JP2012252138A - 表示装置および表示装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】可動シャッタ方式のディスプレイにおいて、可動シャッタを、低応力で安定したアモルファスシリコン膜で形成する。
【解決手段】第１基板と、第２基板とを有する表示パネルを有し、前記表示パネルは、複数の画素を有し、前記各画素は、可動シャッタと、前記可動シャッタを駆動する駆動回路とを有し、前記可動シャッタは、アモルファスシリコンで構成される表示装置であって、前記可動シャッタの前記アモルファスシリコンは、少なくとも２つのアモルファスシリコン膜で構成され、前記少なくとも２つのアモルファスシリコン膜の中で、互いに隣接する２つのアモルファスシリコン膜を、アモルファスシリコン膜Ａと、前記アモルファスシリコン層Ａ上に積層されるアモルファスシリコン膜Ｂとするとき、アモルファスシリコン膜Ａと前記モルファスシリコン膜Ｂとは、特性値が異なっている。
【選択図】図８
【解決手段】第１基板と、第２基板とを有する表示パネルを有し、前記表示パネルは、複数の画素を有し、前記各画素は、可動シャッタと、前記可動シャッタを駆動する駆動回路とを有し、前記可動シャッタは、アモルファスシリコンで構成される表示装置であって、前記可動シャッタの前記アモルファスシリコンは、少なくとも２つのアモルファスシリコン膜で構成され、前記少なくとも２つのアモルファスシリコン膜の中で、互いに隣接する２つのアモルファスシリコン膜を、アモルファスシリコン膜Ａと、前記アモルファスシリコン層Ａ上に積層されるアモルファスシリコン膜Ｂとするとき、アモルファスシリコン膜Ａと前記モルファスシリコン膜Ｂとは、特性値が異なっている。
【選択図】図８
Description
本発明は、表示装置および表示装置の製造方法に係わり、特に、可動シャッタの位置を電気的に制御して画像を表示する可動シャッタの構成およびその製造方法に関する。
近年、可動シャッタの位置を電気的に制御して画像表示を行うディスプレイ（以下、可動シャッタ方式のディスプレイという）が提案されている。可動シャッタ方式のディスプレイは、例えば、下記特許文献１に開示されている。
従来提案されている可動シャッタ方式のディスプレイの画素では、可動シャッタは、一対の電極間に配置され、一対の電極に印加する電圧により、可動シャッタの位置を電気的に制御して画像表示を行う。
例えば、一対の電極の一方の電極の電圧がＧＮＤの電圧、一対の電極の他方の電極の電圧がＶｄｄの電圧の場合、可動シャッタは、一対の電極の他方の電極側に移動し、一対の電極の一方の電極の電圧がＶｄｄの電圧、一対の電極の他方の電極の電圧がＧＮＤの電圧の場合、可動シャッタは、一対の電極の一方の電極側に高速に移動する。
そして、例えば、可動シャッタが、一対の電極の他方の電極側に移動した場合、バックライト光が透過し画素が発光状態となり、可動シャッタが、一対の電極の一方の電極側に移動した場合、バックライト光が非透過となり画素が非発光状態となる。
これにより、液晶表示パネル、プラズマディスプレイパネルのように、画像を表示することができる。
従来提案されている可動シャッタ方式のディスプレイの画素では、可動シャッタは、一対の電極間に配置され、一対の電極に印加する電圧により、可動シャッタの位置を電気的に制御して画像表示を行う。
例えば、一対の電極の一方の電極の電圧がＧＮＤの電圧、一対の電極の他方の電極の電圧がＶｄｄの電圧の場合、可動シャッタは、一対の電極の他方の電極側に移動し、一対の電極の一方の電極の電圧がＶｄｄの電圧、一対の電極の他方の電極の電圧がＧＮＤの電圧の場合、可動シャッタは、一対の電極の一方の電極側に高速に移動する。
そして、例えば、可動シャッタが、一対の電極の他方の電極側に移動した場合、バックライト光が透過し画素が発光状態となり、可動シャッタが、一対の電極の一方の電極側に移動した場合、バックライト光が非透過となり画素が非発光状態となる。
これにより、液晶表示パネル、プラズマディスプレイパネルのように、画像を表示することができる。
従来提案されている可動シャッタ方式のディスプレイでは、可動シャッタに電気信号を入力する必要あるため、可動シャッタは、不純物をドープしたアモルファスシリコン膜（以下、ｎ＋ａ−Ｓｉ膜という）で構成される。
可動シャッタをｎ＋ａ−Ｓｉ膜で構成する場合、応力の強い大きなｎ＋ａ−Ｓｉ膜は、可動シャッタの可動部を変形させ駆動ができなくなるので、可動シャッタは、引張り応力、もしくは圧縮応力であっても低応力なｎ＋ａ−Ｓｉ膜が必要である。
また、圧縮応力（ＭＰａ）が、「０」近傍のｎ＋ａ−Ｓｉ膜は、シート抵抗値が低抵抗のものと、シート抵抗値が高抵抗のものとが混在し不安定な膜となる。
さらに、可動シャッタは、基板側から電気信号を伝達するコンタクト層としても機能するが、コンタクト層を、シート抵抗値が高抵抗なｎ＋ａ−Ｓｉ膜で構成すると、可動部を動作させるために高電圧が必要となるので、このコンタクト層として、シート抵抗値が低抵抗なｎ＋ａ−Ｓｉ膜が好ましい。
本発明は、前記従来技術の問題点を解決するためになされたものであり、本発明の目的は、可動シャッタ方式のディスプレイにおいて、可動シャッタを、低応力で安定したアモルファスシリコン膜で形成することが可能となる技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかにする。
可動シャッタをｎ＋ａ−Ｓｉ膜で構成する場合、応力の強い大きなｎ＋ａ−Ｓｉ膜は、可動シャッタの可動部を変形させ駆動ができなくなるので、可動シャッタは、引張り応力、もしくは圧縮応力であっても低応力なｎ＋ａ−Ｓｉ膜が必要である。
また、圧縮応力（ＭＰａ）が、「０」近傍のｎ＋ａ−Ｓｉ膜は、シート抵抗値が低抵抗のものと、シート抵抗値が高抵抗のものとが混在し不安定な膜となる。
さらに、可動シャッタは、基板側から電気信号を伝達するコンタクト層としても機能するが、コンタクト層を、シート抵抗値が高抵抗なｎ＋ａ−Ｓｉ膜で構成すると、可動部を動作させるために高電圧が必要となるので、このコンタクト層として、シート抵抗値が低抵抗なｎ＋ａ−Ｓｉ膜が好ましい。
本発明は、前記従来技術の問題点を解決するためになされたものであり、本発明の目的は、可動シャッタ方式のディスプレイにおいて、可動シャッタを、低応力で安定したアモルファスシリコン膜で形成することが可能となる技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかにする。
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記の通りである。
