JP2006339218A - 磁気検出素子及びその製造方法 - Google Patents
磁気検出素子及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006339218A JP2006339218A JP2005158928A JP2005158928A JP2006339218A JP 2006339218 A JP2006339218 A JP 2006339218A JP 2005158928 A JP2005158928 A JP 2005158928A JP 2005158928 A JP2005158928 A JP 2005158928A JP 2006339218 A JP2006339218 A JP 2006339218A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- magnetic
- comnz
- alloy
- film thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
- G01R33/09—Magnetoresistive devices
- G01R33/093—Magnetoresistive devices using multilayer structures, e.g. giant magnetoresistance sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
- H01F10/324—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
- H01F10/3268—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer the exchange coupling being asymmetric, e.g. by use of additional pinning, by using antiferromagnetic or ferromagnetic coupling interface, i.e. so-called spin-valve [SV] structure, e.g. NiFe/Cu/NiFe/FeMn
- H01F10/3281—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer the exchange coupling being asymmetric, e.g. by use of additional pinning, by using antiferromagnetic or ferromagnetic coupling interface, i.e. so-called spin-valve [SV] structure, e.g. NiFe/Cu/NiFe/FeMn only by use of asymmetry of the magnetic film pair itself, i.e. so-called pseudospin valve [PSV] structure, e.g. NiFe/Cu/Co
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
- H01F41/30—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates for applying nanostructures, e.g. by molecular beam epitaxy [MBE]
- H01F41/302—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates for applying nanostructures, e.g. by molecular beam epitaxy [MBE] for applying spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/80—Constructional details
- H10N50/85—Magnetic active materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
- H01F10/324—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
- H01F10/3263—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer the exchange coupling being symmetric, e.g. for dual spin valve, e.g. NiO/Co/Cu/Co/Cu/Co/NiO
Abstract
【解決手段】 フリー磁性層6が組成式がCoaMnbXc(XはGe、Ga、In、Si、Pb、Zn、Sbのうち1種または2種以上、a+b+c=100原子%)で表される金属化合物からなるCoMnX合金層6aと、組成式がCodMneZf(ZはSn又はAlのうちいずれか一方又は両方、d+e+f=100原子%)で表される金属化合物からなるCoMnZ合金層6bとの積層体を有している。これにより、フリー磁性層6の磁歪を低減することができる。
【選択図】図1
Description
前記フリー磁性層は、組成式がCoaMnbXc(XはGe、Ga、In、Si、Pb、Zn、Sbのうち1種または2種以上、a+b+c=100原子%)で表される金属化合物からなるCoMnX合金層と、組成式がCodMneZf(ZはSn又はAlのうちいずれか一方又は両方、d+e+f=100原子%)で表される金属化合物からなるCoMnZ合金層との積層体を有していることを特徴とするものである。
また本発明では、反強磁性層と、この反強磁性層と接して形成され、前記反強磁性層との交換異方性磁界により磁化方向が固定される前記固定磁性層と、前記固定磁性層に前記非磁性材料層を介して形成された前記フリー磁性層とを有することが好ましい。
前記フリー磁性層を、組成式がCoaMnbXc(元素XはGe、Ga、In、Si、Pb、Zn、Sbのうち1種または2種以上、a+b+c=100原子%)で表される金属化合物からなるCoMnX合金層と、組成式がCodMneZf(ZはSn又はAlのうちいずれか一方又は両方、d+e+f=100原子%)で表される金属化合物からなるCoMnZ合金層との積層体として形成することを特徴とするものである。
これによりΔRAを高い値に維持しつつ、フリー磁性層の磁歪を低減できる。
これにより、フリー磁性層6の磁歪を低減することができる。
なお、CoMnX合金層6aを非磁性材料層5、7と接触させてもよい。
なお、CoMnX合金層6aの膜厚は5Å〜40Åの範囲であることが好ましい。
