JP2012212735A - 静電チャック - Google Patents
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Abstract
【解決手段】被吸着物を載置する第1主面と、前記第1主面とは反対側の第2主面と、を有するセラミック誘電体基板と、前記セラミック誘電体基板の前記第1主面と前記第2主面とのあいだに介設された電極と、前記セラミック誘電体基板の前記第2主面に形成された凹部の中に設けられた導電性部材と、を備え、前記凹部の先端は、曲面を有し、前記電極は、前記曲面において露出する露出部分を有し、前記導電性部材は、前記露出部分において前記電極と接触していることを特徴とする静電チャックが提供される。
【選択図】図2
Description
図2は、図1に示すA部の模式的拡大断面図である。
本実施形態に係る静電チャック110は、セラミック誘電体基板11と、電極12と、導電性部材20と、を備える。
すなわち、セラミック誘電体基板11は、例えば焼結セラミックによる平板状の基材であり、半導体基板等の被吸着物Wを載置する第1主面11aと、この第1主面11aとは反対側の第2主面11bと、を有する。電極12は、セラミック誘電体基板11の第1主面11aと、第2主面11bと、のあいだに介設されている。つまり、電極12は、セラミック誘電体基板11の中に挿入されるように形成されている。静電チャック110は、この電極12に吸着保持用電圧80を印加することによって、電極12の第1主面11a側に電荷を発生させ、静電力によって被吸着物Wを吸着保持する。
本実施形態の説明において、第2主面11bから第1主面11aに向かう方向(第1方向)をZ方向、Z方向と直交する方向の1つ(第2方向)をY方向、Z方向及びY方向に直交する方向(第3方向)をX方向ということにする。
図3は、凹部及び電極の露出部分の状態を例示する模式図である。
図3(a)は模式的断面図、図3(b)は図3(a)において第2主面からZ方向にみた模式的平面図である。
前述した曲率半径R、露出部分12aの径L、M及び距離D3のほか、電極12の厚さをt、セラミック誘電体基板11の厚さのうち、電極12から第1主面側をD1、第2主面側をD2とする。また、曲面30aをY方向にみた断面形状について、露出部分12aの最も第2主面11b側の位置121での接線130と、電極12の第2主面11b側と、のなす角度をθとする。
例えば、上記の寸法において、厚さtが十分薄い場合、次のような数式1が成り立つ。
D3=R−1/2×√(4×R2−L2) …(数式1)
図5に表した径Lと距離D3との関係は、上記(3)の条件を満たす場合の関係を示している。このように、径Lと距離D3とは数式1の関係に従う。したがって、凹部30を穿孔する際、径Lによって距離D3を管理することができる。
さらに、上記(3)の条件を満たしていると、径Lの変化量に対して距離D3の変化量を小さくすることができる。これにより、径Lの変化を管理すれば、距離D3を精細に管理することができ、微小な距離D3の管理が容易になる。
図6では、本実施形態に係る静電チャック110での凹部30と、参考例に係る静電チャック190での凹部39と、を並列に表している。図6(a)〜(d)にかけて凹部30及び39がそれぞれ深く設けられている。図6(a)〜(d)にかけて、凹部30及び39の先端の位置が、P1〜P4のように変化している。凹部30の曲面は球面状に形成されているのに対し、凹部39にはほとんど曲面が形成されていない。
図7では、本実施形態に係る静電チャック110及び参考例に係る静電チャック190について示している。図7(a)は、凹部の先端位置Pに対する電極との露出面積Sの変化、図7(b)は、凹部の先端位置Pに対するセラミック誘電体基板の強度Iの変化を示している。図7に示されるP1〜P4は、図6(a)〜(d)に示される凹部の先端位置に対応している。
図8は、本実施形態と参考例との凹部の形状について例示した模式図、図9は、セラミック誘電体基板にかかる最大応力のシミュレーション結果である。
図10〜図12は、本実施形態に係る静電チャックの製造方法を工程順に説明する模式的断面図である。
なお、図10〜図12では、凹部30を中心とした模式的拡大断面図を示している。
積層構造体10を形成するには、先ず、セラミック誘電体基板のグリーンシートを形成する。例えばアルミナ粉末にバインダを加え、ボールミルで混合粉砕したのち、混合、脱泡を経て、グリーンシートを形成する。アルミナ粉末としては、例えば平均粒子径0.5μm以下、純度99.99パーセント(%)以上のものを用いる。アルミナ以外の助剤等を添加してもよい。グリーンシートの厚さは、例えば0.4mm以上1.0mm以下である。
