JP2015219381A - 導電膜の積層方法及び表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】額縁領域をより縮小することができる導電膜の積層方法等を提供する。
【解決手段】導電膜の積層方法は、走査線に用いられる第１層７２を透光性基板上に設けることと、第１絶縁層を第１層７２の上に設けることと、信号線に用いられる第２層７３を第１絶縁層の上に設けることと、第２絶縁層を第２層７３の上に設けることと、補助配線に用いられる第３層７４を第２絶縁層の上に設けることと、補助配線及び共通電極に用いられる第４層７５を第３のメタル配線層の上に設けることとを含み、表示領域外の額縁領域１１０ａにおいて延設された補助配線の幅は、補助配線に信号を出力する回路からの配線長が長くなるほど太く、かつ、全ての補助配線を束ねた場合の幅が均一であり、回路に対する全ての補助配線の電気抵抗が等しい。
【選択図】図８

Description

本発明は、導電膜の積層方法及び表示装置に関する。

液晶表示デバイス等のマトリクス方式による表示装置は、複数の画素が設けられた表示領域内にマトリクスを形成するように交差する走査線及び信号線ならびに各画素に駆動信号を出力するための電極等を含む多数の配線を有する。このため、表示装置にこれらの配線を設けるためのスペースとして表示領域外の額縁領域が使用される。

画素の密度が高精細化すると、必要な配線が増加することから額縁領域に設けられる配線も増加し、額縁領域が拡大することになる。一方、表示装置をより小型化するため、額縁領域をより縮小したいという要求がある。額縁領域を縮小するための一手法として、配線を構成する導電膜を多層化する方法がある（例えば特許文献１）。多層化により、一層に全ての配線を設ける場合に比して表示面に沿う方向の配線の面積をより小さくすることができる。

特開２００７−４７２５９号公報

しかしながら、配線の多層化だけでは額縁を十分に縮小することができない。例えば、
駆動信号を出力する回路から出力対象の画素までの配線長が長くなるほど配線の電気抵抗が大きくなる。このため、配線の電気抵抗を低下させる目的で、配線長に応じて配線の面積をより拡大する必要が生じる。配線の単純な面積拡大は、額縁領域を拡大させてしまう。配線の電気抵抗を低下させるための面積拡大に係る問題は、各画素を動作させるために要求される電圧が高いほどより深刻になる。例えば、液晶表示デバイスの画素に設けられる薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）がアモルファスシリコンで形成されている場合、結晶シリコンで形成されている場合に比して、各画素の動作に要求される電圧が高い（例えば高低差が３０Ｖ程度）。このため、このような電圧を各画素に供給するために配線の電気抵抗をより小さくしなければならず、結果として配線の面積が拡大することとなり、額縁領域が拡大する。

本発明は、上記の課題に鑑みてなされたもので、額縁領域をより縮小することができる導電膜の積層方法及び表示装置を提供することを目的とする。

本発明の一態様は、表示領域内でマトリクスを形成するように交差する複数の走査線及び複数の信号線と、前記表示領域内の複数の画素の各々に設けられる複数の共通電極と、前記複数の共通電極のうち前記走査線に沿って並ぶ共通電極同士を接続する複数の補助配線とを有する表示装置の前記走査線、前記信号線、前記共通電極及び前記補助配線を形成するための導電膜の積層方法であって、前記走査線に用いられる第１のメタル配線層を基板上に設けることと、第１絶縁層を前記第１のメタル配線層の上に設けることと、前記信号線に用いられる第２のメタル配線層を前記第１絶縁層の上に設けることと、第２絶縁層を前記第２のメタル配線層の上に設けることと、前記補助配線に用いられる第３のメタル配線層を前記第２絶縁層の上に設けることと、前記補助配線及び前記共通電極に用いられる透明電極層を前記第３のメタル配線層の上に設けることとを含み、前記表示領域外の額縁領域において延設された前記補助配線の幅は、前記補助配線に信号を出力する回路からの配線長が長くなるほど太く、かつ、全ての前記補助配線を束ねた場合の前記幅が均一であり、前記回路に対する全ての前記補助配線の電気抵抗が等しい。

本発明の一態様は、表示領域内でマトリクスを形成するように交差する複数の走査線及び複数の信号線と、前記表示領域内の複数の画素の各々に設けられる複数の共通電極と、前記複数の共通電極のうち前記走査線に沿って並ぶ共通電極同士を接続する複数の補助配線とを有する表示装置であって、基板上に設けられて前記走査線に用いられる第１のメタル配線層と、前記第１のメタル配線層の上に設けられた第１絶縁層と、前記第１絶縁層の上に設けられて前記信号線に用いられる第２のメタル配線層と、前記第２のメタル配線層の上に設けられる第２絶縁層と、前記第２絶縁層の上に設けられて前記補助配線に用いられる第３のメタル配線層と、前記第３のメタル配線層の上に設けられて前記補助配線及び前記共通電極に用いられる透明電極層と、を備え、前記表示領域外の額縁領域において延設された前記補助配線の幅は、前記補助配線に信号を出力する回路からの配線長が長くなるほど太く、かつ、全ての前記補助配線を束ねた場合の前記幅が均一であり、前記回路に対する全ての前記補助配線の電気抵抗が等しい。

さらに、他の一態様として、前記透明電極層は、前記第３のメタル配線層を用いて形成される配線を覆ってもよい。

さらに、他の一態様として、前記第３のメタル配線層及び前記透明電極層は、前記基板に沿う面方向について、前記基板と前記基板の上側に積層される対向基板との間に設けられて前記基板と前記対向基板との間に充填される液晶を封止するシール材が存する封止領域の外縁よりも表示領域側に存してもよい。

さらに、他の一態様として、前記信号線及び前記補助配線は、前記外縁より内側で前記第１のメタル配線層により形成された延出配線に接続されて前記外縁より外側に延出されてもよい。

図１は、本実施形態に係る表示装置の全体構成を示す図である。 図２は、表示装置のシステム構成例を表すブロック図である。 図３は、表示装置の画素を駆動する駆動回路を示す回路図である。 図４は、本実施形態に係る表示装置の画素を模式的に示す平面図である。 図５は、補助配線の組分け及び各組の補助配線とスキャナ回路とを接続する接続配線の配線長さ及び幅を示す模式図である。 図６は、図１のＡ−Ａ断面図である。 図７は、図１に示すＢ−Ｂ断面における画素基板の断面図である。 図８は、額縁領域内における不等ピッチエリア配線の模式図である。 図９は、図１に示すＣ−Ｃ断面における画素基板の断面図である。 図１０は、接続配線と走査線との立体交差の具体例を示す模式図である。 図１１は、図１に示すＡ−Ａ断面における画素基板の積層構造を模式的に示した図である。 図１２は、シール材の幅と第４層の幅との関係を示す図である。 図１３は、高さ合わせ層と、第１層の配線と、シール材の幅との関係を示す図である。 図１４は、画素基板の製造における導電膜の積層方法を示す図である。 図１５は、画素基板の製造における導電膜の積層方法を示す図である。 図１６は、画素基板の製造における導電膜の積層方法を示す図である。 図１７は、画素基板の製造における導電膜の積層方法を示す図である。 図１８は、画素基板の製造における導電膜の積層方法を示す図である。 図１９は、画素基板の製造における導電膜の積層方法を示す図である。 図２０は、本実施形態に係る表示装置を適用する電子機器の一例を示す図である。

