JP2012256680A - テンプレート、テンプレートの製造方法及びテンプレートの製造装置 - Google Patents

Abstract

【課題】パターンの転写精度を向上することができるテンプレート、テンプレートの製造方法及びテンプレートの製造装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係るテンプレートは、台座基板と、パターン部と、を備える。パターン部は、台座基板に設けられる。パターン部は、マスターパターンの転写によって形成された凹凸パターンを有する。凹凸パターンは、凹凸パターンの形状が転写される基板に形成された下地パターンの歪みに合わせ、マスターパターンに対して歪んだ状態で設けられている。
【選択図】図１

Description

本発明の実施形態は、テンプレート、テンプレートの製造方法及びテンプレートの製造装置に関する。

微細パターンの形成と、量産性と、を両立させる技術として、基板上の樹脂膜にテンプレートの凹凸パターンを転写する、いわゆるナノインプリント法と呼ばれるパターン転写法が注目されている。
このパターン転写法では、光硬化型等の樹脂を基板上に滴下して樹脂膜を形成し、この樹脂膜にテンプレートを接触させる。そして、テンプレートの凹凸パターン内に樹脂を充填させた状態で、テンプレートを通して紫外線光等を照射し、樹脂を硬化させる。その後、テンプレートを離型することで、基板上に凹凸パターンの形状を反転させたパターンを形成する。

このようなパターン転写法においては、さらなる転写精度の向上が求められている。

特開２０１０−２８３２０７号公報

本発明の実施形態は、パターンの転写精度を向上することができるテンプレート、テンプレートの製造方法及びテンプレートの製造装置を提供する。

実施形態に係るテンプレートは、台座基板と、パターン部と、を備える。パターン部は、台座基板に設けられる。パターン部は、マスターパターンの転写によって形成された凹凸パターンを有する。
凹凸パターンは、凹凸パターンの形状が転写される基板に形成された下地パターンの歪みに合わせ、マスターパターンに対して歪んだ状態で設けられている。

また、他の実施形態に係るテンプレートの製造方法は、パターン部に含まれる凹凸パターンの形状が転写される基板の表面状態を取得する工程と、表面状態から凹凸パターンに対する補正量を求める工程と、台座基板にパターン部を形成するにあたり、補正量による補正を加えて凹凸パターンを形成する工程と、を備える。

また、他の実施形態に係るテンプレートの製造装置は、取得部と、演算部と、形成部と、を備える。
取得部は、パターン部に含まれる凹凸パターンの形状が転写される基板の表面状態を取得する。
演算部は、取得部で取得した表面状態から凹凸パターンに対する補正量を演算する。
形成部は、台座基板にパターン部を形成するにあたり、演算部で演算した補正量による補正を加えて凹凸パターンを形成する。

第１の実施形態に係るテンプレートの構成を例示する模式図である。 テンプレート及び下地パターンの一例を示す模式図である。 テンプレート及び下地パターンの一例を示す模式図である。 第２の実施形態に係るテンプレートの製造方法を例示するフローチャートである。 テンプレートの製造方法の一例を示す模式的断面図である。 凹凸パターンの形成の一例を説明する模式図である。 凹凸パターンが形成されたテンプレートの一例を説明する模式図である。 インプリント法によるパターン形成方法を例示する模式的断面図である。 インプリント法によるパターン形成方法を例示する模式的断面図である。 インプリント法によるパターン形成方法を例示する模式的断面図である。 第３の実施形態に係るテンプレートの製造方法を例示する模式的断面図である。 第４の実施形態に係るテンプレートの製造方法を例示する模式的断面図である。 インプリントについて説明する模式的断面図である。 他のテンプレートの製造方法を例示する模式的断面図である。 第５の実施形態に係るテンプレートの製造装置の構成を例示するブロック図である。 本実施形態に係るプログラムが実行されるコンピュータを説明する図である。 本実施形態に係るプログラムの処理の流れを例示するフローチャートである。

以下、本発明の実施形態を図に基づき説明する。
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比係数などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比係数が異なって表される場合もある。
また、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。

（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係るテンプレートの構成を例示する模式図である。
図１（ａ）は、テンプレートの模式的断面図、図１（ｂ）は、テンプレートの主面側の模式的平面図である。図１（ａ）では、図１（ｂ）に示すＡ−Ａ線の断面を表している。

図１（ａ）に表したように、本実施形態に係るテンプレート１１０は、パターン転写法（例えば、いわゆるナノインプリント法）において被転写物にパターンを転写するための版として用いられる。

テンプレート１１０は、台座基板１０と、パターン部２０と、を備える。
台座基板１０は、パターン部２０を支持するための基材である。本実施形態では、厚さが一様で、平面視の外形が矩形の台座基板１０を用いている。台座基板１０には、例えば石英基板が用いられる。

パターン部２０は、マスターパターン３１から形成された凹凸パターン２１を有する。パターン部２０は、主面１０ａと、凹凸パターン２１と、のあいだに設けられた中間部２２を有する。なお、中間部２２は必要に応じて設けられていればよい。中間部２２を備えない場合、凹凸パターン２１が主面１０ａに直接設けられることになる。凹凸パターン２１は、この凹凸パターン２１の形状が転写される基板に形成された下地パターンの歪みに合わせ、マスターパターン３１に対して歪んだ状態で設けられている。

ここで、実施形態において「歪み」とは、基準となるパターンに対して傾斜している状態、少なくとも一方向に拡大している状態、少なくとも一方向に縮小している状態、の少なくともいずれかの状態を含む。

図１（ｂ）に表した二点鎖線は、マスターパターン３１を例示している。マスターパターン３１は、パターン部２０の凹凸パターン２１を形成するための基準になるパターンである。図１（ｂ）において凹凸パターン２１は実線で示されている。説明の便宜上、凹凸パターン２１は、凸パターン２１１及び凹パターン２１２を繰り返したラインアンドスペースになっている。本実施形態では、このような凹凸パターン２１が、マスターパターン３１に対して歪んだ状態で設けられている。

図１（ｂ）に表した例では、歪みの一例として、長方形状のマスターパターン３１に対して、凹凸パターン２１が傾斜している状態（平行四辺形状）に歪んだ例が示されている。この歪みの量は、テンプレート１１０によって凹凸パターン２１が転写される基板の下地パターンの歪み量に合わせられている。