（１）第１基板と、第２基板とを有する表示パネルを有し、前記表示パネルは、複数の画素を有し、前記各画素は、可動シャッタと、前記可動シャッタを駆動する駆動回路とを有し、前記可動シャッタは、アモルファスシリコンで構成される表示装置であって、前記可動シャッタの前記アモルファスシリコンは、少なくとも２つのアモルファスシリコン膜で構成され、前記少なくとも２つのアモルファスシリコン膜の中で、互いに隣接する２つのアモルファスシリコン膜を、アモルファスシリコン膜Ａと、前記アモルファスシリコン層Ａ上に積層されるアモルファスシリコン膜Ｂとするとき、アモルファスシリコン膜Ａと前記モルファスシリコン膜Ｂとは、特性値が異なっている。
（２）（１）において、前記可動シャッタは、前記第２基板上に形成され、前記可動シャッタの前記アモルファスシリコンは、前記第２基板側から、第１のアモルファスシリコン膜と、前記第１のアモルファスシリコン膜上に積層される第２のアモルファスシリコン膜の２つのアモルファスシリコン膜で構成され、前記第１のアモルファスシリコン膜の屈折率は、前記第２のアモルファスシリコン膜の屈折率よりも高い。
（３）（１）において、前記可動シャッタは、前記第２基板上に形成され、前記可動シャッタの前記アモルファスシリコンは、前記第２基板側から、第１のアモルファスシリコン膜と、前記第１のアモルファスシリコン膜上に積層される第２のアモルファスシリコン膜の２つのアモルファスシリコン膜で構成され、前記第１のアモルファスシリコン膜の屈折率は、前記第２のアモルファスシリコン膜の屈折率よりも低い。
（１）第１基板と、第２基板とを有する表示パネルを有し、前記表示パネルは、複数の画素を有し、前記各画素は、可動シャッタと、前記可動シャッタを駆動する駆動回路とを有し、前記可動シャッタは、アモルファスシリコンで構成される表示装置であって、前記可動シャッタの前記アモルファスシリコンは、少なくとも２つのアモルファスシリコン膜で構成され、前記少なくとも２つのアモルファスシリコン膜の中で、互いに隣接する２つのアモルファスシリコン膜を、アモルファスシリコン膜Ａと、前記アモルファスシリコン層Ａ上に積層されるアモルファスシリコン膜Ｂとするとき、アモルファスシリコン膜Ａと前記モルファスシリコン膜Ｂとは、特性値が異なっている。
（２）（１）において、前記可動シャッタは、前記第２基板上に形成され、前記可動シャッタの前記アモルファスシリコンは、前記第２基板側から、第１のアモルファスシリコン膜と、前記第１のアモルファスシリコン膜上に積層される第２のアモルファスシリコン膜の２つのアモルファスシリコン膜で構成され、前記第１のアモルファスシリコン膜の屈折率は、前記第２のアモルファスシリコン膜の屈折率よりも高い。
（３）（１）において、前記可動シャッタは、前記第２基板上に形成され、前記可動シャッタの前記アモルファスシリコンは、前記第２基板側から、第１のアモルファスシリコン膜と、前記第１のアモルファスシリコン膜上に積層される第２のアモルファスシリコン膜の２つのアモルファスシリコン膜で構成され、前記第１のアモルファスシリコン膜の屈折率は、前記第２のアモルファスシリコン膜の屈折率よりも低い。
（４）（１）において、前記可動シャッタは、前記第２基板上に形成され、前記可動シャッタの前記アモルファスシリコンは、前記第２基板側から、第１のアモルファスシリコン膜と、前記第１のアモルファスシリコン膜上に積層される第２のアモルファスシリコン膜の２つのアモルファスシリコンで構成され、前記第１のアモルファスシリコン膜のシート抵抗値は、前記第２のアモルファスシリコン膜のシート抵抗値よりも低い。
（５）（１）において、前記可動シャッタは、前記第２基板上に形成され、前記可動シャッタの前記アモルファスシリコンは、前記第２基板側から、第１のアモルファスシリコン膜と、前記第１のアモルファスシリコン膜上に積層される第２のアモルファスシリコン膜の２つのアモルファスシリコン膜で構成され、前記第１のアモルファスシリコン膜のシート抵抗値は、前記第２のアモルファスシリコン膜のシート抵抗値よりも高い。
（６）（１）において、前記可動シャッタは、前記第２基板上に形成され、前記可動シャッタの前記アモルファスシリコンは、前記第２基板側から、第１のアモルファスシリコン膜と、前記第１のアモルファスシリコン膜上に積層される第２のアモルファスシリコン膜と、前記第２のアモルファスシリコン膜上に積層される第３のアモルファスシリコン膜の３つのアモルファスシリコン膜で構成され、前記第１および第３のアモルファスシリコン膜の屈折率は、前記第２のアモルファスシリコン膜の屈折率よりも高い。
（５）（１）において、前記可動シャッタは、前記第２基板上に形成され、前記可動シャッタの前記アモルファスシリコンは、前記第２基板側から、第１のアモルファスシリコン膜と、前記第１のアモルファスシリコン膜上に積層される第２のアモルファスシリコン膜の２つのアモルファスシリコン膜で構成され、前記第１のアモルファスシリコン膜のシート抵抗値は、前記第２のアモルファスシリコン膜のシート抵抗値よりも高い。
（６）（１）において、前記可動シャッタは、前記第２基板上に形成され、前記可動シャッタの前記アモルファスシリコンは、前記第２基板側から、第１のアモルファスシリコン膜と、前記第１のアモルファスシリコン膜上に積層される第２のアモルファスシリコン膜と、前記第２のアモルファスシリコン膜上に積層される第３のアモルファスシリコン膜の３つのアモルファスシリコン膜で構成され、前記第１および第３のアモルファスシリコン膜の屈折率は、前記第２のアモルファスシリコン膜の屈折率よりも高い。
（７）（１）において、前記可動シャッタは、前記第２基板上に形成され、前記可動シャッタの前記アモルファスシリコンは、前記第２基板側から、第１のアモルファスシリコン膜と、前記第１のアモルファスシリコン膜上に積層される第２のアモルファスシリコン膜と、前記第２のアモルファスシリコン膜上に積層される第３のアモルファスシリコン膜の３つのアモルファスシリコン膜で構成され、前記第１および第３のアモルファスシリコン膜の屈折率は、前記第２のアモルファスシリコン膜の屈折率よりも低い。
（８）（１）において、前記可動シャッタは、前記第２基板上に形成され、前記可動シャッタの前記アモルファスシリコンは、前記第２基板側から、第１のアモルファスシリコン膜と、前記第１のアモルファスシリコン膜上に積層される第２のアモルファスシリコン膜と、前記第２のアモルファスシリコン膜上に積層される第３のアモルファスシリコン膜の３つのアモルファスシリコン膜で構成され、前記第１および第３のアモルファスシリコン膜のシート抵抗値は、前記第２のアモルファスシリコン膜のシート抵抗値よりも低い。
（９）（１）において、前記可動シャッタは、前記第２基板上に形成され、前記可動シャッタの前記アモルファスシリコンは、前記第２基板側から、第１のアモルファスシリコン膜と、前記第１のアモルファスシリコン膜上に積層される第２のアモルファスシリコン膜と、前記第２のアモルファスシリコン膜上に積層される第３のアモルファスシリコン膜の３つのアモルファスシリコン膜で構成され、前記第１および第３のアモルファスシリコン膜のシート抵抗値は、前記第２のアモルファスシリコン膜のシート抵抗値よりも高い。
（１０）（１）ないし（９）の何れかにおいて、前記可動シャッタは、前記第１基板と対向する側の面上に形成されるメタル層を有する。