以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

図１は、本実施形態に係る表示装置１の全体構成を示す図である。表示装置１は、例えば透過型の液晶表示装置であり、表示パネル２と、ドライバＩＣ３と、スキャナ回路４とを備えている。図示しないフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ：Flexible Printed Circuits）は、ドライバＩＣ３及びスキャナ回路４への外部信号又はドライバＩＣ３を駆動する駆動電力を伝送する。

図２は、ゲートドライバ２２及びソースドライバ２３に接続される構成を表すブロック図である。表示パネル２は、液晶セルを含む画素がマトリクス状（行列状）に多数配置されてなる表示エリア部２１と、ゲートドライバ２２と、ソースドライバ２３と、を備えている。表示パネル２は、能動素子（例えば、トランジスタ）を含む多数の画素回路がマトリクス状に配置形成される画素基板６０と、この画素基板６０と所定の間隙をもって対向して配置される対向基板７０とによって構成される。画素基板６０と対向基板７０とは、シール材５によって接合される。そして、これら画素基板６０及び対向基板７０間に液晶６が封入される（図６参照）。なお、図２では機能的な説明の簡略化のためにゲートドライバ２２及びソースドライバ２３を各１個図示しているが、図１に示すように、ゲートドライバ２２及びソースドライバ２３を複数個に分けて実装するようにしてもよい。この複数のゲートドライバ２２及びソースドライバ２３は、ドライバＩＣ３により統括制御される。

表示エリア部２１は、液晶層を含む画素Ｖｐｉｘが、表示上の１画素を構成するユニットがＭ行×Ｎ列に配置されたマトリクス（行列状）構造を有している。なお、この明細書において、行とは、一方向に配列されるＮ個の画素Ｖｐｉｘを有する画素行をいう。また、列とは、行が配列される方向と直交する方向に配列されるＭ個の画素Ｖｐｉｘを有するｄｘ画素列をいう。そして、ＭとＮとの値は、垂直方向の表示解像度と水平方向の表示解像度に応じて定まる。表示エリア部２１は、画素ＶｐｉｘのＭ行Ｎ列の配列に対して行毎に走査線２４_１，２４_２，２４_３・・・２４_Ｍが配線され、列毎に信号線２５_１，２５_２，２５_３・・・２５_Ｎが配線されている。このように、複数の走査線２４_１，２４_２，２４_３・・・２４_Ｍ及び複数の信号線２５_１，２５_２，２５_３・・・２５_Ｎは、マトリクスを形成するように交差する。以後、本実施形態においては、走査線２４_１，２４_２，２４_３・・・２４_Ｍを代表して走査線２４のように表記し、信号線２５_１，２５_２，２５_３・・・２５_Ｎを代表して信号線２５のように表記することがある。また、本実施形態においては、走査線２４_１，２４_２，２４_３・・・２４_Ｍの任意の３本の走査線を、走査線２４_ｍ，２４_ｍ＋１，２４_ｍ＋２（ただし、ｍは、ｍ≦Ｍ−２を満たす自然数）のように表記し、信号線２５_１，２５_２，２５_３・・・２５_Ｎの任意の４本の信号線を、信号線２５_ｎ，２５_ｎ＋１，２５_ｎ＋２，２５_ｎ＋３（ただし、ｎは、ｎ≦Ｎ−３を満たす自然数）のように表記する。

ドライバＩＣ３は、インターフェース（Ｉ／Ｆ）及びタイミングジェネレータの機能を備える。表示装置１には、外部から外部信号である、マスタークロック、水平同期信号及び垂直同期信号が入力され、ドライバＩＣ３に与えられる。ドライバＩＣ３は、外部電源の電圧振幅のマスタークロック、水平同期信号及び垂直同期信号を、液晶６の駆動に必要な内部電源の電圧振幅にレベル変換し、マスタークロック、水平同期信号及び垂直同期信号を生成する。ドライバＩＣ３は、生成したマスタークロック、水平同期信号及び垂直同期信号をそれぞれゲートドライバ２２、ソースドライバ２３及びスキャナ回路４に与える。ドライバＩＣ３は、画素Ｖｐｉｘ毎の後述する共通電極ＣＯＭ及び補助配線（エリア内補助配線ＣＯＭＬａ）に対して各画素共通に与えるコモン電位を生成して表示エリア部２１に与える。

ゲートドライバ２２は、垂直クロックパルスに同期してドライバＩＣ３から出力される表示データを１水平期間で順次サンプリングしラッチする。ゲートドライバ２２は、ラッチされた１ライン分のデジタルデータを垂直走査パルスとして順に出力し、表示エリア部２１の走査線２４_ｍ，２４_ｍ＋１，２４_ｍ＋２・・・に与えることによって画素Ｖｐｉｘを行単位で順次選択する。

ソースドライバ２３には、画素電極９１（図４参照）に対する画素信号として、例えば６ビットのＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）のデジタル映像データが与えられる。ソースドライバ２３は、ゲートドライバ２２による垂直走査によって選択された行の各画素Ｖｐｉｘに対して、画素毎に、若しくは複数画素毎に、或いは全画素一斉に、信号線２５を介して画素信号を出力する。

液晶表示装置の駆動方式として、ライン反転、ドット反転、フレーム反転などの駆動方式が知られている。ライン反転は、１ライン（１画素行）に相当する１Ｈ（Ｈは水平期間）の時間周期で映像信号の極性を反転させる駆動方式である。ドット反転は、互いに隣接する上下左右の画素毎に映像信号の極性を交互に反転させる駆動方式である。フレーム反転は、１画面に相当する１フレーム毎に全画素に書き込む映像信号を一度に同じ極性で反転させる駆動方式である。表示装置１は、上記の各駆動方式のいずれを採用することも可能である。

スキャナ回路４は、表示エリア部２１の表示面に対するタッチ操作の検出のための信号（タッチ検出信号）を補助配線に出力するとともに、この信号の変化に基づいてタッチ操作を検出する。スキャナ回路４と補助配線との関係については後述する。