凹凸パターン２１が下地パターンの歪みに合わせて形成されていることで、歪んで形成された下地パターンの上に、新たなパターンを正確に転写できることになる。すなわち、下地パターンを形成する際に歪みが発生していても、この歪みに合わせた状態で下地パターンの上に新たなパターンが正確に転写される。

パターン部２０は、台座基板１０の主面１０ａに直接設けられていても、台座基板１０の主面１０ａに台座基板１０とは別体に設けられていてもよい。

ここで、台座基板１０の主面１０ａにパターン部２０を直接設ける方法の一例を説明する。
先ず、台座基板１０の主面１０ａにハードマスク層（例えば、ＳｉＯ_２）とレジスト層とを形成する。
次いで、マスターパターン３１の情報を用いて、レジスト層に対して例えば電子ビーム露光及び現像を施し、所定のレジストパターンを形成する。
そして、レジストパターンをマスクとして、ハードマスク層及び台座基板１０をエッチングする。
これにより、レジストパターンのある部分が凸パターン２１１、レジストパターンのない部分が凹パターン２１２となり、凹凸パターン２１が完成する。

凹凸パターン２１を台座基板１０の主面１０ａに直接設ける場合には、レジストパターンを形成する際に、下地パターンの歪みに合わせて露光領域を補正する。例えば、レジスト層に対して電子ビーム露光を行う際に、下地パターンの歪みから電子ビームの照射領域に補正を加えて露光を行うようにすればよい。これにより、下地パターンの歪みに合わせて凹凸パターン２１が主面１０ａに直接形成される。

次に、台座基板１０の主面１０ａにパターン部２０を別体で設ける方法の一例を説明する。
先ず、台座基板１０の主面１０ａに樹脂層を形成する。
次いで、マスターパターン３１が形成された原版３０を用意し、この原版３０のマスターパターン３１を樹脂層に接触させる。樹脂層の樹脂は、例えば光硬化型樹脂、熱硬化型樹脂である。
そして、マスターパターン３１を接触された状態で樹脂層に光照射または加熱して硬化させる。樹脂層が硬化した後、原版３０を引き離す。
これにより、樹脂層にマスターパターン３１の形状が転写された凹凸パターン２１が形成される。

凹凸パターン２１を台座基板１０の主面１０ａに別体で設ける場合には、原版３０を樹脂層に接触させた状態で樹脂層を硬化させる際、例えば下地パターンの歪み量（第１歪み量）を反転させた第２歪み量の歪みを台座基板１０に与えておき、この状態で樹脂層を硬化させる。そして、樹脂層が硬化して、原版３０を引き離したのち、台座基板１０に与えていた歪みを解放する。
台座基板１０を歪ませた状態で凹凸パターン２１を形成していることから、台座基板１０の歪みが解放され、元の形状に戻る際、台座基板１０上の凹凸パターン２１は反対に歪むことになる。凹凸パターン２１は、第２歪み量の戻り、すなわち第１歪み量だけ歪むことになる。

凹凸パターン２１を台座基板１０の主面１０ａに別体で形成する方法は、直接形成する方法に比べて短時間で凹凸パターン２１を形成することができる。また、台座基板１０の再利用も容易である。

本実施形態では、凹凸パターン２１を台座基板１０の主面１０ａに別体で形成した例を用いて説明を行う。

図２及び図３は、テンプレート及び下地パターンの一例を示す模式図である。
なお、図２及び図３では、説明の便宜上、凹凸パターン２１、下地パターン５１、マスターパターン３１及び設計パターン６１について、それぞれパターンが形成される領域のみを枠で表している。ここで、各パターンの領域を表す枠の一つは、下地パターン５１をフォトリソグラフィによって形成する場合の一回の露光領域（１ショット）に相当する。

図２は、台座基板１０に１ショット相当の凹凸パターン２１の領域を設けた例を表している。
処理基板５０には、予め下地パターン５１が形成されている。下地パターン５１は、フォトリソグラフィ及びエッチング等によって処理基板５０または処理基板５０の表面に形成されている。下地パターン５１を形成する際には、ショットのアライメントが理想条件からずれることもある。このずれのことを、「アライメントエラー」ということにする。図２において、処理基板５０に表した二点鎖線は、理想条件で形成した場合の設計パターン６１の領域を示している。アライメントエラーによって、下地パターン５１は、設計パターン６１に対して歪んだ状態で形成されている。図２に表した例では、長方形状の設計パターン６１に対して、下地パターン５１が平行四辺形状に歪んだ状態で形成されている。

テンプレート１１０の凹凸パターン２１は、処理基板５０上の下地パターン５１の歪み（アライメントエラー）に合わせて形成されている。すなわち、マスターパターン３１に対する凹凸パターン２１の歪み量は、下地パターン５１の上に凹凸パターン２１の形状が転写された際にその転写されたパターンが、設計パターン６１よりも下地パターン５１に近づく量である。一例として、マスターパターン３１に対する凹凸パターン２１の歪み量は、設計パターン６１に対する下地パターン５１の歪み量と等しくなっている。

このようなテンプレート１１０を用いて下地パターン５１の上に凹凸パターン２１の形状を転写すると、下地パターン５１の歪みに合わせた正確な位置に凹凸パターン２１を形成することができるようになる。

このテンプレート１１０を用いて行う、いわゆるナノインプリント法では、下地パターン５１の上に凹凸パターン２１の形状を転写する。図２に表したテンプレート１１０では、１回の転写処理によって、処理基板５０上の１ショットの下地パターン５１の上に凹凸パターン２１の形状を転写する。すなわち、処理基板５０上に複数のショットに相当する下地パターン５１がある場合、各ショットの下地パターン５１に対してテンプレート１１０による転写を順番に繰り返していく。

下地パターン５１の各ショットのアライメントエラーが共通している場合、１つのテンプレート１１０を用いた各ショットに対する転写において、それぞれ正確な位置に凹凸パターン２１の形状を転写できることになる。

なお、下地パターン５１の各ショットのアライメントエラーがそれぞれ別個である場合には、それぞれの下地パターン５１に対して凹凸パターン２１の形状を転写する前に、テンプレート１１０の凹凸パターン２１を各下地パターン５１のショットのアライメントエラーに合わせて形成すればよい。

