物半導体層が、前記第1の面を含む第1の酸化物半導体領域と、前記第2の面を含む第2の酸化物半導体領域と、前記第1の酸化物半導体領域及び前記第2の酸化物半導体領域に挟まれた酸化物絶縁体領域と、を有する半導体素子。 - 請求項8乃至請求項10のいずれか一項において、
前記第1のゲートが前記第2のゲートよりも前記第1のソース及び前記第1のドレインに近接し、且つ前記第2のゲートが前記第1のゲートよりも前記第2のソース及び前記第2のドレインに近接する半導体素子。 - 請求項8乃至請求項11のいずれか一項に記載の半導体素子と、
前記第1のソース及び前記第1のドレインの一方と電気的に接続するノードにおいてデータの保持を行う第1の記憶素子と、
前記第2のソース及び前記第2のドレインの一方と電気的に接続するノードにおいてデータの保持を行う第2の記憶素子と、を有する記憶回路。 - 請求項12に記載の記憶回路と、
前記第1のソース及び前記第1のドレインの他方と電気的に接続する第1のフリップフロップと、
前記第2のソース及び前記第2のドレインの他方と電気的に接続する第2のフリップフロップと、を有する集積回路。 - 請求項7又は請求項13において、
前記半導体素子が、前記第1のフリップフロップ又は前記第2のフリップフロップと重畳する領域に設けられ、
前記第1のフリップフロップ及び前記第2のフリップフロップが、多結晶シリコン層又は単結晶シリコン層にチャネルが形成されるトランジスタを用いて構成される集積回路。 - 請求項7、請求項13、又は請求項14に記載の集積回路の駆動方法であって、
前記第1のフリップフロップ及び前記第2のフリップフロップに対する電源電圧の供給が停止される期間前に、前記第1のフリップフロップが保持するデータを前記第1の記憶素子に転送し、且つ前記第2のフリップフロップが保持するデータを前記第2の記憶素子に転送し、
前記期間中に、前記第1の記憶素子及び前記第2の記憶素子においてデータを保持し、
前記期間後に、前記第1の記憶素子において保持されたデータを前記第1のフリップフロップに転送することで前記第1のフリップフロップのデータを復元し、且つ前記第2の記憶素子において保持されたデータを前記第2のフリップフロップに転送することで前記第2のフリップフロップのデータを復元する集積回路の駆動方法。 - 請求項15において、
前記期間前に、前記第1のフリップフロップから前記第1の記憶素子に対するデータの転送及び前記第2のフリップフロップから前記第2の記憶素子に対するデータの転送を同時に行う集積回路の駆動方法。 - 請求項15又は請求項16において、
前記期間後に、前記第1の記憶素子から前記第1のフリップフロップに対するデータの転送及び前記第2の記憶素子から前記第2のフリップフロップに対するデータの転送を同時に行う集積回路の駆動方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015005672A (ja) * | 2013-06-21 | 2015-01-08 | 出光興産株式会社 | 酸化物トランジスタ |
JP2018019074A (ja) * | 2016-06-27 | 2018-02-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | トランジスタおよび半導体装置 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8659015B2 (en) * | 2011-03-04 | 2014-02-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2014045175A (ja) | 2012-08-02 | 2014-03-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
US9012261B2 (en) * | 2013-03-13 | 2015-04-21 | Intermolecular, Inc. | High productivity combinatorial screening for stable metal oxide TFTs |
WO2016055894A1 (en) | 2014-10-06 | 2016-04-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
JP2018032839A (ja) * | 2015-12-11 | 2018-03-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | トランジスタ、回路、半導体装置、表示装置および電子機器 |
JP2019164210A (ja) * | 2018-03-19 | 2019-09-26 | 株式会社東芝 | 光半導体モジュール |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6275997A (ja) * | 1985-09-27 | 1987-04-07 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
JPS6466899A (en) * | 1987-07-02 | 1989-03-13 | Ramtron Corp | Memory cell |
JPH03132041A (ja) * | 1989-10-18 | 1991-06-05 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH0468565A (ja) * | 1990-07-10 | 1992-03-04 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JPH04251974A (ja) * | 1991-01-09 | 1992-09-08 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
JPH04267551A (ja) * | 1991-02-22 | 1992-09-24 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JPH07183401A (ja) * | 1993-12-22 | 1995-07-21 | Nec Corp | 半導体メモリ装置 |
JP2006060209A (ja) * | 2004-08-20 | 2006-03-02 | Sharp Corp | 半導電性金属酸化物薄膜の強誘電性メモリトランジスタ |
JP2009176865A (ja) * | 2008-01-23 | 2009-08-06 | Canon Inc | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
JP2010087518A (ja) * | 2008-10-01 | 2010-04-15 | Samsung Electronics Co Ltd | インバータ及びその動作方法並びにインバータを含む論理回路 |
JP2010191107A (ja) * | 2009-02-17 | 2010-09-02 | Videocon Global Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
JP2010251735A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-11-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
Family Cites Families (116)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60198861A (ja) | 1984-03-23 | 1985-10-08 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタ |
JPH0244256B2 (ja) | 1987-01-28 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPS63210023A (ja) | 1987-02-24 | 1988-08-31 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | InGaZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
JPH0244258B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
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JPH0244262B2 (ja) | 1987-02-27 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244263B2 (ja) | 1987-04-22 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH05251705A (ja) | 1992-03-04 | 1993-09-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP3479375B2 (ja) | 1995-03-27 | 2003-12-15 | 科学技術振興事業団 | 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法 |
EP0820644B1 (en) | 1995-08-03 | 2005-08-24 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Semiconductor device provided with transparent switching element |
JP3625598B2 (ja) | 1995-12-30 | 2005-03-02 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