図３は、表示装置１の画素を駆動する駆動回路を示す回路図である。表示エリア部２１には、各画素Ｖｐｉｘの薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）素子Ｔｒに表示データとして画素信号を供給する信号線２５_ｎ，２５_ｎ＋１，２５_ｎ＋２、各ＴＦＴ素子Ｔｒを駆動する走査線２４_ｍ，２４_ｍ＋１，２４_ｍ＋２等の配線が形成されている。このように、信号線２５_ｎ，２５_ｎ＋１，２５_ｎ＋２は、上述したガラス基板の表面と平行な平面に延在し、画素Ｖｐｉｘに画像を表示するための画素信号を供給する。画素Ｖｐｉｘは、ＴＦＴ素子Ｔｒ及び液晶素子ＬＣを備えている。ＴＦＴ素子Ｔｒは、薄膜トランジスタにより構成されるものであり、この例では、ｎチャネルのＭＯＳ（Metal Oxide Semiconductor）型のＴＦＴで構成されている。ＴＦＴ素子Ｔｒのソース又はドレインの一方は信号線２５_ｎ，２５_ｎ＋１，２５_ｎ＋２に接続され、ゲートは走査線２４_ｍ，２４_ｍ＋１，２４_ｍ＋２に接続され、ソース又はドレインの他方は液晶素子ＬＣの一端に接続されている。液晶素子ＬＣは、一端がＴＦＴ素子Ｔｒのソース又はドレインの他方に接続され、他端が共通電極ＣＯＭに接続されている。

画素Ｖｐｉｘは、走査線２４_ｍ，２４_ｍ＋１，２４_ｍ＋２により、表示エリア部２１の同じ行に属する他の画素Ｖｐｉｘと互いに接続されている。走査線２４_ｍ，２４_ｍ＋１，２４_ｍ＋２は、ゲートドライバ２２と接続され、ゲートドライバ２２から走査信号の垂直走査パルスが供給される。また、画素Ｖｐｉｘは、信号線２５_ｎ，２５_ｎ＋１，２５_ｎ＋２により、表示エリア部２１の同じ列に属する他の画素Ｖｐｉｘと互いに接続されている。信号線２５_ｎ，２５_ｎ＋１，２５_ｎ＋２は、ソースドライバ２３と接続され、ソースドライバ２３より画素信号が供給される。さらに、画素Ｖｐｉｘは、共通電極ＣＯＭにより、表示エリア部２１の同じ列に属する他の画素Ｖｐｉｘと互いに接続されている。共通電極ＣＯＭは、補助配線を介して不図示の駆動電極ドライバと接続され、駆動電極ドライバより駆動信号（表示駆動信号）が供給される。また、共通電極ＣＯＭは、補助配線を介してスキャナ回路４と接続され、スキャナ回路４より信号（タッチ検出信号）が供給される。

図２に示すゲートドライバ２２は、垂直走査パルスを、図３に示す走査線２４_ｍ，２４_ｍ＋１，２４_ｍ＋２を介して、画素ＶｐｉｘのＴＦＴ素子Ｔｒのゲートに印加することにより、表示エリア部２１にマトリクス状に形成されている画素Ｖｐｉｘのうちの１行（１水平ライン）を表示駆動の対象として順次選択する。図２に示すソースドライバ２３は、画素信号を、図３に示す信号線２５_ｎ，２５_ｎ＋１，２５_ｎ＋２を介して、ゲートドライバ２２により順次選択される１水平ラインを含む各画素Ｖｐｉｘにそれぞれ供給する。そして、これらの画素Ｖｐｉｘでは、供給される画素信号に応じて、１水平ラインの表示が行われるようになっている。駆動電極ドライバは、組分けされたエリア内補助配線ＣＯＭＬａのうちこの１水平ラインに対応する組のエリア内補助配線ＣＯＭＬａが属する駆動電極ブロックに駆動信号を印加する。すなわち、駆動電極ドライバは、所定の数の共通電極ＣＯＭを含む駆動電極ブロック毎に共通電極ＣＯＭを駆動する。

上述したように、表示装置１は、ゲートドライバ２２が走査線２４_ｍ，２４_ｍ＋１，２４_ｍ＋２を順次走査するように駆動することにより、１水平ラインが順次選択される。また、表示装置１は、１水平ラインに属する画素Ｖｐｉｘに対して、ソースドライバ２３が画素信号を供給することにより、１水平ラインずつ表示が行われる。

また、表示エリア部２１は、カラーフィルタを有する。カラーフィルタは、格子形状のブラックマトリクス７６ａと、開口部７６ｂと、を有する。ブラックマトリクス７６ａは、図３に示すように画素Ｖｐｉｘの外周を覆うように形成されている。つまり、ブラックマトリクス７６ａは、二次元配置された画素Ｖｐｉｘと画素Ｖｐｉｘとの境界に配置されることで、格子形状となる。ブラックマトリクス７６ａは、光の吸収率が高い材料で形成されている。開口部７６ｂは、ブラックマトリクス７６ａの格子形状で形成されている開口であり、画素Ｖｐｉｘに対応して配置されている。

開口部７６ｂは、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色に着色された色領域を含む。カラーフィルタは、開口部７６ｂに例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色に着色されたカラーフィルタの色領域を周期的に配列して、図３に示す各画素ＶｐｉｘにＲ、Ｇ、Ｂの３色の色領域が１組として画素Ｐｉｘとして対応付けられている。

なお、カラーフィルタは、異なる色に着色されていれば、他の色の組み合わせであってもよい。一般に、カラーフィルタは、緑（Ｇ）の色領域の輝度が、赤（Ｒ）の色領域及び青（Ｂ）の色領域の輝度よりも高い。カラーフィルタは、なくてもよく、この場合白色となる。或いは、カラーフィルタに光透過性の樹脂を用いて白色としてもよい。

表示エリア部２１は、正面に直交する方向からみた場合、走査線２４と信号線２５がカラーフィルタのブラックマトリクス７６ａと重なる領域に配置されている。つまり、走査線２４及び信号線２５は、正面に直交する方向からみた場合、ブラックマトリクス７６ａの後ろに隠されることになる。また、表示エリア部２１は、ブラックマトリクス７６ａが配置されていない領域が開口部７６ｂとなる。

図３に示すように、走査線２４_ｍ，２４_ｍ＋１，２４_ｍ＋２が等間隔で配置され、信号線２５_ｎ，２５_ｎ＋１，２５_ｎ＋２も等間隔で配置されている。そして、各画素Ｖｐｉｘは、走査線２４_ｍ，２４_ｍ＋１，２４_ｍ＋２と信号線２５_ｎ，２５_ｎ＋１，２５_ｎ＋２とで区画される領域に、同じ方向を向いて配置されている。