図３は、台座基板１０に複数ショット相当の凹凸パターン２１の矩形領域を設けた例を表している。
図３に表したように、このテンプレート１２０においては、台座基板１０に４つのショットに対応した凹凸パターン２１ａ〜２１ｄの矩形領域が形成されている。各矩形領域に形成された凹凸パターン２１ａ〜２１ｄは、各矩形領域でそれぞれ同じ形状である。このうち、凹凸パターン２１ａは、下地パターン５１ａのアライメントエラーに合わせて歪んだ状態で形成されている。同様に、凹凸パターン２１ｂ、２１ｃ及び２１ｄは、それぞれ下地パターン５１ｂ、５１ｃ及び５１ｄのアライメントエラーに合わせて歪んだ状態で形成されている。

このようなテンプレート１２０では、１回の転写処理によって、処理基板５０上の４ショットの下地パターン５１ａ〜５１ｄの上に凹凸パターン２１ａ〜２１ｄの形状をそれぞれ転写する。テンプレート１２０を用いた転写は、４つの下地パターン５１ａ〜５１ｄの単位で順番に繰り返して行われる。

このテンプレート１２０のように、１つの台座基板１０に形成された複数の凹凸パターン２１ａ〜２１ｄについて、各ショットの下地パターン５１ａ〜５１ｄのアライメントエラーに合わせて形成されているため、各ショットの下地パターン５１ａ〜５１ｄに対して、それぞれ正確な位置に凹凸パターン２１ａ〜２１ｄの形状を転写できることになる。これにより、デバイスの製造歩留まりを向上できる。

なお、上記の例では、１つの台座基板１０に４ショットに対応した凹凸パターン２１ａ〜２１ｄを設ける例を示したが、４つ以外のショット数に対応した凹凸パターンを設ける場合であっても適用可能である。

（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態に係るテンプレートの製造方法について説明する。
図４は、第２の実施形態に係るテンプレートの製造方法を例示するフローチャートである。
ここで、図４に示すステップＳ１０１〜Ｓ１０３の処理がテンプレートの製造方法である。図４では、この製造方法によって製造したテンプレートを用いてパターンを転写するインプリント（ステップＳ１０４）を含めて表している。

本実施形態に係るテンプレートの製造方法は、表面状態の取得（ステップＳ１０１）、補正量の演算（ステップＳ１０２）及びテンプレートの作成（ステップＳ１０３）を備える。以下、各ステップの具体例を説明する。なお、ここでは、一例として図１に表したテンプレート１１０を製造する方法を具体例とする。したがって、この説明で図４に現れない符号は、図１及び図２を参照するものとする。

先ず、表面状態の取得（ステップＳ１０１）では、テンプレート１１０の凹凸パターン２１が転写される処理基板（被転写物）５０の表面状態を取得する。具体的には、下地パターン５１のショットにおけるアライメントエラーを取得する。表面状態の取得（ステップＳ１０１）には、表面状態を測定する工程が含まれていてもよい。また、表面状態の取得（ステップＳ１０１）には、表面状態を測定する機器から表面状態の測定結果を取得する工程が含まれていてもよい。

例えば、表面状態を測定する機器としては、アライメント測定装置が挙げられる。アライメント測定装置では、ショットにより形成した下地パターン５１に存在する複数のアライメントマークを測定し、アライメントマークの測定値（座標値）からショット全体のアライメントエラーを計算する。

次に、補正量の演算（ステップＳ１０２）では、先のステップＳ１０１で取得した下地パターン５１のアライメントエラーの情報に基づいて、そのショットのアライメントに合うような凹凸パターン２１に対する補正量を演算する。
例えば、アライメントマークの測定値から下地パターン５１の歪み量を演算し、この歪み量に応じた補正量を演算によって求める。

次に、テンプレートの作成（ステップＳ１０３）では、先のステップ１０２で演算した補正量に基づき、テンプレート１１０の凹凸パターン２１を作成する。具体的な方法として、例えば石英基板の台座基板１０に対して側方から応力をかけて台座基板１０を歪ませた状態で、主面１０ａ上に凹凸パターン２１を作成する。そして、凹凸パターン２１を作成したのち、台座基板１０に与えていた応力を解放することで、下地パターン５１のアライメントに合うような凹凸パターン２１を持つテンプレート１１０が作成される。

インプリント（ステップＳ１０４）では、ステップＳ１０１〜Ｓ１０３の工程で作成したテンプレート１１０を用い、処理基板５０の下地パターン５１の上に、テンプレート１１０の凹凸パターン２１の形状を転写する。

下地パターン５１のショットが理想条件からのずれていても、本実施形態で製造したテンプレート１１０を用いることで、下地パターン５１のアライメントエラーに合わせた位置に凹凸パターン２１を正確に形成することができる。

図５は、テンプレートの製造方法の一例を示す模式的断面図である。
図５では、樹脂製のパターン部２０を備えたテンプレート１１０の製造方法を例示している。
先ず、図５（ａ）に表したように、マスターパターン３１が形成された原版３０及び台座基板１０を用意する。台座基板１０には、例えば石英基板が用いられる。原版３０の材料は特に制限されないが、例えばシリコンウェーハ、石英ガラス、ニッケル基板が用いられる。原版３０のマスターパターン３１は、電子ビーム描画、光露光、いわゆるナノインプリントなどの方法でパターニングされ、例えばドライエッチングによって凹凸形状に設けられている。

そして、この原版３０の上に、樹脂２を塗布する。なお、樹脂２は、台座基板１０の主面１０ａに塗布してもよい。樹脂２の材料は、例えば光硬化型樹脂または熱硬化型樹脂である。

次に、図５（ｂ）に表したように、原版３０と、台座基板１０の主面１０ａと、を対向させ、両者のあいだに樹脂２を挟み込むようにする。そして、この状態で樹脂２を硬化させる。樹脂２の材料が光硬化型樹脂の場合、台座基板１０を介して樹脂２に所定の光を照射する。これにより、樹脂２が硬化する。樹脂２の材料が熱硬化型樹脂の場合、所定の温度に加熱することで樹脂２を硬化させる。

次に、図５（ｃ）に表したように、原版３０から台座基板１０を引き離す。台座基板１０の主面１０ａには、硬化した樹脂２のパターン部２０が形成される。パターン部２０の凹凸パターン２１は、原版３０のマスターパターン３１の形状が転写された形状である。また、中間部２２の厚さは、台座基板１０と、原版３０と、の間隔によって決まる。これにより、樹脂製のパターン部２０を備えたテンプレート１１０が完成する。
図５（ａ）〜図５（ｃ）に表した工程によれば、数秒〜数分でテンプレート１１０を製造することができる。

