JP2012160727A - シリコンインゴットの表面ナノ構造プロセス、ウェハーの製造方法及びそのウェハー - Google Patents
シリコンインゴットの表面ナノ構造プロセス、ウェハーの製造方法及びそのウェハー Download PDFInfo
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- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 176
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 176
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 176
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 93
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 claims abstract description 62
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims abstract description 25
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 35
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 35
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 24
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N silver(1+) nitrate Chemical compound [Ag+].[O-]N(=O)=O SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 claims description 13
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 12
- 229910001961 silver nitrate Inorganic materials 0.000 claims description 11
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 10
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 5
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 65
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 23
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 21
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 8
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101710134784 Agnoprotein Proteins 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000025254 Cannabis sativa Species 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 229910021418 black silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 238000004439 roughness measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Images
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B33/08—Etching
- C30B33/10—Etching in solutions or melts
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24777—Edge feature
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
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- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
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Abstract
【解決手段】シリコンインゴットの表面ナノ構造プロセスにおいて、シリコンインゴットに対してスライス工程を行う前に、シリコンインゴットの少なくとも一つの表面に対して表面処理工程を行うことで、シリコンインゴットの当該表面にナノ構造を有する微細構造層を形成する。
【選択図】図1
Description
そこで、シリコンインゴットのスライスの歩留まりや品質を向上できれば、半導体産業の経済的価値を高めることができる。
ここで注意すべき点は、本発明における「シリコンインゴット」と「初期シリコンインゴット」の用語が汎用の名詞に過ぎず、実務において、当業者が異なる結晶態様のシリコンインゴット若しくは各段階の加工プロセスを行ったシリコンインゴットに対して特定の名称を与えることがあるが、本発明における「シリコンインゴット」と「初期シリコンインゴット」の字義がそれらの名称も含むことは当業者に自明なことである。