基本膜構成は、下地層1;Ta(30)/シード層2;NiFeCr(50)/下側反強磁性層3;IrMn(70)/下側固定磁性層4[第1磁性層4a;FeCo(30)/非磁性中間層4b;Ru(9.1)/非磁性中間層側磁性層4c2;FeCo(10)/CoMnX合金層4c1;CoMnGe(40)/非磁性材料層5;Cu(43)/フリー磁性層6/非磁性材料層7;Cu(43)/上側固定磁性層8[CoMnX合金層8c1;CoMnGe(40)/非磁性中間層側磁性層8c2;FeCo(10)/非磁性中間層8b;Ru(9.1)/第1固定磁性層8a;FeCo(30)]/上側反強磁性層9;IrMn(70)/保護層10;Ta(30)
なお括弧内の数値は膜厚を示し単位はÅである。
CoMnGe(100)
(サンプル;実施例1)
[CoMnGe(9)/CoMnSn(5)]×7/CoMnGe(10)
(サンプル;実施例2)
[CoMnGe(16)/CoMnSn(5)]×4/CoMnGe(16)
(サンプル;実施例3)
CoMnGe(10)/CoMnSn(80)/CoMnGe(10)
上記各サンプルを形成した後、各サンプルに対し熱処理を施した。
2 シード層
3、9 反強磁性層
4、8 固定磁性層
5、7 非磁性材料層
6 フリー磁性層
6a CoMnX合金層
6b CoMnZ合金層
6c CoMnXZ合金層
10 保護層
Claims (18)
- 磁化方向が固定される固定磁性層と、前記固定磁性層に非磁性材料層を介して形成され、外部磁界により磁化方向が変動するフリー磁性層、を有する磁気検出素子において、
前記フリー磁性層は、組成式がCoaMnbXc(XはGe、Ga、In、Si、Pb、Zn、Sbのうち1種または2種以上、a+b+c=100原子%)で表される金属化合物からなるCoMnX合金層と、組成式がCodMneZf(ZはSn又はAlのうちいずれか一方又は両方、d+e+f=100原子%)で表される金属化合物からなるCoMnZ合金層との積層体を有していることを特徴とする磁気検出素子。 - 前記CoMnZ合金層の膜厚が1.0Å以上5.0Å以下である請求項1記載の磁気検出素子。
- 前記CoMnX層と前記CoMnZ合金層とを一回ずつ積層した積層構成を一単位とし、この一単位に占める前記CoMnZ合金層の膜厚比率を、[元素CoMnZ合金層の膜厚/(CoMnX合金層の膜厚+CoMnZ合金層の膜厚)]と表したとき、前記CoMnZ合金層の膜厚比率を、0.2以上0.4以下にする請求項1または2記載の磁気検出素子。
- 前記CoMnX合金層と前記CoMnZ合金層の間に、組成式がCogMnhXiZj(XはGe、Ga、In、Si、Pb、Zn、Sbのうち1種または2種以上、ZはSn又はAlのうちいずれか一方又は両方、g+h+i+j=100原子%)で表される金属化合物からなるCoMnXZ合金層が形成されている請求項1ないし3のいずれかに記載の磁気検出素子。
- 前記フリー磁性層中に存在する単層又は複数の前記CoMnZ合金層の合計膜厚と、フリー磁性層の全膜厚の比率([元素CoMnZ合金層の合計膜厚/フリー磁性層の全膜厚])を、0.20以上0.80以下にする請求項1ないし4のいずれかに記載の磁気検出素子。
- 前記フリー磁性層中に存在する単層又は複数の前記CoMnZ合金層の合計膜厚と、フリー磁性層の全膜厚の比率([元素CoMnZ合金層の合計膜厚/フリー磁性層の全膜厚])を、0.20以上0.32以下にする請求項5記載の磁気検出素子。
- 前記CoMnX合金層が前記非磁性材料層に接している請求項1ないし6のいずれかに記載の磁気検出素子。
- 反強磁性層と、この反強磁性層と接して形成され、前記反強磁性層との交換異方性磁界により磁化方向が固定される前記固定磁性層と、前記固定磁性層に前記非磁性材料層を介して形成された前記フリー磁性層とを有する請求項1ないし7のいずれかに記載の磁気検出素子。
- 前記フリー磁性層の上下に積層された非磁性材料層と、一方の前記非磁性材料層の上および他方の前記非磁性材料層の下に位置する前記固定磁性層を有する請求項1ないし7のいずれかに記載の磁気検出素子。
- 一方の前記固定磁性層の上および他方の前記固定磁性層の下に位置して、交換異方性磁界によりそれぞれの前記固定磁性層の磁化方向を一定の方向に固定する反強磁性層を有する請求項9記載の磁気検出素子。
- 前記固定磁性層、非磁性材料層、及びフリー磁性層の膜面に対して垂直方向にセンス電流が流される請求項1ないし10のいずれかに記載の磁気検出素子。
- 磁化方向が固定される固定磁性層と、前記固定磁性層に非磁性材料層を介して形成され、外部磁界により磁化方向が変動するフリー磁性層、を有する磁気検出素子の製造方法において、
前記フリー磁性層を、組成式がCoaMnbXc(元素XはGe、Ga、In、Si、Pb、Zn、Sbのうち1種または2種以上、a+b+c=100原子%)で表される金属化合物からなるCoMnX合金層と、組成式がCodMneZf(ZはSn又はAlのうちいずれか一方又は両方、d+e+f=100原子%)で表される金属化合物からなるCoMnZ合金層との積層体として形成することを特徴とする磁気検出素子の製造方法。 - 前記CoMnZ合金層の膜厚を1.0Å以上5.0Å以下にする請求項12記載の磁気検出素子の製造方法。
- 前記CoMnX層と前記CoMnZ合金層とを一回ずつ積層した積層構成を一単位とし、この一単位に占める前記CoMnZ合金層の膜厚比率を、[元素CoMnZ合金層の膜厚/(CoMnX合金層の膜厚+CoMnZ合金層の膜厚)]と表したとき、前記CoMnZ合金層の膜厚比率を、0.2以上0.4以下にする請求項12または13記載の磁気検出素子の製造方法。
- 前記フリー磁性層中に存在する単層又は複数の前記CoMnZ合金層の合計膜厚と、フリー磁性層の全膜厚の比率([元素CoMnZ合金層の合計膜厚/フリー磁性層の全膜厚])を、0.20以上0.80以下にする請求項12ないし14のいずれかに記載の磁気検出素子の製造方法。
- 前記フリー磁性層中に存在する単層又は複数の前記CoMnZ合金層の合計膜厚と、フリー磁性層の全膜厚の比率([元素CoMnZ合金層の合計膜厚/フリー磁性層の全膜厚])を、0.20以上0.32以下にする請求項15記載の磁気検出素子の製造方法。
- 前記CoMnX合金層を前記非磁性材料層に接触させる請求項12ないし16のいずれかに記載の磁気検出素子の製造方法。
- 前記磁気検出素子を形成した後、前記磁気検出素子に対し熱処理を施す請求項12ないし17のいずれかに記載の磁気検出素子の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005158928A JP4544037B2 (ja) | 2005-05-31 | 2005-05-31 | 磁気検出素子及びその製造方法 |
US11/436,270 US7738218B2 (en) | 2005-05-31 | 2006-05-17 | Magnetic detection head and method for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005158928A JP4544037B2 (ja) | 2005-05-31 | 2005-05-31 | 磁気検出素子及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006339218A true JP2006339218A (ja) | 2006-12-14 |
