JP2012186219A - リングフレーム、及び工程管理システム - Google Patents

Abstract

【課題】データキャリアの交信距離が長いリングフレーム、及び当該リングフレームを用いた工程管理システムを提供すること。
【解決手段】リングフレーム１は、半導体ウエハ加工用であって、熱可塑性樹脂を環形状に成形して得られるフレーム本体２と、フレーム本体２の環形状に沿った形状を有するデータキャリア３と、を備えることを特徴とする。工程管理システムは、リングフレーム１と、読取装置と、を備え、半導体ウエハ加工工程の管理情報を前記データキャリアとの間で非接触で送受信することを特徴とする。
【選択図】図１

Description

本発明は、リングフレーム、及び工程管理システムに関する。

近年、管理対象の物品（被着体）に貼付けられたデータキャリア（ＩＣタグ）を情報取得装置（読取装置、リーダ／ライタともいう。）にかざしてＩＣタグから情報を入手し、物品の識別や管理などを行う非接触式ＲＦＩＤが開発されて、普及している。このＩＣタグに内蔵されたＩＣチップが、情報取得装置が発する電磁波によって起動して、情報取得装置との間で情報の送受信を行ったり、データの書き換えを行ったりすることができる。ＩＣタグの利用分野としては、例えば各種の交通機関の定期券、企業等における入出管理、商品の在庫管理、物流管理等多岐にわたる。
ＩＣタグは、半導体製造工程の管理にも利用され始めている。例えば、特許文献１には、ＲＦタグ（ＩＣタグともいう。）を半導体ウエハ加工用のリングフレーム（支持フレーム）に貼り付けたものが記載されている。特許文献１に記載のリングフレームは、熱可塑性樹脂材料に導電性材料が配合された成形材料をリング状に成形して得たものであり、このリングフレーム表面の一部に収納穴が形成され、ＲＦタグは、この収納穴に貼り付けられている。半導体ウエハ（被着体）は、マウント用シートなどの接着シートを介して、このＲＦタグを貼り付けたリングフレームと一体化される。
このようなリングフレームを半導体加工工程で利用する場合には、リングフレームに貼り付けられたＲＦタグには、例えば、半導体ウエハに関する情報、接着シートに関する情報、既に施された加工工程の情報が記録される。そして、半導体ウエハに対して加工を施す際に、加工装置が備えるリーダ／ライタにて当該ＲＦタグに記録された当該情報を読み取って加工条件を設定したり、施した加工条件に関する情報をＲＦタグに書き込んだりする。その後、次工程にリングフレームが搬送されて、ＲＦタグに記録された情報が利用される。このようにして、ＲＦタグ付きリングフレームが工程管理システムに利用されている。

特開２００７−３１４６５０号公報

ところで、特許文献１に記載のリングフレームに貼り付けられたＩＣタグは、フィルム基板と、このフィルム基板に装着されるＩＣチップと、このＩＣチップに接続されたアンテナとを備えたラベル型であり、リングフレーム表面の一部に形成された収納穴に収まる大きさに形成されている。
しかしながら、このようなリングフレームの場合、貼り付けられたＩＣタグのアンテナコイルの内径も必然的にフィルム基板面内に収まるように制限されることになるため、ＩＣタグの交信距離にも限界があり、交信距離を長くしたいという要求もある。交信距離が短ければ、半導体ウエハ加工の工程管理情報を送受信するために、リングフレームをリーダ／ライタに近づけるか、リーダ／ライタをリングフレームに近づけなければならない。

本発明の目的は、データキャリアの交信距離が長いリングフレーム、及び当該リングフレームを用いた工程管理システムを提供することである。

本発明のリングフレームは、
半導体ウエハ加工用のリングフレームであって、
熱可塑性樹脂を環形状に成形して得られるフレーム本体と、
前記フレーム本体の環形状に沿った形状を有するデータキャリアと、を備える
ことを特徴とする。

本発明のリングフレームにおいて、
前記データキャリアが、前記フレーム本体の表面に貼り付けられ、又は前記フレーム本体の内部に収容されている
ことが好ましい。

本発明の工程管理システムは、
前記本発明のリングフレームと、
読取装置と、を備え、
半導体ウエハ加工工程の管理情報を前記データキャリアとの間で非接触で送受信する
ことを特徴とする。

本発明の工程管理システムにおいて、
前記管理情報が、前記リングフレームに貼付する半導体製造用テープに関する情報、前記半導体製造用テープに貼付する半導体ウエハに関する情報、及び半導体ウエハ加工条件に関する情報のうち少なくともいずれかである
ことが好ましい。

本発明のリングフレームによれば、データキャリアがリングフレームの環形状に沿った形状を有するので、従来技術のようにリングフレームの一部にＩＣタグを貼り付けた場合に比べて、データキャリアのアンテナコイルの内径が大きくなる。その結果、リングフレームのデータキャリアの交信距離を長くすることができる。
また、データキャリアがリングフレームの表面に貼り付けられている場合には、データキャリアの存在の有無を確実に確認することができる。
また、データキャリアがリングフレームの内部に収容されている場合には、半導体ウエハの加工の際にデータキャリアが邪魔にならず、一方でウエハ加工時やリングフレーム搬送時のデータキャリアの破損や損傷を防止できる。

