JP6820853B2 - 分割方法および分割方法における材料の使用 - Google Patents

分割方法および分割方法における材料の使用 Download PDF

Info

Publication number
JP6820853B2
JP6820853B2 JP2017537017A JP2017537017A JP6820853B2 JP 6820853 B2 JP6820853 B2 JP 6820853B2 JP 2017537017 A JP2017537017 A JP 2017537017A JP 2017537017 A JP2017537017 A JP 2017537017A JP 6820853 B2 JP6820853 B2 JP 6820853B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
solid
polymer
filler
matrix
hybrid material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2017537017A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2017531925A (ja
Inventor
ドレシャー・ヴォルフラム
リヒター・ヤン
バイヤー・クリスティアン
Original Assignee
ジルテクトラ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
ジルテクトラ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ジルテクトラ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング, ジルテクトラ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング filed Critical ジルテクトラ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
Publication of JP2017531925A publication Critical patent/JP2017531925A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6820853B2 publication Critical patent/JP6820853B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/02Elements
    • C08K3/08Metals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/34Silicon-containing compounds
    • C08K3/36Silica
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002Preparing wafers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1892Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof methods involving the use of temporary, removable substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1892Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof methods involving the use of temporary, removable substrates
    • H01L31/1896Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof methods involving the use of temporary, removable substrates for thin-film semiconductors
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)

Description

本発明は、固体母材を少なくとも二つの固体部分片に分ける分割方法及びこの種の分割方法における材料の使用に関する。
特にマイクロエレクトロニクスや太陽電池には、シリコン、ゲルマニウム或いはサファイアといった材料からなるウェハ、つまり薄い円盤や板が使用される。今日では、ウェハは通常インゴットとも呼ばれる柱状又はブロック状の固体から得られる。