ここで、一枚の原版３０からは、複数のテンプレート１１０を作成することができる。さらに一枚のテンプレート１１０からは、複数枚の処理基板５０へ凹凸パターン２１の形状を転写することができる。
使用済みのテンプレート１１０については、例えばアッシング処理や洗浄処理することで、パターン部２０を台座基板１０から剥離する。そして、パターン部２０が剥離された台座基板１０は、再利用される。

例えば、複数の処理基板５０はロット単位で管理される。そのロットには一枚の台座基板１０が付けられている。インプリントを行う前に、その台座基板１０を使用してテンプレート１１０が製造される。ここでテンプレート１１０を製造する際には、先に説明した下地パターン５１のアライメントエラーに合わせた歪みが凹凸パターン２１に設けられている。

樹脂２を用いたテンプレート１１０は短時間で製造可能である。したがって、各処理基板５０の各ショットに合わせた凹凸パターン２１を有するテンプレート１１０をショットごとに製造しても、製造時間の大幅な遅延にはならない。その一方、各ショットのアライメントエラーに合わせて凹凸パターン２１の形状を正確に転写できるため、歩留まりの高い製品を提供することができるようになる。

凹凸パターン２１の歪みをショットのアライメントエラーに合わせる一例として、本実施形態では、図５（ｂ）に表した工程で、台座基板１０に歪みを与えている。
図６は、凹凸パターンの形成の一例を説明する模式図である。
図６（ａ）は、下地パターン５１及び設計パターン６１の模式的平面図である。図６（ｂ）は、台座基板１０へ歪みを与えている状態を例示する模式的平面図である。

図６（ａ）に表したように、下地パターン５１には設計パターン６１に対して第１歪み量ＤＳ１の歪みが発生している。第１歪み量ＤＳ１は、例えば下地パターン５１の隅部に設けられたアライメントマークＭの座標を測定し、各アライメントマークＭの座標から演算によって求めることができる。

テンプレート１１０の凹凸パターン２１を形成する際、形成後の凹凸パターン２１が下地パターン５１の第１歪み量ＤＳ１と合うように、台座基板１０に歪みを与える。具体的には、図６（ｂ）に表したように、台座基板１０に応力Ｐ１及びＰ２を与え、台座基板１０の凹凸パターン２１が形成される領域に第２歪み量ＤＳ２の歪みを与える。

第２歪み量ＤＳ２は、第１歪み量ＤＳ１を反転させたものである。台座基板１０は、第１の辺１１ａ〜第４の辺１１ｄを有する矩形の基板である。矩形の台座基板１０において、第１の辺１１ａと、第２の辺１１ｂと、が互いに向かい合い、第３の辺１１ｃと、第４の辺１１ｄと、が互いに向かい合っている。

第２歪み量ＤＳ２は、長方形の設計パターン６１に対して平行四辺形状に歪んだ下地パターン５１の歪み量を反転させたものである。台座基板１０の凹凸パターン２１を形成する領域に第２歪み量ＤＳ２の歪みを与えるには、例えば、第３の辺１１ｃの第１の辺１１ａ側の端部に応力Ｐ１を与え、第４の辺１１ｃの第２の辺１１ｂ側の端部に応力Ｐ２を与える。応力Ｐ１及びＰ２は、台座基板１０の弾性変形領域での力である。これにより、台座基板１０の全体が平行四辺形状に弾性変形する。この変形にともない、凹凸パターン２１を形成する領域も平行四辺形状に変形する。すなわち、凹凸パターン２１を形成する領域が第２歪み量ＤＳ２で歪むことになる。

そして、この状態で、図５（ｂ）に表したように、原版３０のマスターパターン３１を台座基板１０の樹脂２に転写する。図６（ｂ）に表したように、この転写によって台座基板１０に形成された凹凸パターン２１には歪みは生じていない。

図５（ｃ）に表したように、樹脂２を硬化させて、原版３０と台座基板１０とを引き離したのちに、図６（ｂ）に表した台座基板１０への応力Ｐ１及びＰ２を解放する。これにより、台座基板１０は元の矩形形状に戻る。

図７は、凹凸パターンが形成されたテンプレートの一例を説明する模式図である。
弾性変形していた台座基板１０が元の矩形形状に戻ると、この台座基板１０に形成された凹凸パターン２１は反対に歪むことになる。すなわち、凹凸パターン２１には、第２歪み量ＤＳ２が反転した歪み量である第１歪み量ＤＳ１が付与されることになる。

なお、図６に表した下地パターン５１は、設計パターン６１に対して平行四辺形状に歪んでいるが、他の歪みであっても同様である。例えば、設計パターン６１に対して下地パターン５１が拡大して歪んでいる場合には、台座基板１０に与える応力によって、凹凸パターン２１が形成される領域を縮小させるようにすればよい。すなわち、凹凸パターン２１を形成する領域に、第１歪み量ＤＳ１とは反転した第２歪み量ＤＳ２を与えるように台座基板１０に応力を与え、この状態で凹凸パターン２１を形成すればよい。

次に、インプリント法によるパターン形成方法の一例を説明する。
図８〜図１０は、インプリント法によるパターン形成方法を例示する模式的断面図である。
先ず、図８（ａ）に表したように、処理基板５０の上に成型対象物６０を設ける。処理基板５０として、例えばシリコンウェーハが用いられる。また、成型対象物６０としては、例えば酸化シリコンが用いられる。

次に、図８（ｂ）に表したように、成型対象物６０の上に、被転写物７０を設ける。被転写物７０としては、例えば、熱硬化性樹脂や光硬化性樹脂が用いられる。本実施形態では、一例として光硬化性樹脂を用いる。被転写物７０は、例えば、ノズルＮからインクジェット法によって成型対象物６０の上に滴下される。被転写物７０は、スピンコート等によって一様に設けられてもよい。

次に、図９（ａ）に表したように、テンプレート１１０のパターン部２０を、被転写物７０に接触させる。この際、パターン部２０の凹凸パターン２１の先端と、被転写物７０の表面と、のあいだには、わずかな隙間（例えば、数ナノメートル（ｎｍ））が設けられている。被転写物７０は、毛細管現象により、凹凸パターン２１の凹パターン２１２の中に侵入し、凹パターン２１２内に充填される。

先に説明したように、テンプレート１１０の凹凸パターン２１は、この凹凸パターン２１の形状を転写する下地パターンの歪みに合わせて歪んだ状態で形成されている。図９には示されないが、処理基板５０上に下地パターンが形成されている場合、この下地パターンの歪みに合わせて凹凸パターン２１に歪みが設けられている。したがって、テンプレート１１０のパターン部２０を被転写物７０に接触させる際、凹凸パターン２１は、処理基板５０上の下地パターンと正確に位置合わせされている。