次に、図４を用いて、画素基板６０について説明する。図４は、本実施形態に係る表示装置１の画素を模式的に示す平面図である。画素基板６０は、ガラス基板等の透光性基板７１（図７等参照）に各種回路が形成されたＴＦＴ基板であり、この画素基板６０上にマトリクス状に配設された複数の画素電極９１と、共通電極ＣＯＭと、を含む。画素電極９１及び共通電極ＣＯＭは、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透光性導電材料（透光性導電酸化物）で形成される透光性電極である。なお、図３の電気的接続を示す図では共通電極ＣＯＭ及びエリア内補助配線ＣＯＭＬａが縦方向に図示されているが、実際には図４に示すように、走査線２４の配線方向と同一の方向に沿ってエリア内補助配線ＣＯＭＬａが設けられている。ただしこれはエリア内補助配線ＣＯＭＬａ等の配線方向を限定するものでなく、各配線の配線方向は適宜変更可能である。

画素基板６０は、透光性基板７１に、上述した各画素Ｖｐｉｘのスイッチング素子であるトランジスタＴｒ１が形成された半導体層９０が実装されている。また、画素基板６０には、各画素電極９１に画素信号を供給する信号線２５、トランジスタＴｒ１を駆動する走査線２４、共通電極ＣＯＭへコモン電位を給電する補助配線、共通電極ＣＯＭ等の配線が積層されている。

図４に示すように、走査線２４は、半導体層９０の一部と立体交差して、トランジスタＴｒ１のゲートとして作用する。走査線２４と半導体層９０の一部とが立体交差した箇所は１カ所であり、トランジスタＴｒ１は、ｎチャネルであるチャネル領域を備えるシングルゲートトランジスタである。半導体層９０は、例えば、アモルファスシリコンで形成されている。信号線２５は、透光性基板７１の表面と平行な平面に延在し、ソースドライバ２３から出力された画素信号を供給する。半導体層９０は、一部が信号線２５のソース線２５ａと接し、他の一部が信号線２５と同一の層に形成されたドレイン線２５ｂと電気的に接続している。本実施形態のドレイン線２５ｂは、スルーホールＳＨ１において、画素電極９１と電気的に接続している。

画素基板６０は、各画素Ｖｐｉｘに対応して画素電極９１に開口ＳＬが形成されており、共通電極ＣＯＭと画素電極９１との間に形成される電界のうち、画素電極９１の開口ＳＬからもれた電界（フリンジ電界）で液晶６を駆動させる。

本実施形態の共通電極ＣＯＭは、画素電極９１に対する共通の電位として機能するとともに、表示エリア部２１に対する接触操作又は近接操作を検出するためのタッチ検出電極として機能する。具体的には、コモン電位には、液晶６の駆動のための表示駆動信号と、タッチ検出のためのタッチ検出信号とが含まれる。上記のように、表示動作に際して、駆動電極ドライバは、その１水平ラインに対応する共通電極ＣＯＭに対して表示駆動信号を印加する。一方、タッチ検出に際して、スキャナ回路４は、所定のタッチ検出単位（タッチ検出ピッチＴｘ）で組分けされた一組の共通電極ＣＯＭに対して駆動信号（タッチ検出信号）を印加する。

図５は、補助配線の組分け及び各組の補助配線とスキャナ回路４とを接続する接続配線ＣＯＭＬｂの配線長さ及び幅を示す模式図である。図５に示すように、補助配線は、表示エリア部２１内に配線されて共通電極ＣＯＭと直接接するエリア内補助配線ＣＯＭＬａと、組分けされたエリア内補助配線ＣＯＭＬａの両端とスキャナ回路４とを接続する接続配線ＣＯＭＬｂとからなる。表示エリア部２１に対して水平ライン方向に沿って設けられる複数のエリア内補助配線ＣＯＭＬａは、タッチ検出ピッチＴｘで組分けされる。同一の組に属するエリア内補助配線ＣＯＭＬａ同士は、両端部で電気的に接続されるとともに同一の接続配線ＣＯＭＬｂを介してスキャナ回路４と接続される。同一の組のエリア内補助配線ＣＯＭＬａと接することで電気的に接続されている共通電極ＣＯＭ及びこの組の接続配線ＣＯＭＬｂは、同一の組に属することになる。すなわち、この組は、共通電極ＣＯＭの組であるともいえる。タッチ検出の際、スキャナ回路４は、いずれかの組の補助配線に対してタッチ検出信号を印加する。これにより、タッチ検出信号が印加された共通電極９１が設けられた範囲におけるタッチ検出が行われる。すなわち、タッチ検出ピッチＴｘは、一回のタッチ検出信号の印加に応じてタッチ検出が行われる範囲に対応する。

図５に示すように、スキャナ回路４とエリア内補助配線ＣＯＭＬａとを接続する接続配線ＣＯＭＬｂの数は、タッチ検出ピッチＴｘで分けられたエリア内補助配線ＣＯＭＬａの組数に応じる。このため、エリア内補助配線ＣＯＭＬａの各々に対して個別に接続配線ＣＯＭＬｂを設ける必要がない。よって、エリア内補助配線ＣＯＭＬａの数に比して接続配線ＣＯＭＬｂの数を減らすことができることから、額縁領域１１０ａ，１１０ｂにおける接続配線ＣＯＭＬｂの面積をより小さくすることができる。

スキャナ回路４と各組のエリア内補助配線ＣＯＭＬａとを接続する接続配線ＣＯＭＬｂの幅は、配線長が長くなるほど大きくなるよう設けられている。これは、各組の共通電極ＣＯＭに対して印加されるタッチ検出信号の電圧を等しくするためである。具体的には、スキャナ回路４は、表示エリア部２１に対して所定の一か所（例えば図２における下方）に設けられる。スキャナ回路４が設けられる位置からより遠い位置に存する組のエリア内補助配線ＣＯＭＬａとスキャナ回路４とを接続する接続配線ＣＯＭＬｂの配線長はより長くなる。配線長が長くなるほど配線の電気抵抗は大きくなる。このため、仮に同一の幅で全ての接続配線ＣＯＭＬｂを設けた場合、より遠い組のエリア内補助配線ＣＯＭＬａに接続された接続配線ＣＯＭＬｂの電気抵抗がより近い組のエリア内補助配線ＣＯＭＬａに接続された接続配線ＣＯＭＬｂの電気抵抗より大きいことから、各組の共通電極ＣＯＭに対して印加されるタッチ検出信号の電圧が異なるものになってしまう。そこで、本実施形態では、不等ピッチエリア配線（図８参照）が採用されている。具体的には、スキャナ回路４から見て、接続配線ＣＯＭＬｂを含む全ての組のエリア内補助配線ＣＯＭＬａ及び共通電極ＣＯＭの電気抵抗が等しくなるように、配線長がより長い接続配線ＣＯＭＬｂの幅を広くすることで、全ての接続配線ＣＯＭＬｂの電気抵抗を等しくしている。なお、後述するが、不等ピッチエリア配線は、信号線２５等にも適用されている。なお、図５において図示された接続配線ＣＯＭＬｂはあくまで各接続配線ＣＯＭＬｂの面積の大小を模式的に示すものであり、透光性基板７１上における配線パターンを示したものでない。