このようなインゴットから、例えば、ソーイング又は破断法(Zerreissverfahren)によって、シリンダ形状ないし円盤状の部分片が製造される。これらの部分片は、すでにウェハと呼べるものであることもあるし、製造すべきウェハに求められる厚さを部分片が有するようになるまで、得られた部分片がさらに細分化されることもある。
ウェハを個々のチップに鋸断(ダイシング)する方法が特許文献3より公知である。こ こでは、ソーイング工程の間にウェハを保護するポリマー材料が使用される。特許文献4 は、レーザ光によりウェハを分割する方法に関するものである。特許文献5は、半導体素 子を製造する方法を開示する。ここでは、エッジを除く材料(例えばポリマー等が含まれ 得る。)を着設することで、剥離時におけるエッジ起因の基板の破損を最小限にする。
ソーイング又は破断法では、通常、ワイヤーソーまたはダイヤモンドワイヤーソーが使用され、これにより切屑として元の固体の50%に及ぶ部分が“カーフロス(材料ロス)”として失われる。これは、特に高価な母材の場合には不利である。
しかも、ソーイング工程はウェハ表面を傷付けることが多く、例えばラッピングないし研磨工程といった表面を処理する追加の工程によってこの表面は除去されなければならない。
上述の欠点を回避するため、例えば特許文献1より、ウェハの製造のために接着剤によって固体上にポリマーフィルムを着設する方法が公知である。接着剤が硬化した後、固体は、ポリマーフィルムとともに熱的な応力が加えられる。固体とポリマーの熱特性が異なることにより、固体は、より薄い二つの部分片に割れる。このときに、二つの部分片のいずれかの上にポリマーフィルムが片側においてくっついているが、これは、後続の工程で表面から取り除かれなければならない。
以下に「分割方法」と称されるこの方法は、厚いウェハの対向する両面にポリマーフィルムを貼着し、然るべき熱処理によってこれを薄い二つのウェハに裂開させることで、厚いウェハを二つの薄いウェハに分裂させる目的でも用いることができる。
さらに、特許文献6からも分割方法が公知である。
この種の方法の効用は、特に、適切なガラス転移温度(Tg)を有するポリマーの選択、ポリマーの熱伝導率およびその機械的特性(例えば脆性、引張強度および弾性といったもの)に依存する。
さらに、特許文献1には、固体とポリマーフィルムとの間にさらに犠牲層を使用することが記載されている。この犠牲層は、適した反応剤を添加することで例えば化学的に分解されたり或いは剥がされたりすることによって、分裂工程後におけるポリマーフィルムの除去を改善する役割をする。
しかしながら、この方法の欠点は、ポリマー層を完全に除去するまでに経る時間が数時間に及びかねないその長い期間である。このことが、工業的利用をかなり制限している。
ポリマー除去のプロセスを加速するために、然るべき前処理を行うことで、室温でも作用する適切な引張応力の形で、追加的な推進力を持ち込むやり方もある。この方法は、反応剤ないし溶剤が働きかける面を拡大して、分解や剥離・溶解を助長する。しかしながら、導入された余分の応力によって、ポリマーが除去された後においても、分轄された固体、例えばウェハなどが、例えばこれらが割れる等して破損に至ることがある。このため、全体的な歩留まりが低下し、分割方法のコスト上の利点が低下する。
加えて、特許文献7より、熱的作用により膨張する粒子を含んだ接着剤が公知である。
独国特許出願公開第102012001620号明細書 独国特許出願公開第19640594号明細書 米国特許第6426275号明細書 米国特許出願公開第2014/0038392号明細書 米国特許出願公開第2013/005116号明細書 国際公開第2010/072675号 特開平6−184504号公報
本発明の目的は、分割方法の全体的な歩留まり、即ち、使用される原材料に関する効率並びにエネルギーや労働力といった他の資源に関する効率を高める手段を提供することである。
特に、分割方法を行った後、ポリマーが時間とともに除去される状況をねらい通りに操作できるのでなければならない。
好ましくは、ポリマーは、分けられた母材を損なうことなく迅速かつ残り滓のないように母材から取り除けなければならない。
有利には、ポリマーは再使用可能でなければならない。
加えて、方法の工程数を最小限にすることによってプロセスの安定性が高められなければならない。
この課題を解決する本発明の手段は、独立請求項の特徴により実現される。従属請求項は、本発明による手段の有利な実施態様に対応する。
調査研究により、ポリマー層を分解、剥離又は溶解により除去することは、関与する反応剤ないし溶剤の拡散制御反応(diffusionskontrollierte Reaktion)であると判明した。時間が経つにつれ、固体とポリマーとの間に出来るギャップにおいて反応剤を運び込んだり運び出したりすることが、次第に困難になるとともに極めて遅くなる。つまり、反応生成物質や反応出発物質或いは溶剤や溶解成分を搬入したり搬出したり(An− und Abtransport)することは、拡散制御された律速段階(der diffusionskontrollierte geschwindigkeitsbestimmende Schritt)である。