次に、図９（ｂ）に表したように、テンプレート１１０のパターン部２０を被転写物７０に接触させた状態で、テンプレート１１０の台座基板１０側から紫外線ＵＶ１を照射する。紫外線ＵＶ１は、台座基板１０及びパターン部２０を透過して、被転写物７０に照射される。光硬化性樹脂による被転写物７０は、紫外線ＵＶ１が照射されることで硬化する。

紫外線ＵＶ１の波長としては、例えば、３００ｎｍ〜４００ｎｍ程度である。なお、台座基板１０及びパターン部２０には、紫外線ＵＶ１に対して十分な透光性を有する材料が用いられる。被転写物７０が硬化することにより、凹凸パターン２１の凹凸を反転させた転写パターン７０ａが形成される。テンプレート１１０を用いることで、転写パターン７０ａは、処理基板５０上に設けられた下地パターン（図示せず）の歪みに合わせられた状態で形成される。

次に、図１０（ａ）に表したように、テンプレート１１０を、転写パターン７０ａから離型する。ここで、台座基板１０とパターン部２０との密着力は、転写パターン７０ａとパターン部２０との密着力よりも強くなっている。したがって、テンプレート１１０を離型する際には、パターン部２０が台座基板１０から剥がれることはない。

次に、図１０（ｂ）に表したように、成型対象物６０の上に形成された転写パターン７０ａをマスクとして、例えば異方性のＲＩＥ（Reactive Ion Etching）などよって成型対象物６０をエッチングする。エッチング後は、転写パターン７０ａを除去する。これにより、成型対象物６０に転写パターン７０ａに対応したパターンが形成される。

（第３の実施形態）
次に、第３の実施形態に係るテンプレートの製造方法について説明する。
図１１は、第３の実施形態に係るテンプレートの製造方法を例示する模式的断面図である。
本実施形態に係るテンプレートの製造方法の流れは、図４に表したフローチャートと同様である。図４に表したステップのうち、本実施形態では、表面状態の取得（ステップＳ１０１）に、処理基板５０の表面に付着した異物の最大高さを取得する工程を含む。また、本実施形態では、テンプレートの作成（ステップＳ１０２）において、パターン部２０の厚さを、異物の最大高さよりも厚くする工程を含む。

次に、図１１に沿って本実施形態の具体例について説明する。
先ず、図１１（ａ）に表したように、処理基板５０の表面に異物５５が付着しているとする。ここで、処理基板５０の表面状態を取得する。例えば、処理基板５０の表面の異物５５の有無を表面検査装置、異物検査装置等で検査し、異物５５がある場合にはその最大高さ（処理基板５０の表面５０ａからの高さ）ｈ１を計測する。

次に、図１１（ｂ）に表したように、台座基板１０の主面１０ａに樹脂製のパターン部２０を形成する。パターン部２０の形成は、図５（ａ）〜（ｃ）に例示した工程と同じである。この際、樹脂２の塗布量及び原版３０と台座基板１０との間隔を調整して、形成されるパターン部２０の主面１０ａからの高さｈ２が、異物５５の最大高さｈ１以上にする。具体的には、パターン部２０の中間部２２の厚さを調整して、パターン部２０の高さｈ２を異物５５の最大高さｈ１以上にする。これにより、テンプレート１３０が完成する。

次に、このテンプレート１３０を用いたインプリントについて説明する。
図１１（ｃ）〜図１１（ｄ）には、テンプレート１３０を用いたインプリントの状態が例示されている。なお、図１１（ｃ）〜図１１（ｄ）では、説明の便宜上、凹凸パターン２１が転写される被転写物７０（図９参照）は省略されている。

図１１（ｃ）に表したように、テンプレート１３０を処理基板５０に対向させた際には、処理基板５０の表面５０ａに付着している異物５５を挟み込み状態になる。異物５５がパターン部２０より硬いと、異物５５がパターン部２０に食い込む状態になる。この際、パターン部２０の高さｈ２は、異物５５の最大高さｈ１以上であり、しかもパターン部２０の先端と、処理基板５０の表面と、のあいだには僅かな隙間が設けられていることから、異物５５が台座基板１０の主面１０ａに接触することはない。

次に、図１１（ｄ）に表したように、テンプレート１３０を処理基板５０から引き離す。異物５５がパターン部２０に食い込んでいた場合、異物５５によってパターン部２０に欠損部２５が発生する。欠損部２５の、パターン部２０の先端からの深さｈ３は、パターン部２０の高さｈ２よりも浅い。すなわち、処理基板５０に異物５５が付着している状態でインプリントを行っても、異物５５が台座基板１０の主面１０ａに接触することはない。したがって、パターン部２０に欠損部２５が生じても、台座基板１０に傷等の影響を及ぼすことはない。

なお、パターン部２０に欠損部２５が発生した場合には、台座基板１０からパターン部２０を剥離すればよい。パターン部２０が剥離された台座基板１０は再利用される。これにより、同じ台座基板１０を用いてパターン部２０を再度形成して、新たなテンプレート１３０を形成することができる。

本実施形態によれば、処理基板５０の表面に異物５５が存在する場合でも、テンプレート１３０の台座基板１０に傷等を付けることなく、次の転写処理に台座基板１０を用いることが可能になる。これにより、テンプレート１３０の製造コストの低減に貢献することができる。

（第４の実施形態）
次に、第４の実施形態に係るテンプレートの製造方法について説明する。
図１２は、第４の実施形態に係るテンプレートの製造方法を例示する模式的断面図である。
本実施形態に係るテンプレートの製造方法の流れは、図４に表したフローチャートと同様である。図４に表したステップのうち、本実施形態では、表面状態の取得（ステップＳ１０１）に、処理基板５０に存在する凸部５７ａの高さを取得する工程を含む。また、本実施形態では、テンプレートの作成（ステップＳ１０２）において、凸部５７ａの高さに合わせた凸形状パターン３７を有するマスターパターン３１を用いて凹凸パターン２１を形成する工程を含む。