本発明において、表面処理方法でシリコンインゴットの少なくとも一つの表面に対して表面改質を行うことでシリコンインゴットの表面に微細のナノ構造層を形成するため、ナノ構造層は、シリコンインゴットの表面の特性に影響を与えることがない。
また、ナノ構造層はシリコンインゴットをスライスする際にカッターによるストレスを解放することができるため、シリコンインゴットの表面の機械強度を有効に向上させることができ、シリコンインゴットをスライスする際にシリコンインゴットやウェハーのエッジに割れ(チッピング率)やクラックなどの不具合を低減することができる。
ここで、ナノ構造の形態は、草状(grasslike)構造に類似するため、シリコン草(silicon grass)構造とも言う。また、表面改質処理されたシリコンインゴットの表面は目視で黒色に近いため、ブラックシリコン現象と称する。即ち、入射光がほとんどシリコンインゴットの表面に吸収されるため、好ましい反射防止特性を有する。
但し、他の実施例において、例えばプラズマなどのドライエッチング方式でシリコンインゴットの表面に対して表面改質処理を行うようにしてもよい。
先ず、図3A〜図3Cを参照しながら説明する。図3Aは、多結晶シリコンをシリコンインゴット10Aに成形した様子を示すものである。シリコンインゴット10Aは初期シリコンインゴットである。続いて、図3Bは、シリコンインゴット10Aをブロック状のシリコンインゴット10Bに切断した様子を示すものである。図3Bに示すように、シリコンインゴット10Aを四角柱状のブロック状のシリコンインゴット10Bに切断する。続いて、図3Cに示すように、ブロック状のシリコンインゴット10Bをポリッシング(鏡面研磨)することによって多結晶シリコンインゴット10C(本発明において「シリコンインゴット」と通称する)を製作した。多結晶シリコンインゴット10Cは太陽電池用シリコンウェハーを製造するのに使用できる。
初期円柱状のシリコンインゴット20Aに対して複数の加工プロセスを行うことで、初期円柱状のシリコンインゴット20Aを円柱状のシリコンインゴット20D(本発明において「シリコンインゴット」と通称する)に成形する。例えば、初期円柱状のシリコンインゴット20Aの前端と後端を切断し、初期円柱状のシリコンインゴット20Aの不規則な表面と構造の変質を修整するように、初期円柱状のシリコンインゴット20Aの外周表面をグラインド加工することによって、初期円柱状のシリコンインゴット20Aに適当な円形断面及び所望の直径を持たせる(例えば、図4Bに示す処理後円柱状のシリコンインゴット20Bのように)。続いて、処理後円柱状のシリコンインゴット20Bを切断円柱状のシリコンインゴット20Cに切断し、切断円柱状のシリコンインゴット20Cを研磨(グラインド)することによって、切断による切断円柱状のシリコンインゴット20Cの表面の機械的なダメージや構造の変質を除去する。これにより、円柱状のシリコンインゴット20D(本発明において「シリコンインゴット」と通称する)を製造する。
表面処理におけるエッチング工程が粘着面101Aと接続層11の接続強度に影響を与えないことを確認するために、本発明の表面処理工程を行わないシリコンインゴット(即ち、比較例)と本発明の表面処理工程を行ったシリコンインゴット(即ち、実験例1、2)に対して表面粗さ測定を行った。測定結果を下記の表1に示す。
表1において、Raは中心線平均粗さ、Rmaxは最大高さ粗さをそれぞれ表す。表1に示すように、本発明のシリコンインゴットの表面ナノ構造プロセスにおけるエッチング処理を行った実験例1、2の表面粗さは比較例の表面粗さに近いため、本発明のシリコンインゴットの表面ナノ構造プロセスが粘着面101Aと接続層11の接続強度に影響を与えないことを確認した。
また、ナノ構造は、粘着面の粗さに影響を与えないため、粘着面と接続層の接続強度に影響を与えることがない。言い換えれば、本発明は、今までのウェハーの製造方法のプロセスを調整や変更することなく、今までのウェハーの製造方法に適用できる。
また、本発明に係るシリコンインゴットの表面ナノ構造プロセス、ウェハーの製造方法によれば、シリコンインゴットをスライスする際のシリコンインゴットのエッジの割れやクラックなどの不具合を低減することができるため、スライス工程の歩留まりを向上できる。
また、本発明において、各側面101(図5参照)又は側面201の全部に対して表面ナノ構造プロセスを行うようにしてもよい。即ち、シリコンインゴットの表面全体にナノ構造を有する微細構造層1011を形成することによって、スライス工程におけるカッター切断する際のチッピング率を低減することができる。また、スライス工程が完了すると、図7Aに示すウェハー100が製作される。ウェハー100は、スライス工程で形成された上表面、下表面及び隣接する二つのダイシングラインで定義された四つの側面101を有する。上表面、下表面及び側面101の間には、0°〜180°のなす角度(例えば、約90°など)を有してもよく、丸角を有してもよい。
図7Bは、ウェハー100の四つの側面101に微細構造層1011が形成された様子を示すものである。
図8Aは、図6に示す円柱状のシリコンインゴット20Dに対してスライス工程を行って製作した円形シート状のウェハー200を示すものである。図8Aに示すように、ウェハー200の側面の一部は粘着面201Aである。上述した方法で粘着面201Aにはナノ構造を有する微細構造層2011を形成する。
図8Bは、ウェハー200の側面201全体に微細構造層2011が形成された様子を示すものである。