本発明の工程管理システムによれば、本発明のリングフレームと、読取装置とを備えるので、読取装置とデータキャリアとの間の交信距離を長くした工程管理システムを構築できる。例えば、従来のようなＩＣタグをフレーム本体に貼り付けただけの場合では、交信距離が短いため、ＩＣタグとリーダ／ライタとの間で管理情報を送受信する際に、両者を近づける必要がある。本発明のように交信距離を長くした工程管理システムであれば、両者を従来技術のように近づけなくても良いので、リングフレームから離れた位置にリーダ／ライタを設置して、そこから、管理情報を確実に送受信することができるようになる。その結果、半導体ウエハ加工装置や加工ラインの設計の自由度が増す。
また、本発明の工程管理システムにおいて、管理情報が、前記リングフレームに貼付する半導体製造用テープに関する情報、前記半導体製造用テープに貼付する半導体ウエハに関する情報、及び半導体ウエハ加工条件に関する情報等であるので、半導体ウエハに対して適切な加工を施すことができる。すなわち、本発明の工程管理システムは、交信距離の長いリングフレームを用いているので、これらの管理情報をリーダ／ライタに確実に送信することができ、加工装置は、リーダ／ライタで受信した管理情報に基づいて適切な加工条件を設定した上で加工を行うことができる。

本発明の第一実施形態に係るリングフレームの平面図である。 本発明の第一実施形態に係る工程管理システムの概略図である。 半導体ウエハ加工工程のラミネート工程を説明する概略図である。 半導体ウエハを収納する半導体ウエハ収納カセットに貼り付けられる収納カセット用データキャリアの断面図である。 半導体ウエハ加工工程のバックグラインド工程を説明する概略図である。 半導体ウエハ加工工程のマウント工程を説明する概略図である。 半導体ウエハ加工工程のダイシング工程を説明する概略図である。 本発明の第二実施形態に係るリングフレームの（Ａ）平面図、及び（Ｂ）断面図である。

＜第一実施形態＞
〔リングフレーム〕
図１には、本発明の第一実施形態に係るリングフレーム１が示されている。
リングフレーム１は、環状に形成されたフレーム本体２と、このフレーム本体２の環形状に沿った形状を有するデータキャリア３とを備えて構成されている。
本実施形態のリングフレーム１は、半導体加工プロセスにおいて被着体としての半導体ウエハを支持する。

フレーム本体２は、熱可塑性樹脂を環状に成形して得られるものである。本発明において、環状とは、円形に限らず、楕円形、四角形などの多角形なども含む。
フレーム本体２は、直径８インチ（２０３．２ｍｍ）又は直径１２インチ（３０４．８ｍｍ）の半導体ウエハを支持可能なように、半導体ウエハよりも大きいサイズに成形される（１インチ＝２．５４ｃｍ）。フレーム本体２の内径寸法は、例えば、直径８インチの半導体ウエハ向けだと２５０ｍｍ程度、直径１２インチの半導体ウエハ向けだと３５０ｍｍ程度とされる。フレーム本体２の枠の幅寸法は、データキャリア３を搭載させるのに必要な大きさに成形されている。より具体的には、後述するようにデータキャリア３のアンテナコイル３２をフレーム本体２の環形状に沿って配置可能な幅寸法であればよく、３ｍｍ〜１５０ｍｍが好ましく、５ｍｍ〜１００ｍｍがさらに好ましく、１０ｍｍ〜５０ｍｍがより好ましい。フレーム本体２の枠の幅寸法が３ｍｍ未満であると、データキャリア３を配置するのに十分な幅でなかったり、データキャリア３のアンテナの設計に制限が出たり、リングフレーム１としての各加工工程における強度が不足する場合がある。フレーム本体２の枠の幅寸法が１５０ｍｍを超えると、必要以上の大きさを有することになり不経済であるばかりか、リングフレーム１の収納カセットや各種半導体ウエハ加工機（バックグラインド装置、ダイシング装置等）の大型化を招くことになり、装置の設置場所等に支障が出る場合などがある。なお、本発明では、フレーム本体２の枠の幅寸法は、フレーム本体２の内周縁から外周縁までの距離とする。
フレーム本体２の厚さ寸法は、成形に用いられる樹脂の種類に応じて適宜設定されればよいが、例えば１ｍｍ〜３０ｍｍが好ましく、２ｍｍ〜１０ｍｍがさらに好ましい。この厚さ寸法が１ｍｍ未満だとリングフレーム１としての各加工工程における強度が不足する場合がある。この厚さ寸法が３０ｍｍを超えると必要以上の大きさを有することになり不経済であるばかりか、リングフレームの収納カセットや各種半導体ウエハ加工機（バックグラインド装置、ダイシング装置等）の大型化を招くことになり、装置の設置場所等に支障が出る場合などがある。
フレーム本体２の外周面には、リングフレーム１を搬送する際や加工する際に位置決めするためのノッチ２１が形成されている。

フレーム本体２の成形に用いられる熱可塑性樹脂としては、ポリプロピレン、アクリロニトリル‐ブタジエン‐スチレン共重合体（acrylonitrile-butadiene-styrene copolymer、ＡＢＳ）、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート等のアクリル系樹脂、塩化ビニル、ポリフェニレンオキシド、ポリカーボネート、ナイロン系樹脂、ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）、芳香族ポリスルホン等が挙げられ、これらを単独あるいはブレンドして用いてもよい。これらの熱可塑性樹脂に、強度や剛性を確保するために、カーボンファイバー、炭酸カルシウム、及び補強効果や耐薬品性に優れるホウ酸アルミニウムウィスカーなどが配合されていてもよい。
また、フレーム本体２の成形に用いられる熱可塑性樹脂には、半導体ウエハ加工工程における静電気の発生を抑制するために熱可塑性樹脂に導電性材料を配合して用いることが好ましい。導電性材料としては、ケッチェンブラック、アセチレンブラック等の導電性カーボンブラック、酸化錫、酸化インジウム等の金属酸化物、過塩素酸リチウムや有機ホウ素錯体リチウム塩等のリチウム系イオン導電材料等が挙げられる。これら導電性材料の配合量としては、特に限定はされないが、熱可塑性樹脂１００重量部に対して１重量部〜５０重量部が好ましく、５重量部〜２５重量部がさらに好ましい。導電性材料の配合量が１重量部未満であると、導電性が不足する場合があり得る。導電性材料の配合量が５０重量部を超えると、導電性向上の寄与に対して過剰な配合量となったり、リングフレームの強度不足を招いたりする場合などがある。

データキャリアとは、情報の記憶部を有する担体であり、情報の入力、書き換えを行ったり、入力された情報について質問器からの質問に対して応答を返信する装置を意味する。本発明においては、電磁波を通信媒体として非接触で情報の入力あるいは出力を行うことができる非接触型のデータキャリアが好ましく用いられる。このような非接触データキャリアとしては、ＩＣチップと導電性コイルを接続してなる、いわゆるＲＦメモリーがあげられる。
本実施形態において、データキャリア３は、非接触型のデータキャリアであり、ＩＣチップ３１と、このＩＣチップ３１に接続された導電性のアンテナコイル３２とを備える。
データキャリア３は、フレーム本体２の環形状に沿った形状を有するものである。アンテナコイル３２の巻き数（又は、ターン数ともいう。）は、１以上であればよい。本実施形態でのアンテナコイル３２の巻き数は、１であり、フレーム本体２の環形状に沿って略１周にわたってアンテナコイル３２が設けられている。アンテナコイル３２の内径寸法は、フレーム本体２の内径寸法より大きい。そのため、アンテナコイル３２の内径寸法は、フレーム本体２が直径８インチの半導体ウエハ向けだと２５０ｍｍ以上になり、フレーム本体２が直径１２インチの半導体ウエハ向けだと３５０ｍｍ以上になる。アンテナコイル３２の外形寸法は、フレーム本体２の外形寸法よりも小さい。
アンテナコイル３２の線間隔は、巻き数とフレーム本体２の幅寸法との関係で適宜設定される。

データキャリア３は、フレーム本体２に対して接着剤や両面粘着シートなどによって貼り付けられる。ここで用いる接着剤や両面粘着シートは、公知のものを用いることができる。
また、データキャリア３を覆うような保護部材を設けてもよい。
このとき、保護部材の一方の面に粘着剤層を用いることで、データキャリア３をフレーム本体２に貼り付けてもよい。前記両面粘着シートの中芯および保護部材としては、紙材、布、合成樹脂からなるフィルムなどを用いることができる。
紙材としては、上質紙、グラシン紙、クラフト紙、クレープ紙、板紙、木材繊維や合成繊維などからなる不織布などを例示することができる。
布としては、アクリル繊維、ポリプロピレン繊維、ポリエチレン繊維等の合成繊維、炭素繊維、綿、絹、麻などを織り込んだものを例示することができる。
合成樹脂としては、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリエチレン樹脂、シリコーン樹脂、スチレン樹脂、ブタジエン樹脂などを例示することができる。
前記両面粘着シートの中芯および保護部材の厚さ寸法は、１μｍ〜１ｍｍが好ましく、５μｍ〜３００μｍがさらに好ましい。この厚さ寸法が１μｍ未満であると、薄くてコシが無いために貼り付けにくくなったり、シワになり易かったり、切れ易くなったりすることがある。この厚さ寸法が１ｍｍを超える場合には、コシがありすぎて可とう性が不足して貼り付けにくくなったり、大型化したりするという問題が生ずる場合がある。
前記両面粘着シートや保持部材の粘着剤、並びにフレーム本体２に貼り付けるための接着剤としては、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、スチレン樹脂、ポリエステル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂などを用いることができる。
当該粘着剤や接着剤の厚さ寸法としては、１μｍ〜５００μｍが好ましく、５μｍ〜１００μｍがさらに好ましい。この厚さ寸法が１μｍ未満であると、均一な膜が得られにくかったり、接着性が不足したりする場合などがある。５００μｍを超える場合には、成膜時に余分な時間が必要になったり、大型化につながったりするばかりか、不経済であるという問題も招く場合がある。
また、データキャリア３は、ＩＣチップ３１とアンテナコイル３２とが予めタグ化されたものであっても良い。すなわち、ＩＣチップ３１とアンテナコイル３２とをフレーム本体２の環形状に沿った形状を有する回路基材上に実装して得たＩＣタグをフレーム本体２に貼り付ける時と同様の両面粘着シートでフレーム本体２に貼り付けてもよい。この場合の回路基材としては、保護部材で例示した材料を挙げることができ、好ましい厚さ寸法についても同様である。さらに、回路基材上にフレーム本体２に沿ったアンテナコイル３２を形成し、ＩＣチップ３１を実装したＩＣタグに粘着剤層を積層して粘着ラベル状にして、フレーム本体２に合わせた形状に打ち抜き、切断をしてフレーム本体２に貼り付けてもよい。

アンテナコイル３２の形成方法としては、被覆銅線をフレーム本体２の環形状に沿って巻く方法、導電性ペーストを当該環形状に沿って印刷する方法、フレーム本体２や回路基材上に積層した銅やアルミニウム等の導電性金属箔を当該環形状に沿った形状にエッチングする方法などが挙げられる。導電性ペーストとしては、金、銀、ニッケル、銅等の金属粒子をバインダーや有機溶剤に分散させたものが上げられる。バインダーとしては、ポリエステル、ポリウレタン、エポキシ、フェノール等の樹脂が挙げられる。