次に、図１２に沿って本実施形態の具体例について説明する。
先ず、図１２（ａ）に表したように、処理基板５０に存在する凸部５７ａの高さｈ４を計測する。凸部５７ａは、処理基板５０における厚さが相対的に厚い部分である。凸部５７ａに隣接する部分（処理基板５０における厚さが相対的に薄い部分）は凹部５７ｂである。この凹部５７ｂと、凸部５７ａと、により処理基板５０の表面に段差が構成される。凸部５７ａの高さｈ４は、凸部５７ａを形成する際の条件等によって変化することがある。

次に、図１２（ｂ）に表したように、計測した高さｈ４に合わせた凸形状パターン３７を有する原版３０を用意する。この原版３０には、マスターパターン３１が設けられている。マスターパターン３１は、処理基板５０の凸部５７ａの上に形成する凹凸パターンの形状に対応した凹凸パターン３１ａと、凹部５７ｂの上に形成する凹凸パターンの形状に対応した凹凸パターン３１ｂと、を含む。このうち、凹凸パターン３１ａは、凸形状パターン３７の上に形成されている。

凸形状パターン３７の高さｈ５（凹凸パターン３１ｂの凹部分の底面を基準とした高さ）は、処理基板５０の凸部５７ａの高さｈ４に合わせられている。本実施形態では、先に計測した凸部５７ａの高さｈ４に合わせて、凸形状パターン３７の高さｈ５を合わせた原版３０を用意する。このような原版３０は、凸部５７ａの高さｈ４を計測した後に、形成される。なお、原版３０は、凸部５７ａの高さｈ４を計測した後、種々の高さｈ５を有する凸形状パターン３７を備えた複数の原版３０のなかから適宜選択するようにしてもよい。

そして、図１２（ｃ）に表したように、この原版３０を用いて、台座基板１０の主面１０ａに樹脂製のパターン部２０を形成する。パターン部２０の形成は、図５（ａ）〜（ｃ）に例示した工程と同じである。パターン部２０の凹凸パターン２１は、原版３０の凹凸パターン３１ａの形状が反転した凹凸パターン２１ａと、原版３０の凹凸パターン３１ｂの形状が反転した凹凸パターン２１ｂと、を有する。凹凸パターン２１ａは、原版３０の凸形状パターン３７を基準にして形成される。これにより、テンプレート１４０が完成する。

次に、このテンプレート１４０を用いたインプリントについて説明する。
図１３は、インプリントについて説明する模式的断面図である。
先ず、図１３（ａ）に表したように、処理基板５０の上に被転写物７０を塗布する。被転写物７０は、処理基板５０の凸部５７ａ及び凹部５７ｂの上に塗布される。そして、テンプレート１４０と、処理基板５０と、を対向して配置する。

次に、図１３（ｂ）に表したように、テンプレート１４０のパターン部２０を、被転写物７０に接触させる。この際、パターン部２０の凹凸パターン２１の先端と、被転写物７０の表面と、のあいだには、わずかな隙間（例えば、数ｎｍ）が設けられている。被転写物７０は、毛細管現象により、凹凸パターン２１の凹パターン２１２の中に侵入し、凹パターン２１２内に充填される。この際、処理基板５０の凸部５７ａの高さｈ４に合わせた原版３０を用いてテンプレート１４０が形成されていることから、凸部５７ａと、凹凸パターン２１ａと、の間隔を、設計通りにすることができる。

そして、この状態で光照射や加熱によって被転写物７０を硬化させる。被転写物７０を硬化したのち、テンプレート１４０を離型する。これにより、図１３（ｃ）に表したように、処理基板５０上に凹凸パターン２１の凹凸を反転させた転写パターン７０ａが形成される。転写パターン７０ａは、処理基板５０の凸部５７ａ及び凹部５７ｂの両方に正確に形成される。

図１４は、他のテンプレートの製造方法を例示する模式的断面図である。
図１４では、テンプレート１４０の別な製造方法を例示している。図１４に表した工程は、図１２（ａ）に表した処理基板５０の凸部５７ａの高さｈ４を計測したのち、この高さｈ４に合わせてテンプレート１４０を形成する別な工程を例示している。

先ず、図１４（ａ）に表したように、第１原版３０１を用意する。第１原版３０１は、凸部５７ａ（図１２（ａ）参照）の位置に対応した部分に凸型平坦部３１ｃを備えている。また、第１原版３０１は、凸型平坦部３１ｃに隣接して凹凸パターン３１ｂを備えている。凸型平坦部３１ｃの高さｈ６（凹凸パターン３１ｂの凹部の底からの高さ）は、計測した凸部５７ａの高さｈ４と、この凸部５７ａに形成しようとする凸パターンの高さと、を合計した高さよりも十分に高い。

この第１原版３０１を用いて、台座基板１０の主面１０ａに凹凸パターン部２１ａを有する第１パターン部２０１を形成する。第１パターン部２０１には、第１原版３０１の凸型平坦部３１ｃの形状が反転した凹型平坦部２１ｃが設けられる。

次に、図１４（ｂ）に表したように、第２原版３０２を用意する。第２原版３０２は、先に形成した第１パターン部２０１の凹型平坦部２１ｃに対応した位置に凹凸パターン３１ｅを備えている。また、第２原版３０２における、凹凸パターン３１ｅに隣接する位置には、平坦部３１ｄが設けられている。

この第２原版３０２を用いて、第１パターン部２０１に第２パターン部２０２を形成する。すなわち、第２パターン部２０２は、第１パターン部２０１の凹型平坦部２１ｃに形成された凹凸パターン２１ａを有する。凹凸パターン２１ａは、凹型平坦部２１ｃと、凹凸パターン３１ｅと、のあいだに埋め込まれた樹脂によって構成される。凹凸パターン２１ｂと、平坦部３１ｄと、のあいだには樹脂が介在しないため、ここにパターンは形成されない。

この凹型平坦部２１ｃに凹凸パターン２１ａを形成する際、先に計測した凸部５７ａの高さｈ４に合わせて、第２原版３０２の凹凸パターン３１ｅと、凹型平坦部２１ｃと、のあいだの間隔を調整する。これにより、テンプレート１４０が完成する。このような製造方法であっても、処理基板５０の凸部５７ａの高さｈ４に合わせたテンプレート１４０を製造することが可能となる。

なお、上記のテンプレート１４０は、処理基板５０の凸部５７ａ及び凹部５７ｂの両方に転写パターン７０ａを形成する凹凸パターン２１を有する例であるが、処理基板５０の凸部５７ａ及び凹部５７ｂのいずれか一方に凹凸パターン２１を形成する例であってもよい。