本発明により、固体母材から少なくとも二つの固体部分片が生成される分割方法において、ポリマーハイブリッド材料が用いられる。
特に、ポリマーハイブリッド材料は、シリンダ形状の固体母材から複数のシリンダ形状の固体部分片、好ましくは円盤状の固体部分片、特にウェハを製造する分割方法に用いることができる。
シリンダとは、ここでは平行、平坦且つ合同の二つの面(底面と上面)と、外面ないし円筒面とで境界が形成された立体を意味し、外面は複数の平行な直線によって形成されている。好ましくは、底面および上面は円形に形成されており、真っ直ぐなシリンダになるように、これらが互いに上下に合同に位置している。同様に、他のシリンダ形状も考えられ、例えば、n=3,4,5または6のn角形の底面及び上面が好ましくは互いに上下に合同に位置している。
本明細書によれば、固体母材は、単結晶、多結晶または非晶質の材料である。好ましくは、原子の結合力の異方性が強いために、異方性の強い構造を有する単結晶材料が適している。固体母材は、元素周期律表の主族3,4,5および/または12のうちの一元素による一つの物質または複数物質の組合せ、特に主族3,5および12の元素による組み合わせを含むことが好ましい。
シリコンの他に、半導体の母材は、例えばガリウム砒素GaAs、窒化ガリウムGaN、炭化ケイ素SiC、リン化インジウムInP、酸化亜鉛ZnO、窒化アルミニウムAlN、ゲルマニウム、酸化ガリウム(III)Ga2O3、酸化アルミニウムAl(サファイア)、リン化ガリウムGaP、インジウム砒素InAs、窒化インジウムInN、アルミニウム砒素AlAsまたはダイヤモンドからなるものでもよい。
固体つまりは被加工物(ワーク)は、好ましくは元素周期律表の主族3,4,5の一つからなる物質または物質の組み合わせ、例えばSi、SiC、SiGe、Ge、GaAs、InP、GaN、Al(サファイア)、AlNといったものを含む。より好ましくは、固体は、周期律表の第3族および第5族に属する元素からなる組み合わせを含む。考えられる物質または物質の組み合わせは、例えばガリウム砒素、シリコン、炭化ケイ素などである。さらに、固体は、セラミックス(例えば、Al−酸化アルミニウム)を含むか、セラミックスからなるものでもよい。この場合に好ましいセラミックスは、一般には、例えばペロブスカイトセラミックス(例えば、Pb含有セラミックス、O含有セラミックス、Ti/Zr含有セラミックスといったもの)とすることができ、特には、さらにマグネシウムニオブ酸鉛、チタン酸バリウム、チタン酸リチウム、イットリウム・アルミニウム・ガーネット、とりわけ固体レーザに用いるためのイットリウム・アルミニウム・ガーネット結晶、SAW(弾性表面波)セラミックス(例えば、ニオブ酸リチウム、オルトリン酸ガリウム、石英、チタン酸カルシウム等といったもの)にすることができる。従って、固体は、半導体材料またはセラミックス材料を含むことが好ましく、或いは、固体が、少なくとも一つの半導体材料またはセラミックス材料からなることが特に好ましい。固体が透明材料を含むか、或いは部分的に透明材料(例えばサファイアといったもの)から構成または製造されていることもまた考えられる。単独の或いは他の材料との組み合わせによる固体として考えられるさらなる材料は、例えば、“ワイドバンドギャップ”材料、InAlSb、高温超伝導体、特に希土類銅酸塩(例えば、YBaCu)である。付加的または代替的に、固体がフォトマスクであることも考えられるが、この場合のフォトマスク材料として、好ましくは、出願日に公知の任意のフォトマスク材料、より好ましくはそれらの組み合わせを用いることができる。
ポリマーハイブリッド材料は、本発明によれば、ポリマーマトリックス内に一又は複数のフィラーを含む材料を意味する。以下にフィラーについて述べられるときには、同じく複数のフィラーの可能性も含まれているというべきである。
ポリマーマトリックスとして、固体母材を分けるのに必要な応力を発生させることのできる任意のポリマーを用いることができる。例えば、ポリマーマトリックスは、エラストマーマトリックス、好ましくはポリジオルガノシロキサンマトリックス、より好ましくはポリジメチルシロキサンマトリックスとして形成されていてもよい。この種のポリマー材料は、フィラーと組み合わせるマトリックス材料として特に利用し易い。これは、架橋度が可変であるために特性を柔軟に設定することができ、各フィラー並びに分割対象の固体母材に合わせて調整することができるためである。
ポリマーハイブリッド材料を使用するとは、一又は複数の同一の或いは異なるフィラーを有する様々なポリマー(これらがポリマーハイブリッド材料をともに形成する。)を用いることも含まれる。