JP4170454B2 (ja) | 1998-07-24 | 2008-10-22 | Hoya株式会社 | 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法 |
JP2000150861A (ja) | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Tdk Corp | 酸化物薄膜 |
JP3276930B2 (ja) | 1998-11-17 | 2002-04-22 | 科学技術振興事業団 | トランジスタ及び半導体装置 |
TW460731B (en) | 1999-09-03 | 2001-10-21 | Ind Tech Res Inst | Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD |
JP4089858B2 (ja) | 2000-09-01 | 2008-05-28 | 国立大学法人東北大学 | 半導体デバイス |
KR20020038482A (ko) | 2000-11-15 | 2002-05-23 | 모리시타 요이찌 | 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널 |
JP3997731B2 (ja) | 2001-03-19 | 2007-10-24 | 富士ゼロックス株式会社 | 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法 |
JP2002289859A (ja) | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Minolta Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP4090716B2 (ja) | 2001-09-10 | 2008-05-28 | 雅司 川崎 | 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置 |
JP3925839B2 (ja) | 2001-09-10 | 2007-06-06 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置およびその試験方法 |
TW577179B (en) | 2001-10-09 | 2004-02-21 | Semiconductor Energy Lab | Switching element, display device, light emitting device using the switching element, and semiconductor device |
WO2003040441A1 (en) | 2001-11-05 | 2003-05-15 | Japan Science And Technology Agency | Natural superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film |
JP4164562B2 (ja) | 2002-09-11 | 2008-10-15 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ |
JP4202012B2 (ja) | 2001-11-09 | 2008-12-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及び電流記憶回路 |
DE60239588D1 (de) | 2001-12-28 | 2011-05-12 | Fujitsu Semiconductor Ltd | Programmierbare Logikschaltung mit ferroelektrischem Konfigurationsspeicher |
JP4083486B2 (ja) | 2002-02-21 | 2008-04-30 | 独立行政法人科学技術振興機構 | LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法 |
US7049190B2 (en) | 2002-03-15 | 2006-05-23 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method for forming ZnO film, method for forming ZnO semiconductor layer, method for fabricating semiconductor device, and semiconductor device |
JP3933591B2 (ja) | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
US7339187B2 (en) | 2002-05-21 | 2008-03-04 | State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University | Transistor structures |
JP2004022625A (ja) | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法 |
US7105868B2 (en) | 2002-06-24 | 2006-09-12 | Cermet, Inc. | High-electron mobility transistor with zinc oxide |
US7067843B2 (en) | 2002-10-11 | 2006-06-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Transparent oxide semiconductor thin film transistors |
JP4166105B2 (ja) | 2003-03-06 | 2008-10-15 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2004273732A (ja) | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
JP4108633B2 (ja) | 2003-06-20 | 2008-06-25 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス |
US7262463B2 (en) | 2003-07-25 | 2007-08-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Transistor including a deposited channel region having a doped portion |
US7282782B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-10-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Combined binary oxide semiconductor device |
KR101078483B1 (ko) | 2004-03-12 | 2011-10-31 | 도꾸리쯔교세이호징 가가꾸 기쥬쯔 신꼬 기꼬 | Lcd 또는 유기 el 디스플레이의 스위칭 소자 |
US7297977B2 (en) * | 2004-03-12 | 2007-11-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor device |
US7145174B2 (en) | 2004-03-12 | 2006-12-05 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Semiconductor device |
US7211825B2 (en) | 2004-06-14 | 2007-05-01 | Yi-Chi Shih | Indium oxide-based thin film transistors and circuits |
JP2006100760A (ja) | 2004-09-02 | 2006-04-13 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
US7116131B1 (en) | 2004-09-15 | 2006-10-03 | Xilinx, Inc. | High performance programmable logic devices utilizing dynamic circuitry |
US7285501B2 (en) | 2004-09-17 | 2007-10-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming a solution processed device |
US7298084B2 (en) | 2004-11-02 | 2007-11-20 | 3M Innovative Properties Company | Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes |
US7453065B2 (en) | 2004-11-10 | 2008-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Sensor and image pickup device |
KR100939998B1 (ko) | 2004-11-10 | 2010-02-03 | 캐논 가부시끼가이샤 | 비정질 산화물 및 전계 효과 트랜지스터 |
JP5118812B2 (ja) | 2004-11-10 | 2013-01-16 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ |
US7829444B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-11-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor manufacturing method |