そこで、側面101、201を全面的に分析すると、ウェハー100、200が受けたストレスは側面101、201の欠陥位置全体に分散できるため、点形態又は線形態のストレス分布ではなく、面形態のストレス分布を形成することができる。これにより、ウェハー100、200はストレスを受けた時、ストレスが側面101、201の微細構造層2011全体に分散されるため、過度なストレス集中によるウェハーのクラックや割れなどの不具合を防ぐことができる。言い換えれば、ウェハー100、200の側面101、201の微細構造層2011は、ウェハーの耐破壊強度を有効に向上できる。
また、ウェハー100、200も微細構造層2011によってより大きな負荷を受けられる効果を奏することができる。即ち、微細構造層2011により大きな曲げ度合を持たせる。これにより、本発明に係るウェハー100、200は、加工プロセスにおいてストレスによるクラックや亀裂などの不具合を防ぐことができるため、ウェハー100、200の材料特性を向上させたり、ウェハーの製造プロセスの適用分野を広げることができる。
また、実験効果によれば、従来のウェハーが受けられる最大負荷は約2Nであるのに対し、本発明に係るウェハー100、200が受けられる最大負荷は約3Nであるだけではなく、微細構造層2011の成長時間を制御することによって最大負荷を調整することができる。従って、微細構造層2011がウェハー100、200の強度と耐破壊強度を向上できることは明らかである。
(1)本発明において、表面処理方法でシリコンインゴットの表面に対して表面改質を行うことでシリコンインゴットの表面に微細なナノ構造層(即ち、微細構造層)を形成し、形成した微細なナノ構造層によってスライス工程におけるカッターによるストレスを解放できるため、シリコンインゴットの表面の機械的強度を有効に向上させることができ、シリコンインゴットのエッジの割れやクラックなどの不具合を低減できる。
(2)スライス工程で製作したウェハーの側面には微細構造層を有するため、ウェハーが受けられる負荷を大きくすることができると共にウェハーの強度と耐破壊強度を向上できる。また、本発明に係るウェハーはより大きな曲げ度合を有するため、適用分野を広げることができる。
10B ブロック状のシリコンインゴット
10C 多結晶シリコンインゴット
20A 初期円柱状のシリコンインゴット
20B 処理後円柱状のシリコンインゴット
20C 切断円柱状のシリコンインゴット
20D 円柱状のシリコンインゴット
100、200 ウェハー
101、201 側面
101A、201A 粘着面
1011、2011 微細構造層
11 接続層
12 載置ユニット
S101〜S103、S201〜S207 ステップ
Claims (16)
- シリコンインゴットに対してスライス工程を行う前に、前記シリコンインゴットの少なくとも一つの表面に対して表面処理工程を行うことで、前記シリコンインゴットの前記表面にナノ構造を有する微細構造層を形成することを特徴とするシリコンインゴットの表面ナノ構造プロセス。
- 前記表面処理工程において、前記シリコンインゴットの前記表面に対してウェットエッチングを行うことを特徴とする請求項1に記載のシリコンインゴットの表面ナノ構造プロセス。
- 前記表面処理工程において、前記シリコンインゴットの前記表面を、少なくともフッ化水素酸溶液、溶剤、硝酸銀溶液及び過酸化水素溶液を使用して所定の割合で混合して調製した酸性エッチング液の中に浸漬することを特徴とする請求項2に記載のシリコンインゴットの表面ナノ構造プロセス。
- 前記酸性エッチング液における前記フッ化水素酸溶液、前記溶剤、前記硝酸銀溶液及び前記過酸化水素の割合は約20:40:1:4であることを特徴とする請求項3に記載のシリコンインゴットの表面ナノ構造プロセス。
- 前記表面処理工程において、前記シリコンインゴットの前記表面を、少なくとも硝酸、リン酸及び溶剤を混合して調製したエッチング液の中に浸漬することを特徴とする請求項2に記載のシリコンインゴットの表面ナノ構造プロセス。
- 初期シリコンインゴットを加工して粘着面を有するシリコンインゴットを成形する工程と、
前記シリコンインゴットの前記粘着面にナノ構造を有する微細構造層を形成する表面処理工程と、
前記シリコンインゴットの前記粘着面の前記微細構造層に接続層を成形し、前記接続層によって前記シリコンインゴットを載置ユニットに載置固定する工程と、
前記シリコンインゴットをスライスするスライス工程と、
を含むことを特徴とするウェハーの製造方法。 - 前記表面処理工程において、前記シリコンインゴットの前記粘着面に対してウェットエッチング又はドライエッチングを行うことを特徴とする請求項6に記載のウェハーの製造方法。
- 前記表面処理工程において、前記シリコンインゴットの前記粘着面を、少なくともフッ化水素酸溶液、溶剤、硝酸銀溶液及び過酸化水素溶液を使用して所定の割合で混合して調製した酸性エッチング液若しくは少なくとも硝酸、リン酸及び溶剤を混合して調製したエッチング液の中に浸漬すること、又は、プラズマによって前記シリコンインゴットの前記粘着面を改質することを行うことを特徴とする請求項7に記載のウェハーの製造方法。
- 前記酸性エッチング液における前記フッ化水素酸溶液、前記溶剤、前記硝酸銀溶液及び前記過酸化水素の割合は約20:40:1:4であることを特徴とする請求項8に記載のウェハーの製造方法。
- 前記表面処理工程は、前記シリコンインゴットの表面全体に前記ナノ構造を有する前記微細構造層を形成する工程を更に含むことを特徴とする請求項6に記載のウェハーの製造方法。
- シリコンインゴットをスライスして形成されたウェハーであって、
前記ウェハーは、隣接する二つのダイシングラインで定義された少なくとも一つの側面を有し、前記側面にはナノ構造を有する微細構造層が形成されることを特徴とするウェハー。 - 前記ナノ構造を有する前記微細構造層は、前記ウェハーの前記側面の全体又は一部に形成されることを特徴とする請求項11に記載のウェハー。
- 初期シリコンインゴットを加工してシリコンインゴットを成形する工程と、