（１１）（１）ないし（１０）の何れかにおいて、前記可動シャッタは、遮蔽部と、前記遮蔽部に接続されるバネ部と、前記バネ部に接続されるアンカー部とを有し、前記アンカー部は、前記第２基板上に固定され、前記遮蔽部と前記遮蔽部とを支持する。
（８）（１）において、前記可動シャッタは、前記第２基板上に形成され、前記可動シャッタの前記アモルファスシリコンは、前記第２基板側から、第１のアモルファスシリコン膜と、前記第１のアモルファスシリコン膜上に積層される第２のアモルファスシリコン膜と、前記第２のアモルファスシリコン膜上に積層される第３のアモルファスシリコン膜の３つのアモルファスシリコン膜で構成され、前記第１および第３のアモルファスシリコン膜のシート抵抗値は、前記第２のアモルファスシリコン膜のシート抵抗値よりも低い。
（９）（１）において、前記可動シャッタは、前記第２基板上に形成され、前記可動シャッタの前記アモルファスシリコンは、前記第２基板側から、第１のアモルファスシリコン膜と、前記第１のアモルファスシリコン膜上に積層される第２のアモルファスシリコン膜と、前記第２のアモルファスシリコン膜上に積層される第３のアモルファスシリコン膜の３つのアモルファスシリコン膜で構成され、前記第１および第３のアモルファスシリコン膜のシート抵抗値は、前記第２のアモルファスシリコン膜のシート抵抗値よりも高い。
（１０）（１）ないし（９）の何れかにおいて、前記可動シャッタは、前記第１基板と対向する側の面上に形成されるメタル層を有する。
（１１）（１）ないし（１０）の何れかにおいて、前記可動シャッタは、遮蔽部と、前記遮蔽部に接続されるバネ部と、前記バネ部に接続されるアンカー部とを有し、前記アンカー部は、前記第２基板上に固定され、前記遮蔽部と前記遮蔽部とを支持する。
（１２）第１基板と、第２基板とを有する表示パネルを有し、前記表示パネルは、複数の画素を有し、前記各画素は、可動シャッタと、前記可動シャッタを駆動する駆動回路とを有し、前記可動シャッタは、アモルファスシリコンで構成される表示装置の製造方法であって、前記第１基板上に、所定形状の第１のレジスト膜を形成する工程１と、前記工程１で形成された第１のレジスト膜上に、少なくとも２つのアモルファスシリコン膜を形成する工程２と、前記少なくとも２つのアモルファスシリコン膜上に所定形状の第２のレジスト膜を形成する工程３と、前記第２のレジストをマスクにして、前記少なくとも２つのアモルファスシリコン膜をエッチングする工程４と、前記工程１で形成した第１レジスト膜を削除する工程５とを有し、前記工程２において形成される前記少なくとも２つのアモルファスシリコン膜の中で、互いに隣接する２つのアモルファスシリコン膜を、アモルファスシリコン膜Ａと、前記アモルファスシリコン層Ａ上に積層されるアモルファスシリコン膜Ｂとするとき、アモルファスシリコン膜Ａと前記モルファスシリコン膜Ｂとは、異なる成膜生成条件下で形成される。
（１３）（１２）において、前記工程２は、前記工程１で形成された第１のレジスト膜上に、第１のアモルファスシリコン膜を形成する工程２１と、前記工程２１とは異なる成膜生成条件下で、第２のアモルファスシリコン膜を形成する工程２２とを有する。
（１４）（１２）において、前記工程２は、前記工程１で形成された第１のレジスト膜上に、第１のアモルファスシリコン膜を形成する工程２１と、前記工程２１とは異なる成膜生成条件下で、第２のアモルファスシリコン膜を形成する工程２２と、前記工程２２とは異なる成膜生成条件下で、第３のアモルファスシリコン膜を形成する工程２３とを有する。
（１５）（１２）ないし（１４）の何れかにおいて、前記工程２で形成されたアモルファスシリコン膜上に、金属膜を形成する工程を有し、前記工程３において、前記アモルファスシリコン膜上に形成された金属膜上に第２のレジスト膜を形成し、前記工程４は、前記第２のレジストをマスクにして、前記工程２で形成されたアモルファスシリコン膜と金属膜をエッチングする工程である。
（１３）（１２）において、前記工程２は、前記工程１で形成された第１のレジスト膜上に、第１のアモルファスシリコン膜を形成する工程２１と、前記工程２１とは異なる成膜生成条件下で、第２のアモルファスシリコン膜を形成する工程２２とを有する。
（１４）（１２）において、前記工程２は、前記工程１で形成された第１のレジスト膜上に、第１のアモルファスシリコン膜を形成する工程２１と、前記工程２１とは異なる成膜生成条件下で、第２のアモルファスシリコン膜を形成する工程２２と、前記工程２２とは異なる成膜生成条件下で、第３のアモルファスシリコン膜を形成する工程２３とを有する。
（１５）（１２）ないし（１４）の何れかにおいて、前記工程２で形成されたアモルファスシリコン膜上に、金属膜を形成する工程を有し、前記工程３において、前記アモルファスシリコン膜上に形成された金属膜上に第２のレジスト膜を形成し、前記工程４は、前記第２のレジストをマスクにして、前記工程２で形成されたアモルファスシリコン膜と金属膜をエッチングする工程である。
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである。
本発明によれば、可動シャッタ方式のディスプレイにおいて、可動シャッタを、低応力で安定したアモルファスシリコン膜で形成することが可能となる。
本発明によれば、可動シャッタ方式のディスプレイにおいて、可動シャッタを、低応力で安定したアモルファスシリコン膜で形成することが可能となる。
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する。
なお、実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。また、以下の実施例は、本発明の特許請求の範囲の解釈を限定するためのものではない。
［本発明の前提となる表示装置］
図１は、本発明の前提となる表示装置の表示パネルの概略構成を示すブロック図である。図１において、１００は表示パネルであり、表示パネル１００は、走査線駆動回路１０４と、映像線駆動回路１０２とを有する。表示パネル１００には、フレキシブル基板１０３を介して外部から、表示データ、表示制御信号が入力される。
図１において、１０１は表示領域であり、表示領域１０１には、走査線駆動回路１０４から選択走査信号を供給される複数の走査線（ｇ１，ｇ２，ｇ３，…）と、映像線駆動回路からデータ電圧が供給される複数の映像線（ｄ１，ｄ２，ｄ３，…）が配置される。
液晶表示パネル等と同様、走査線（ｇ１，ｇ２，ｇ３，…）と、映像線（ｄ１，ｄ２，ｄ３，…）とが交差する位置に画素が配置される。
なお、走査線駆動回路１０４と、映像線駆動回路１０２とは、基板上に実装された半導体チップに搭載される回路で構成してもよく、あるいは、走査線駆動回路１０４と、映像線駆動回路１０２とは、基板上に形成された、半導体層が多結晶シリコン層で構成される薄膜トランジスタで構成してもよい。