〔工程管理システム〕
工程管理システム２０は、図２に示すように、リングフレーム１が備えるデータキャリア３と、このデータキャリア３との間で電磁誘導方式により電波を送受信してデータキャリア３の内部メモリにアクセスする読取装置としてのリーダ／ライタ４とを備えて構成される。さらに、このリーダ／ライタ４を制御する制御装置としてのコンピュータ５を備えることが好ましく、リーダ／ライタ４とコンピュータ５とは、有線又は無線により接続される。
本実施形態では、工程管理システム２０が半導体ウエハ加工工程の管理に用いられる場合を例に挙げて説明する。工程管理システム２０では、リングフレーム１に備えられたデータキャリア３とリーダ／ライタ４との間で半導体ウエハ加工工程の管理情報をやり取りする。

半導体ウエハ加工では、図２に示すように、リングフレーム１に半導体製造用テープとしての粘着シートＳを介して半導体ウエハＷがマウントされている。
半導体ウエハＷは、シリコン半導体ウエハやガリウム・ヒ素半導体ウエハなどが挙げられる。
粘着シートＳとしては、従来より半導体ウエハの加工に用いられてきた粘着シートが特に制限なく用いられるが、本発明においては、特にエネルギー線硬化型粘着剤層を備えた粘着シートが好ましく用いられる。このようなエネルギー線硬化型粘着シートの詳細は、特開昭６０−１９６９５６号公報、特開昭６０−２２３１３９号公報、特開平５−３２９４６号公報、特開平８−２７２３９号公報等に記載されている。

管理情報としては、例えば、リングフレーム１に貼付する粘着シートＳに関する情報（粘着シート情報）、粘着シートＳに貼付されリングフレーム１にマウントされる半導体ウエハＷに関する情報（ウエハ情報）、半導体ウエハＷに施された加工条件に関する情報（ウエハ加工情報）が挙げられる。

各管理情報について具体的に説明する。
粘着シート情報としては、粘着シートＳの製品名、品番、ロットナンバー、品質保証期限等が挙げられる。本実施形態では、粘着シートＳは、半導体ウエハＷをフレーム本体２と一体化するマウント工程、及び半導体ウエハＷを切断するダイシング工程で用いられるマウントテープに当たる。

ウエハ情報としては、半導体ウエハＷに関する情報が挙げられる。半導体ウエハＷに関する情報としては、半導体ウエハＷのロット番号、種類、サイズや厚さ寸法、寸法精度、傷の有無、半導体ウエハ上に形成された回路に関する情報などが挙げられる。

ウエハ加工情報としては、半導体ウエハＷの回路が形成されていない裏面を研削加工した際の条件に関する裏面研削情報や、半導体ウエハＷをリングフレーム１と一体化する際のマウント情報などが挙げられる。

このように構成される本発明のリングフレーム１、及び工程管理システム２０を用いて半導体を製造する半導体ウエハ加工処理装置および半導体ウエハ加工処理方法について、以下に例示する。

図３〜８は、半導体ウエハ加工工程を説明する概略図である。
半導体ウエハ加工工程は、ここでは、ラミネート工程と、バックグラインド工程と、マウント工程と、ダイシング工程とを例に挙げて説明する。
なお、以下に説明する半導体ウエハ加工工程で用いられる各種装置が備えるリーダ／ライタ、及びコンピュータは、上述のリーダ／ライタ４、及びコンピュータ５と同様のものである。

（ラミネート工程）
図３は、ラミネート工程の概略を示す図であって、管理情報の流れを示す。
ラミネート工程では、ラミネート装置１１が用いられる。ラミネート装置１１は、表面に回路が形成された半導体ウエハＷが収容された半導体ウエハ収納カセット６から半導体ウエハＷを取出し、半導体ウエハＷの当該回路面に保護テープ１１ｃを貼り付け、半導体ウエハＷの形状に沿って切断する。

ラミネート装置１１は、リーダ／ライタ１１ａ、及びコンピュータ１１ｂを備える。半導体ウエハ収納カセット６には、収納カセット用データキャリア６ａが貼り付けられている。
この収納カセット用データキャリア６ａは、非接触型のデータキャリアであり、ＩＣチップと、このＩＣチップに接続された送受信用の導電性コイルとから構成され、半導体ウエハ収納カセット６に貼り付けて使用するラベル型の構造のものである。すなわち、収納カセット用データキャリア６ａは、リングフレーム１が備えるフレーム本体２の環形状に沿って形成されたデータキャリア３とは、形状や構造などが異なるデータキャリアである。

収納カセット用データキャリア６ａは、例えば、図４に示すように、ポリエチレンテレフタレートなどの回路用基材６１の表面に、導電性インクにて回路６２が印刷され、その上面にＩＣチップ６３が実装されている。そして、その上面に、例えば、ポリエチレンテレフタレートなどの表面基材６４が貼り付けられ、その表面には、熱転写印字（印刷）が可能な印字コート層６５が設けられている。さらに、回路用基材６１の裏面側に、例えば、ポリエチレンテレフタレートなどを芯材とし、芯材６６の両面に粘着層６７を備えた両面粘着テープ６８が設けられている。