前記シリコンインゴットの表面にナノ構造を有する微細構造層を形成する表面処理工程と、
前記微細構造層に接続層を成形し、前記接続層によって前記シリコンインゴットを載置ユニットに載置固定する工程と、
前記シリコンインゴットをスライスするスライス工程と、
を含むことを特徴とするウェハーの製造方法。 - 前記表面処理工程において、前記シリコンインゴットの前記表面に対してウェットエッチング又はドライエッチングを行うことを特徴とする請求項13に記載のウェハーの製造方法。
- 前記表面処理工程において、前記シリコンインゴットの前記表面を、少なくともフッ化水素酸溶液、溶剤、硝酸銀溶液及び過酸化水素溶液を使用して所定の割合で混合して調製した酸性エッチング液若しくは少なくとも硝酸、リン酸及び溶剤を混合して調製したエッチング液の中に浸漬すること、又は、プラズマによって前記シリコンインゴットの前記表面を改質することを行うことを特徴とする請求項14に記載のウェハーの製造方法。
- 前記酸性エッチング液における前記フッ化水素酸溶液、前記溶剤、前記硝酸銀溶液及び前記過酸化水素の割合は約20:40:1:4であることを特徴とする請求項15に記載のウェハーの製造方法。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW100103308 | 2011-01-28 | ||
TW100103308 | 2011-01-28 | ||
TW100145551 | 2011-12-09 | ||
TW100145551A TWI510682B (zh) | 2011-01-28 | 2011-12-09 | 晶棒表面奈米化製程、晶圓製造方法及其晶圓 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012160727A true JP2012160727A (ja) | 2012-08-23 |
JP5462893B2 JP5462893B2 (ja) | 2014-04-02 |
Family
ID=46576666
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012009532A Expired - Fee Related JP5462893B2 (ja) | 2011-01-28 | 2012-01-20 | シリコンインゴットの表面ナノ構造プロセス、ウェハーの製造方法及びそのウェハー |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9051664B2 (ja) |
JP (1) | JP5462893B2 (ja) |
TW (1) | TWI510682B (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103894620B (zh) * | 2014-03-03 | 2016-01-06 | 上海富信新能源科技有限公司 | 一种制备纳米银线的方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP4614416B2 (ja) * | 2003-05-29 | 2011-01-19 | 日東電工株式会社 | 半導体チップの製造方法およびダイシング用シート貼付け装置 |
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JP5407473B2 (ja) * | 2009-03-25 | 2014-02-05 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハの製造方法 |
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-
2011
- 2011-12-09 TW TW100145551A patent/TWI510682B/zh not_active IP Right Cessation
-
2012
- 2012-01-19 US US13/353,488 patent/US9051664B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2012-01-20 JP JP2012009532A patent/JP5462893B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2015
- 2015-04-29 US US14/698,923 patent/US9490326B2/en not_active Expired - Fee Related
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JP2010245568A (ja) * | 2010-07-21 | 2010-10-28 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20120193764A1 (en) | 2012-08-02 |
US9490326B2 (en) | 2016-11-08 |
JP5462893B2 (ja) | 2014-04-02 |
TW201231742A (en) | 2012-08-01 |
US9051664B2 (en) | 2015-06-09 |
TWI510682B (zh) | 2015-12-01 |
US20150236096A1 (en) | 2015-08-20 |
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Date | Code | Title | Description |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |