JP2012216276A - 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】磁気ディスク用ガラス基板の製造方法において、研磨剤の化学的研磨作用に大きく依存せずに、ガラス表面に対する高い研磨レートを確保すること。
【解決手段】ガラス基板の主表面に対して遊離砥粒を含む研磨液を供給しつつ研磨パッドを摺接させて研磨する工程を備える。研磨パッドの表面には、ガラス基板の主表面と摺接する摺接部と、摺接部間に形成される溝とを設ける。そして、研磨パッドの表面の１平方メートル当たりに形成されている摺接部のエッジの長さの合計を２００ｍ以上とし、かつ、研磨パッドの表面の全領域に対する摺接部の領域の面積比率である充填率を８０％以上とする。
【選択図】図１

Description

本発明は、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法に関する。

今日、パーソナルコンピュータ、あるいはＤＶＤ（Digital Versatile Disc）記録装置等には、データ記録のためにハードディスク装置(ＨＤＤ：Hard Disk Drive)が内蔵されている。特に、ノート型パーソナルコンピュータ等の可搬性を前提とした機器に用いられるハードディスク装置では、ガラス基板に磁性層が設けられた磁気ディスクが用いられ、磁気ディスクの面上を僅かに浮上させた磁気ヘッド（ＤＦＨ（Dynamic Flying Height)ヘッド)で磁性層に磁気記録情報が記録され、あるいは読み取られる。この磁気ディスクの基板として、金属基板（アルミニウム基板）等に比べて塑性変形し難い性質を持つことから、ガラス基板が好適に用いられる。

また、ハードディスク装置における記憶容量の増大の要請を受けて、磁気記録の高密度化が図られている。例えば、磁性層における磁化方向を基板の面に対して垂直方向にする垂直磁気記録方式を用いて、磁気記録情報エリアの微細化が行われている。これにより、１枚のディスク基板における記憶容量を増大させることができる。さらに、記憶容量の一層の増大化のために、磁気ヘッドの磁気記録面からの浮上距離を極めて短くすることにより、情報の記録再生の精度をより高める（Ｓ／Ｎ比を向上させる）ことも行われている。このような磁気ディスクの基板においては、磁性層の磁化方向が基板面に対して略垂直方向に向くように、磁性層が平らに形成される。このために、磁気ディスクの基板表面の粗さ、マイクロウェービネス（以下、総称して適宜「表面凹凸」という。）は良好なレベルとなるように作製されている。

磁気ディスク用ガラス基板を作製する工程には、プレス成形後に平板状となったガラス基板の主表面に対して固定砥粒による研削を行う研削工程と、この研削工程によって主表面に残留したキズ、歪みの除去を目的として主表面の研磨工程が含まれる。従来、上記主表面の研磨工程においては、研磨剤（遊離砥粒）として酸化セリウム（二酸化セリウム）砥粒を含有させたスラリーを使用しながら、ガラス基板と研磨パッド（研磨布）を押圧させつつ相対的に回転させる（摺動させる）ことで研磨する。なお、研磨パッドに、スラリー排出用の格子状の溝を形成することが知られている（特許文献１）。
研磨剤として酸化セリウム砥粒を用いる方法によれば、磁気ディスク用ガラス基板の主表面に残留したキズや歪みを高い研磨レートで除去でき、磁気ディスク用ガラス基板の主表面における良好な表面凹凸のレベルを効率良く達成することができる。

特開２００７−１１１８５２号公報

ところで、近年、セリウムの供給難で価格高騰し、酸化セリウムの代替が検討されている。酸化セリウムはガラス表面に対する化学的作用が強く、この化学的作用によって酸化セリウムを使用することで高い研磨レートが達成されていた。酸化セリウムに代わる研磨剤の代替材料が検討されているところであるが、そのような代替材料の多くは酸化セリウムほどガラス表面に対する化学的作用が強くない場合がある。例えば、研磨剤として酸化セリウムに代えてジルコニア砥粒を使用すると、同一の条件下で酸化セリウムの場合よりも研磨レートが低下する。

よって、本発明の１つの側面では、研磨剤の化学的研磨作用に大きく依存せずに、ガラス表面に対する高い研磨レートを確保できるようにした磁気ディスク用ガラス基板の製造方法を提供することを目的とする。

発明者は、磁気ディスク用ガラス基板の製造における研磨工程において、ガラス表面に与える研磨作用として、研磨剤のガラス表面に与える化学的研磨作用と、研磨パッドのガラス表面に与える物理的研磨作用とが存在し、後者の物理的研磨作用を高めることで、前者の化学的研磨作用に大きく依存することなく、全体として高い研磨レートを確保できることに着目した。
そして発明者は、上述した課題に鑑み鋭意研究した結果、溝付きの研磨パッドでガラス表面を研磨する場合には、ガラス表面に対する研磨パッドの摺接面によるガラス表面の研磨（摺接面による研磨）が行われるのみならず、研磨パッドに形成されている摺接部のエッジもガラス表面の研磨に寄与し（エッジによる研磨）、溝付きの研磨パッドの溝形状を適切に設定することで、研磨パッドのガラス表面に与える物理的研磨作用を向上させる余地があることを見出した。
また、酸化セリウムのような化学的研磨作用が強い研磨剤を使用する場合であっても、研磨パッドのガラス表面に与える物理的研磨作用を向上させることで、さらに研磨レートを向上させることができる。

上述した知見に基づき、発明者が考案した第１の観点の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法は、ガラス基板の主表面に対して遊離砥粒を含む研磨液を供給しつつ研磨パッドを摺接させて研磨する工程を備えたものであって、研磨パッドの表面には、ガラス基板の主表面と摺接する摺接部と、摺接部間に形成される溝とが設けられている。そして、研磨パッドの表面の１平方メートル当たりに形成されている摺接部のエッジの長さの合計が２００ｍ以上であって、かつ、研磨パッドの表面の全領域に対する摺接部の領域の面積比率である充填率が８０％以上であることを特徴とする。

上記磁気ディスク用ガラス基板の製造方法において、研磨パッドの摺接部は、研磨パッドの表面において、同一形状の複数の三角形の領域からなるようにしてもよい。

好ましくは、上記磁気ディスク用ガラス基板の製造方法において、研磨パッドの摺接面は、発泡性ウレタン樹脂で形成されている。

上記磁気ディスク用ガラス基板の製造方法において、上記発泡性ウレタン樹脂の発泡ポアの開口径が３０〜２００μｍであることを特徴とする。

上記研磨する工程は、上記研磨パッドを取り付けた上定盤および下定盤を有する遊星歯車機構を用い、上定盤と下定盤の間にガラス基板を狭持させ、上定盤または下定盤のいずれか一方、または、双方を移動操作させることでガラス基板の主表面を研磨することを特徴とする。