収納カセット用データキャリア６ａには、ウエハ情報（ここでは、ウエハ情報Ａとする。）が書き込まれており、ラミネート装置１１のリーダ／ライタ１１ａがこのウエハ情報Ａを読み取る。
また、保護テープ１１ｃは、軸芯１１ｄに巻きつけられており、この軸芯１１ｄにも収納カセット用データキャリア６ａと同様の図示しない保護テープ軸芯用データキャリアが貼り付けられている。この保護テープ軸芯用データキャリアには、保護テープ１１ｃに関する、製品名、品番、ロットナンバー、品質保証期限等の情報（ここでは、保護テープ情報Ｂとする。）が書き込まれており、ラミネート装置１１のリーダ／ライタ１１ａがこの保護テープ情報Ｂを読み取る。
ラミネート装置１１のコンピュータ１１ｂは、リーダ／ライタ１１ａで読み取ったウエハ情報Ａ、及び保護テープ情報Ｂに基づいて、保護テープ１１ｃの貼り付け条件を決定し、ラミネート装置１１は、この貼り付け条件にしたがって半導体ウエハＷに保護テープ１１ｃを貼り付ける。

保護テープ１１ｃが貼り付けられた半導体ウエハＷは、別の半導体ウエハ収納カセット７に収容される。この半導体ウエハ収納カセット７には、収納カセット用データキャリア６ａと同様の収納カセット用データキャリア７ａが貼り付けられている。リーダ／ライタ１１ａは、この収納カセット用データキャリア７ａに、ウエハ情報Ａ、保護テープ情報Ｂ、ラミネート装置１１で貼り付け加工した際の条件（貼り付けテンション、貼り付け速度など。）に関する貼付情報Ｃを書き込む。

（バックグラインド工程）
図５は、ラミネート工程の後に行われるバックグラインド工程の概略を示す図であって、管理情報の流れを示す。
バックグラインド工程では、グラインダー（裏面研削装置）１２が用いられる。グラインダー１２は、半導体ウエハＷの保護テープ１１ｃ側を、図示しない吸着テーブルに吸着保持して、回路が形成されていない裏面を、所定の厚さ寸法まで研削する

グラインダー１２は、リーダ／ライタ１２ａ、及びコンピュータ１２ｂを備える。
リーダ／ライタ１２ａは、半導体ウエハ収納カセット７の収納カセット用データキャリア７ａに書き込まれた情報（ウエハ情報Ａ、保護テープ情報Ｂ、及び貼付情報Ｃ）を読み取り、これらの情報に基づいて、コンピュータ１２ｂは、裏面研削条件を決定する。グラインダー１２は、この裏面研削条件にしたがって所定の厚さ寸法となるまで半導体ウエハＷの回路が形成されていない裏面を研削する。

所定の厚さ寸法まで研削した後、保護テープ１１ｃが貼着された半導体ウエハＷは、別の半導体ウエハ収納カセット８に収容される。この半導体ウエハ収納カセット８には、収納カセット用データキャリア６ａと同様の収納カセット用データキャリア８ａが貼り付けられている。リーダ／ライタ１２ａは、この収納カセット用データキャリア８ａに、ウエハ情報Ａ、保護テープ情報Ｂ、貼付情報Ｃ、グラインダー１２で裏面研削加工を施した際の条件（研削速度、グラインダーの目の番手、仕上げ厚さ寸法など）に関する裏面研削情報Ｄを書き込む。

（ウエハマウント工程）
図６は、バックグラインド工程の後に行われるマウント工程の概略を示す図であって、管理情報の流れを示す。
ウエハマウント工程では、マウンター１３が用いられる。マウンター１３は、半導体ウエハ収納カセット８から半導体ウエハＷを取り出して、半導体ウエハＷの保護テープ１１ｃ側を図示しない吸着テーブルに吸着保持して、この半導体ウエハＷの外周にリングフレーム１を置く。その後、マウンター１３は、半導体ウエハＷ、及びリングフレーム１に対してマウントテープ１３ｃを貼着して、リングフレーム１の外形状にマウントテープ１３ｃを切断する。このようにして、マウントテープ１３ｃを介して、半導体ウエハＷとリングフレーム１とを一体化している。
なお、マウントテープ１３ｃをリングフレーム１の外形上に切断する代わりに、リングフレーム１の形状に予めプリカットされたマウントテープ１３ｃを用いても良い。
また、マウントテープ１３ｃは、軸芯１３ｄに巻きつけられており、この軸芯１３ｄにも収納カセット用データキャリア６ａと同様の図示しないマウントテープ軸芯用データキャリアが貼り付けられている。このマウントテープ軸芯用データキャリアには、マウントテープ１３ｃに関する、製品名、品番、ロットナンバー、品質保証期限等のマウントテープ情報Ｅが書き込まれている。なお、このマウントテープ１３ｃは、上述の粘着シートＳに相当する。

なお、ウエハマウント工程においては、この半導体ウエハＷをリングフレーム１ごと反転して、半導体ウエハＷの回路面に貼着された保護テープ１１ｃを、例えば、別途図示しない剥離テープを用いて剥離するようになっている。

マウンター１３は、リーダ／ライタ１３ａ、及びコンピュータ１３ｂを備える。
リーダ／ライタ１３ａは、半導体ウエハ収納カセット８の収納カセット用データキャリア８ａに書き込まれた情報（ウエハ情報Ａ、保護テープ情報Ｂ、貼付情報Ｃ、及び裏面研削情報Ｄ）、マウントテープ情報Ｅ、並びにリングフレーム１のデータキャリア３に予め書き込まれたリングフレーム情報Ｆ（リングフレーム１の種類、材質、寸法、製造日、ロット番号など）を読み取り、これらの情報に基づいてコンピュータ１３ｂは、マウント条件を決定し、マウンター１３は、このマウント条件にしたがって半導体ウエハＷとリングフレーム１とを一体化する。