次に、画素基板６０の積層構造及びこの積層構造とシール材５との関係について説明する。本実施形態の画素基板６０における配線に関する層は、透光性基板７１上に、走査線２４、信号線２５、補助配線、共通電極ＣＯＭの順で積層されている。走査線２４、信号線２５及び補助配線は、例えばアルミニウムを素材とする導電膜により構成される。また、共通電極ＣＯＭは、例えばＩＴＯにより構成される。以下、主として走査線２４に用いられる導電膜により構成される層を「第１層」とする。また、信号線２５に用いられる導電膜により構成される層を「第２層」とする。また、補助配線に用いられる導電膜により構成される層を「第３層」とする。また、共通電極ＣＯＭに用いられる導電膜により構成される層を「第４層」とする。後述するが、第４層７５は第３層７４を覆う層としても機能する。

図６は、図１のＡ−Ａ断面図である。図１に示すように、シール材５は、表示エリア部２１の縁のうち、液晶６が注入される注入口５ａに対応する一部分（例えば図１に示す表示エリア部２１の上辺の中央部分）を除いた領域（封止領域）に設けられる。シール材５は、図６に示すように、基板（画素基板６０）とこの基板の上側に積層される対向基板７０との間に設けられて、この基板と対向基板７０との間に充填される液晶６を封止する。シール材５には、例えば加熱により硬化する熱硬化性樹脂が用いられる。シール材５が設けられない注入口５ａは、液晶６の注入後、紫外線硬化材料等を用いた封止剤により封止される。なお、図６を含めて、各断面図は、断面構造で示された各部の位置関係を模式的に示すものであり、各部の厚みを示すものでない。

図７は、図１に示すＢ−Ｂ断面における画素基板６０の断面図である。Ｂ−Ｂ断面は、ゲートドライバ２２が設けられている側の辺に対向する辺（図１の右辺）に沿う封止領域を当該辺に直交する方向（図１の横方向）に沿って切断した場合の断面である。図７に示すように、画素基板６０は、透光性基板７１上に、第１層７２、第１絶縁層８１、第２層７３、平坦化層８５、第２絶縁層８２、第３層７４、第４層７５の順で積層された積層構造を有する。第１絶縁層８１及び第２絶縁層８２は、例えばシリコンナイトライド等の薄膜による絶縁膜である。平坦化層８５は、例えば有機平坦化膜により形成される。このように、画素基板６０を有する表示装置１は、基板（透光性基板７１）上に設けられて走査線に用いられる第１のメタル配線層（第１層７２）と、第１のメタル配線層の上に設けられた第１絶縁層８１と、第１絶縁層８１の上に設けられて信号線に用いられる第２のメタル配線層（第２層７３）と、第２のメタル配線層の上に設けられる第２絶縁層８２と、第２絶縁層８２の上に設けられて補助配線に用いられる第３のメタル配線層（第３層７４）と、第３のメタル配線層の上に設けられて補助配線及び共通電極に用いられる透明電極層（第４層７５）と、を備える。

Ｂ−Ｂ断面のような封止領域を含む額縁領域１１０ａにおいて、走査線２４、信号線２５及び接続配線ＣＯＭＬｂには、不等ピッチエリア配線が採用される。このため、第１層７２、第２層７３、第３層７４及び第４層７５には不等ピッチエリア配線に応じたパターンが形成されている。なお、表示エリア部２１の額縁領域のうち、ゲートドライバ２２が設けられている辺に対向する辺側の額縁領域を額縁領域１１０ａとし、ゲートドライバ２２が設けられている辺側の額縁領域を額縁領域１１０ｂとする。

図８は、額縁領域１１０ａ内における不等ピッチエリア配線の模式図である。なお、図８に図示された不等ピッチエリア配線のうち実線部は、第１層７２、第２層７３及び第４層７５の不等ピッチエリア配線を示す。また、図８に図示された不等ピッチエリア配線のうち破線部は、第３層７４の不等ピッチエリア配線を示す。図８に示すように、不等ピッチエリアが採用された配線は、各配線に信号を出力する回路からの配線長が長くなるほど太く、かつ、全ての接続配線ＣＯＭＬｂを束ねた場合の幅が均一である。また、図７及び図８に示すように、第３層７４により形成される配線の幅は、第４層７５により形成される配線の幅より一回り小さい。このように、透明電極層（第４層７５）は、第３のメタル配線層（第３層７４）を用いて形成される配線を覆う。なお、封止領域内における第４層７５は、第３層７４と同様に補助配線として機能する。第３層７４を覆う第４層７５は、補助配線の電気抵抗をより低下させることに寄与している。

このように、表示領域外の額縁領域（例えば額縁領域１１０ａ）において延設された補助配線（接続配線ＣＯＭＬｂ）の幅は、補助配線に信号を出力する回路（例えばスキャナ回路４）からの配線長が長くなるほど太く、かつ、全ての補助配線を束ねた場合の幅が均一である。そして、上記のように、この回路に対する全ての補助配線の電気抵抗が等しい。額縁領域に補助配線を設けるに際して、仮に、全ての補助配線を束ねた場合の幅が不均一である場合、不均一である幅のうち最も太い幅の部分に合わせて額縁領域の幅を確保しなければならない。これに対し、本実施形態では全ての補助配線を束ねた場合の幅が均一であるので、この均一な幅に対応した額縁領域の幅があればよい。よって、額縁領域をより縮小することができる。なお、額縁領域１１０ｂにおける接続配線ＣＯＭＬｂについても、配線長と幅との関係及び全ての補助配線を束ねた場合の幅が均一であることは同様である。