JP4544037B2 JP4544037B2 (ja) | 2010-09-15 |
Family
ID=37463062
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005158928A Active JP4544037B2 (ja) | 2005-05-31 | 2005-05-31 | 磁気検出素子及びその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7738218B2 (ja) |
JP (1) | JP4544037B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010146650A (ja) * | 2008-12-19 | 2010-07-01 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | 磁気リード・ヘッド |
JP2012064675A (ja) * | 2010-09-14 | 2012-03-29 | Toshiba Corp | スピン波装置 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006278386A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Alps Electric Co Ltd | 磁気検出素子 |
US7499249B2 (en) * | 2005-04-28 | 2009-03-03 | Tdk Corporation | Spin valve-GMR element in which a non-metal laminate layer is provided as a free magnetic layer and method of manufacturing the same |
JP4381358B2 (ja) * | 2005-08-24 | 2009-12-09 | Tdk株式会社 | 磁気検出素子 |
JP2007250756A (ja) * | 2006-03-15 | 2007-09-27 | Fujitsu Ltd | 磁気抵抗効果素子及び強磁性構造の製造方法 |
US8422176B1 (en) * | 2011-11-15 | 2013-04-16 | Western Digital (Fremont), Llc | Method and system for providing a magnetic read transducer having a bilayer magnetic seed layer |
FR2983306B1 (fr) * | 2011-11-25 | 2014-01-10 | Commissariat Energie Atomique | Capteur de champ magnetique |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002357488A (ja) * | 2001-05-31 | 2002-12-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 応力センサー |
JP2003008102A (ja) * | 2001-06-22 | 2003-01-10 | Toshiba Corp | 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気再生装置 |
JP2003218428A (ja) * | 2002-01-24 | 2003-07-31 | Alps Electric Co Ltd | 磁気検出素子 |
JP2004146480A (ja) * | 2002-10-23 | 2004-05-20 | Hitachi Ltd | ホイスラー磁性層と体心立方構造の非磁性中間層を積層した磁気抵抗効果素子および磁気ヘッド |
JP2005116701A (ja) * | 2003-10-06 | 2005-04-28 | Alps Electric Co Ltd | 磁気検出素子 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5656381A (en) * | 1993-03-24 | 1997-08-12 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Magnetoresistance-effect element |
JP2006005185A (ja) * | 2004-06-18 | 2006-01-05 | Alps Electric Co Ltd | 磁気検出素子 |
JP4951864B2 (ja) * | 2005-03-02 | 2012-06-13 | Tdk株式会社 | 磁気検出素子 |
JP4483666B2 (ja) * | 2005-04-08 | 2010-06-16 | Tdk株式会社 | 磁気検出素子及びその製造方法 |
US7499249B2 (en) * | 2005-04-28 | 2009-03-03 | Tdk Corporation | Spin valve-GMR element in which a non-metal laminate layer is provided as a free magnetic layer and method of manufacturing the same |
-
2005
- 2005-05-31 JP JP2005158928A patent/JP4544037B2/ja active Active
-
2006
- 2006-05-17 US US11/436,270 patent/US7738218B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002357488A (ja) * | 2001-05-31 | 2002-12-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 応力センサー |
JP2003008102A (ja) * | 2001-06-22 | 2003-01-10 | Toshiba Corp | 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気再生装置 |
JP2003218428A (ja) * | 2002-01-24 | 2003-07-31 | Alps Electric Co Ltd | 磁気検出素子 |
JP2004146480A (ja) * | 2002-10-23 | 2004-05-20 | Hitachi Ltd | ホイスラー磁性層と体心立方構造の非磁性中間層を積層した磁気抵抗効果素子および磁気ヘッド |