このような実施形態により、処理基板５０の上に段差が設けられていても、段差に合わせたテンプレート１４０によって処理基板５０上に正確に転写パターン７０ａを形成することができる。これにより、デバイスの製造歩留まりの向上に貢献することができる。

（第５の実施形態）
図１５は、第５の実施形態に係るテンプレートの製造装置の構成を例示するブロック図である。
図１５（ａ）は、第１の構成例を表し、図１５（ｂ）は、第２の構成例を表している。

図１５（ａ）に表したように、第１の構成例に係るテンプレートの製造装置５１０は、取得部５０１、演算部５０２及び形成部５０３を備える。

取得部５０１は、テンプレートのパターン部における凹凸パターンの形状が転写される基板の表面状態を取得する処理を行う。第１の構成例において、取得部５０１は、入力部５０１ａを含んでいる。入力部５０１ａは、基板の表面状態を外部から入力する処理を行う。すなわち、入力部５０１ａは、外部の測定装置から表面状態の情報ＤＴ１を入力する処理を行う。

外部の測定装置としては、例えばアライメント測定装置、表面検査装置、異物検査装置が挙げられる。アライメント測定装置の場合、情報ＤＴ１は、図６に表した下地パターン５１のアライメントマークＭの測定値（座標値）である。表面検査装置及び異物検査装置の場合、情報ＤＴ１は、図１１に表した異物５５の高さｈ１や、図１２に表した処理基板５０の凸部５７ａの高さｈ４である。

演算部５０２は、取得部５０１で取得した表面状態の情報ＤＴ１から凹凸パターンに対する補正量を演算する処理を行う。例えば、情報ＤＴ１がアライメントマークＭの測定値であった場合、演算部５０２は、このアライメントマークＭの測定値から下地パターン５１の歪み量を演算し、この歪み量に応じた補正量を演算する。また、情報ＤＴ１が異物５５の高さｈ１や、凸部５７ａの高さｈ４であった場合、演算部５０２は、この高さｈ１及びｈ４に応じてパターン部２０の補正量を演算する。

形成部５０３は、台座基板にパターン部を形成するにあたり、演算部５０２で演算した補正量による補正を加えて凹凸パターンを形成する処理を行う。すなわち、形成部５０３は、図４に表したステップＳ１０１〜Ｓ１０３に表したステップによって、テンプレート１１０、１２０、１３０及び１４０を形成する処理を行う。

このテンプレートの製造装置５１０によって、下地パターン５１の歪みに合わせた凹凸パターン２１を有するテンプレート１１０及び１２０や、処理基板５０上の高さｈ１及びｈ４に合わせたパターン部２０を有するテンプレート１３０及び１４０が製造される。

図１５（ｂ）に表したように、第２の構成例に係るテンプレートの製造装置５２０は、取得部５０１、演算部５０２及び形成部５０３を備える。

取得部５０１は、テンプレートのパターン部における凹凸パターンの形状が転写される基板の表面状態を取得する処理を行う。第２の構成例において、取得部５０１は、測定部５０１ｂを含んでいる。測定部５０１ｂは、基板の表面状態を測定する処理を行う。すなわち、製造装置５２０は、内部に設けられた測定部５０１ｂによって、テンプレートの凹凸パターンの形状を転写する基板の表面状態を測定し、その測定した表面状態の情報ＤＴ１を演算部５０２に出力する。

測定部５０１ｂとしては、例えば、図６に表した下地パターン５１のアライメントマークＭの座標値を測定する処理を行う。また、測定部５０１ｂとしては、例えば、図１１に表した異物５５の高さｈ１や、図１２に表した処理基板５０の凸部５７ａの高さｈ４を測定する処理を行う。

演算部５０２及び形成部５０３の処理は、図１５（ａ）に表した第１の構成例と同じである。

このテンプレートの製造装置５２０によって、下地パターン５１の歪みに合わせた凹凸パターン２１を有するテンプレート１１０や、処理基板５０上の高さｈ１及びｈ４に合わせたパターン部２０を有するテンプレート１４０が製造される。

（第６の実施形態）
次に、第６の実施形態に係るテンプレートの製造プログラムの例を説明する。
図１６は、本実施形態に係るプログラムが実行されるコンピュータを説明する図である。
すなわち、図１６（ａ）は、コンピュータの構成例を示すブロック図である。
図１６（ｂ）は、本実施形態に係るテンプレートの製造プログラムの機能を説明するブロック図である。
図１７は、本実施形態に係るプログラムの処理の流れを例示するフローチャートである。

図１６（ａ）に表したように、コンピュータ８００は、中央演算部８０１、記憶部８０２、入力部８０３及び出力部８０４を備える。中央演算部８０１は、本実施形態に係るテンプレートの製造プログラムを実行する部分である。記憶部８０２は、実行する製造プログラム等の情報を一時格納するＲＡＭ（Random Access Memory）のほか、ＲＯＭ（Read Only Memory）や、ＨＤＤ（Hard disk drive）、半導体メモリドライブ等の記憶装置を含む。

入力部８０３は、キーボード、ポインティングデバイスのほか、ネットワーク等を介した外部の機器から情報を入力するインタフェースを含む。出力部８０４は、ディスプレイのほか、外部の機器へ情報を出力するインタフェースを含む。

図１６（ｂ）に表したように、本実施形態に係るテンプレートの製造プログラム９００は、コンピュータ８００（図１６（ａ）参照）を、取得手段９０１及び演算手段９０２として機能させるものである。

取得手段９０１は、テンプレートのパターン部における凹凸パターンを転写する基板の表面状態を取得する処理を行う（図１７のステップＳ２０１）。すなわち、取得手段９０１は、外部の装置から表面状態の情報ＤＴ１をコンピュータ８００に取り込む処理を行う。具体的には、取得手段９０１は、コンピュータ８００の入力部８０３を用いて表面状態の情報ＤＴ１を中央演算部８０１に取り込む。情報ＤＴ１は、必要に応じて記憶部８０２に記憶される。

外部の装置がアライメント測定装置の場合、取得手段９０１は、アライメント測定装置によって測定した下地パターンのアライメントマークの測定値（座標値）を情報ＤＴ１として取得する。また、外部の装置が表面検査装置や異物検査装置の場合、取得手段９０１は、表面検査装置または異物検査装置によって検査した基板表面の高さを情報ＤＴ１として取得する。

演算手段９０２は、取得手段９０１で取得した表面状態の情報ＤＴ１から凹凸パターンに対する補正量を演算する処理を行う（図１７のステップＳ２０２）。具体的には、演算手段９０２は、コンピュータ８００の中央演算部８０１によって、情報ＤＴ１を用いた補正量の演算を行い、演算結果ＴＰ１を出力する。

情報ＤＴ１がアライメントマークの測定値であった場合、演算手段９０２は、このアライメントマークの測定値から下地パターンの歪み量を演算し、この歪み量に応じた補正量を演算する。また、情報ＤＴ１が基板の表面の高さであった場合、演算部５０２は、この高さに応じてパターン部の補正量を演算する。演算手段９０２による演算結果ＴＰ１は、コンピュータ８００の出力部８０４から所定のデータ形式で出力される。そして、演算結果ＴＰ１は、外部の製造装置ＭＣへ送られる。

製造装置ＭＣは、演算結果ＴＰ１を用いてパターン部に補正を加えてテンプレートを製造する。これにより、下地パターンに合わせたパターン部を有するテンプレートを製造することが可能になる。

本実施形態に係るテンプレートの製造プログラムは、上記のようにコンピュータで実行される態様により実施可能である。その他、本実施形態に係るテンプレートの製造プログラムは、所定の記憶媒体に記憶される態様でも実施可能である。また、本実施形態に係るテンプレートの製造プログラムは、ネットワークを介して配信される態様でも実施可能である。

以上説明したように、実施形態によれば、パターンの転写精度を向上することができるテンプレート、テンプレートの製造方法、テンプレートの製造装置及びテンプレートの製造プログラムを提供することができる。

なお、上記に本実施の形態およびその変形例を説明したが、本発明はこれらの例に限定されるものではない。例えば、前述の各実施の形態またはその変形例に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、設計変更を行ったものや、各実施の形態の特徴を適宜組み合わせたものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含有される。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１０…台座基板、１０ａ…主面、２０…パターン部、２１…凹凸パターン、２２…中間部、２５…欠損部、３０…原版、３１…マスターパターン、５０…処理基板、５１…下地パターン、５５…異物、６０…成型対象物、７０…被転写物、７０ａ…転写パターン、１１０，１２０，１３０，１４０…テンプレート、２１１…凸パターン、２１２…凹パターン、５０１…取得部、５０１ａ…入力部、５０１ｂ…測定部、５０２…演算部、５０３…形成部、５１０…製造装置、５２０…製造装置、８００…コンピュータ、８０１…中央演算部、８０２…記憶部、８０３…入力部、８０４…出力部、９００…製造プログラム、９０１…取得手段、９０２…演算手段

Claims (14)

1. 台座基板と、
   前記台座基板に設けられ、マスターパターンから形成された凹凸パターンを有するパターン部と、
   を備え、
   前記凹凸パターンは、前記凹凸パターンの形状が転写される基板に形成された下地パターンの歪みに合わせ、前記マスターパターンに対して歪んだ状態で設けられたことを特徴とするテンプレート。
2. 前記凹凸パターンの前記マスターパターンに対する歪み量は、前記下地パターンの上に前記凹凸パターンの形状が転写された際にその転写されたパターンが、前記下地パターンの設計値よりも前記下地パターンに近づく量であることを特徴とする請求項１記載のテンプレート。
3. 前記パターン部は、同じ前記凹凸パターンが形成された複数の矩形領域を有することを特徴とする請求項１または２に記載のテンプレート。
4. 前記パターン部は、樹脂を含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載のテンプレート。
5. パターン部に含まれる凹凸パターンの形状が転写される被転写物の表面状態を取得する工程と、
   前記表面状態から前記凹凸パターンに対する補正量を求める工程と、
   台座基板に前記パターン部を形成するにあたり、前記補正量による補正を加えて前記凹凸パターンを形成する工程と、
   を備えたことを特徴とするテンプレートの製造方法。
6. 前記パターン部を形成する工程は、
   前記マスターパターンが形成された原版または前記台座基板に、樹脂を塗布する工程と、
   前記台座基板に対して前記補正量に基づく応力を与えた状態で、前記台座基板と、前記原版と、のあいだに前記樹脂を挟み込む工程と、
   前記樹脂を硬化させる工程と、
   前記原版を前記樹脂から離型する工程と、を含むことを特徴とする請求項５記載のテンプレートの製造方法。
7. 前記パターン部を形成する工程は、
   前記表面状態から前記基板に形成された下地パターンの第１歪み量を取得する工程と、
   前記台座基板の前記凹凸パターンが形成される領域に対して前記第１歪み量を反転させた第２歪み量の歪みを与えた状態で前記マスターパターンから前記凹凸パターンを形成する工程と、
   前記パターン部を形成した後に、前記台座基板に与えていた歪みを解放する工程と、を含むことを特徴とする請求項５記載のテンプレートの製造方法。
8. 前記表面状態を取得する工程は、
   前記表面状態から前記基板に存在する凸部の最大高さを取得する工程を含み、
   前記パターン部を形成する工程は、
   前記パターン部の厚さを、前記最大高さ以上にする工程を含むことを特徴とする請求項６記載のテンプレートの製造方法。
9. 前記凸部は、前記基板に付着した異物であることを特徴とする請求項８記載のテンプレートの製造方法。
10. 前記表面状態を取得する工程は、
    前記表面状態から前記基板に存在する凸部の高さを取得する工程を含み、
    前記パターン部を形成する工程は、
    前記凸部の高さに合わせた凸形状パターンを有する前記マスターパターンを用いて前記凹凸パターンを形成する工程を含むことを特徴とする請求項５記載のテンプレートの製造方法。
11. 前記表面状態を取得する工程は、
    前記表面状態を測定する工程を含むことを特徴とする請求項５〜１０のいずれか１つに記載のテンプレートの製造方法。
12. テンプレートのパターン部における凹凸パターンの形状が転写される基板の表面状態を取得する取得部と、
    前記取得部で取得した前記表面状態から前記凹凸パターンに対する補正量を演算する演算部と、
    台座基板に前記パターン部を形成するにあたり、前記演算部で演算した前記補正量による補正を加えて前記凹凸パターンを形成する形成部と、
    を備えたことを特徴とするテンプレートの製造装置。
13. 前記取得部は、前記表面状態を外部から入力する入力部を含むことを特徴とする請求項１２記載のテンプレートの製造装置。
14. 前記取得部は、前記表面状態を測定する測定部を含むことを特徴とする請求項１２記載のテンプレートの製造装置。

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