なお、実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。また、以下の実施例は、本発明の特許請求の範囲の解釈を限定するためのものではない。
［本発明の前提となる表示装置］
図１は、本発明の前提となる表示装置の表示パネルの概略構成を示すブロック図である。図１において、１００は表示パネルであり、表示パネル１００は、走査線駆動回路１０４と、映像線駆動回路１０２とを有する。表示パネル１００には、フレキシブル基板１０３を介して外部から、表示データ、表示制御信号が入力される。
図１において、１０１は表示領域であり、表示領域１０１には、走査線駆動回路１０４から選択走査信号を供給される複数の走査線（ｇ１，ｇ２，ｇ３，…）と、映像線駆動回路からデータ電圧が供給される複数の映像線（ｄ１，ｄ２，ｄ３，…）が配置される。
液晶表示パネル等と同様、走査線（ｇ１，ｇ２，ｇ３，…）と、映像線（ｄ１，ｄ２，ｄ３，…）とが交差する位置に画素が配置される。
なお、走査線駆動回路１０４と、映像線駆動回路１０２とは、基板上に実装された半導体チップに搭載される回路で構成してもよく、あるいは、走査線駆動回路１０４と、映像線駆動回路１０２とは、基板上に形成された、半導体層が多結晶シリコン層で構成される薄膜トランジスタで構成してもよい。
図２は、本発明の前提となる表示装置の表示原理を説明するための図である。
図２に示すように、第１基板２００の表示領域１０１には、開口２０１が複数形成されており、各開口の開閉を可動シャッタ２０２で制御する。
なお、図２では、全開口が開いた状態であるが、可動シャッタ２０２が対応する開口２０１を覆えば、閉状態になる。例えば、可動シャッタ２０２が対応する開口２０１を開いた状態において、バックライト光が透過となり画素が発光状態となり、可動シャッタ２０２が対応する開口２０１を覆った状態において、バックライト光が非透過となり画素が非発光状態となる。これにより、画像を表示する。
図３は、本発明の前提となる表示装置の一例の断面構造を説明するための模式図であり、図４は、本発明の前提となる表示装置の他の例の断面構造を説明するための模式図である。
図３、図４において、１１１は第１基板（対向基板）、１１３は第２基板（ＭＥＭＳ基板）である。第１基板１１１上には、開口２０１を除いて、遮光膜１１２が形成される。また、図３に示すように、第１基板１１１側にバックライト（ＢＬ）が配置される。
第２基板１１３上には、ＴＦＴ回路形成部１１４が設けられる。このＴＦＴ回路形成部１１４には、図示しないラッチ回路などが形成される。なお、ＴＦＴ回路形成部１１４の各トランジスタは、半導体層が多結晶シリコン層で構成される薄膜トランジスタで形成される。
ＴＦＴ回路形成部１１４上には、可動シャッタ１１８が配置される。この可動シャッタ１１８には、コンタクト部１１７を介して所定の電圧が供給される。
図２に示すように、第１基板２００の表示領域１０１には、開口２０１が複数形成されており、各開口の開閉を可動シャッタ２０２で制御する。
なお、図２では、全開口が開いた状態であるが、可動シャッタ２０２が対応する開口２０１を覆えば、閉状態になる。例えば、可動シャッタ２０２が対応する開口２０１を開いた状態において、バックライト光が透過となり画素が発光状態となり、可動シャッタ２０２が対応する開口２０１を覆った状態において、バックライト光が非透過となり画素が非発光状態となる。これにより、画像を表示する。
図３は、本発明の前提となる表示装置の一例の断面構造を説明するための模式図であり、図４は、本発明の前提となる表示装置の他の例の断面構造を説明するための模式図である。
図３、図４において、１１１は第１基板（対向基板）、１１３は第２基板（ＭＥＭＳ基板）である。第１基板１１１上には、開口２０１を除いて、遮光膜１１２が形成される。また、図３に示すように、第１基板１１１側にバックライト（ＢＬ）が配置される。
第２基板１１３上には、ＴＦＴ回路形成部１１４が設けられる。このＴＦＴ回路形成部１１４には、図示しないラッチ回路などが形成される。なお、ＴＦＴ回路形成部１１４の各トランジスタは、半導体層が多結晶シリコン層で構成される薄膜トランジスタで形成される。
ＴＦＴ回路形成部１１４上には、可動シャッタ１１８が配置される。この可動シャッタ１１８には、コンタクト部１１７を介して所定の電圧が供給される。
図３では、ＴＦＴ回路形成部１１４上に、電極１１６が設けられる。電極１１６には、コンタクト部１１５を介して、図示しないラッチ回路から出力される２つの出力電圧の中の一方の出力電圧が供給される。図３では、可動シャッタ１１８と、電極１１６との間に電界を印加することで、可動シャッタ１１８を、電極１１６側に移動させる。
図４では、ＴＦＴ回路形成部１１４上に、電極１１６と電極１２２とが設けられる。電極１１６には、コンタクト部１１５を介して、図示しないラッチ回路から出力される２つの出力電圧の中の一方の出力電圧が供給され、電極１２２には、コンタクト部１２１を介して、図示しないラッチ回路から出力される２つの出力電圧の中の他方の出力電圧が供給される。
図４では、可動シャッタ１１８と、電極１１６との間に電界を印加することで、可動シャッタ１１８を、電極１１６側に移動させ、同様に、可動シャッタ１１８と電極１２２との間に電界を印加することで、可動シャッタ１１８を電極１２２側に移動させる。
なお、図３、図４において、１１９はシール材であり、１２０は、シール材１１９とＴＦＴ回路形成部１１４との間に配置されるコンタクト部である。また、図３、図４では、１画素のみの構造を図示している。
図４では、ＴＦＴ回路形成部１１４上に、電極１１６と電極１２２とが設けられる。電極１１６には、コンタクト部１１５を介して、図示しないラッチ回路から出力される２つの出力電圧の中の一方の出力電圧が供給され、電極１２２には、コンタクト部１２１を介して、図示しないラッチ回路から出力される２つの出力電圧の中の他方の出力電圧が供給される。
図４では、可動シャッタ１１８と、電極１１６との間に電界を印加することで、可動シャッタ１１８を、電極１１６側に移動させ、同様に、可動シャッタ１１８と電極１２２との間に電界を印加することで、可動シャッタ１１８を電極１２２側に移動させる。
なお、図３、図４において、１１９はシール材であり、１２０は、シール材１１９とＴＦＴ回路形成部１１４との間に配置されるコンタクト部である。また、図３、図４では、１画素のみの構造を図示している。
図５は、図４に示す可動シャッタ１１８の一例を説明するための斜視図であり、図６は、図５に示す可動シャッタの平面図である。
図５、図６において、２１１は可動シャッタの遮蔽部、２１２は可動シャッタの開口部、２１３は第１バネ、２１４は第２バネ、２１５，２１６はアンカー部である。
アンカー部２１５は、可動シャッタの遮蔽部２１１と、第１バネ２１３を第２基板１１３への固定するための手段と、可動シャッタの遮蔽部２１１と、第１バネ２１３へのＴＦＴ回路形成部１１４からの給電箇所を兼用する。ここで、第１バネ２１３により、可動シャッタの遮蔽部２１１と、可動シャッタの開口部２１２は、空中に浮くように配置される。