上記磁気ディスク用ガラス基板の製造方法において、上記遊離砥粒はジルコニア砥粒であることを特徴とする。

上記磁気ディスク用ガラス基板の製造方法において、上記磁気ディスク用ガラス基板は、ＤＦＨヘッドを用いて記録される磁気ディスクの製造に用いられることを特徴とする。

第２の観点の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法は、ガラス基板の主表面に対して遊離砥粒を含む研磨液を供給しつつ研磨パッドを摺接させて研磨する工程を備えた磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、前記研磨パッドの表面には、ガラス基板の主表面と摺接する摺接部と、摺接部間に形成される溝とが設けられており、前記摺接部は、前記研磨パッドの表面において、複数の三角形の領域からなることを特徴とする。

第３の観点の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法は、同一形状の四角形または六角形の領域の各辺上とその対角線上に溝が形成され、それによって複数の三角形の領域から形成された摺接部を有する研磨パッドでガラス基板を研磨することを特徴とすることを特徴とする。

上記磁気ディスク用ガラス基板の製造方法において、前記三角形の領域は直角二等辺三角形の領域であることを特徴とする。

また、発明者が考案した研磨パッドは、磁気ディスク用ガラス基板のガラス基板の主表面に摺接させて当該主表面を研磨するためのものであって、研磨パッドの表面には、ガラス基板の主表面と摺接する摺接部と、摺接部間に形成される溝とが設けられている。そして、研磨パッドの表面の１平方メートル当たりに形成されている摺接部のエッジの長さの合計が２００ｍ以上であって、かつ、研磨パッドの表面の全領域に対する摺接部の領域の面積比率である充填率が８０％以上であることを特徴とする。

本発明の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法によれば、研磨剤の化学的研磨作用に大きく依存せずに、ガラス表面に対する高い研磨レートを確保することができる。すなわち、研磨パッドのガラス表面に与える物理的研磨作用を向上させるため、化学的研磨作用が比較的低い研磨剤あるいは高い研磨剤を使用した場合であっても、研磨レートを向上させることができる。

遊星歯車機構が組み込まれた本実施形態の両面研削装置の構成を示す分解斜視図。 実施形態に係る研磨パッドの平面視のパターンの例を示す図。 実施形態に係る研磨パッドの平面視のパターンの例を示す図。 実施形態に係る研磨パッドの平面視のパターンの例を示す図。 ダブオフ値の算出方法を説明するための図。

以下、本実施形態の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法について詳細に説明する。

［磁気ディスク用ガラス基板］
本実施形態における磁気ディスク用ガラス基板の材料として、アルミノシリケートガラス、ソーダライムガラス、ボロシリケートガラスなどを用いることができる。特に、化学強化を施すことができ、また主表面の平坦度及び基板の強度において優れた磁気ディスク用ガラス基板を作製することができるという点で、アルミノシリケートガラスを好適に用いることができる。さらに、アモルファスのガラスを用いると、表面粗さをさらに低減できるので特に好ましい。

本実施形態の磁気ディスク用ガラス基板の組成を限定するものではないが、本実施形態のガラス基板は好ましくは、酸化物基準に換算し、モル％表示で、ＳｉＯ_２を５０〜７５％、Ａｌ_２Ｏ_３を１〜１５％、Ｌｉ_２Ｏ、Ｎａ_２Ｏ及びＫ_２Ｏから選択される少なくとも１種の成分を合計で５〜３５％、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ及びＺｎＯから選択される少なくとも１種の成分を合計で０〜２０％、ならびにＺｒＯ_２、ＴｉＯ_２、Ｌａ_２Ｏ_３、Ｙ_２Ｏ_３、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｎｂ_２Ｏ_５及びＨｆＯ_２から選択される少なくとも１種の成分を合計で０〜１０％、有する組成からなるアモルファスのアルミノシリケートガラスである。

本実施形態における磁気ディスク用ガラス基板は、円環状の薄板のガラス基板である。磁気ディスク用ガラス基板のサイズは問わないが、例えば、公称直径２．５インチの磁気ディスク用ガラス基板として好適である。

［磁気ディスク用ガラス基板の製造方法］
以下、本実施形態の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法について、工程毎に説明する。ただし、各工程の順番は適宜入れ替えてもよい。

（１）板状ガラスの成形およびラッピング工程
例えばフロート法による板状ガラスの成形工程では先ず、錫などの溶融金属の満たされた浴槽内に、例えば上述した組成の溶融ガラスを連続的に流し入れることで板状ガラスを得る。溶融ガラスは厳密な温度操作が施された浴槽内で進行方向に沿って流れ、最終的に所望の厚さ、幅に調整された板状ガラスが形成される。この板状ガラスから、磁気ディスク用ガラス基板の元となる所定形状の板状ガラス素材が切り出される。浴槽内の溶融錫の表面は水平であるために、フロート法により得られる板状ガラス素材は、その表面の平坦度が十分に高いものとなる。
また、例えばプレス成形法よる板状ガラスの成形工程では、受けゴブ形成型である下型上に、溶融ガラスからなるガラスゴブが供給され、下型と対向ゴブ形成型である上型を使用してガラスゴブがプレス成形される。より具体的には、下型上に溶融ガラスからなるガラスゴブを供給した後に上型用胴型の下面と下型用胴型の上面を当接させ、上型と上型用胴型との摺動面および下型と下型用胴型との摺動面を超えて外側に肉薄板状ガラス成形空間を形成し、さらに上型を下降してプレス成形を行い、プレス成形直後に上型を上昇する。これにより、磁気ディスク用ガラス基板の元となる板状ガラス素材が成形される。
なお、板状ガラス素材は、上述した方法に限らず、ダウンドロー法、リドロー法、フュージョン法などの公知の製造方法を用いて製造することができる。

次に、所定形状に切り出された板状ガラス素材の両主表面に対して、必要に応じて、アルミナ系遊離砥粒を用いたラッピング加工を行う。具体的には、板状ガラス素材の両面に上下からラップ定盤を押圧させ、遊離砥粒を含む研削液（スラリー）を板状ガラス素材の主表面上に供給し、これらを相対的に移動させてラッピング加工を行う。なお、フロート法で板状ガラス素材を成形した場合には、成形後の主表面の粗さの精度が高いため、このラッピング加工を省略してもよい。

