JP2012204077A - 表示装置、表示装置の製造方法および電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】表示装置1は、酸化物半導体よりなる半導体層12上の選択的な領域(チャネル領域12A)に、ゲート絶縁膜13を介してゲート電極14が設けられ、そのチャネル領域12Aに隣接する領域(ソース・ドレイン接続領域12B)にソース・ドレイン電極層16が電気的に接続される。半導体層12では、これらのチャネル領域12Aおよびソース・ドレイン接続領域12Bとは異なる領域(画素電極部12C)がアノードとして利用される。製造プロセスにおいて、フォトマスク、フォトレジストなどの使用部材を減らし、工程数を削減することができる。
【選択図】図1
Description
1.実施の形態(トップゲート構造を有するTFTの半導体層を、表示用の画素電極として利用した有機EL表示装置の例))
2.適用例(モジュール,電子機器の例)
[表示装置1の構成]
図1は、本発明の一実施の形態に係る表示装置(表示装置1)の断面構造を表すものである。表示装置1は、例えばアクティブマトリクス型の有機ELディスプレイであり、マトリクス状に配列する複数の画素を有する。但し、図1には、1つの画素(例えばR,G,Bのいずれかのサブピクセル)に対応する領域のみを示している。表示装置1は、駆動基板11A上に、有機EL層を含む機能層18、共通電極19および保護層20を備え、保護層20上には封止基板21が図示しない接着層によって貼り合わせられている。この表示装置1の発光方式は、いわゆるトップエミッション方式(上面発光方式)であってもよいし、ボトムエミッション方式(下面発光方式)であってもよい。
駆動基板11Aでは、基板11上に、上述のようにトランジスタ部10Bが配設されると共に、このトランジスタ部10Bの一部が各画素を駆動するための電極として機能している。
上記のような表示装置1は、例えば次のようにして作製することができる。まず、駆動基板11Aを、フォトリソグラフィ技術を用いてパターン形成する。例えば、各膜材料を成膜した後、フォトレジストの塗布、プリベーク、フォトマスクを用いた露光、現像、ポストベーク、エッチング(ウェットまたはドライ)およびフォトレジスト剥離等の各工程を経て、各膜のパターニングを行う。具体的には、以下のような手順で駆動基板11Aを作製する。
表示装置1では、R,G,Bの各画素に、各色の映像信号に応じた駆動電流が印加されると、画素電極部12C(アノード)および共通電極19(カソード)を通じて、機能層18に電子および正孔が注入される。これらの電子および正孔は、機能層18に含まれる有機EL層においてそれぞれ再結合され、発光光を生じる。このようにして、表示装置1では、R,G,Bのフルカラーの映像表示がなされる。
次に、上記実施の形態に係る表示装置1の全体構成および画素回路構成について説明する。図14は、有機ELディスプレイとして用いられる表示装置の周辺回路を含む全体構成を表すものである。このように、例えば基板11上には、有機EL素子を含む複数の画素PXLCがマトリクス状に配置されてなる表示領域50が形成され、この表示領域50の周辺に、信号線駆動回路としての水平セレクタ(HSEL)51と、走査線駆動回路としてのライトスキャナ(WSCN)52と、電源線駆動回路としての電源スキャナ(DSCN)53とが設けられている。
以下、上記のような表示装置1の電子機器への適用例(モジュールおよび適用例1〜5)について説明する。電子機器としては、例えばテレビジョン装置,デジタルカメラ,ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラ等が挙げられる。言い換えると、上記表示装置は、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。
表示装置1は、例えば図16に示したようなモジュールとして、後述の適用例1〜5などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、基板11の一辺に、封止用基板60から露出した領域210を設け、この露出した領域210に、水平セレクタ51、ライトスキャナ52および電源スキャナ53の配線を延長して外部接続端子(図示せず)を形成したものである。この外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板(FPC;Flexible Printed Circuit)220が設けられていてもよい。
図17は、テレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル310およびフィルターガラス320を含む映像表示画面部300を有している。この映像表示画面部300が上記表示装置1に相当する。
図18は、デジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部410、表示部420、メニュースイッチ430およびシャッターボタン440を有している。この表示部420が上記表示装置1に相当する。
図19は、ノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体510,文字等の入力操作のためのキーボード520および画像を表示する表示部530を有している。この表示部530が上記表示装置1に相当する。
図20は、ビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部610,この本体部610の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ620,撮影時のスタート/ストップスイッチ630および表示部640を有している。この表示部640が上記表示装置1に相当する。
図21は、携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば上側筐体710と下側筐体720とを連結部(ヒンジ部)730で連結したものであり、ディスプレイ740,サブディスプレイ750,ピクチャーライト760およびカメラ770を有している。これらのうちのディスプレイ740またはサブディスプレイ750が、上記表示装置1に相当する。
Claims (13)
- 基板上に設けられると共に、酸化物半導体よりなる半導体層と、
前記半導体層の選択的な第1領域上に、ゲート絶縁膜を介して配設されたゲート電極と、
ソースまたはドレインとして機能すると共に、前記半導体層の前記第1領域に隣接する第2領域に電気的に接続されたソース・ドレイン電極層と、
前記半導体層の前記第1領域および前記第2領域とは異なる第3領域上に設けられると共に、前記半導体層の前記第3領域に対応する部分を画素電極として表示駆動される有機電界発光素子と
を備えた表示装置。 - 前記半導体層では、前記第2領域および前記第3領域における電気抵抗率が前記第1領域に比べて低くなっている
請求項1に記載の表示装置。 - 前記半導体層上に、前記ゲート絶縁膜および前記ゲート電極を覆い、かつ前記第2領域に対応して第1開口、前記第3領域に対応して第2開口をそれぞれ有する層間絶縁膜を備え、
前記ソース・ドレイン電極層は前記層間絶縁膜の前記第1開口に対応する領域、前記有機電界発光素子は、前記層間絶縁膜の前記第2開口に対応する領域にそれぞれ設けられている
請求項2に記載の表示装置。 - 前記層間絶縁膜は感光性樹脂よりなる
請求項3に記載の表示装置。 - 前記ソース・ドレイン電極層は、前記第1開口を埋め込むように前記層間絶縁膜上に配設され、
前記層間絶縁膜上において前記ソース・ドレイン電極層を覆う保護膜を更に備えた
請求項3に記載の表示装置。 - 前記保護膜は感光性樹脂よりなる
請求項5に記載の表示装置。 - 基板上に、酸化物半導体よりなる半導体層を形成する工程と、
前記半導体層の選択的な第1領域上に、ゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する工程と、
前記半導体層の前記第1領域に隣接する第2領域に電気的に接続されるように、ソースまたはドレインとして機能するソース・ドレイン電極層を形成する工程と、
前記半導体層の前記第1領域および前記第2領域とは異なる第3領域上に、前記半導体層の前記第3領域に対応する部分を画素電極として表示駆動される有機電界発光素子を形成する工程と
を含む表示装置の製造方法。 - 前記ゲート電極を形成する工程の後にプラズマ処理を行い、前記半導体層の前記第2領域および前記第3領域における電気抵抗率を前記第1領域よりも低減させる
請求項7に記載の表示装置の製造方法。 - 前記プラズマ処理の後であって前記ソース・ドレイン電極層を形成する前に、
前記半導体層上に、前記ゲート絶縁膜および前記ゲート電極を覆い、かつ前記第2領域に対応して第1開口、前記第3領域に対応して第2開口をそれぞれ有する層間絶縁膜を形成する工程を含み、
前記ソース・ドレイン電極層を前記層間絶縁膜の前記第1開口に対応する領域、前記有機電界発光素子を、前記層間絶縁膜の前記第2開口に対応する領域にそれぞれ形成する
請求項8に記載の表示装置の製造方法。 - 前記層間絶縁膜として感光性樹脂を用いる
請求項9に記載の表示装置の製造方法。 - 前記ソース・ドレイン電極層を形成する工程において、
前記ソース・ドレイン電極層を、前記層間絶縁膜上に前記第1開口を埋め込むように成膜した後、
成膜したソース・ドレイン電極層を、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングする
請求項9に記載の表示装置の製造方法。 - 前記ソース・ドレイン電極層のパターニングの際に使用した感光性樹脂を加熱しリフローさせることにより、前記層間絶縁膜上において前記ソース・ドレイン電極層を覆う保護膜を形成する
請求項11に記載の表示装置の製造方法。 - 基板上に設けられると共に、酸化物半導体よりなる半導体層と、
前記半導体層の選択的な第1領域上に、ゲート絶縁膜を介して配設されたゲート電極と、
ソースまたはドレインとして機能すると共に、前記半導体層の前記第1領域に隣接する第2領域に電気的に接続されたソース・ドレイン電極層と、
前記半導体層の前記第1領域および前記第2領域とは異なる第3領域上に設けられると共に、前記半導体層の前記第3領域に対応する部分を画素電極として表示駆動される有機電界発光素子と
を備えた表示装置を有する電子機器。
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