JP2012222193A - 光集積素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】InP基板上に第1の半導体積層部を成長させ、InP基板の<011>方向に延びる光導波路予定領域Aの第1の部分を覆う第1のストライプ状部分31を含むエッチングマスク30を形成してウェットエッチングを行い、第2の半導体積層部を選択的に成長させ、光導波路予定領域Aの第1の部分、及び第1の部分と隣接する第2の部分を覆う第2のストライプ状部分51を含むエッチングマスク50を形成してウェットエッチングを行い、第3の半導体積層部を選択的に成長させる。第2のストライプ状部分51の一対の側縁51aを、第1のストライプ状部分31の一対の側縁31aよりも内側(光導波路予定領域A寄り)に形成する。
【選択図】図12
Description
Claims (2)
- InP結晶の<100>方向、または<100>方向に対して5°以下の角度で傾斜した方向を法線方向とする主面を有するInP基板の前記主面上に、第1の光導波層を含む第1の半導体積層部を成長させる第1の成長工程と、
前記InP基板の<011>方向に延びる光導波路予定領域の第1の部分を覆う第1のストライプ状部分を含む第1のエッチングマスクを前記第1の半導体積層部上に形成する第1のエッチングマスク形成工程と、
前記第1のエッチングマスクを用いて前記第1の半導体積層部にウェットエッチングを施す第1のエッチング工程と、
第2の光導波層を含む第2の半導体積層部を、前記第1のエッチングマスクを用いて前記主面上に選択的に成長させたのち、前記第1のエッチングマスクを除去する第2の成長工程と、
前記光導波路予定領域の前記第1の部分、及び前記第1の部分と隣接する第2の部分を覆う第2のストライプ状部分を含む第2のエッチングマスクを前記第1及び第2の半導体積層部上に形成する第2のエッチングマスク形成工程と、
前記第2のエッチングマスクを用いて前記第1及び第2の半導体積層部にウェットエッチングを施す第2のエッチング工程と、
第3の光導波層を含む第3の半導体積層部を、前記第2のエッチングマスクを用いて前記主面上に選択的に成長させる第3の成長工程と
を備え、
前記第2のエッチングマスク形成工程の際に、前記InP基板の<011>方向に沿った前記第2のストライプ状部分の一対の側縁を、前記InP基板の<011>方向に沿った前記第1のストライプ状部分の一対の側縁よりも前記光導波路予定領域寄りに形成することを特徴とする、光集積素子の製造方法。 - 前記第1のエッチングマスクは、前記InP基板の<011>方向における前記第1のストライプ状部分の端部と繋がっており該方向と交差する方向に延びる部分を更に含み、前記第2のエッチングマスクは、前記InP基板の<011>方向における前記第2のストライプ状部分の端部と繋がっており該方向と交差する方向に延びる部分を更に含むことを特徴とする、請求項1に記載の光集積素子の製造方法。
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