また、額縁領域１１０ａ，１１０ｂ内における信号線２５は、補助配線と配線レイアウトを共有する。これによって、額縁領域１１０ａ，１１０ｂにおける配線幅を補助配線と同一にすることができるので、額縁領域１１０ａ，１１０ｂをより縮小することができる。額縁領域１１０ａ内における走査線２４は、補助配線と配線レイアウトを共有する。これによって、額縁領域１１０ａにおける配線幅を補助配線と同一にすることができるので、額縁領域１１０ａをより縮小することができる。なお、額縁領域１１０ｂにおける走査線２４の配線パターンは額縁領域１１０ａを横切るものであり（図１０参照）、走査線２４の配線パターンが額縁領域の幅を変化させるものではない。

図８は、ゲートドライバ２２が設けられている側の辺に対向する辺に沿う封止領域における不等ピッチエリア配線の模式的な一例を４本の配線の幅の対比で示しているが、これはあくまで一例であって、これに限られるものでない。

図９は、図１に示すＣ−Ｃ断面における画素基板６０の断面図である。Ｃ−Ｃ断面は、ゲートドライバ２２が設けられている側の辺（図１の左辺）に沿う封止領域を当該辺に直交する方向（図１の横方向）に沿って切断した場合の断面である。ゲートドライバ２２が設けられている側の辺に沿う封止領域では、ゲートドライバ２２から表示エリア部２１の各画素に延設される走査線２４がこの辺の封止領域と立体交差する。このため、図９に示すように、Ｃ−Ｃ断面において、第１層７２は連続している。一方、信号線２５、接続配線ＣＯＭＬｂには、不等ピッチエリア配線が採用される。このため、図９に示すように、Ｃ−Ｃ断面において、第２層７３、第３層７４及び第４層７５には不等ピッチエリア配線に応じたパターンが形成されている。

図１０は、接続配線ＣＯＭＬｂと走査線２４との立体交差の具体例を示す模式図である。図１に示すように、ゲートドライバ２２は、表示エリア部２１に対して水平方向の一方側（図１における左側）に設けられる。このため、ゲートドライバ２２側に設けられる接続配線ＣＯＭＬｂと走査線２４とは立体交差する。一方、ゲートドライバ２２の反対側に設けられる接続配線ＣＯＭＬｂのうち一部又は全部は走査線２４と立体交差しない。ここで、走査線２４に立体交差する接続配線ＣＯＭＬｂの電位は、走査線２４に対する外的な電気的影響となる。このため、仮に複数の走査線２４の間で接続配線ＣＯＭＬｂと立体交差する度合いに差がある場合、各走査線に対する外的な電気的影響に差が生じ、各走査線を介して出力される垂直走査パルスを均一にすることを妨げる。そこで、本実施形態では、全ての走査線２４が必ず接続配線ＣＯＭＬｂの導電膜と立体交差するように接続配線ＣＯＭＬｂを設けている。具体的には、例えば図１０に示すように、接続配線ＣＯＭＬｂと直接立体交差しない走査線２４を補助配線と同一の電位を有する導電膜と立体交差させるための延出部ＣＯＭＬｃが接続配線ＣＯＭＬｂに設けられる。無論これは全ての走査線２４を接続配線ＣＯＭＬｂの導電膜と立体交差させるための形態の一例であってこれに限られるものでない。例えば全ての走査線２４を、接続配線ＣＯＭＬｂと立体交差する位置を通過するように配線するようにしてもよい。

なお、図１０に示すように、全ての走査線２４が必ず接続配線ＣＯＭＬｂの導電膜と立体交差するように接続配線ＣＯＭＬｂを設ける場合においても、スキャナ回路４から見て、接続配線ＣＯＭＬｂを含む全ての組の補助配線及び共通電極ＣＯＭの電気抵抗が等しくなるように、配線長がより長い接続配線ＣＯＭＬｂの幅を広くすることで、全ての接続配線ＣＯＭＬｂの電気抵抗を等しくしている。また、ゲートドライバ２２が設けられている側の辺に沿う封止領域では、接続配線ＣＯＭＬｂに対応する第３層７４及び第４層７５に限らず、信号線２５に対応する第２層７３についても、図１０に示す接続配線ＣＯＭＬｂと同様の配線パターンを封止領域内で取るようにしてもよい。

図１１は、図１に示すＡ−Ａ断面における画素基板６０の積層構造を模式的に示した図である。図１１に示すように、ソースドライバ２３が設けられている側の辺（図１の下辺）に沿う封止領域とソースドライバ２３との間を接続する配線は、第１層７２による延出配線７２Ａである。言い換えれば、封止領域から延設された信号線は、第１層７２により構成される。第１層７２を用いた信号線である延出配線７２Ａは、ソースドライバ２３から図示しない封止領域内の引継領域（例えば図１に示す左右の封止領域と下の封止領域とが交差する角部付近等）まで延出され、この引継領域において第１層７２の配線と第２層７３の配線とが接続されることで第２層７３を用いて表示エリア部２１内に設けられた信号線２５に接続される。

図１２は、シール材５の幅と第４層７５の幅との関係を示す図である。第３層７４及び第４層７５は、封止領域の外縁５ｂより内側にのみ設けられる。具体的には、補助配線は、上記のソースドライバ２３との接続において第１層７２を用いて設けられる信号線と同様に、スキャナ回路４から封止領域内までの範囲において、第１層７２を用いた配線パターンにより設けられる。そして、封止領域内で第１層７２の配線と第３層７４の配線とが接続されることで第３層７４を用いて表示エリア部２１内に設けられた接続配線ＣＯＭＬｂ、エリア内補助配線ＣＯＭＬａ及び共通電極ＣＯＭに接続される。このように、第３のメタル配線層（第３層７４）及び透明電極層（第４層７５）は、基板（画素基板６０）に沿う面方向について、この基板と基板の上側に積層される対向基板７０との間に設けられて基板と対向基板７０との間に充填される液晶６を封止するシール材５が存する封止領域の外縁５ｂよりも表示領域側に存する。また、信号線及び補助配線（接続配線ＣＯＭＬｂ）は、封止領域の外縁５ｂより内側で第１のメタル配線層（第１層７２）により形成された延出配線（例えば図１１に示す延出配線７２Ａ等）に接続されて外縁５ｂより外側に延出される。