半導体ウエハＷをマウントした後、リーダ／ライタ１３ａは、リングフレーム１のデータキャリア３に、ウエハ情報Ａ、保護テープ情報Ｂ、貼付情報Ｃ、裏面研削情報Ｄ、マウントテープ情報Ｅ、リングフレーム情報Ｆ、マウントした際の条件（マウントテープ１３ｃの貼着速度、貼着圧力、）に関するマウント情報Ｇを書き込む。
本発明のリングフレーム１の交信距離は、従来技術に比べて長いため、リーダ／ライタ１３ａがリングフレーム１から離れた位置にあってもデータキャリア３に確実に情報を書き込むことができる。
情報書き込み後、リングフレーム１と一体化した半導体ウエハＷは、別の半導体ウエハ収納カセット９に収容される。この半導体ウエハ収納カセット９には、収納カセット用データキャリア６ａと同様の別の収納カセット用データキャリアが貼り付けられていてもよい。この場合には、リングフレーム１のデータキャリア３と当該別の収納カセット用データキャリアとの両方に、リーダ／ライタ１３ａによって情報が書き込まれても良い。

（ダイシング工程）
図７は、マウント工程の後に行われるダイシング工程の概略を示す図であって、管理情報の流れを示す。
ダイシング工程では、ダイシング装置１４が用いられる。ダイシング装置１４は、半導体ウエハ収納カセット９から半導体ウエハＷをリングフレーム１ごと取り出して、半導体ウエハＷを賽の目状に切断する。

ダイシング装置１４は、リーダ／ライタ１４ａ、及びコンピュータ１４ｂを備える。
リーダ／ライタ１４ａは、リングフレーム１のデータキャリア３に書き込まれた情報（ウエハ情報Ａ、保護テープ情報Ｂ、貼付情報Ｃ、裏面研削情報Ｄ、マウントテープ情報Ｅ、リングフレーム情報Ｆ、及びマウント情報Ｇ）を読み取る。リングフレーム１の交信距離は、従来技術に比べて長いため、リーダ／ライタ１４ａがリングフレーム１から離れた位置にあってもデータキャリア３から確実に情報を読み取ることができる。
これらの読み取った情報に基づいて、コンピュータ１４ｂは、ダイシング条件を決定する。ダイシング装置１４は、このダイシング条件にしたがって半導体ウエハＷを切断する。

切断後、リーダ／ライタ１４ａは、リングフレーム１のデータキャリア３に、ウエハ情報Ａ、保護テープ情報Ｂ、貼付情報Ｃ、裏面研削情報Ｄ、マウントテープ情報Ｅ、リングフレーム情報Ｆ、マウント情報Ｇの他、半導体ウエハＷを切断した際のダイシング条件（ダイシングブレードの種類、ダイシングライン数、ダイシング刃の回転速度、ダイシング寸法など）に関するダイシング情報Ｈを書き込む。なお、データキャリア３には、上記情報Ａ〜Ｇが既に書き込まれているため、ダイシング情報Ｈだけを新たにデータキャリア３に書き込むようにしてもよい。
リングフレーム１の交信距離は、従来技術に比べて長いため、リーダ／ライタ１４ａがリングフレーム１から離れた位置にあってもデータキャリア３に確実に情報を書き込むことができる。
情報書き込み後、リングフレーム１と一体化した半導体ウエハＷは、図示しない別の半導体ウエハ収納カセットに収容される。この半導体ウエハ収納カセットにも、収納カセット用データキャリア６ａと同様の収納カセット用データキャリアが貼り付けられていてもよい。この場合には、リングフレーム１のデータキャリア３とこの収納カセット用データキャリアとの両方に、リーダ／ライタ１３ａによって情報が書き込まれても良い。

ダイシング工程の後、半導体ウエハＷは、リングフレーム１ごと、図示しない別の半導体ウエハ収納カセットに収容され、次の工程、例えば、ダイボンディング工程へと搬送される。ダイボンディング工程では、ボンディング装置によって、賽の目状に切断された半導体チップをピックアップして、電子製品用の基板等に実装する。このダイボンディング工程でもリングフレーム１のデータキャリア３に書き込まれた情報をボンディング装置が備えるリーダ／ライタで読み取って、読み取った情報に基づいてコンピュータが決定した条件で半導体チップをピックアップし、及び基板に実装する。

〔第一実施形態の作用効果〕
本発明のリングフレーム１によれば、データキャリア３のアンテナコイル３２がフレーム本体２の環形状に沿った形状を有するので、アンテナコイル３２の内径が大きくなる。その結果、リングフレーム１のデータキャリア３の交信距離を長くすることができる。

工程管理システム２０によれば、リングフレーム１と、リーダ／ライタ４と、コンピュータ５とを備えるので、リーダ／ライタ４とデータキャリア３との間の交信距離を長くした工程管理システムを構築できる。例えば、従来のようなＩＣタグをフレーム本体の環形状の一部に貼り付けただけの場合では、アンテナコイルの内径が小さく、交信距離が短いため、ＩＣタグとリーダ／ライタとの間で管理情報を送受信する際に、両者を近づける必要がある。交信距離を長くした工程管理システム２０であれば、両者を従来技術のように近づけなくても良いので、リングフレーム１から離れた位置にリーダ／ライタ４を設置しても、そこから、管理情報を確実に送受信することができるようになる。その結果、半導体ウエハ加工装置やラインの設計自由度が増す。