（２）コアリング工程
円筒状のダイヤモンドドリルを用いて、円板状ガラス素材の中心部に内孔を形成し、円環状のガラス基板とする。

（３）チャンファリング工程
コアリング工程の後、端部（外周端面及び内周端面）に面取り面を形成するチャンファリング工程が行われる。チャンファリング工程では、円環状のガラス基板の外周端部及び内周端部に対して、例えば、ダイヤモンド砥粒を用いたメタルボンド砥石等によって面取りが施される。

（４）端面研磨工程（機械加工工程）
次に、ガラス基板の端面研磨（エッジポリッシング）が行われる。
端面研磨では、ガラス基板の内周端面及び外周端面をブラシ研磨により鏡面仕上げを行う。このとき、酸化セリウム等の微粒子を遊離砥粒として含むスラリーが用いられる。端面研磨を行うことにより、ガラス基板の端面での塵等が付着した汚染、ダメージあるいはキズ等の損傷の除去を行うことにより、サーマルアスペリティの発生の防止や、ナトリウムやカリウム等のコロージョンの原因となるイオン析出の発生を防止することができる。

（５）固定砥粒による研削工程
固定砥粒による研削工程では、両面研削装置を用いてガラス基板の主表面に対して研削加工を行う。研削による取り代は、例えば数μｍ〜１００μｍ程度である。両面研削装置は、上下一対の定盤（上定盤および下定盤）を有しており、上定盤および下定盤の間にガラス基板が狭持される。そして、上定盤または下定盤のいずれか一方、または、双方を移動操作することにより、ガラス基板と各定盤とを相対的に移動させることで、このガラス基板の両主表面を研削することができる。

（６）第１研磨（主表面研磨）工程
次に、研削されたガラス基板の主表面に第１研磨が施される。第１研磨による取り代は、例えば数μｍ〜５０μｍ程度である。第１研磨は、固定砥粒による研削により主表面に残留したキズ、歪みの除去、主表面のマイクロウェービネスおよび粗さの調整を目的とする。
［研磨装置］
第１研磨工程で使用される研磨装置について、図１を参照して説明する。図１は、第１研磨工程で使用される研磨装置（両面研磨装置）の概略断面図である。なお、この研磨装置と同様の構成は、上述した研削工程に使用される研削装置においても適用できる。

図１に示すように、研磨装置は、上下一対の定盤、すなわち上定盤５０および下定盤６０を有している。上定盤５０および下定盤６０の間にガラス基板Ｇが狭持され、上定盤５０または下定盤６０のいずれか一方、または、双方を移動操作させることで、ガラス基板Ｇと各定盤とを相対的に移動させることにより、このガラス基板Ｇの両主表面を研磨することができる。

図１を参照して研磨装置の構成をさらに具体的に説明する。
研磨装置において、下定盤６０の上面および上定盤５０の底面には、全体として円環形状の平板の研磨パッド１０が取り付けられている。太陽歯車６１、外縁に設けられた内歯車６２および円板状のキャリア３０は全体として、中心軸ＣＴＲを中心とする遊星歯車機構を構成する。円板状のキャリア３０は、内周側で太陽歯車６１に噛合し、かつ外周側で内歯車６２に噛合するともに、ガラス基板Ｇ（ワーク）を１または複数を収容し保持する。下定盤６０上では、キャリア３０が遊星歯車として自転しながら公転し、ガラス基板Ｇと下定盤６０とが相対的に移動させられる。例えば、太陽歯車６１がＣＣＷ（反時計回り）の方向に回転すれば、キャリア３０はＣＷ（時計回り）の方向に回転し、内歯車６２はＣＣＷの方向に回転する。その結果、研磨パッド１０とガラス基板Ｇの間に相対運動が生じる。同様にして、ガラス基板Ｇと上定盤５０とを相対的に移動させてよい。
なお、この研磨装置では、ガラス基板Ｇに対する所望の研磨負荷を設定する目的で、ガラス基板Ｇに与えられる上定盤５０の荷重が調整されることが好ましい。研磨荷重は、例えば１００〜２００［ｇ／ｃｍ^２］の範囲内に設定することができるが、特に１３０［ｇ／ｃｍ^２］以上とするとモータ負荷の低減効果が顕著に得られるためより好ましい。

上記相対運動の動作中には、上定盤５０がガラス基板Ｇに対して（つまり、鉛直方向に）所定の荷重で押圧され、ガラス基板Ｇに対して研磨パッド１０が押圧される。また、図示していないが、研磨液供給タンク内の研磨液（スラリー）が配管を経由してガラス基板Ｇと研磨パッド１０の間に供給される。使用済みの研磨液は上下定盤から排出され、リターン配管によって研磨液供給タンクへ戻されて再使用されるのが好ましい。

図示していないが、図１の研磨装置は、上定盤５０を回転駆動させて遊星歯車機構を動作させるためのモータが設けられている。モータに流す電流は、モータの定格上、上限値が定められている。そのため、図１の研磨装置は、モータに流れる電流が上限値以下となるようにして稼動させる。なお、このような研磨装置においては、上下定盤間に掛かる中心軸方向の負荷、および定盤の回転数のいずれかを増加させるためには、モータにより多くの電流を流す必要がある。