US7863611B2 (en) | 2004-11-10 | 2011-01-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Integrated circuits utilizing amorphous oxides |
US7791072B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-09-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Display |
CA2585063C (en) | 2004-11-10 | 2013-01-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting device |
US7579224B2 (en) | 2005-01-21 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin film semiconductor device |
TWI390735B (zh) | 2005-01-28 | 2013-03-21 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
TWI505473B (zh) | 2005-01-28 | 2015-10-21 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
US7858451B2 (en) | 2005-02-03 | 2010-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7948171B2 (en) | 2005-02-18 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US20060197092A1 (en) | 2005-03-03 | 2006-09-07 | Randy Hoffman | System and method for forming conductive material on a substrate |
US8681077B2 (en) | 2005-03-18 | 2014-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof |
US7544967B2 (en) | 2005-03-28 | 2009-06-09 | Massachusetts Institute Of Technology | Low voltage flexible organic/transparent transistor for selective gas sensing, photodetecting and CMOS device applications |
US7645478B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-01-12 | 3M Innovative Properties Company | Methods of making displays |
US8300031B2 (en) | 2005-04-20 | 2012-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element |
JP2006344849A (ja) | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
US7402506B2 (en) | 2005-06-16 | 2008-07-22 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7691666B2 (en) | 2005-06-16 | 2010-04-06 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7507618B2 (en) | 2005-06-27 | 2009-03-24 | 3M Innovative Properties Company | Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles |
KR100711890B1 (ko) | 2005-07-28 | 2007-04-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
JP2007059128A (ja) | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Canon Inc | 有機el表示装置およびその製造方法 |
JP5116225B2 (ja) | 2005-09-06 | 2013-01-09 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体デバイスの製造方法 |
JP4850457B2 (ja) | 2005-09-06 | 2012-01-11 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード |
JP2007073705A (ja) | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP4280736B2 (ja) | 2005-09-06 | 2009-06-17 | キヤノン株式会社 | 半導体素子 |
JP5078246B2 (ja) | 2005-09-29 | 2012-11-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、及び半導体装置の作製方法 |
EP1770788A3 (en) | 2005-09-29 | 2011-09-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof |
JP5064747B2 (ja) | 2005-09-29 | 2012-10-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、電気泳動表示装置、表示モジュール、電子機器、及び半導体装置の作製方法 |
JP5037808B2 (ja) | 2005-10-20 | 2012-10-03 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置 |
CN101577293B (zh) | 2005-11-15 | 2012-09-19 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件及其制造方法 |
TWI292281B (en) | 2005-12-29 | 2008-01-01 | Ind Tech Res Inst | Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same |
US7867636B2 (en) | 2006-01-11 | 2011-01-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transparent conductive film and method for manufacturing the same |
JP4977478B2 (ja) | 2006-01-21 | 2012-07-18 | 三星電子株式会社 | ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法 |
US7576394B2 (en) | 2006-02-02 | 2009-08-18 | Kochi Industrial Promotion Center | Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof |
US7977169B2 (en) | 2006-02-15 | 2011-07-12 | Kochi Industrial Promotion Center | Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof |
KR20070101595A (ko) | 2006-04-11 | 2007-10-17 | 삼성전자주식회사 | ZnO TFT |
US20070252928A1 (en) | 2006-04-28 | 2007-11-01 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof |
JP5028033B2 (ja) | 2006-06-13 | 2012-09-19 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4609797B2 (ja) | 2006-08-09 | 2011-01-12 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 薄膜デバイス及びその製造方法 |
JP4999400B2 (ja) | 2006-08-09 | 2012-08-15 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4332545B2 (ja) | 2006-09-15 | 2009-09-16 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP5164357B2 (ja) | 2006-09-27 | 2013-03-21 | キヤノン株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP4274219B2 (ja) | 2006-09-27 | 2009-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置 |
US7622371B2 (en) | 2006-10-10 | 2009-11-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fused nanocrystal thin film semiconductor and method |