＜第二実施形態＞

図８には、本発明の第二実施形態に係るリングフレーム１ａが示されている。
図８（Ａ）は、リングフレーム１ａの平面図、図８（Ｂ）は、リングフレーム１ａの断面図を示す。リングフレーム１ａは、図８（Ａ）に示すように、環状に形成されたフレーム本体２ａと、このフレーム本体２ａの環形状に沿った形状を有するデータキャリア３とを備えて構成され、図８（Ｂ）に示すように、フレーム本体２ａの内部にデータキャリア３が収容されている点で、上記実施形態のリングフレーム１と異なる。

ＩＣチップ３１、及びアンテナコイル３２を備えるデータキャリア３をフレーム本体２ａの内部に収容させる方法としては、例えば、以下の方法が挙げられるが、これに限られない。
第一の方法としては、フレーム本体２ａを、フレーム本体２と同じ環形状であり、厚さ寸法が半分程度の２つのフレーム部材に分けて成形し、２つのフレーム部材の間にデータキャリア３を挟んで一体化する方法が挙げられる。
第二の方法としては、インサート成形法が挙げられる。フレーム本体２ａの成形にあたり、フレーム本体２と同じ環形状であり、厚さ寸法が半分程度のフレーム部材を射出成形し、このフレーム部材を金型内に入れたままでデータキャリア３を当該フレーム部材の環形状に沿って配置する。その後、フレーム本体２ａの残り半分の厚さ寸法分の樹脂を射出成形し、内部にデータキャリア３を収容するフレーム本体２ａを成形する。

〔第二実施形態の作用効果〕
第二実施形態のリングフレーム１ａによれば、第一実施形態のリングフレーム１と同様に交信距離を長くすることができるとともに、次の効果を奏する。
リングフレーム１ａでは、データキャリア３がフレーム本体２ａの内部に収容されているので、データキャリア３の破損や損傷に対する耐性を向上させたものを得ることができる。

＜変形例＞
なお、本発明は、前述した実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下に示すような変形をも含むものである。

例えば、リングフレーム１において、フレーム本体２の表面に環形状に沿った収納溝を形成し、この収納溝にデータキャリア３を環形状に沿って収容させても良い。

また、半導体加工工程においてリングフレーム１のデータキャリア３と情報をやり取りするリーダ／ライタは、各加工装置が備えていなくても良い。例えば、半導体ウエハＷをリングフレーム１ごと搬送している途中の搬送経路にリーダ／ライタ４、及びコンピュータ５を設置して、このリーダ／ライタ４でデータキャリア３から管理情報を読み取り、コンピュータ５から各加工装置にデータキャリア３に蓄積された管理情報を無線又は有線で送るようにしても良い。本発明のリングフレーム１は、交信距離が長いので、このような工程管理システムを構築することもでき、加工装置のところまでに半導体ウエハＷが搬送されてくるまでの間に加工装置側で管理情報を受信し、受信した情報に基づいた加工条件の設定、この加工条件に基づいた装置や部材のセッティングを行うこともできるようになるので、搬送されてきた半導体ウエハＷの加工に迅速に取り掛かることができる。

以下に、実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は、これらの実施例に何ら限定されるものではない。

以下に例示する実施例１〜５、及び比較例１〜５のリングフレームを作製し、その交信距離を測定することで、リングフレームの性能評価を行った。交信距離の測定には、Ｗｅｌｃａｔ株式会社製のリーダ／ライタ（商品名：ＸＩＴ−１５０−ＢＲ）を用いた。
交信距離については、リングフレーム、及びリーダ／ライタのそれぞれの中心部を近づけてリーダ／ライタにＩＣタグを検知させた後、両者を徐々に平行にしたまま離間させて、リーダ／ライタがＩＣタグを検知する最大の間隔を交信距離とした。

（実施例１）
８インチのウエハ用のフレーム本体を作製した。芳香族ポリスルホン（ＢＡＳＦ株式会社製、商品名：ＵＬＴＲＡＳＯＮ−Ｅ１０１０Ｐ）８０重量％、及びポリフェニレンスルフィド樹脂（東レ株式会社製、商品名：ライトンＥ−１８８０）２０重量％からなる樹脂組成物（１００重量部）に対して、導電性材料であるカーボンブラック（Ｃｏｌｕｍｂｉａｎ株式会社製、商品名Ｎ−５５０Ｕ）（１８重量部）を配合し、３３０℃〜３４０℃の範囲で混練、ペレット化して作製した成形材料を射出成形した。射出成形条件は、樹脂温度が３６０℃、金型温度が１５０℃の条件であった。フレーム本体の内径は、２５０ｍｍ、幅寸法は、２２ｍｍ、厚さ寸法は、２ｍｍとした。
次に、被覆銅線（ドイト株式会社製、銅針金、商品名：Ｓ−２５２、直径２ｍｍ）をフレーム本体の環形状に沿って貼り付けた。被覆銅線で形成されるアンテナコイルの内径を２７５ｍｍとした。被覆銅線の巻き数は、１とした。被覆銅線の貼り付けには、接着剤（ＨＡＫＫＯ株式会社製、商品名：ＨＡＫＫＯ ＭＥＬＴＥＲ ＳＴＩＣＫ Ｎｏ．８１０）を用いた。
被覆銅線を貼り付けた面と同じ面にＩＣチップ（ＮＸＰ株式会社製、製品名：ＩｃｏｄｅＳＬＩ）を実装し、データキャリアを形成した。実装には、フリップチップ実装機（九州松下株式会社製、製品名：ＦＢ３０Ｔ−Ｍ）を用いた。接合材料には、異方導電性ペースト（ＡＣＰ、京セラケミカル株式会社製、製品名：ＴＡＰ０６０２Ｆ）をＡＣＰ塗布量で０．２８ｍｇ使用した。ＡＣＰへの加熱温度はＩＣチップにおいて２２０℃、ＩＣチップへの荷重は２Ｎ（２００ｇｆ）、加圧加熱時間は７秒間として、実装を行った。
このようにして実施例１のリングフレームを作製し、交信距離を測定した。測定結果を表１に示す。