図１３は、高さ合わせ層１０１と、第１層７２の配線と、シール材５の幅との関係を示す図である。第１層７２を用いて信号線が敷設される範囲内では、第２層７３、第３層７４及び第４層７５を用いた配線は設けられない。言い換えれば、第１層７２を用いて信号線が敷設されるソースドライバ２３が設けられている側の辺では、第２層７３、第３層７４及び第４層７５は配線層として機能せず、配線層として機能するのは第１層７２のみである。また、図１１に示すように、ソースドライバ２３が設けられている側の辺に対向する辺（図１の上辺）に沿う封止領域には、第１層７２、第２層７３、第３層７４及び第４層７５を用いた配線は設けられない。言い換えれば、ソースドライバ２３が設けられている側の辺に対向する辺では、第１層７２、第２層７３、第３層７４及び第４層７５は配線層として機能しない。これらの配線層として機能しない層は、信号が流されない導電膜として積層される。このように、表示装置１は、矩形の表示領域内に液晶６を封止するシール材５が設けられる封止領域の四辺のうち少なくとも一辺に対応する位置（例えば図１に示す左右の辺に沿う封止領域）に複数の配線層が積層された積層構造を有する第１の配線部が設けられ、かつ、四辺のうち他の少なくとも一辺に対応する位置（例えば図１に示す上下の辺に沿う封止領域）に第１の配線部の配線層の数よりも少ない数の配線層を有する第２の配線部が設けられる配線基板（例えば画素基板６０）を備えた表示装置である。また、この第２の配線部は、この第１の配線部が有する配線層であって、かつ、第２の配線部が有しない配線層の厚みに対応する高さ合わせ層（例えば図１１に示す高さ合わせ層１０１，１０２）が積層された積層構造を有する。高さ合わせ層１０１，１０２は、第１層７２、第２層７３、第３層７４及び第４層７５のうち、第２の配線部で配線として使用されない層並びにこれらの層の間に介在する絶縁層（例えば第１絶縁層８１、第２絶縁層８２）及び平坦化層８５を含む。

本実施形態では、例えば第１層７２、第２層７３及び第３層７４の厚みが３０００オングストロームであり、第４層７５の厚みが７５０オングストロームである。このような各層の厚みを有する画素基板６０において、封止領域の各辺において配線層の数が異なることによる厚みの差があると、配線層の数がより多い辺と配線層の数がより少ない辺との間で段差が生じ、配線層の数がより少ない辺にたわみが生じる。このたわみは、画素基板６０に対する対向基板７０のたわみとして現れて、対向基板７０を通して視認される表示エリア部２１の画像の画質を低下させることがある。このため、配線層の数がより少ない第２の配線部において、配線層の数がより多い第１の配線部が有する配線層の厚みに対応する高さ合わせ層１０１（１０２）を積層する。これにより、封止領域で多層化された配線の厚みをより均等にすることができる。よって、封止領域の段差を低減し、このたわみの発生を抑制することができる。

第２の配線部において配線層として機能しない高さ合わせ層１０１，１０２は、例えば固定電位を有する部材に接続される導電膜からなる。具体的には、例えば図１１に示す高さ合わせ層１０１に含まれる導電膜である第２層７３、第３層７４及び第４層７５並びに高さ合わせ層１０２に含まれる導電膜である第１層７２、第２層７３、第３層７４及び第４層７５は、グランド電位に接続される。より具体的には、これらの導電膜は、表示装置１の筐体等に設けられた、グランド電位として機能する金属板に接続される。また、図１３に示す高さ合わせ層１０１のうち、マスキングが施された範囲１０１ａでは、第１層７２も高さ合わせ層として機能する。

次に、画素基板６０の製造における導電膜の積層方法について、図１４〜図１９を参照して説明する。まず、図１４に示すように、透光性基板７１上に第１層７２の薄膜、第１絶縁層８１の順に薄膜が積層される。次に、図１５に示すように、第１層７２と第２層７３との接続パターンに応じた１回目のエッチング処理（例えばドライエッチング）が行われる。次に、図１６に示すように、１回目のエッチング処理後の基板に対して第２層７３が積層される。これにより、スルーホールを通して第１層７２と第２層７３が接続される。次に、図１７に示すように、第２層７３上に平坦化層８５、第２絶縁層８２の順に薄膜が積層される。次に、図１８に示すように、第２層７３と第３層７４との接続パターンに応じた２回目のエッチング処理（例えばドライエッチング）が行われる。なお、第１層７２と第２層７３とを接続するスルーホールの位置と、第２層７３と第３層７４とを接続するスルーホールの位置とが異なる位置になるように、１回目のエッチング処理によるスルーホールの位置及び２回目のエッチング処理によるスルーホールの位置の設定が行われる。これにより、エッチング処理によるダメージが同一箇所に重複して加わることを避け、当該ダメージを分散させることができる。次に、図１９に示すように、２回目のエッチング処理後の基板に対して第３層７４、第４層７５の順に薄膜が積層される。各層の薄膜は、例えばスパッタリング等の蒸着処理により形成されるが、これは薄膜形成方法の一例であってこれに限られるものでない。各層の薄膜形成に用いられる方法は、各層の薄膜の特性に応じて適宜選択決定される。

このように、表示領域（例えば表示エリア部２１）内でマトリクスを形成するように交差する複数の走査線（走査線２４）及び複数の信号線（信号線２５）と、表示領域内の複数の画素の各々に設けられる複数の共通電極（共通電極ＣＯＭ）と、複数の共通電極のうち走査線に沿って並ぶ共通電極同士を接続する複数の補助配線とを有する表示装置１の走査線、信号線、共通電極及び補助配線を形成するための導電膜の積層方法は、走査線に用いられる第１のメタル配線層（第１層７２）を基板（透光性基板７１）上に設けることと、第１絶縁層８１を第１のメタル配線層の上に設けることと、信号線に用いられる第２のメタル配線層（第２層７３）を第１絶縁層８１の上に設けることと、第２絶縁層８２を第２のメタル配線層の上に設けることと、補助配線に用いられる第３のメタル配線層（第３層７４）を第２絶縁層８２の上に設けることと、補助配線及び共通電極に用いられる透明電極層（第４層７５）を第３のメタル配線層の上に設けることとを含む。

以上説明したように、本実施形態によれば、矩形の表示領域内に液晶６を封止するシール材５が設けられる封止領域の四辺のうち少なくとも一辺に対応する位置（例えば図１に示す左右の辺に沿う封止領域）に複数の配線層が積層された積層構造を有する第１の配線部が設けられ、かつ、四辺のうち他の少なくとも一辺に対応する位置（例えば図１に示す上下の辺に沿う封止領域）に第１の配線部の配線層の数よりも少ない数の配線層を有する第２の配線部が設けられる配線基板（例えば画素基板６０）を備える。そして、第２の配線部は、第１の配線部が有する配線層であって、かつ、第２の配線部が有しない配線層の厚みに対応する高さ合わせ層（例えば図１１に示す高さ合わせ層１０１，１０２）が積層された積層構造を有する。このため、封止領域で多層化された配線の厚みをより均等にすることができる。

また、高さ合わせ層は、固定電位（例えばグランド）を示す部材に接続される導電膜からなる。このため、この導電膜と立体交差する配線に対する電気的影響をより安定化させることができる。