JP2005116701A (ja) * | 2003-10-06 | 2005-04-28 | Alps Electric Co Ltd | 磁気検出素子 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010146650A (ja) * | 2008-12-19 | 2010-07-01 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | 磁気リード・ヘッド |
JP2012064675A (ja) * | 2010-09-14 | 2012-03-29 | Toshiba Corp | スピン波装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7738218B2 (en) | 2010-06-15 |
JP4544037B2 (ja) | 2010-09-15 |
US20060268465A1 (en) | 2006-11-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7466525B2 (en) | Magnetic sensing element including laminated film composed of half-metal and NiFe alloy as free layer | |
US7554776B2 (en) | CCP magnetic detecting element including a self-pinned CoFe layer | |
US7499249B2 (en) | Spin valve-GMR element in which a non-metal laminate layer is provided as a free magnetic layer and method of manufacturing the same | |
JP4951864B2 (ja) | 磁気検出素子 | |
US7567413B2 (en) | Magnetic detecting element with diffusion-preventing layer between spacer Cu and magnetic layer, and method of manufacturing the same | |
US7564661B2 (en) | Magnetic sensing element including free layer having gradient composition and method for manufacturing the same | |
US7898776B2 (en) | Tunneling magnetic sensing element including enhancing layer having high Fe concentration in the vicinity of barrier layer | |
JP2003218428A (ja) | 磁気検出素子 | |
US20060050446A1 (en) | Magnetic sensing element including laminated film composed of half-metal and NiFe alloy as free layer | |
JP2008060273A (ja) | トンネル型磁気検出素子およびその製造方法 | |
JP4544037B2 (ja) | 磁気検出素子及びその製造方法 | |
US7760473B2 (en) | Magnetoresistance element employing Heusler alloy as magnetic layer | |
JP2006245229A (ja) | 磁気検出素子及びその製造方法 | |
JP2006253451A (ja) | 磁気検出素子 | |
US20060215330A1 (en) | Magnetic sensing element containing quaternary Heusler alloy Co2Mn (Ge1-xSnx) which constitutes a free magnetic layer or pinned magnetic layer | |
JP4674498B2 (ja) | 磁気検出素子 | |
JP2008034784A (ja) | トンネル型磁気検出素子及びその製造方法 | |
US7502210B2 (en) | CPP magnetic detecting device containing NiFe alloy on free layer thereof | |
JP4483686B2 (ja) | 磁気検出素子 | |
JP2006351919A (ja) | 磁気検出素子 | |
US7558029B2 (en) | Magnetic detectible head comprising free layer | |
US7609489B2 (en) | Magnetic sensor using NiFe alloy for pinned layer | |
JP2008078378A (ja) | トンネル型磁気検出素子及びその製造方法 | |
JP4483687B2 (ja) | 磁気検出素子及びその製造方法 | |
JP2008293581A (ja) | 磁気検出素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20080108 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20080111 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20080111 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091013 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091020 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091211 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100608 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100621 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130709 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4544037 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |