JP2012191190A5 - 半導体装置 - Google Patents

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  1. ゲート電極と、
    前記ゲート電極上の、ゲート絶縁層と、
    前記ゲート絶縁層上の、第１の半導体層と、
    前記第１の半導体層上の、第２の半導体層と、
    ソース電極と、
    ドレイン電極と、を有し、
    前記第１の半導体層は、前記第２の半導体層よりも厚い膜厚を有し、
    前記第１の半導体層は、前記ソース電極と接しない端部を有し、
    前記第１の半導体層は、前記ドレイン電極と接しない端部を有し、
    前記第２の半導体層は、前記ソース電極と接する端部を有し、
    前記第２の半導体層は、前記ドレイン電極と接する端部を有することを特徴とする半導体装置。
  2. ゲート電極と、
    前記ゲート電極上の、ゲート絶縁層と、
    前記ゲート絶縁層上の、第１の半導体層と、
    前記第１の半導体層上の、第２の半導体層と、
    ソース電極と、
    ドレイン電極と、を有し、
    前記第１の半導体層は、前記第２の半導体層よりも厚い膜厚を有し、
    前記第１の半導体層と、前記ソース電極との間に空間を有し、
    前記第１の半導体層と、前記ドレイン電極との間に空間を有し、
    前記第２の半導体層は、前記ソース電極と接する端部を有し、
    前記第２の半導体層は、前記ドレイン電極と接する端部を有することを特徴とする半導体装置。
  3. ゲート電極と、
    前記ゲート電極上の、ゲート絶縁層と、
    前記ゲート絶縁層上の、第１の半導体層と、
    前記第１の半導体層上の、第２の半導体層と、
    ソース電極と、
    ドレイン電極と、を有し、
    前記第１の半導体層は、前記第２の半導体層よりも高いキャリア移動度を有し、
    前記第１の半導体層は、前記ソース電極と接しない端部を有し、
    前記第１の半導体層は、前記ドレイン電極と接しない端部を有し、
    前記第２の半導体層は、前記ソース電極と接する端部を有し、
    前記第２の半導体層は、前記ドレイン電極と接する端部を有することを特徴とする半導体装置。
  4. ゲート電極と、
    前記ゲート電極上の、ゲート絶縁層と、
    前記ゲート絶縁層上の、第１の半導体層と、
    前記第１の半導体層上の、第２の半導体層と、
    ソース電極と、
    ドレイン電極と、を有し、
    前記第１の半導体層は、前記第２の半導体層よりも高いキャリア移動度を有し、
    前記第１の半導体層と、前記ソース電極との間に空間を有し、
    前記第１の半導体層と、前記ドレイン電極との間に空間を有し、
    前記第２の半導体層は、前記ソース電極と接する端部を有し、
    前記第２の半導体層は、前記ドレイン電極と接する端部を有することを特徴とする半導体装置。
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