また、第１バネ２１３は、電極１１６と電極１２２とを構成する。アンカー部２１６は、第２バネ２１４を第２基板１１３への固定するための手段と、第２バネ２１４へのＴＦＴ回路形成部１１４からの給電箇所を兼用する。
第１バネ２１３と第２バネ２１４との間に電界を印加することにより、第１バネ２１３が第２バネ２１４側に移動することにより、可動シャッタの遮蔽部２１１と、可動シャッタの開口部２１２が移動する。
図５、図６に示す可動シャッタでは、可動シャッタの遮蔽部２１１で、第１基板１１１に形成された開口２０１を覆うことで、画素を非点灯状態とする。
本発明の前提となる可動シャッタ方式のディスプレイでは、可動シャッタに電気信号を入力する必要があるため、可動シャッタは、不純物をドープしたアモルファスシリコン膜（以下、ｎ＋ａ−Ｓｉ膜という）で構成される。
図５、図６において、２１１は可動シャッタの遮蔽部、２１２は可動シャッタの開口部、２１３は第１バネ、２１４は第２バネ、２１５，２１６はアンカー部である。
アンカー部２１５は、可動シャッタの遮蔽部２１１と、第１バネ２１３を第２基板１１３への固定するための手段と、可動シャッタの遮蔽部２１１と、第１バネ２１３へのＴＦＴ回路形成部１１４からの給電箇所を兼用する。ここで、第１バネ２１３により、可動シャッタの遮蔽部２１１と、可動シャッタの開口部２１２は、空中に浮くように配置される。
また、第１バネ２１３は、電極１１６と電極１２２とを構成する。アンカー部２１６は、第２バネ２１４を第２基板１１３への固定するための手段と、第２バネ２１４へのＴＦＴ回路形成部１１４からの給電箇所を兼用する。
第１バネ２１３と第２バネ２１４との間に電界を印加することにより、第１バネ２１３が第２バネ２１４側に移動することにより、可動シャッタの遮蔽部２１１と、可動シャッタの開口部２１２が移動する。
図５、図６に示す可動シャッタでは、可動シャッタの遮蔽部２１１で、第１基板１１１に形成された開口２０１を覆うことで、画素を非点灯状態とする。
本発明の前提となる可動シャッタ方式のディスプレイでは、可動シャッタに電気信号を入力する必要があるため、可動シャッタは、不純物をドープしたアモルファスシリコン膜（以下、ｎ＋ａ−Ｓｉ膜という）で構成される。
［実施例］
図７は、本発明の実施例の可動シャッタを説明するための図であり、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は側面図である。
本願実施例の可動シャッタ１１８は、２２２のアンカー部と、２２０と２２１の接続部を設けた点で、図５に示す可動シャッタ１１８と相違する。
本実施例では、２１５，２２２のアンカー部のいずれかに、ＴＦＴ回路形成部１１４から給電することにより、可動シャッタ１１８に給電することができる。
本実施例でも、可動シャッタは、不純物をドープしたｎ＋ａ−Ｓｉ膜で構成されるが、本実施例では、可動シャッタを構成するｎ＋ａ−Ｓｉ膜は、少なくとも２つのアモルファスシリコン膜が積層されて構成され、互いに隣接する２つのアモルファスシリコン膜を、アモルファスシリコン膜Ａと、前記アモルファスシリコン層Ａ上に積層されるアモルファスシリコン膜Ｂとするとき、アモルファスシリコン膜Ａと前記モルファスシリコン膜Ｂとは、特性値が異なっていることを特徴とする。
例えば、図８（ａ）に示すように、本実施例では、可動シャッタは、シート抵抗値が低抵抗のｎ＋ａ−Ｓｉ膜１０と、シート抵抗値が高抵抗なｎ＋ａ−Ｓｉ膜１１との２つのｎ＋ａ−Ｓｉ膜が積層されて構成される。なお、図８において、１３は反射膜を構成する金属膜である。
シート抵抗値が低抵抗なｎ＋ａ−Ｓｉ膜は、緻密な膜となり圧縮応力の強い膜となるので、例えば、可動シャッタを、シート抵抗値が低抵抗なｎ＋ａ−Ｓｉ膜で構成する場合、最悪の場合、図９に示すように、可動シャッタが変形し、可動シャッタの移動部がＴＦＴ回路形成部１１４に接触して、駆動ができなくなる恐れがある。
また、図１０に示すように、圧縮応力（ＭＰａ）が、「０」近傍のｎ＋ａ−Ｓｉ膜は、シート抵抗値が低抵抗のものと、シート抵抗値が高抵抗のものとが混在し不安定な膜となる。
図７は、本発明の実施例の可動シャッタを説明するための図であり、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は側面図である。
本願実施例の可動シャッタ１１８は、２２２のアンカー部と、２２０と２２１の接続部を設けた点で、図５に示す可動シャッタ１１８と相違する。
本実施例では、２１５，２２２のアンカー部のいずれかに、ＴＦＴ回路形成部１１４から給電することにより、可動シャッタ１１８に給電することができる。
本実施例でも、可動シャッタは、不純物をドープしたｎ＋ａ−Ｓｉ膜で構成されるが、本実施例では、可動シャッタを構成するｎ＋ａ−Ｓｉ膜は、少なくとも２つのアモルファスシリコン膜が積層されて構成され、互いに隣接する２つのアモルファスシリコン膜を、アモルファスシリコン膜Ａと、前記アモルファスシリコン層Ａ上に積層されるアモルファスシリコン膜Ｂとするとき、アモルファスシリコン膜Ａと前記モルファスシリコン膜Ｂとは、特性値が異なっていることを特徴とする。
例えば、図８（ａ）に示すように、本実施例では、可動シャッタは、シート抵抗値が低抵抗のｎ＋ａ−Ｓｉ膜１０と、シート抵抗値が高抵抗なｎ＋ａ−Ｓｉ膜１１との２つのｎ＋ａ−Ｓｉ膜が積層されて構成される。なお、図８において、１３は反射膜を構成する金属膜である。
シート抵抗値が低抵抗なｎ＋ａ−Ｓｉ膜は、緻密な膜となり圧縮応力の強い膜となるので、例えば、可動シャッタを、シート抵抗値が低抵抗なｎ＋ａ−Ｓｉ膜で構成する場合、最悪の場合、図９に示すように、可動シャッタが変形し、可動シャッタの移動部がＴＦＴ回路形成部１１４に接触して、駆動ができなくなる恐れがある。
また、図１０に示すように、圧縮応力（ＭＰａ）が、「０」近傍のｎ＋ａ−Ｓｉ膜は、シート抵抗値が低抵抗のものと、シート抵抗値が高抵抗のものとが混在し不安定な膜となる。
これに対して、本実施例では、図８（ａ）に示すように、可動シャッタが、シート抵抗値が低抵抗のｎ＋ａ−Ｓｉ膜１０と、シート抵抗値が高抵抗なｎ＋ａ−Ｓｉ膜１１とが積層されて構成される。
図１０に示すように、シート抵抗値が低抵抗のｎ＋ａ−Ｓｉ膜１０は、圧縮応力の強い膜となり、シート抵抗値が高抵抗のｎ＋ａ−Ｓｉ膜１１は、引張応力の強い膜となる。そこで、ｎ＋ａ−Ｓｉ膜１０の膜厚と、ｎ＋ａ−Ｓｉ膜１１の膜厚とを制御することにより、ｎ＋ａ−Ｓｉ膜全体で、膜応力（ＭＰａ）の「０」近傍の値とすることができる。さらに、ｎ＋ａ−Ｓｉ膜全体のシート抵抗値は、シート抵抗値が低抵抗のｎ＋ａ−Ｓｉ膜１０で決定されるので、本実施例では、ｎ＋ａ−Ｓｉ膜全体のシート抵抗値と、膜応力（ＭＰａ）とを個別に制御することができるので、成膜条件のウィンドウを広げることができる。