［研磨液］
本実施形態の研磨液に含有させる研磨剤は、例えば、酸化セリウム砥粒、あるいはジルコニア砥粒である。チタニア砥粒やコロイダルシリカ砥粒を用いることもできるが、好ましくは酸化セリウム砥粒とジルコニア砥粒である。
なお、本実施形態では、特にジルコニア砥粒を用いることが有効であり、それは以下の理由による。すなわち、一般にジルコニアは酸化セリウム砥粒よりも硬く割れ難いため、ジルコニア砥粒を含むスラリーを用いて遊星歯車機構を動作させるときには、モータにより大きな負荷が掛かる。ここで、後述するように、本実施形態の研磨パッドを用いることで研磨装置のモータの負荷が小さくなるため、ジルコニア砥粒を使用した場合であっても、モータに掛かる負荷を従来よりも低減できるようになる。
また、ジルコニア砥粒を含むスラリーを循環させて使用する（再使用する）場合には、ジルコニア粒子のハードケーキ化の進行によって、研磨中に徐々に研磨レートが低下し、スクラッチが増加するため、分散剤及びハードケーキ化防止剤（再凝集防止剤）を含む添加物をスラリーに含ませることが好ましいが、これらの添加物によってスラリーの粘度が増大し、同じ研磨荷重・回転数の条件下では、モータへの負荷が増大する。また、研磨の進行に伴うガラススラッジの増加によってもモータへの負荷が増大する。よって、ジルコニア砥粒と添加物を含むスラリーを循環させて使用する場合には、モータへの負荷を低減させる観点から、本実施形態の研磨パッドが有効となる。
なお、上記分散剤として、リン酸塩、スルホン酸塩、ポリカルボン酸及びポリカルボン酸塩からなる群より選択される少なくとも１種を含む第１添加剤が０．０１〜５重量％含まれることが好ましい。リン酸塩、スルホン酸塩、ポリカルボン酸及びポリカルボン酸塩の中では、分散剤としての効果に加え、ハードケーキ化防止効果をより高めることができる点で、ポリカルボン酸が好ましい。
上記再凝集防止剤として、第２添加剤が０．０１〜５重量％含まれることが好ましい。再凝集防止剤の種類を特に限定するものではないが、例えばセルロース（微結晶）、カルボキシメチルセルロース、マルトース、フルクトースなどの糖類や繊維から適宜選択されてよい。

［研磨パッド］
次に、研磨パッド１０の表面のパターンについて、図２〜４を参照して説明する。図２〜４はそれぞれ、実施形態に係る研磨パッド１０が採りうる様々な溝パターン（平面視）を例示する図である。なお、図１に示した研磨パッド１０は、図２に示した溝パターンを例示したものである。

図２〜４に示すように、研磨パッド１０の表面には、研磨加工時にガラス基板と摺接する摺接部１１と、研磨液の流路となる溝１２とが形成されている。研磨パッド１０の摺接部１１は硬質樹脂ポリッシャとして構成され、その硬度は例えばアスカー硬度で４０〜１００程度とすることが好ましい。摺接部１１は例えば、ウレタン系、ポリビニルアルコール系、またはエポキシ系樹脂により成形することが好ましい。より好ましくは、発泡性樹脂（例えば、発泡性ウレタン樹脂）により成形する。

なお、発泡性ウレタン樹脂は、密度（g/cm³）が０．３〜１．０、圧縮率（％）が０．５〜３．０であることが好ましい。さらに、発泡ポアの開口径 (μｍ)が３０〜２００であることが好ましい。密度や圧縮率が前記範囲より小さくなると、また、発泡ポアの開口径が前記範囲より大きくなると、端部形状が悪化してしまうため好ましくない。逆に、密度や圧縮率が前記範囲より大きくなると、また、発泡ポアの開口径が前記範囲より小さくなると、研磨レートが低下したり、研磨キズが発生しやすくなるため好ましくない。

本実施形態では、第１研磨工程におけるガラス基板に対する物理的研磨作用を高めるため、研磨パッド１０の溝パターンは、以下の要件１および要件２をともに充足するようにして形成される。
（要件１）研磨パッド１０の表面の１平方メートル当たりに形成されている溝１２のエッジの長さの合計が２００ｍ以上となること。
（要件２）研磨パッド１０の表面の全領域に対する摺接部１１の領域の面積比率である充填率が８０％以上であること。

以下、上記要件１および要件２を充足するような溝パターンを研磨パッド１０に形成することで、第１研磨工程におけるガラス基板に対する物理的研磨作用を高めることができる理由について説明する。
発明者の研究によって、溝付きの研磨パッドでガラス基板の表面を研磨する場合のガラス基板に与える物理的研磨作用には、ガラス表面に対する研磨パッドの摺接面によるガラス表面の研磨（摺接面による研磨）のみならず、研磨パッドに形成されている溝のエッジによるガラス表面の研磨（エッジによる研磨）も寄与することが分かった。

ここで、所定の大きさの研磨パッドに対して、所定の幅（溝幅）のスラリー排出用の溝を形成することを考える。このとき、溝によって研磨パッドに形成されるエッジの長さの合計値が大きいほど、一定時間内にガラス基板に対してエッジが通過する回数が多くなるため、エッジによる研磨の能力が高くなる。
さらに、溝によって研磨パッドに形成されるエッジの長さの合計値が大きいということは、研磨パッドの単位面積当たりにおいてより多くの溝が形成されることを意味しており、エッジの長さの合計値が小さい場合よりも、ガラス基板との摺接部の面積（摺接面積）が小さくなることを意味する。そのため、研磨パッドの摺接面とガラス基板の表面と間の摩擦による負荷が相対的に小さくなり、研磨装置のモータの負荷が小さくなる。その結果、エッジの長さの合計値が小さい場合（つまり、溝が少なく形成されガラス基板との摺接面積が大きい場合）と比較して、同一の条件（例えば、上下定盤の荷重、定盤の回転数など）の下では、より少ないモータの電流で研磨装置を稼動させることができる。言い換えれば、モータに流れる電流の上限値に近い一定の電流で研磨装置を稼動させる場合には、エッジの長さの合計値が大きい方が相対的に高い荷重および／または高い回転数で研磨装置を稼動させることができるため、ガラス基板に対する研磨レートを向上させることができるようになる。エッジ（摺接面のエッジ）による研磨の方が摺接面による研磨よりもモータ負荷を低減できる理由については必ずしも明確ではないが、エッジの方が近傍にスラリーが多く存在するため、研磨剤の転がりにより抵抗が低くなるためと推察される。また、エッジの近傍にスラリーが多く存在することによって、研磨レートが高くなっている可能性も考えられる。
以上の知見の下、発明者が、様々な溝パターンの研磨パッドによる研磨レートを測定した結果、研磨パッドの表面の１平方メートル当たりに形成されている溝のエッジの長さの合計を２００ｍ以上とすれば、良好な研磨レートが得られることが確認された（要件１）。

しかし、研磨パッドに極力多くの溝を形成すればよいというものではない。研磨パッドにより多くの溝を形成することで物理的研磨作用は向上するが、多くの溝に伴って研磨パッドの摺接面積が少なくなり、ガラス基板の端部のだれ（「ロールオフ」あるいは「ダブオフ」ともいう。）が悪化することが確認された。これは、定盤に所定の荷重を掛けたときに、研磨パッドの摺接面積が少ないほど、研磨パッドの摺接部においてガラス基板に与える圧力が高くなり、その高い圧力がガラス基板の端部にだれを生じさせるためと考えられる。
以上の知見の下、研磨パッドの表面の全領域に対する摺接部の領域の面積比率を充填率と定義し、発明者が、様々な大きさの充填率の研磨パッドについて、研磨後のガラス基板の端部のだれの悪化の発生有無を観察した結果、充填率を８０％以上にすると、ガラス基板の端部のだれが悪化しないことが確認された（要件２）。

