JP2020057446A - 磁気抵抗素子及びその使用方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の面直電流巨大磁気抵抗素子の使用方法は、上記の磁気抵抗素子を、磁界センサとして使用する方法である。
本発明の面直電流巨大磁気抵抗素子の使用方法は、上記の磁気抵抗素子を、スピン電子回路で使用する方法である。
図1は、本発明の第1の実施形態を示す巨大磁気抵抗効果層を有する磁気抵抗素子の構成断面図である。図において、本実施形態の巨大磁気抵抗効果層を有する磁気抵抗素子10は、基板11、この基板11に積層された第1の非磁性層13、巨大磁気抵抗効果層17、及びキャップ層18を有している。巨大磁気抵抗効果層17は、下部強磁性層14及び上部強磁性層16、並びに当該下部強磁性層14と当該上部強磁性層16の間に設けられた第2の非磁性層15を有すると共に、第2の非磁性層15の下部強磁性層14側には第1のB2構造の挿入層15aが設けられ、第2の非磁性層15の上部強磁性層16側には第2のB2構造の挿入層15bが設けられている。なお、第1のB2構造の挿入層15aと第2のB2構造の挿入層15bは、両方設けられていても良く、また片方のみでもよい。
未満であるとよい。第1の非磁性層13が100nm以上である場合、表面ラフネスが悪化し、また0.5nm未満の場合、連続的な膜を成さず下地層としての効果が得られず、本用途での必要な磁気抵抗比が得られない。
下部強磁性層14は、Co基ホイスラー合金、Fe、CoFeからなる群から選ばれた少なくとも一種からなるとよい。下部強磁性層14は、膜厚が1nm以上10nm未満であるとよい。下部強磁性層14が10nm以上の場合、強磁性層中でのスピン緩和の影響が大きく、また1nm未満の場合、強磁性層中でのスピン非対称散乱の効果小さく、本用途での必要な磁気抵抗比が得られない。
第2の非磁性層15はAg、Cu、Al、AgZnの一種からなる群から選ばれた少なくとも一種からなるとよい。第2の非磁性層15は、膜厚が1nm以上20nm未満であるとよい。第2の非磁性層15の膜厚が20nm以上の場合、非磁性層中でのスピン緩和の影響が大きく、また1nm以下の場合、上部強磁性層16と下部強磁性層14の磁気的な結合が生まれ磁化相対角度が小さくなり、本用途での必要な磁気抵抗比が得られない。
第2のB2構造の挿入層15bはNiAl、CoAl、FeAlの一種からなる群から選ばれた少なくとも一種からなるとよい。第2のB2構造の挿入層15bは、膜厚が0.15nm以上0.8nm未満であるとよい。膜厚が0.15nm未満の場合は、原子層の厚さとして1個分に相当するため、連続的な膜を成さず、膜厚が0.8nm超の場合は、原子層の厚さとして5個分に相当して、スピン緩和の影響が大きく、本用途での必要な磁気抵抗比が得られない。
上記のCo基ホイスラー合金は、式Co2YZで表されると共に、式中、YはTi、V、Cr、MnおよびFeからなる群から選ばれた少なくとも一種からなり、ZはAl、Si、Ga、GeおよびSnからなる群から選ばれた少なくとも一種からなるとよい。
キャップ層18は、Ag、Cr、W、Mo、Au、Pt、Pd、Ta、RuおよびRhからなる群から選ばれた少なくとも一種からなるとよい。キャップ層18は、膜厚が1nm以上20nm未満であるとよい。
図2は、本発明の第1の実施形態を示すシリコン基板を用いた巨大磁気抵抗効果層を有する磁気抵抗素子10の製造方法を説明するフローチャートで、(A)は全体の概括工程図、(B)は巨大磁気抵抗効果層の成膜工程の詳細図である。図において、シリコン基板11上に第1の非磁性材料を成膜する(S100)。次に、第1の非磁性材料を成膜したシリコン基板11に、下部強磁性材料の層14、第1のB2構造の挿入層15a、第2の非磁性材料の層15、第2のB2構造の挿入層15b及び上部強磁性材料の層16をこの順で有する巨大磁気抵抗効果層17を成膜する(S102)。この工程において、第1及び第2のB2構造の挿入層15a、15bの膜厚は0.15nm以上0.8nm未満とするのがよい。また、巨大磁気抵抗効果層17の積層体は単一でも良く、また複数個設けても良い。次に、巨大磁気抵抗効果層17を成膜したシリコン基板の上にキャップ層18を成膜する。最後に、巨大磁気抵抗効果層17とキャップ層18を成膜したシリコン基板を200℃以上600℃以下でポストアニールとして熱処理する(S104)。ポストアニールはキャップ層18を成膜する前に成膜装置内で行ってもよい。