US7772021B2 (en) | 2006-11-29 | 2010-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays |
JP2008140684A (ja) | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Toppan Printing Co Ltd | カラーelディスプレイおよびその製造方法 |
KR101303578B1 (ko) | 2007-01-05 | 2013-09-09 | 삼성전자주식회사 | 박막 식각 방법 |
US8207063B2 (en) | 2007-01-26 | 2012-06-26 | Eastman Kodak Company | Process for atomic layer deposition |
KR100851215B1 (ko) | 2007-03-14 | 2008-08-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치 |
US7795613B2 (en) | 2007-04-17 | 2010-09-14 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure with transistor |
KR101325053B1 (ko) | 2007-04-18 | 2013-11-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
KR20080094300A (ko) | 2007-04-19 | 2008-10-23 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이 |
KR101334181B1 (ko) | 2007-04-20 | 2013-11-28 | 삼성전자주식회사 | 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법 |
WO2008133345A1 (en) | 2007-04-25 | 2008-11-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Oxynitride semiconductor |
KR101345376B1 (ko) | 2007-05-29 | 2013-12-24 | 삼성전자주식회사 | ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
US8202365B2 (en) | 2007-12-17 | 2012-06-19 | Fujifilm Corporation | Process for producing oriented inorganic crystalline film, and semiconductor device using the oriented inorganic crystalline film |
JP4623179B2 (ja) | 2008-09-18 | 2011-02-02 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
US8284142B2 (en) * | 2008-09-30 | 2012-10-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
JP5451280B2 (ja) | 2008-10-09 | 2014-03-26 | キヤノン株式会社 | ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置 |
US8106400B2 (en) | 2008-10-24 | 2012-01-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
CN102386236B (zh) * | 2008-10-24 | 2016-02-10 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件和用于制造该半导体器件的方法 |
KR101472771B1 (ko) * | 2008-12-01 | 2014-12-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
JP5491833B2 (ja) * | 2008-12-05 | 2014-05-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP5322787B2 (ja) * | 2009-06-11 | 2013-10-23 | 富士フイルム株式会社 | 薄膜トランジスタ及びその製造方法、電気光学装置、並びにセンサー |
SG178057A1 (en) | 2009-10-16 | 2012-03-29 | Semiconductor Energy Lab | Logic circuit and semiconductor device |
SG179111A1 (en) | 2009-10-29 | 2012-05-30 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device |
KR101761432B1 (ko) | 2009-11-06 | 2017-07-25 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
WO2011068028A1 (en) * | 2009-12-04 | 2011-06-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor element, semiconductor device, and method for manufacturing the same |
-
2012
- 2012-04-09 US US13/442,156 patent/US8878174B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2012-04-10 JP JP2012089256A patent/JP2012256855A/ja not_active Withdrawn
-
2016
- 2016-09-13 JP JP2016178580A patent/JP6218904B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6275997A (ja) * | 1985-09-27 | 1987-04-07 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
JPS6466899A (en) * | 1987-07-02 | 1989-03-13 | Ramtron Corp | Memory cell |
JPH03132041A (ja) * | 1989-10-18 | 1991-06-05 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH0468565A (ja) * | 1990-07-10 | 1992-03-04 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JPH04251974A (ja) * | 1991-01-09 | 1992-09-08 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
JPH04267551A (ja) * | 1991-02-22 | 1992-09-24 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JPH07183401A (ja) * | 1993-12-22 | 1995-07-21 | Nec Corp | 半導体メモリ装置 |
JP2006060209A (ja) * | 2004-08-20 | 2006-03-02 | Sharp Corp | 半導電性金属酸化物薄膜の強誘電性メモリトランジスタ |
JP2009176865A (ja) * | 2008-01-23 | 2009-08-06 | Canon Inc | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
JP2010087518A (ja) * | 2008-10-01 | 2010-04-15 | Samsung Electronics Co Ltd | インバータ及びその動作方法並びにインバータを含む論理回路 |
JP2010191107A (ja) * | 2009-02-17 | 2010-09-02 | Videocon Global Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
JP2010251735A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-11-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015005672A (ja) * | 2013-06-21 | 2015-01-08 | 出光興産株式会社 | 酸化物トランジスタ |
JP2018019074A (ja) * | 2016-06-27 | 2018-02-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | トランジスタおよび半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8878174B2 (en) | 2014-11-04 |
US20120262995A1 (en) | 2012-10-18 |
JP2017022399A (ja) | 2017-01-26 |
JP6218904B2 (ja) | 2017-10-25 |
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