次に、上記要件１および要件２を充足するような研磨パッド１０の具体的な溝パターンの形状について、図２〜４を参照して説明する。
研磨パッド１０において、それぞれ要件１および要件２に記載した、１平方メートル当たりに形成されている溝のエッジの長さおよび充填率を変更するための設計上のパラメータは、図２〜４の各図に示した溝幅Ｗと隣接する溝間のピッチＰである。この溝幅Ｗは、研磨液の排出能力や溝形成時の加工条件等の制約によって、その最小値が定まっている場合があるため、ここでは、溝幅Ｗは一定であるとする。例えば、溝幅Ｗは１．５ｍｍとする。このとき、図２に示すように、ピッチＰを一辺とする正方形パターンによって摺接部を形成したときには、上記要件１および要件２を共に充足するピッチＰを決定できない場合が生じうる。つまり、ピッチＰを短くした場合には、研磨パッド１０の表面の単位面積当たりの溝の数が多くなって充填率が要件２を充足せず、逆にピッチＰを長くした場合には、研磨パッド１０の表面の単位面積当たりの溝の数が少なくなって溝のエッジ長が要件１を充足しないことが想定される。

なお、溝幅Ｗを例えば１．５ｍｍから０．５ｍｍにする等、さらに狭くすることができれば、図２に示した正方形パターンの摺接部を形成した場合でも上記要件１および要件２を充足することができる余地が大きくなる。これは、図２の溝パターンにおいて、ピッチＰを短くすることで溝のエッジ長を稼ぐ場合に、溝幅Ｗが狭ければ溝の数が多くても充填率が大きく低下しないためである。しかし、溝幅Ｗを小さくしすぎると、スラリーの流れを妨げてしまい、スラッジの排出効率が低下して研磨レートが低下するので好ましくない。また、溝加工がしにくくなる。一方、溝幅Ｗを広くしすぎると、充填率が大きく下がることのみならず、摺接部のエッジがガラス基板の面取り面に接触しやすくなり、主表面の端部形状が悪化するため好ましくない。これらを鑑みると、溝幅Ｗの好ましい範囲は、０．５〜４．０ｍｍ、より好ましくは１．０〜３．０ｍｍである（２．５インチのガラス基板を研磨対象とする場合）。
また、溝深さについては、０．５〜２．０ｍｍ程度とすることができるが、より好ましくは、１〜１．５ｍｍである。０．５ｍｍよりも浅いと前述のとおりスラリーの流れを妨げられ、２．０ｍｍよりも深いと摺接部の剛性が低下して端部形状が悪化してしまうため好ましくない。

一方、図３に示すように、図２に示した個々の正方形の摺接部に対して対角線に溝１２を追加した溝パターンにすると、溝幅Ｗを狭くしなくても、ピッチＰを長くとりつつ溝の十分なエッジ長を確保することができる設計上の余地が大きくなる。これは、ピッチＰを狭くしなくても新たに追加された対角線の溝がエッジ長を長くすることに寄与するためである。つまり、同一形状の四角形または六角形の領域を基本領域としたとき、その基本領域を構成する各辺上とその対角線上に溝を設けることで、溝幅ＷとピッチＰの最適化により、充填率を高く維持したままエッジ長を増大させることが可能となる。
図４は、図３と同様に、研磨パッド１０の個々の摺接部を三角形にしたものであるが、形状としてはハニカム形状を６分割することで個々の三角形の摺接部を形成した点で図３と異なる。図４の溝パターンによっても、ピッチＰを長くした場合であっても溝の十分なエッジ長を確保することができるようになる。
また、摺接部を、研磨パッド１０の表面において複数の三角形の領域から構成することで、四角形の領域から構成するよりもモータの負荷を減らすことができる。これは、四角形では全ての溝の交点が４叉であるのに対して、三角形では６叉または８叉の溝交点が発生するため、スラリーが溝の交点を通って動きやすくなるためであると考えられる。これにより、以下の利点がある。すなわち、研磨加工時にさらなる高荷重・高回転が可能となるため、研磨レートを高くすることが可能となる。摺動がスムーズになるためガラス基板の端部形状も良好になり、それによってプロセス設計の自由度が増すメリットがある。また、研磨加工時の負荷が減ると研磨装置からのモータによる発熱が少なくなるため、研磨終了後のガラス基板を次工程へ移載する際に基板が乾きにくくなる。その結果、遊離砥粒などのスラリーの成分が主表面上に残りにくくなるため、基板の表面品質が向上する。また、研磨装置の故障も少なくなる。
また、図３に示したように、摺接部を構成する領域の形状である三角形は直角二等辺三角形であることが好ましい。これにより、摺接部に形成される溝の交点を４叉と８叉とすることができる。他方、正三角形の場合（図４）は、全ての溝の交点が６叉となる。直角二等辺三角形の場合には８叉の交点が存在することによって、スラリーの動きが格段によくなるため、研磨装置のモータ負荷をより低減することができる。

以上から、研磨パッド１０は、溝幅Ｗを基に、摺接部１１の形状（例えば図２〜４のいずれかの形状）とピッチＰを適切に設定することによって、上記要件１および要件２を充足するような溝パターンを設計できることが分かる。

なお、第１研磨工程では、ガラス基板の主表面の表面凹凸について、粗さ(Ra)を１．０ｎｍ以下、より好ましくは０．５ｎｍ以下とし、かつマイクロウェービネス(MW-Rq)を０．５ｎｍ以下とするように研磨を行う。ここで、マイクロウェービネスは、主表面全面の半径１４．０〜３１．５ｍｍの領域における波長帯域１００〜５００μｍの粗さとして算出されるＲＭＳ（Ｒｑ）値で表すことができ、例えば、ポリテック社製のＭｏｄｅｌ−４２２４を用いて計測できる。
主表面の粗さは、ＪＩＳ Ｂ０６０１：２００１により規定される算術平均粗さRaで表され、０．００６μｍ以上２００μｍ以下の場合は、例えば、ミツトヨ社製粗さ測定機ＳＶ−３１００で測定し、ＪＩＳ Ｂ０６３３：２００１で規定される方法で算出できる。その結果、粗さが０．０３μｍ以下であった場合は、例えば、日本Ｖｅｅｃｏ社製走査型プローブ顕微鏡（原子間力顕微鏡；ＡＦＭ）ナノスコープで計測しＪＩＳ Ｒ１６８３：２００７で規定される方法で算出できる。本願においては、１μｍ×１μｍ角の測定エリアにおいて、５１２×５１２ピクセルの解像度で測定したときの算術平均粗さRaを用いることができる。

（７）化学強化工程
次に、第１研磨後の円環状のガラス基板は化学強化される。
化学強化液として、例えば硝酸カリウム（６０重量％）と硫酸ナトリウム（４０重量％）の混合液等を用いることができる。化学強化では、化学強化液が、例えば３００℃〜４００℃に加熱され、洗浄したガラス基板が、例えば２００℃〜３００℃に予熱された後、ガラス基板が化学強化液中に、例えば３時間〜４時間浸漬される。
ガラス基板を化学強化液に浸漬することによって、ガラス基板の表層のリチウムイオン及びナトリウムイオンが、化学強化液中のイオン半径が相対的に大きいナトリウムイオン及びカリウムイオンにそれぞれ置換され、ガラス基板が強化される。なお、化学強化処理されたガラス基板は洗浄される。例えば、硫酸で洗浄された後に、純水等で洗浄される。

（８）第２研磨（最終研磨）工程
次に、化学強化されて十分に洗浄されたガラス基板に第２研磨が施される。第２研磨による取り代は、例えば１μｍ程度である。第２研磨は、主表面の鏡面研磨を目的とする。第２研磨では例えば、第１研磨で用いた研磨装置を用いる。このとき、第１研磨と異なる点は、遊離砥粒の種類及び粒子サイズが異なることと、樹脂ポリッシャの硬度が異なることである。
第２研磨に用いる遊離砥粒として、例えば、スラリーに混濁させたコロイダルシリカ等の微粒子（粒子サイズ：直径１０〜５０ｎｍ程度）が用いられる。
研磨されたガラス基板を中性洗剤、純水、ＩＰＡ等を用いて洗浄することで、磁気ディスク用ガラス基板が得られる。
第２研磨工程を実施することは必ずしも必須ではないが、ガラス基板の主表面の表面凹凸のレベルをさらに良好なものとすることができる点で実施することが好ましい。第２研磨工程を実施することで、主表面の算術平均粗さ(Ra)を０．１ｎｍ以下かつ前記主表面のマイクロウェービネス（MW-Rq）を０．３ｎｍ以下、より好ましくは０．１ｎｍ以下とすることができる。

［磁気ディスク］
磁気ディスクは、磁気ディスク用ガラス基板を用いて以下のようにして得られる。
磁気ディスクは、例えば磁気ディスク用ガラス基板の主表面上に、主表面に近いほうから順に、少なくとも付着層、下地層、磁性層（磁気記録層）、保護層、潤滑層が積層された構成になっている。
例えば基板を真空引きを行った成膜装置内に導入し、ＤＣマグネトロンスパッタリング法にてＡｒ雰囲気中で、基板主表面上に付着層から磁性層まで順次成膜する。付着層としては例えばＣｒＴｉ、下地層としては例えばＣｒＲｕを用いることができる。磁性層としては、例えばＣｏＰｔ系合金を用いることができる。また、Ｌ_１０規則構造のＣｏＰｔ系合金やＦｅＰｔ系合金を形成して熱アシスト磁気記録用の磁性層とすることもできる。上記成膜後、例えばＣＶＤ法によりＣ_２Ｈ_４を用いて保護層を成膜し、続いて表面に窒素を導入する窒化処理を行うことにより、磁気記録媒体を形成することができる。その後、例えばＰＦＰＥ（パーフルオロポリエーテル）をディップコート法により保護層上に塗布することにより、潤滑層を形成することができる。

以下に、本発明を実施例によりさらに説明する。但し、本発明は実施例に示す態様に限定されるものではない。

（１）溶融ガラスの作製
以下の組成のガラスが得られるように原料を秤量し、混合して調合原料とした。この原料を熔融容器に投入して加熱、熔融し、清澄、攪拌して泡、未熔解物を含まない均質な熔融ガラスを作製した。得られたガラス中には泡や未熔解物、結晶の析出、熔融容器を構成する耐火物や白金の混入物は認められなかった。
［ガラスの組成］
酸化物基準に換算し、モル％表示で、ＳｉＯ_２を５０〜７５％、Ａｌ_２Ｏ_３を１〜１５％、Ｌｉ_２Ｏ、Ｎａ_２Ｏ及びＫ_２Ｏから選択される少なくとも１種の成分を合計で５〜３５％、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ及びＺｎＯから選択される少なくとも１種の成分を合計で０〜２０％、ならびにＺｒＯ_２、ＴｉＯ_２、Ｌａ_２Ｏ_３、Ｙ_２Ｏ_３、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｎｂ_２Ｏ_５及びＨｆＯ_２から選択される少なくとも１種の成分を合計で０〜１０％、有する組成からなるアモルファスのアルミノシリケートガラス

（２）板状ガラス素材の作製
清澄、均質化した上記熔融ガラスをパイプから一定流量で流出するとともにプレス成形用の下型で受け、下型上に所定量の熔融ガラス塊が得られるよう流出した熔融ガラスを切断刃で切断した。そして熔融ガラス塊を載せた下型をパイプ下方から直ちに搬出し、下型と対向する上型および胴型を用いて、薄肉円盤状にプレス成形した。プレス成形品を変形しない温度にまで冷却した後、型から取り出してアニールする。その後、プレス成形により得られた板状ガラス素材に対して、ラッピング加工を行った。ラッピング加工では、遊離砥粒としてアルミナ砥粒（＃１０００の粒度）を用いた。

（３）コアリング加工、およびチャンファリング加工
円筒状のダイヤモンドドリルを用いて、円盤状ガラス素材の中心部に内孔を形成し、円環状のガラス基板とした（コアリング）。そして内周端面および外周端面をダイヤモンド砥石によって研削し、所定の面取り加工を施した（チャンファリング）。

（４）端面研磨工程
次に、円環状のガラス基板の端面について、ブラシ研磨方法により、鏡面研磨を行った。このとき、研磨砥粒としては、酸化セリウム砥粒を含むスラリー（遊離砥粒）を用いた。この端面研磨工程により、ガラス基板の端面は、パーティクル等の発塵を防止できる鏡面状態に加工された。

（５）主表面に対する第１研磨工程
図１に示した研磨装置にガラス基板をセットし、以下に示す従来例、比較例および実施例に係る研磨剤および研磨パッドを使用して研磨を行い、研磨性能および端部のだれについて評価を行った（表１参照）。なお、スラリーは循環させず、掛け流しで使用した。
なお表１において、研磨剤を「ＣｅＯ_２」としている研磨液は、研磨剤として平均粒子径１μｍの酸化セリウム（ＣｅＯ_２）砥粒を１３重量％、純水ろ過水（ＲＯ水）もしくは純水に混入し十分に攪拌して生成した。
また、研磨剤を「ＺｒＯ_２」としている研磨液は、研磨剤として平均粒径は０．８〜１．４μｍのジルコニア(ＺｒＯ_２)を１３重量％、純水ろ過水（ＲＯ水）もしくは純水に混入し十分に攪拌して生成した。なお、平均粒径（D50）とは、体積分率で計算した累積体積頻度が粒径の小さいほうから計算して５０％となる粒径を意味している。

・従来例
ＣｅＯ_２を研磨剤とした研磨液を用い、摺接部の基本形状が正方形（図２参照）である研磨パッドによってガラス基板の研磨を行った。研磨装置の定盤の回転数は３５ｒｐｍ、ガラス基板への荷重は５００Ｋｇｆにセットして行った。研磨後、ＥＤＴＡ（１vol％）、純水、ＩＰＡを順次用いて洗浄および乾燥を実施した。
・比較例
ＺｒＯ_２を研磨剤とした研磨液を用い、摺接部の基本形状が三角形（図３参照）である研磨パッドによってガラス基板の研磨を行った。研磨装置の定盤の回転数は３５ｒｐｍ、ガラス基板への荷重は５００Ｋｇｆにセットして行った。研磨後、従来例と同様の洗浄および乾燥を実施した。
・実施例
ＺｒＯ_２を研磨剤とした研磨液を用い、摺接部の基本形状が三角形（図３参照）である研磨パッドによってガラス基板の研磨を行った。研磨装置の定盤の回転数は３５ｒｐｍ、ガラス基板への荷重は５００Ｋｇｆにセットして行った。研磨後、従来例と同様の洗浄および乾燥を実施した。

なお、従来例、比較例および実施例で使用した研磨パッドは、発泡性ウレタン樹脂で形成されたものであり、発泡性ウレタン樹脂の特性は以下に示すものである。
・アスカー硬度（°）：９０
・密度（g/cm³）：０．７
・ポア径 (μｍ)：９０

なお、表１に示す研磨性能である研磨レートおよび端部のだれの評価では、以下の基準で評価した。
・研磨レート：
３．０μｍ／ｍｉｎ以上を「○○」、３．０μｍ／ｍｉｎ未満から１．５μｍ／ｍｉｎ以上を「○」、１．５μｍ／ｍｉｎ未満から１．２μｍ／ｍｉｎ以上を「△」、１．２μｍ／ｍｉｎ未満を「×」とした（単位：μｍ／ｍｉｎ）。△、○、○○が合格である。
・端部のだれの有無（程度）：
非接触３Ｄ微細表面形状・粗さ測定装置（Phase Shift社製、ＭｉｃｒｏＸＡＭ）を用いて主表面上の周縁部における端部形状（Dub-off）の評価を実施し、ダブオフ値（Dub-off）を測定した。このときダブオフ値について、３５ｎｍ以上を「×」、３５ｎｍ未満から３０ｎｍ以上を「△」、３０ｎｍ未満を「○」とした。△、○が合格である。
なお、ここでの「端部のだれ」とは、主表面の周縁部以外の平坦部分に対する隆起形状（スキージャンプ形状）や沈降形状（ロールオフ形状）の両方を含む。
また、ダブオフ値の算出方法は、以下のとおりである。図５は、ダブオフ値の算出方法を概念的に説明するために、ガラス基板の端部の断面を拡大して表した図である。ダブオフ値を算出するためには、ガラス基板の中心点と、その中心点から外縁に向けて３０ｍｍ離れた主表面上の位置（Ｘ１とする。）と、その中心点から外縁に向けて３１．５ｍｍ離れた主表面上の位置（Ｘ２とする。）とが、図５に示すように定義される（外径６５ｍｍのガラス基板の場合）。なお、ガラス基板の中心点とＸ１とＸ２は、ガラス基板を上から見たときには同一線上にある。このとき、Ｘ１とＸ２を結ぶ基準線Ｌに対して主表面が突出している場合には、ガラス基板の端部はロールオフ形状（図５の（ａ）の場合）であり、その最大突出量をダブオフ値Ｄ（プラス値）とする。逆に、Ｘ１とＸ２を結ぶ基準線に対して主表面が凹んでいる場合には、ガラス基板の端部はスキージャンプ形状（図５の（ｂ）の場合）であり、その最大凹み量をダブオフ値Ｄ（マイナス値）とする。上述したように、ダブオフ値の測定には上述したＭｉｃｒｏＸＡＭを用いた。
１枚の円環状のガラス基板に対するダブオフ値の算出は以下のようにして行う。一方の面について９０度間隔で４点（Ｘ１とＸ２について４個の組合せ）のダブオフ値を算出し、得られた４個のダブオフ値のうち絶対値が最も大きい値をその面のダブオフ値（プラス値またはマイナス値である）とする。同様にして、他方の面についてもダブオフ値を算出する。

表１の従来例１，２に示すように、ＣｅＯ_２を研磨剤とした研磨液を用いた場合、上記要件１および要件２を充足しない研磨パッドを用いても、良好な研磨レートが得られることが分かる。これは、研磨剤であるＣｅＯ_２がガラス基板の表面に与える強力な化学的研磨作用によるものと考えられる。
表１の比較例１に示すように、従来例と同一の研磨パッドを用いて研磨剤をＺｒＯ_２とした場合には、ＺｒＯ_２による化学的研磨作用がＣｅＯ_２に対して劣るために、研磨レートが低下することが分かる。
表１の比較例２〜５に示すように、上記要件１および要件２を充足しない範囲で研磨パッドの形状を変更しても、良好な研磨レートおよび端部のだれが無いことが両立しないことが分かる。
表１の実施例１〜４に示すように、上記要件１および要件２を充足する範囲で研磨パッドの場合には、その形状、ピッチ、溝幅の如何に関わらず、良好な研磨レートおよび端部のだれが無いことが両立することが分かる。