また、表示領域外の額縁領域１１０ａ，１１０ｂにおいて延設された全ての補助配線を束ねた場合の幅が均一である。このため、上記のように、額縁領域１１０ａ，１１０ｂをより縮小することができる。また、補助配線の幅は、補助配線に信号を出力する回路（例えばスキャナ回路４等）からの配線長が長くなるほど太く、回路に対する全ての補助配線の電気抵抗が等しいので、回路から各補助配線に伝達される信号をより容易に均一化することができる。

また、透明電極層（第４層７５）は、第３のメタル配線層（第３層７４）を用いて形成される配線を覆う。このため、第３層７４の上にシリコンナイトライド等の絶縁層を設けたりパシベーション処理をしたりせずとも、第３層７４が剥離することを抑制することができる。

また、第３のメタル配線層（第３層７４）及び透明電極層（第４層７５）は、基板（画素基板６０）に沿う面方向について、基板と基板の上側に積層される対向基板７０との間に設けられて基板と対向基板７０との間に充填される液晶６を封止するシール材５が存する封止領域の外縁５ｂよりも表示領域側に存する。これにより、第３のメタル配線層及び透明電極層をシール材５及びシール材５の内側で封止される領域（表示エリア部２１）内に収めることで保護することができる。このため、第３層７４が剥離することをより確実に抑制することができる。

また、信号線（信号線２５）及び補助配線は、封止領域の外縁５ｂより内側で第１のメタル配線層（第１層７２）により形成された延出配線に接続されて外縁５ｂより外側に延出される。このため、外縁５ｂより外側に延出される走査線（走査線２４）、信号線、補助配線の端部を第１層７２に統一することができる。すなわち、全ての配線を同一層の配線として引き出すことができ、これらの配線に接続される回路との接続をより容易に行うことができる。

次に、図２０を参照して、実施形態で説明した表示装置１の適用例について説明する。図２０は、本実施形態に係る表示装置１を適用する電子機器の一例を示す図である。本実施形態に係る表示装置１は、カーナビゲーションシステム、テレビジョン装置、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなどのあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。言い換えると、本実施形態に係る表示装置１は、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。電子機器は、表示装置１に映像信号を供給し、表示装置１の動作を制御する制御装置を備える。

図２０に示す電子機器は、本実施形態に係る表示装置１が適用されるカーナビゲーション装置である。表示装置１は、自動車の車内のダッシュボード３００に設置される。具体的にはダッシュボード３００の運転席３１１と助手席３１２の間に設置される。カーナビゲーション装置の表示装置１は、ナビゲーション表示、音楽操作画面の表示、又は、映画再生表示等に利用される。

なお、上記の実施形態では、封止領域のシール材５に注入口５ａを設けて液晶６を注入する方式が採用された表示装置１について説明しているが、シール材５及び液晶６の注入方法はこれに限られるものでない。例えば、液晶滴下工法（ＯＤＦ）により表示装置に液晶６を充填してもよい。この場合、シール材５には例えば紫外線により硬化する紫外線硬化性樹脂が用いられる。また、この場合、注入口５ａは設けられない。

また、本実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について本明細書記載から明らかなもの、又は当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。

１ 表示装置
５ シール材
２１ 表示エリア部
２２ ゲートドライバ
２３ ソースドライバ
６０ 画素基板
７０ 対向基板
７２ 第１層
７３ 第２層
７４ 第３層
７５ 第４層
８１ 第１絶縁層
８２ 第２絶縁層
１０１，１０２ 高さ合わせ層
１１０ａ，１１０ｂ 額縁領域

Claims (5)

1. 表示領域内でマトリクスを形成するように交差する複数の走査線及び複数の信号線と、前記表示領域内の複数の画素の各々に設けられる複数の共通電極と、前記複数の共通電極のうち前記走査線に沿って並ぶ共通電極同士を接続する複数の補助配線とを有する表示装置の前記走査線、前記信号線、前記共通電極及び前記補助配線を形成するための導電膜の積層方法であって、
   前記走査線に用いられる第１のメタル配線層を基板上に設けることと、
   第１絶縁層を前記第１のメタル配線層の上に設けることと、
   前記信号線に用いられる第２のメタル配線層を前記第１絶縁層の上に設けることと、
   第２絶縁層を前記第２のメタル配線層の上に設けることと、
   前記補助配線に用いられる第３のメタル配線層を前記第２絶縁層の上に設けることと、
   前記補助配線及び前記共通電極に用いられる透明電極層を前記第３のメタル配線層の上に設けることと
   を含み、
   前記表示領域外の額縁領域において延設された前記補助配線の幅は、前記補助配線に信号を出力する回路からの配線長が長くなるほど太く、かつ、全ての前記補助配線を束ねた場合の前記幅が均一であり、
   前記回路に対する全ての前記補助配線の電気抵抗が等しい
   導電膜の積層方法。
2. 前記透明電極層は、前記第３のメタル配線層を用いて形成される配線を覆う
   請求項１に記載の導電膜の積層方法。
3. 前記第３のメタル配線層及び前記透明電極層は、前記基板に沿う面方向について、前記基板と前記基板の上側に積層される対向基板との間に設けられて前記基板と前記対向基板との間に充填される液晶を封止するシール材が存する封止領域の外縁よりも表示領域側に存する
   請求項２に記載の導電膜の積層方法。
4. 前記信号線及び前記補助配線は、前記外縁より内側で前記第１のメタル配線層により形成された延出配線に接続されて前記外縁より外側に延出される
   請求項３に記載の導電膜の積層方法。
5. 表示領域内でマトリクスを形成するように交差する複数の走査線及び複数の信号線と、前記表示領域内の複数の画素の各々に設けられる複数の共通電極と、前記複数の共通電極のうち前記走査線に沿って並ぶ共通電極同士を接続する複数の補助配線とを有する表示装置であって、
   基板上に設けられて前記走査線に用いられる第１のメタル配線層と、
   前記第１のメタル配線層の上に設けられた第１絶縁層と、
   前記第１絶縁層の上に設けられて前記信号線に用いられる第２のメタル配線層と、
   前記第２のメタル配線層の上に設けられる第２絶縁層と、
   前記第２絶縁層の上に設けられて前記補助配線に用いられる第３のメタル配線層と、
   前記第３のメタル配線層の上に設けられて前記補助配線及び前記共通電極に用いられる透明電極層と、
   を備え、
   前記表示領域外の額縁領域において延設された前記補助配線の幅は、前記補助配線に信号を出力する回路からの配線長が長くなるほど太く、かつ、全ての前記補助配線を束ねた場合の前記幅が均一であり、
   前記回路に対する全ての前記補助配線の電気抵抗が等しい
   表示装置。

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