なお、図１０は、ｎ＋ａ−Ｓｉ膜の膜応力（ＭＰａ）と、シート抵抗値（Ω／□）の関係を示すグラフである。
特に、シート抵抗値が低抵抗なｎ＋ａ−Ｓｉ膜１０を、下層とすることにより、アンカー部（２１５，２２２）の、ＴＦＴ回路形成部１１４と接触する側のシート抵抗値を低抵抗とすることができるので、可動シャッタを動作させるために、アンカー部（２１５，２２２）に入力する電圧を低くすることができる。なお、前述の説明において、シート抵抗値は、１０Ｍ（Ω/□）未満であれば低抵抗、１０Ｍ（Ω/□）以上であれば高抵抗としている。
なお、シート抵抗値が低抵抗のｎ＋ａ−Ｓｉ膜１０は、緻密な膜となり、シート抵抗値が高抵抗のｎ＋ａ−Ｓｉ膜１１は、それほど緻密な膜ではないので、ｎ＋ａ−Ｓｉ膜１０と、ｎ＋ａ−Ｓｉ膜１１とは、屈折率が異なることになる。即ち、シート抵抗値が低抵抗のｎ＋ａ−Ｓｉ膜１０は、緻密な膜となるので、その屈折率は、シート抵抗値が高抵抗のｎ＋ａ−Ｓｉ膜１１の屈折率よりも高くなる。
図１０に示すように、シート抵抗値が低抵抗のｎ＋ａ−Ｓｉ膜１０は、圧縮応力の強い膜となり、シート抵抗値が高抵抗のｎ＋ａ−Ｓｉ膜１１は、引張応力の強い膜となる。そこで、ｎ＋ａ−Ｓｉ膜１０の膜厚と、ｎ＋ａ−Ｓｉ膜１１の膜厚とを制御することにより、ｎ＋ａ−Ｓｉ膜全体で、膜応力（ＭＰａ）の「０」近傍の値とすることができる。さらに、ｎ＋ａ−Ｓｉ膜全体のシート抵抗値は、シート抵抗値が低抵抗のｎ＋ａ−Ｓｉ膜１０で決定されるので、本実施例では、ｎ＋ａ−Ｓｉ膜全体のシート抵抗値と、膜応力（ＭＰａ）とを個別に制御することができるので、成膜条件のウィンドウを広げることができる。
なお、図１０は、ｎ＋ａ−Ｓｉ膜の膜応力（ＭＰａ）と、シート抵抗値（Ω／□）の関係を示すグラフである。
特に、シート抵抗値が低抵抗なｎ＋ａ−Ｓｉ膜１０を、下層とすることにより、アンカー部（２１５，２２２）の、ＴＦＴ回路形成部１１４と接触する側のシート抵抗値を低抵抗とすることができるので、可動シャッタを動作させるために、アンカー部（２１５，２２２）に入力する電圧を低くすることができる。なお、前述の説明において、シート抵抗値は、１０Ｍ（Ω/□）未満であれば低抵抗、１０Ｍ（Ω/□）以上であれば高抵抗としている。
なお、シート抵抗値が低抵抗のｎ＋ａ−Ｓｉ膜１０は、緻密な膜となり、シート抵抗値が高抵抗のｎ＋ａ−Ｓｉ膜１１は、それほど緻密な膜ではないので、ｎ＋ａ−Ｓｉ膜１０と、ｎ＋ａ−Ｓｉ膜１１とは、屈折率が異なることになる。即ち、シート抵抗値が低抵抗のｎ＋ａ−Ｓｉ膜１０は、緻密な膜となるので、その屈折率は、シート抵抗値が高抵抗のｎ＋ａ−Ｓｉ膜１１の屈折率よりも高くなる。
図１１ないし図１３は、本実施例の可動シャッタの製造工程を説明するための図である。
以下、図１１ないし図１３を用いて、本実施例の可動シャッタの製造方法について説明する。
まず始めに、第２基板１１３上に、ＴＦＴ回路形成部１１４を形成する。（図１１の（ａ））
次に、ＴＦＴ回路形成部１１４上に、ホトリソグラフィ技術により、アンカーレジスト膜３１と可動シャッタ用レジスト膜３２とを形成する。（図１１の（ｂ））
次に、アンカーレジスト膜３１と可動シャッタ用レジスト膜３２上に、ＣＶＤ法により、第１のｎ＋ａ−Ｓｉ膜３３を形成する。（図１１（ｃ））この工程では、シート抵抗値が低抵抗で、圧縮応力の強いｎ＋ａ−Ｓｉ膜を形成する。
次に、第１のｎ＋ａ−Ｓｉ膜３３上に、生成条件を変更して、ＣＶＤ法により、第２のｎ＋ａ−Ｓｉ膜３４を形成する。（図１１（ｄ））この工程では、シート抵抗値が高抵抗で、引張応力の強いｎ＋ａ−Ｓｉ膜を形成する。
ここで、第１のｎ＋ａ−Ｓｉ膜３３と、第２のｎ＋ａ−Ｓｉ膜３４とは、成膜生成条件の変更することにより、同一処理室で連続して成膜を行う。
例えば、第１のｎ＋ａ−Ｓｉ膜３３と、第２のｎ＋ａ−Ｓｉ膜３４とは、以下の表１に示す成膜生成条件により生成される。
以下、図１１ないし図１３を用いて、本実施例の可動シャッタの製造方法について説明する。
まず始めに、第２基板１１３上に、ＴＦＴ回路形成部１１４を形成する。（図１１の（ａ））
次に、ＴＦＴ回路形成部１１４上に、ホトリソグラフィ技術により、アンカーレジスト膜３１と可動シャッタ用レジスト膜３２とを形成する。（図１１の（ｂ））
次に、アンカーレジスト膜３１と可動シャッタ用レジスト膜３２上に、ＣＶＤ法により、第１のｎ＋ａ−Ｓｉ膜３３を形成する。（図１１（ｃ））この工程では、シート抵抗値が低抵抗で、圧縮応力の強いｎ＋ａ−Ｓｉ膜を形成する。
次に、第１のｎ＋ａ−Ｓｉ膜３３上に、生成条件を変更して、ＣＶＤ法により、第２のｎ＋ａ−Ｓｉ膜３４を形成する。（図１１（ｄ））この工程では、シート抵抗値が高抵抗で、引張応力の強いｎ＋ａ−Ｓｉ膜を形成する。
ここで、第１のｎ＋ａ−Ｓｉ膜３３と、第２のｎ＋ａ−Ｓｉ膜３４とは、成膜生成条件の変更することにより、同一処理室で連続して成膜を行う。
例えば、第１のｎ＋ａ−Ｓｉ膜３３と、第２のｎ＋ａ−Ｓｉ膜３４とは、以下の表１に示す成膜生成条件により生成される。
次に、第２のｎ＋ａ−Ｓｉ膜３４上に、反射膜として機能する金属膜（ＡＬＳｉ）３５を形成する。（図１２（ａ））
次に、金属膜３５上に、可動シャッタパターンを形成するためのレジスト膜３６を形成する。（図１２（ｂ））
次に、レジスト膜３６をマスクにして、エッチングを施し、第１のｎ＋ａ−Ｓｉ膜１０と、第２のｎ＋ａ−Ｓｉ膜１１と、金属膜１３とで構成される可動シャッタパターンを形成する。（図１３（ａ））
最後に、ＴＦＴ回路形成部１１４上に、形成したアンカーレジスト膜３１と可動シャッタ用レジスト膜３２とを除去して、遮蔽部２１１、第１バネ２１３、アンカー部（２１５，２２２）、接続部（２２０，２２１）を有する可動シャッタを形成する。（図１１の（ｂ））
次に、金属膜３５上に、可動シャッタパターンを形成するためのレジスト膜３６を形成する。（図１２（ｂ））
次に、レジスト膜３６をマスクにして、エッチングを施し、第１のｎ＋ａ−Ｓｉ膜１０と、第２のｎ＋ａ−Ｓｉ膜１１と、金属膜１３とで構成される可動シャッタパターンを形成する。（図１３（ａ））
最後に、ＴＦＴ回路形成部１１４上に、形成したアンカーレジスト膜３１と可動シャッタ用レジスト膜３２とを除去して、遮蔽部２１１、第１バネ２１３、アンカー部（２１５，２２２）、接続部（２２０，２２１）を有する可動シャッタを形成する。（図１１の（ｂ））
なお、前述の説明では、可動シャッタを構成するアモルファスシリコン膜が、下層（第２基板１１３側）が、シート抵抗値が低抵抗なｎ＋ａ−Ｓｉ膜１０からなり、上層が、シート抵抗値が高抵抗なｎ＋ａ−Ｓｉ膜１１からなる２層構造の場合について説明したが、単に、可動シャッタを、膜応力（ＭＰａ）が「０」近傍の値で、安定したシート抵抗値を有するアモルファスシリコン膜で形成する場合であれば、下層（第２基板１１３側）が、シート抵抗値が高抵抗なｎ＋ａ−Ｓｉ膜１１で、上層が、シート抵抗値が低抵抗なｎ＋ａ−Ｓｉ膜１０からなる２層構造であってもよい。