（実施例２）
実施例１のリングフレームにダイシングテープ（リンテック株式会社製、商品名：Ａｄｗｉｌｌ Ｇ−１９）を貼り付け、このダイシングテープ上にシリコンウエハ（８インチ）をマウントした状態で交信距離を測定した。測定結果を表１に示す。

（実施例３）
１２インチのウエハ用のフレーム本体を作製した。フレーム本体の内径は、３５０ｍｍとし、被覆銅線で形成されるアンテナコイルの内径は３７５ｍｍとした以外は、実施例１のリングフレームと同様にして作製し、交信距離を測定した。測定結果を表１に示す。

（実施例４）
実施例３のリングフレームに実施例２で用いたダイシングテープを貼り付け、このダイシングテープ上にシリコンウエハ（１２インチ）をマウントした状態で交信距離を測定した。測定結果を表１に示す。

（実施例５）
フレーム本体の成形材料をアクリロニトリル‐ブタジエン‐スチレン共重合体（ＡＢＳ）系材料に変更した以外は、実施例１のリングフレームと同様にして作製し、実施例２と同様にダイシングテープを貼り付け、シリコンウエハをマウントした状態で交信距離を測定した。測定結果を表１に示す。
成形材料は、アクリロニトリル‐ブタジエン‐スチレン共重合体（ＡＢＳ）樹脂に対して、リチウム系のイオン導電剤（三光化学工業株式会社製、商品名：ＴＢＸ３１０）を重量比１０％で配合し、３３０℃〜３４０℃の範囲で混練、ペレット化して作製した成形材料を射出成形した。射出成形条件は、樹脂温度が３６０℃、金型温度が１５０℃の条件であった。

（比較例１）
実施例１で作製したフレーム本体に、ＩＣタグ（リンテック株式会社製、商品名：Ｂｒｉｔｅｍ ＴＳ−Ｌ、共振周波数：１３．５６ＭＨｚ帯域）を貼り付けてリングフレームを作製し、交信距離を測定した。測定結果を表１に示す。
このＩＣタグの外形寸法は、１１ｍｍ×６４ｍｍである。

（比較例２）
比較例１で作製したリングフレームに実施例２で用いたダイシングテープを貼り付け、このダイシングテープ上にシリコンウエハ（８インチ）をマウントした状態で交信距離を測定した。測定結果を表１に示す。

（比較例３）
実施例２で作製したフレーム本体に、比較例１と同じＩＣタグを貼り付けてリングフレームを作製し、交信距離を測定した。測定結果を表１に示す。

（比較例４）
比較例３で作製したリングフレームに実施例２で用いたダイシングテープを貼り付け、このダイシングテープ上にシリコンウエハ（１２インチ）をマウントした状態で交信距離を測定した。測定結果を表１に示す。

（比較例５）
８インチのウエハ用のステンレス製のフレーム本体を用いた以外は、比較例１と同様にしてリングフレームを作製し、交信距離を測定した。測定結果を表１に示す。

表１が示すように、実施例１〜５のリングフレームは、比較例１〜５のリングフレームに比べて、いずれも交信距離が２０倍以上長くなることが分かった。また、半導体ウエハをリングフレームにマウントした状態であっても、交信距離の減少はわずかであることが分かった。また、フレーム本体の材質を変えた場合でも、実施例１〜２と実施例５とで比較すると、交信距離の差は、ほとんど見られなかった。
比較例１〜４のリングフレームについては、ＩＣタグがフレーム本体の環形状の一部に貼り付けられるに止まるので、アンテナコイルの内径が小さく、交信距離が短くなった。比較例５の金属製のリングフレームでは測定不可能となった。

１，１ａ…リングフレーム
２，２ａ…フレーム本体
３…データキャリア
４…リーダ／ライタ
５…コンピュータ
２０…工程管理システム
２１…ノッチ
３１…ＩＣチップ
３２…アンテナコイル
Ｓ…粘着シート
Ｗ…半導体ウエハ

Claims (4)

1. 半導体ウエハ加工用のリングフレームであって、
   熱可塑性樹脂を環形状に成形して得られるフレーム本体と、
   前記フレーム本体の環形状に沿った形状を有するデータキャリアと、を備える
   ことを特徴とするリングフレーム。
2. 請求項１に記載のリングフレームにおいて、
   前記データキャリアが、前記フレーム本体の表面に貼り付けられ、又は前記フレーム本体の内部に収容されている
   ことを特徴とするリングフレーム。
3. 請求項１又は請求項２に記載のリングフレームと、
   読取装置と、を備え、
   半導体ウエハ加工工程の管理情報を前記データキャリアとの間で非接触で送受信する
   ことを特徴とする工程管理システム。
4. 請求項３に記載の工程管理システムにおいて、
   前記管理情報が、前記リングフレームに貼付する半導体製造用テープに関する情報、前記半導体製造用テープに貼付する半導体ウエハに関する情報、及び半導体ウエハ加工条件に関する情報のうち少なくともいずれかである
   ことを特徴とする工程管理システム。