これにより、セラミック誘電体基板11の第1主面11aと第2主面11bとのあいだに電極12を設けた積層構造体10が完成する。
なお、導電性部材20は、白金ペーストのほか、めっき、CVD(Chemical Vapor Deposition)、導電性粒子入りの有機系樹脂等でもよい。
これにより、本実施形態の静電チャック110が完成する。
図13〜図18は、凹部の深さとZ方向にみた開口の状態との関係を説明する模式図である。
各図において、(a)は凹部をZ方向にみたときの平面図、(b)は凹部の断面図である。凹部は、図13〜図18にかけて深くなっている。
D3=t+R−1/2×√(4×R2−M2) …(数式2)
図19(a)は、凹部30の内側の状態を例示した光学顕微鏡写真である。また、図19(b)は、凹部30の断面を例示した電子顕微鏡写真である。図19(a)及び(b)ではそれぞれ表示倍率は異なるが、凹部30の深さは同じである。
図19(a)に表したように、凹部30の内側にリング状に例えば白く現れた部分が電極12の露出部分12aである。この際、露出部分12aの径Lを測定すれば、凹部30の深さに相当する距離D3をコントロールすることができる。
図20は、凹部の他の形態を例示する模式的断面図である。
図20(a)及び(b)に表した形態は、凹部30に金属部材35が挿入されたものである。金属部材35には、セラミック誘電体基板11と線膨張係数が近い、例えばモリブデン、コバール、及び各種の合金が用いられる。金属部材35は、凹部30内の導電性部材20を介して挿入されている。これにより、金属部材35にコンタクト電極61を接触させることによって、外部と電極12との電気的導通を得られるようになる。
図21は、円錐形状の曲面を有する凹部を説明する模式図である。先に説明した凹部30の曲面30aは球面状であるが、図21に表した凹部70の曲面70aは、円錐形状になっている。このような凹部70を形成するには、図11に例示した切削ツールTLの先端に設けるビットTLBとして円錐形状のものを使用し、切削ツールTLをZ方向に向けて進めていく。これにより、凹部70の先端に円錐形状の曲面70aの部分が形成される。
Claims (7)
- 被吸着物を載置する第1主面と、前記第1主面とは反対側の第2主面と、を有するセラミック誘電体基板と、
前記セラミック誘電体基板の前記第1主面と前記第2主面とのあいだに介設された電極と、
前記セラミック誘電体基板の前記第2主面に形成された凹部の中に設けられた導電性部材と、
を備え、
前記凹部の先端は、曲面を有し、
前記電極は、前記曲面において露出する露出部分を有し、
前記導電性部材は、前記露出部分において前記電極と接触していることを特徴とする静電チャック。 - 前記曲面は、球面状であり、
前記第2主面から前記第1主面に向かう第1方向にみたときの前記露出部分の径をL、前記曲面の曲率半径をRとしたとき、L≦2Rであることを特徴とする請求項1記載の静電チャック。 - 前記第2主面から前記第1主面に向かう第1方向にみたときの前記露出部分の径をLとし、前記第1方向における前記露出部分の前記第2主面側と前記凹部の先端との間隔をD3としたとき、D3≦L/2であることを特徴とする請求項1記載の静電チャック。
- 前記曲面は、球面状であり、
前記曲面の曲率半径をRとし、前記第2主面から前記第1主面に向かう第1方向における前記露出部分の前記第2主面側と前記凹部の先端との間隔をD3としたとき、D3≦R−(R/√2)であることを特徴とする請求項1記載の静電チャック。 - 前記第2主面から前記第1主面に向かう第1方向と直交する方向を第2方向とし、前記第1方向及び前記第2方向と直交する方向を第3方向として、前記凹部を前記第2方向にみたときの断面において、前記曲面の外形線と、前記露出部分と、の接点における前記曲面の接線の前記第3方向に対する角度をθとしたとき、θ<45°であることを特徴とする請求項1記載の静電チャック。
- 前記凹部は、前記第2主面の側に設けられた第1部分と、前記第1部分と前記電極とのあいだに設けられ前記第1部分よりも開口が小なる第2部分と、を有することを特徴とする請求項1〜5のいずれか1つに記載の静電チャック。
- 前記凹部は、前記第1部分と前記電極とのあいだに複数の前記第2部分を有することを特徴とする請求項6記載の静電チャック。
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