JP2012190914A - 磁気抵抗効果素子および磁気デバイス - Google Patents
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Abstract
【解決手段】Co2FexMn1−xSiホイスラー合金(x=0.0〜1.0)から成り、層厚が2〜20nmである第1のハーフメタル強磁性体層13および第2のハーフメタル強磁性体層15と、それらの間に挟まれたAgから成る非磁性金属体層14とを有している。第1のハーフメタル強磁性体層13の下に、Cr/Ag層から成る下地層12を有し、第2のハーフメタル強磁性体層15の上に、Ag/Ru層から成る酸化防止層16を有している。
【選択図】図1
Description
本発明に係る磁気デバイスは、室温で50%以上の高いMR比を示す本発明に係る磁気抵抗効果素子を有するため、高感度かつ高性能である。本発明に係る磁気デバイスは、例えば、磁気抵抗ヘッド、高感度磁気センサー、高周波発振素子などから成る。特に、ハードディスク等の磁気ヘッドから成る場合、数テラビット/インチ2の記録密度を実現することができる。
図1乃至図3は、本発明の実施の形態の磁気抵抗効果素子を示している。
図1に示すように、磁気抵抗効果素子10は、面直通電型の巨大磁気抵抗効果(CPP−GMR)素子であって、基板11と下地層12と第1のハーフメタル強磁性体層13と非磁性金属体層14と第2のハーフメタル強磁性体層15と酸化防止層16とを有している。
MgO基板/Cr(20)/Ag(50)/Co2FexMn1−xSi(20)
/Ag(5)/Co2FexMn1−xSi(2〜20)/Ag(3)/Ru(3)
と表すことができる(カッコ内の数字は膜厚で、単位はnm)。
11 基板
12 下地層
12a Cr層
12b Ag層
13 第1のハーフメタル強磁性体層
14 非磁性金属体層
15 第2のハーフメタル強磁性体層
16 酸化防止層
16a Ag層
16b Ru層
Claims (6)
- 面直通電型(CPP;Current-Perpendicular-to-the-Plane)の巨大磁気抵抗効果(GMR;Giant Magneto Resistive effect)素子であって、
第1のハーフメタル強磁性体層と、
第2のハーフメタル強磁性体層と、
前記第1のハーフメタル強磁性体層と前記第2のハーフメタル強磁性体層との間に挟まれた非磁性金属体層とを有し、
前記第1のハーフメタル強磁性体層および前記第2のハーフメタル強磁性体層のうち少なくとも一方が、Co2FexMn1−xSiホイスラー合金(x=0.0〜1.0)から成ることを、
特徴とする磁気抵抗効果素子。 - 前記非磁性金属体層はAgから成ることを、特徴とする請求項1記載の磁気抵抗効果素子。
- 前記第1のハーフメタル強磁性体層および前記第2のハーフメタル強磁性体層が、Co2FexMn1−xSiホイスラー合金(x=0.0〜1.0)から成ることを特徴とする、請求項1または2記載の磁気抵抗効果素子。
- 前記Co2FexMn1−xSiホイスラー合金から成る層は、層厚が2〜20nmであることを特徴とする、請求項1乃至3のいずれか1項に記載の磁気抵抗効果素子。
- 前記第1のハーフメタル強磁性体層および前記第2のハーフメタル強磁性体層のうち少なくとも一方は、アニーリング処理が行われていることを特徴とする、請求項1乃至4のいずれか1項に記載の磁気抵抗効果素子。
- 請求項1乃至5のいずれか1項に記載の磁気抵抗効果素子を有することを、特徴とする磁気デバイス。
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