実施例１と比較例３のそれぞれについて連続して１０バッチ加工し、１０バッチ目に得られたガラス基板について、洗浄機へ移載して、中性洗剤、純水、ＩＰＡ、ＩＰＡ Ｖａｐｏｒにて洗浄と乾燥を行った。暗幕中で集光ランプを用いて得られたガラス基板の主表面を目視検査したところ、実施例１のガラス基板の方が比較例３のガラス基板よりも研磨残渣の付着量は少なかった。また、比較例３のガラス基板からのみ、リング型の痕が見つかった。これは、比較例３ではモータへの負荷が大きいことから発熱量が多くなり、その発熱量が連続加工によってさらに蓄積されてしまい、研磨後のガラス基板の表面を乾燥させたためと考えられる。

さらに、以下の試験を行った。
実施例１、実施例４、比較例３の研磨パッドを用いて第１研磨を１０バッチ連続加工し、１０バッチ目に得られたガラス基板に対して、上述の化学強化工程、第２研磨工程、洗浄・乾燥を順に行い、磁気ディスク用ガラス基板を作製した。さらにガラス基板に成膜して磁気ディスクとし、ＤＦＨヘッドを用いてＤＦＨ素子部の突き出し試験を実施した。

［ＤＦＨ素子部突き出し試験］
作製した上記磁気ディスクに対し、クボタコンプス社製ＨＤＦテスタ（Head/Disk Flyability Tester）を用いて、ＤＦＨヘッド素子部の突き出し試験を行った。この試験は、ＤＦＨ機構によって素子部を徐々に突き出していき、ＡＥセンサーによって磁気ディスク表面との接触を検知することによって、素子部が磁気ディスク表面と接触するまでの距離を評価するものである。突き出し量が大きいものほど磁気的スペーシングが低減するため高記録密度化に適しており、磁気信号の正確な記録・再生が可能である。
なお、ヘッドは、３２０ＧＢ／Ｐ磁気ディスク（２．５インチサイズ）向けのＤＦＨヘッドを用いた。素子部の突き出しがないときのヘッド本体の浮上量は１０ｎｍである。また、その他の条件は以下のとおり設定した。
評価半径：２２ｍｍ
磁気ディスクの回転数：５４００ｒｐｍ
温度：２５℃
湿度：６０％

［評価基準］
ヘッドの突き出し量によって以下の４段階で評価した。突き出し量５．０ｎｍ以上が合格である。
○○：８．０ｎｍ以上
○：７．０ｎｍ以上８．０ｎｍ未満
△：５．０ｎｍ以上７．０ｎｍ未満
×：５．０ｎｍ未満

表２の結果は、溝の交差点における溝本数が多いほどモータ負荷が低減し、発熱量が低減して、第１研磨終了後に基板表面に付着するスラリーの残渣が少なくなったことを示している。

実施例１，２について、スラリーに分散剤（ポリカルボン酸を０．５重量％）と再凝集防止剤（セルロースを０．５重量％）を添加したものを用い、同様にして研磨し、洗浄、乾燥した。このとき、スラリーを循環させながら１０バッチ加工した。その後、ガラス基板の表面には、研磨装置のモータの発熱に起因する痕は見られなかった。また、前述と同様に磁気ディスクとし、ＤＦＨ素子部突き出し試験を行ったところ、実施例１，２のときと同様に良好な結果が得られた。すなわち、品質を維持しつつ、スラリー使用量を大幅に低減することができた。

以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法は上記実施形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良や変更をしてもよいのは勿論である。

１０…研磨パッド
１１…摺接部
１２…溝
３０…キャリア
３１…歯部
３２…孔部
５０…上定盤
６０…下定盤
６１…太陽歯車
６２…内歯車

Claims (11)

1. ガラス基板の主表面に対して遊離砥粒を含む研磨液を供給しつつ研磨パッドを摺接させて研磨する工程を備えた磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、
   前記研磨パッドの表面には、ガラス基板の主表面と摺接する摺接部と、摺接部間に形成される溝とが設けられており、
   研磨パッドの表面の１平方メートル当たりに形成されている摺接部のエッジの長さの合計が２００ｍ以上であって、かつ、研磨パッドの表面の全領域に対する摺接部の領域の面積比率である充填率が８０％以上であることを特徴とする、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
2. 前記研磨パッドの摺接部は、研磨パッドの表面において、同一形状の複数の三角形の領域からなることを特徴とする、請求項１に記載された磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
3. 前記研磨パッドの摺接面は、発泡性ウレタン樹脂で形成されていることを特徴とする、請求項１または２に記載された磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
4. 前記発泡性ウレタン樹脂の発泡ポアの開口径が３０〜２００μｍであることを特徴とする、請求項３に記載された磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
5. 前記研磨する工程は、前記研磨パッドを取り付けた上定盤および下定盤を有する遊星歯車機構を用い、上定盤と下定盤の間にガラス基板を狭持させ、上定盤または下定盤のいずれか一方、または、双方を移動操作させることでガラス基板の主表面を研磨することを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載された磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
6. 前記遊離砥粒はジルコニア砥粒であることを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載された磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
7. 前記磁気ディスク用ガラス基板は、ＤＦＨヘッドを用いて記録される磁気ディスクの製造に用いられることを特徴とする、請求項１〜６のいずれかに記載された磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
8. ガラス基板の主表面に対して遊離砥粒を含む研磨液を供給しつつ研磨パッドを摺接させて研磨する工程を備えた磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、
   前記研磨パッドの表面には、ガラス基板の主表面と摺接する摺接部と、摺接部間に形成される溝とが設けられており、
   前記摺接部は、前記研磨パッドの表面において、複数の三角形の領域からなることを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
9. 同一形状の四角形または六角形の領域の各辺上とその対角線上に溝が形成され、それによって複数の三角形の領域から形成された摺接部を有する研磨パッドでガラス基板を研磨することを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
10. 前記三角形の領域は直角二等辺三角形の領域であることを特徴とする、請求項２、８又は９のいずれかに記載された磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
11. 磁気ディスク用ガラス基板のガラス基板の主表面に摺接させて当該主表面を研磨するための研磨パッドであって、
    前記研磨パッドの表面には、ガラス基板の主表面と摺接する摺接部と、摺接部間に形成される溝とが設けられており、
    研磨パッドの表面の１平方メートル当たりに形成されている摺接部のエッジの長さの合計が２００ｍ以上であって、かつ、研磨パッドの表面の全領域に対する摺接部の領域の面積比率である充填率が８０％以上であることを特徴とする、研磨パッド。
    

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