次に、第1の非磁性材料を成膜したMgO基板に、下部強磁性材料の層14、第1のB2構造の挿入層15a、第2の非磁性材料の層15、第2のB2構造の挿入層15b及び上部強磁性材料の層16をこの順で有する巨大磁気抵抗効果層17を成膜する(S206)。この工程において、第1及び第2のB2構造の挿入層15a、15bの膜厚は0.15nm以上0.8nm未満とするのがよい。また、巨大磁気抵抗効果層17の積層体は単一でも良く、また複数個設けても良い。次に、巨大磁気抵抗効果層17を成膜したMgO基板の上にキャップ層18を成膜する。最後に、巨大磁気抵抗効果層17とキャップ層18を成膜したMgO基板を200℃以上600℃以下でポストアニールとして熱処理する(S208)。
B2構造のNiAlは格子定数が0.288nmであり、Co2FeGa0.5Ge0.5ホイスラー合金とAg中間層との格子不整合が3%以下と良好であるとともに、(001)方位に対してCoホイスラー合金の多数スピンバンドと類似したバンド分散を持つ。
ここで、上記のCr(5nm)は下地層12に相当し、Ag(5nm)/Ru(8nm)は二層のキャップ層18a、18bに相当している。
B2構造挿入層の膜厚tAはレイヤー構造が得られる限界の膜厚が下限となり、およそ0.15nm(1ML)となる。一方、膜厚の上限はスピン拡散長ISFによる緩和の影響が顕著にならない程度となる。スピン緩和の影響で磁気抵抗特性はexp(-tA/ISF)で減衰する。そこで、例えばNiAlのISFが8nmであるから、B2構造挿入層として有効に働く上限はexp(-tA/ISF)〜0.9程度となる0.8nm(〜5ML)である。従ってB2構造挿入層15a、15bの膜厚上限は、挿入材料のスピン拡散長ISFに依存し、tA/ISFが0.1になる膜厚である。
これらのbcc型非磁性体(B2構造NiAl、FeAl、CoAl)などは電子スピンが緩和する距離が3〜8nm程度と短いため、単体の中間層として3nm以上の膜厚にしてしまうと非磁性体中におけるスピン緩和が著しくMR特性を劣化させる。なお、Ag、Cuは電子スピンが緩和する距離が200nm以上である。
具体例は(001)配向した素子の結果であるが、上記条件を満たす挿入層(A)、中間層(B)であれば素子の成長結晶方位に依存せず(110)、(211)方位などでも同様の効果が得られることが期待できる。
13 第1の非磁性層
14 下部強磁性層
15a B2構造の挿入層
15 第2の非磁性層
15b B2構造の挿入層
16 上部強磁性層
17 巨大磁気抵抗効果層
18 キャップ層
Claims (8)
- MgO基板またはシリコン基板と、
この基板に積層された第1の非磁性層と、
当該基板に積層されたCo基ホイスラー合金、Fe、CoFeから選ばれる一種からなる群から選ばれた少なくとも一種からなる下部強磁性層及び上部強磁性層、並びに当該下部強磁性層と当該上部強磁性層の間に設けられた第2の非磁性層を有する巨大磁気抵抗効果層とを備えると共に、
前記巨大磁気抵抗効果層は、前記下部強磁性層と前記第2の非磁性層の間に設けられた第1のB2構造の挿入層と、前記第2の非磁性層と前記上部強磁性層の間に設けられた第2のB2構造の挿入層との少なくとも一方を有すると共に、
前記第1及び第2のB2構造挿入層は、膜厚が0.15nm以上0.8nm未満であることを特徴とする記載の面直電流巨大磁気抵抗素子。 - 前記第1の非磁性層は、Ag、Cr、Fe、W、Mo、Au、Pt、Pd、Rh、Ta、NiFe及びNiAlからなる群から選ばれた少なくとも一種からなり、
前記第2の非磁性層はAg、Cu、Al、AgZnの一種からなる群から選ばれた少なくとも一種からなり、
前記第1及び第2のB2構造挿入層はNiAl、CoAl、FeAlの一種からなる群から選ばれた少なくとも一種からなる、
ことを特徴とする請求項1に記載の面直電流巨大磁気抵抗素子。 - 前記Co基ホイスラー合金は、式Co2YZで表されると共に:
式中、YはTi、V、Cr、MnおよびFeからなる群から選ばれた少なくとも一種からなり、ZはAl、Si、Ga、GeおよびSnからなる群から選ばれた少なくとも一種からなることを特徴とする請求項1又は2に記載の面直電流巨大磁気抵抗素子。 - 前記下部強磁性層は、膜厚が1nm以上10nm未満であり、
前記第2の非磁性層は、膜厚が1nm以上20nm未満であり、
前記上部強磁性層は、膜厚が1nm以上10nm未満であることを特徴とする請求項1乃至3の何れか1項に記載の面直電流巨大磁気抵抗素子。 - 磁気抵抗(MR)比は20%以上であり、
抵抗変化面積積(ΔRA)は10mΩμm2以上であることを特徴とする請求項1乃至4の何れか1項に記載の面直電流巨大磁気抵抗素子。 - 請求項1乃至5の何れか1項に記載の面直電流巨大磁気抵抗素子を、記憶素子上で使用される読み出しヘッドに使用する方法。
- 請求項1乃至5の何れか1項に記載の面直電流巨大磁気抵抗素子を、磁界センサとして使用する方法。
- 請求項1乃至5の何れか1項に記載の面直電流巨大磁気抵抗素子を、スピン電子回路で使用する方法。
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