JP2012212848A - Iii族窒化物半導体発光素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】スパッタや蒸着などによって、第1絶縁膜16aの全面に反射膜19を形成し、リフトオフ法によって反射膜19上に所定のパターンのバリアメタル膜23を形成する。次に、銀エッチング液を用いて、反射膜19をウェットエッチングする。ここで、バリアメタル膜23は銀エッチング液によってウェットエッチングされないため、マスクとして機能し、上部にバリアメタル膜23が形成された領域の反射膜19はウェットエッチングされずに残る。これにより、第1絶縁膜16a上に所望のパターンの反射膜19を均一な厚さで形成することができる。
【選択図】図4
Description
11:n型層
12:発光層
13:p型層
14、20、21:孔
15:ITO電極
16、120:絶縁膜
17:n電極
18:p電極
19:反射膜
23:バリアメタル膜
24:レジスト膜
Claims (10)
- AgまたはAg合金からなる反射膜を有したIII 族窒化物半導体発光素子の製造方法において、
前記反射膜を形成する第1の工程と、
前記反射膜上に、前記反射膜のウェットエッチングに対して耐性を有した材料からなるバリアメタル膜をパターニングする第2の工程と、
前記バリアメタル膜をマスクとして、前記反射膜をウェットエッチングする第3の工程と、
前記バリアメタル膜上に絶縁膜を形成する第4の工程と、
を有することを特徴とするIII 族窒化物半導体発光素子の製造方法。 - 第3の工程後、第4の工程前に、ドライアッシングを行う工程を有することを特徴とする請求項1に記載のIII 族窒化物半導体発光素子の製造方法。
- 前記ドライアッシングは、光励起アッシングであることを特徴とする請求項2に記載のIII 族窒化物半導体発光素子の製造方法。
- 第2の工程におけるバリアメタル膜のパターニングは、リフトオフ法により行う、ことを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載のIII 族窒化物半導体発光素子の製造方法。
- 前記バリアメタル膜は、Ti、Cr、または導電性酸化物であることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載のIII 族窒化物半導体発光素子の製造方法。
- 前記バリアメタル膜は多層構造であり、TiまたはCrが最上層であることを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれか1項に記載のIII 族窒化物半導体発光素子の製造方法。
- 前記バリアメタル膜は多層構造であり、Alまたは導電性酸化物からなる層を含むことを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載のIII 族窒化物半導体発光素子の製造方法。
- 前記第1の工程は、前記反射膜を他の絶縁膜上に形成する工程であることを特徴とする請求項1ないし請求項7のいずれか1項に記載のIII 族窒化物半導体発光素子の製造方法。
- 前記反射膜は、p型層上に形成されるp電極であることを特徴とする請求項1ないし請求項8のいずれか1項に記載のIII 族窒化物半導体発光素子の製造方法。
- 前記反射膜の端面は、前記バリアメタル膜の端面と同位置もしくは内側であることを特徴とする請求項1ないし請求項9のいずれか1項に記載のIII 族窒化物半導体発光素子の製造方法。
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