また、図８の（ｂ）に示すように、可動シャッタを構成するアモルファスシリコン膜は、第２基板１１３側から、シート抵抗値が低抵抗なｎ＋ａ−Ｓｉ膜１０、シート抵抗値が高抵抗なｎ＋ａ−Ｓｉ膜１１、シート抵抗値が低抵抗なｎ＋ａ−Ｓｉ膜１０の３層構造でも、あるいは、図８の（ｃ）に示すように、シート抵抗値が高い抵抗なｎ＋ａ−Ｓｉ膜１１、シート抵抗値が低抵抗なｎ＋ａ−Ｓｉ膜１０、シート抵抗値が高抵抗なｎ＋ａ−Ｓｉ膜１１の３層構造であってもよい。
さらには、可動シャッタを構成するアモルファスシリコン膜は、互いに隣接する２つのｎ＋ａ−Ｓｉ膜の特性値が異なる、４層以上のｎ＋ａ−Ｓｉ膜の積層構成であってもよい。
また、図８の（ｂ）に示すように、可動シャッタを構成するアモルファスシリコン膜は、第２基板１１３側から、シート抵抗値が低抵抗なｎ＋ａ−Ｓｉ膜１０、シート抵抗値が高抵抗なｎ＋ａ−Ｓｉ膜１１、シート抵抗値が低抵抗なｎ＋ａ−Ｓｉ膜１０の３層構造でも、あるいは、図８の（ｃ）に示すように、シート抵抗値が高い抵抗なｎ＋ａ−Ｓｉ膜１１、シート抵抗値が低抵抗なｎ＋ａ−Ｓｉ膜１０、シート抵抗値が高抵抗なｎ＋ａ−Ｓｉ膜１１の３層構造であってもよい。
さらには、可動シャッタを構成するアモルファスシリコン膜は、互いに隣接する２つのｎ＋ａ−Ｓｉ膜の特性値が異なる、４層以上のｎ＋ａ−Ｓｉ膜の積層構成であってもよい。
以上説明したように、本実施例によれば、以下のような作用・効果を得ることが可能である。
（１）可動シャッタを構成するｎ＋ａ−Ｓｉ膜を、多層積層化することで、ｎ＋ａ−Ｓｉ膜全体の膜応力を制御することが可能となる。即ち、シート抵抗値が低抵抗（圧縮応力）なｎ＋ａ−Ｓｉ膜と、シート抵抗値が低抵抗（引張応力）を積層し、それぞれの膜厚を制御することで膜全体の応力制御が可能となる。
（２）特に、可動シャッタを構成するｎ＋ａ−Ｓｉ膜を２層積層化することで、下層部のシート抵抗値が低抵抗のｎ＋ａ−Ｓｉ膜により、ＴＦＴ回路形成部１１４から電気信号を受けとり、上層部に、引っ張り応力のかかったシート抵抗値が高抵抗のｎ＋ａ−Ｓｉ膜を積層することで、膜全体では引張応力のかかったシート抵抗値が低抵抗なｎ＋ａ−Ｓｉ膜を成膜することが可能となる。
（３）可動シャッタを構成するｎ＋ａ−Ｓｉ膜を、２層積層化することにより、下層ではｎ＋ａ−Ｓｉ膜のシート抵抗値の低抵抗化の条件、上層ではシート抵抗値に関係なく引張応力の条件の成膜を行うことで、単膜でそれぞれの条件を満たす必要が無くなり成膜条件のウィンドウが広がる。
以上、本発明者によってなされた発明を、前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。
（１）可動シャッタを構成するｎ＋ａ−Ｓｉ膜を、多層積層化することで、ｎ＋ａ−Ｓｉ膜全体の膜応力を制御することが可能となる。即ち、シート抵抗値が低抵抗（圧縮応力）なｎ＋ａ−Ｓｉ膜と、シート抵抗値が低抵抗（引張応力）を積層し、それぞれの膜厚を制御することで膜全体の応力制御が可能となる。
（２）特に、可動シャッタを構成するｎ＋ａ−Ｓｉ膜を２層積層化することで、下層部のシート抵抗値が低抵抗のｎ＋ａ−Ｓｉ膜により、ＴＦＴ回路形成部１１４から電気信号を受けとり、上層部に、引っ張り応力のかかったシート抵抗値が高抵抗のｎ＋ａ−Ｓｉ膜を積層することで、膜全体では引張応力のかかったシート抵抗値が低抵抗なｎ＋ａ−Ｓｉ膜を成膜することが可能となる。
（３）可動シャッタを構成するｎ＋ａ−Ｓｉ膜を、２層積層化することにより、下層ではｎ＋ａ−Ｓｉ膜のシート抵抗値の低抵抗化の条件、上層ではシート抵抗値に関係なく引張応力の条件の成膜を行うことで、単膜でそれぞれの条件を満たす必要が無くなり成膜条件のウィンドウが広がる。
以上、本発明者によってなされた発明を、前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。
１０，３３ 低抵抗なアモルファスシリコン膜
１１，３４ 高抵抗なアモルファスシリコン膜
１３，３５金属膜
３１，３２，３６ レジスト膜
１００ 表示パネル
１０１ 表示領域
１０２ 映像線駆動回路
１０３ フレキシブル基板
１０４ 走査線駆動回路
１１１，２００ 第１基板（対向基板）
１１２ 遮光膜
１１３ 第２基板（ＭＥＭＳ基板）
１１４ ＴＦＴ回路形成部
１１５，１１７，１２０，１２１ コンタクト部
１１６，１２２ 電極
１１８，２０２ 可動シャッタ
１１９ シール材
２０１ 開口
２１１ 可動シャッタの遮蔽部
２１２ 可動シャッタの開口部
２１３ 第１バネ
２１４ 第２バネ
２１５，２１６，２２２ アンカー部
２２０，２２１ 接続部
ｄ 映像線
ｇ 走査線
１１，３４ 高抵抗なアモルファスシリコン膜
１３，３５金属膜
３１，３２，３６ レジスト膜
１００ 表示パネル
１０１ 表示領域
１０２ 映像線駆動回路
１０３ フレキシブル基板
１０４ 走査線駆動回路
１１１，２００ 第１基板（対向基板）
１１２ 遮光膜
１１３ 第２基板（ＭＥＭＳ基板）
１１４ ＴＦＴ回路形成部
１１５，１１７，１２０，１２１ コンタクト部
１１６，１２２ 電極
１１８，２０２ 可動シャッタ
１１９ シール材
２０１ 開口
２１１ 可動シャッタの遮蔽部
２１２ 可動シャッタの開口部
２１３ 第１バネ
２１４ 第２バネ
２１５，２１６，２２２ アンカー部
２２０，２２１ 接続部
ｄ 映像線
ｇ 走査線
Claims (15)
- 第１基板と、第２基板とを有する表示パネルを有し、
前記表示パネルは、複数の画素を有し、
前記各画素は、可動シャッタと、
前記可動シャッタを駆動する駆動回路とを有し、
前記可動シャッタは、アモルファスシリコンで構成される表示装置であって、
前記可動シャッタの前記アモルファスシリコンは、少なくとも２つのアモルファスシリコン膜で構成され、
前記少なくとも２つのアモルファスシリコン膜の中で、互いに隣接する２つのアモルファスシリコン膜を、アモルファスシリコン膜Ａと、前記アモルファスシリコン層Ａ上に積層されるアモルファスシリコン膜Ｂとするとき、アモルファスシリコン膜Ａと前記モルファスシリコン膜Ｂとは、特性値が異なっていることを特徴とする表示装置。 - 前記可動シャッタは、前記第２基板上に形成され、
前記可動シャッタの前記アモルファスシリコンは、前記第２基板側から、第１のアモルファスシリコン膜と、前記第１のアモルファスシリコン膜上に積層される第２のアモルファスシリコン膜の２つのアモルファスシリコン膜で構成され、
前記第１のアモルファスシリコン膜の屈折率は、前記第２のアモルファスシリコン膜の屈折率よりも高いことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。 - 前記可動シャッタは、前記第２基板上に形成され、
前記可動シャッタの前記アモルファスシリコンは、前記第２基板側から、第１のアモルファスシリコン膜と、前記第１のアモルファスシリコン膜上に積層される第２のアモルファスシリコン膜の２つのアモルファスシリコン膜で構成され、
前記第１のアモルファスシリコン膜の屈折率は、前記第２のアモルファスシリコン膜の屈折率よりも低いことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。 - 前記可動シャッタは、前記第２基板上に形成され、
前記可動シャッタの前記アモルファスシリコンは、前記第２基板側から、第１のアモルファスシリコン膜と、前記第１のアモルファスシリコン膜上に積層される第２のアモルファスシリコン膜の２つのアモルファスシリコンで構成され、
前記第１のアモルファスシリコン膜のシート抵抗値は、前記第２のアモルファスシリコン膜のシート抵抗値よりも低いことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。 - 前記可動シャッタは、前記第２基板上に形成され、
前記可動シャッタの前記アモルファスシリコンは、前記第２基板側から、第１のアモルファスシリコン膜と、前記第１のアモルファスシリコン膜上に積層される第２のアモルファスシリコン膜の２つのアモルファスシリコン膜で構成され、
前記第１のアモルファスシリコン膜のシート抵抗値は、前記第２のアモルファスシリコン膜のシート抵抗値よりも高いことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。 - 前記可動シャッタは、前記第２基板上に形成され、
前記可動シャッタの前記アモルファスシリコンは、前記第２基板側から、第１のアモルファスシリコン膜と、前記第１のアモルファスシリコン膜上に積層される第２のアモルファスシリコン膜と、前記第２のアモルファスシリコン膜上に積層される第３のアモルファスシリコン膜の３つのアモルファスシリコン膜で構成され、
前記第１および第３のアモルファスシリコン膜の屈折率は、前記第２のアモルファスシリコン膜の屈折率よりも高いことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。 - 前記可動シャッタは、前記第２基板上に形成され、
前記可動シャッタの前記アモルファスシリコンは、前記第２基板側から、第１のアモルファスシリコン膜と、前記第１のアモルファスシリコン膜上に積層される第２のアモルファスシリコン膜と、前記第２のアモルファスシリコン膜上に積層される第３のアモルファスシリコン膜の３つのアモルファスシリコン膜で構成され、
前記第１および第３のアモルファスシリコン膜の屈折率は、前記第２のアモルファスシリコン膜の屈折率よりも低いことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。 - 前記可動シャッタは、前記第２基板上に形成され、
前記可動シャッタの前記アモルファスシリコンは、前記第２基板側から、第１のアモルファスシリコン膜と、前記第１のアモルファスシリコン膜上に積層される第２のアモルファスシリコン膜と、前記第２のアモルファスシリコン膜上に積層される第３のアモルファスシリコン膜の３つのアモルファスシリコン膜で構成され、
前記第１および第３のアモルファスシリコン膜のシート抵抗値は、前記第２のアモルファスシリコン膜のシート抵抗値よりも低いことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。 - 前記可動シャッタは、前記第２基板上に形成され、
前記可動シャッタの前記アモルファスシリコンは、前記第２基板側から、第１のアモルファスシリコン膜と、前記第１のアモルファスシリコン膜上に積層される第２のアモルファスシリコン膜と、前記第２のアモルファスシリコン膜上に積層される第３のアモルファスシリコン膜の３つのアモルファスシリコン膜で構成され、
前記第１および第３のアモルファスシリコン膜のシート抵抗値は、前記第２のアモルファスシリコン膜のシート抵抗値よりも高いことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。 - 前記可動シャッタは、前記第１基板と対向する側の面上に形成されるメタル層を有することを特徴とする請求項１ないし請求項９に記載に記載の表示装置。
- 前記可動シャッタは、遮蔽部と、
前記遮蔽部に接続されるバネ部と、
前記バネ部に接続されるアンカー部とを有し、
前記アンカー部は、前記第２基板上に固定され、前記遮蔽部と前記遮蔽部とを支持することを特徴とする請求項１ないし請求項１０に記載に記載の表示装置。 - 第１基板と、第２基板とを有する表示パネルを有し、
前記表示パネルは、複数の画素を有し、
前記各画素は、可動シャッタと、
前記可動シャッタを駆動する駆動回路とを有し、
前記可動シャッタは、アモルファスシリコンで構成される表示装置の製造方法であって、
前記第１基板上に、所定形状の第１のレジスト膜を形成する工程１と、
前記工程１で形成された第１のレジスト膜上に、少なくとも２つのアモルファスシリコン膜を形成する工程２と、
前記少なくとも２つのアモルファスシリコン膜上に所定形状の第２のレジスト膜を形成する工程３と、
前記第２のレジストをマスクにして、前記少なくとも２つのアモルファスシリコン膜をエッチングする工程４と、
前記工程１で形成した第１レジスト膜を削除する工程５とを有し、
前記工程２において形成される前記少なくとも２つのアモルファスシリコン膜の中で、互いに隣接する２つのアモルファスシリコン膜を、アモルファスシリコン膜Ａと、前記アモルファスシリコン層Ａ上に積層されるアモルファスシリコン膜Ｂとするとき、アモルファスシリコン膜Ａと前記モルファスシリコン膜Ｂとは、異なる成膜生成条件下で形成されることを特徴とする表示装置の製造方法。 - 前記工程２は、前記工程１で形成された第１のレジスト膜上に、第１のアモルファスシリコン膜を形成する工程２１と、
前記工程２１とは異なる成膜生成条件下で、第２のアモルファスシリコン膜を形成する工程２２とを有することを特徴とする請求項１２に記載の表示装置の製造方法。 - 前記工程２は、前記工程１で形成された第１のレジスト膜上に、第１のアモルファスシリコン膜を形成する工程２１と、
前記工程２１とは異なる成膜生成条件下で、第２のアモルファスシリコン膜を形成する工程２２と、
前記工程２２とは異なる成膜生成条件下で、第３のアモルファスシリコン膜を形成する工程２３とを有することを特徴とする請求項１２に記載の表示装置の製造方法。 - 前記工程２で形成されたアモルファスシリコン膜上に、金属膜を形成する工程を有し、
前記工程３において、前記アモルファスシリコン膜上に形成された金属膜上に第２のレジスト膜を形成し、
前記工程４は、前記第２のレジストをマスクにして、前記工程２で形成されたアモルファスシリコン膜と金属膜をエッチングする工程であることを特徴とする請求項１２ないし請求項１４のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
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