フィラーは、有機質または無機質なものとすることができ、化学元素からなるものでも化学的化合物からなるものでもよいし、或いは、例えば合金といった混合物からなるものでもよい。フィラーは、ポリマーマトリックス内に粒子の形態で分散して存在しており、その粒子サイズは、通常、粒子の少なくとも一方向の寸法(Dimension)に関してμmおよびnmの範囲内にある。球形状の形態の他にも、フィラー粒子は、他の形態、例えばロッド形状またはディスク形状をとってもよい。
フィラー粒子は、あらゆる粒径分布、例えば単峰性または二峰性、狭い、特に単分散性のもの、または幅広のものを有することができる。フィラーは、例えばポリマーネットワークに埋め込むことによって物理的にも或いは化学的にもポリマーマトリックスに結合させることができる。
ポリマーマトリックス中の実際のフィラー含有率は、フィラーの材料およびその作用の仕方に大きく依存する。第一に、ポリマーマトリックスは、フィラーがあっても依然として応力を発生させるというその役割を果たすことができなければならない。第二に、フィラー含有率は、ポリマー除去に対する所望の効果を達成するのに十分に高くなければならない。それぞれの場合における最適フィラー含有率は、濃度を変えながら行われる容易な試行の範囲内で当業者が見出すことができる。
上記ポリマーハイブリッド材料が分割方法に使用される。この方法では、露出した表面を有する分割対象の固体母材が先ず用意される。この表面上にポリマーハイブリッド材料が着設されることで、相応の複合構造(Verbundstruktur)になる。場合によっては、ポリマーハイブリッド材料は、複数の露出した表面、特に互いに平行に設けられた表面上に着設してもよい。
特に、シリンダ形状の固体母材が可能である。この場合、ポリマーハイブリッド材料は、露出した底面および/または上面に着設される。
これは、例えば、ポリマーハイブリッド材料からなるフィルムを貼着することで行うことができる。代わりに、液相からなるポリマーハイブリッド材料の前駆体物質が、固体母材の露出した表面上に塗布されてもよい。この前駆体物質が、例えば気化および/または架橋反応といった物理的および/または化学的なプロセスを経て、本来のポリマーハイブリッド材料になる。
続いて、複合構造は、固体母材内の一平面に沿って固体母材が少なくとも二つの固体部分片に分割されるように応力場が付与される。この応力場は、例えば急激な冷却または加熱、特に液体窒素による急激な冷却によって発生し得るもので、この場合、応力場は、固体母材とポリマーハイブリッド材料の異なる熱膨張係数と、それにより起きる弾性率の有意な変化により生じる。
固体部分片をその後に使用するために、ポリマーハイブリッド材料は、例えば、化学反応、物理的な剥離操作(Abloesevorgang)および/または機械的切除によって取り除かれる。
場合によっては、固体母材とポリマーハイブリッド材料との間に犠牲層が設けられていてもよい。この犠牲層は、例えば、然るべき化学反応によって犠牲層が分解されることによって、分割が行われた後のポリマーハイブリッド材料の除去を容易にする。
固体母材の分割に必要な応力を発生させる役割をポリマーマトリックスが担う一方、フィラーの主な役割は、固体母材の分割後にポリマーのねらい通りの除去を生じさせることである。そのために、フィラーは、例えば、触媒、促進剤または開始剤として、或いは阻害剤としても働くことができる。剥離特性以外に、熱的および/または機械的な特性に影響が及ぶこともある。
特に、フィラーを使用すると、溶剤並びに溶解した成分ないし反応出発・反応生成物質の搬入及び搬出が改善されることによって、ポリマーの除去を促進することができる。これにより、従来技術で必要とされていた追加的な応力が一切無くなるまで低減できるので、それが原因となっていた固体部分片の破損を回避することができる。結果として、工程時間が短縮され、全体的な歩留まりが向上する。
さらに、全体的な方法のプロセスの安定性が向上する。これは、余分な応力の導入を避けることができるため、必要とされているプロセス工程が一層少ないからである。
ポリマーマトリックスおよび/またはフィラーが化学反応の影響を受けなければ、その再利用がさらに可能である。
特に好ましくは、ポリマーハイブリッド材料の除去が加速されるので、余分な犠牲層を省略することができる。このことが、さらなる簡素化、ひいては分割方法におけるプロセスの安定性の向上に寄与する。
本発明によれば、フィラーが、少なくとも一種の金属、特にアルミニウム、鉄、亜鉛お よび/または銅からなるか且つ/又はフィラーが、無機繊維、特に炭素繊維、ガラス繊維 および/またはバサルト繊維からなるか且つ/又はフィラーが、シリカからなる。
一実施形態によれば、フィラーは、少なくとも一種の金属、特にアルミニウム、鉄、亜鉛および/または銅からなる。
先に述べられた全ての材料に関する「〜からなる」には、例えばフィラーの製造並びにポリマーマトリックスへの結合や分散に有用な技術上必要な添加物、或いは技術的上限界のある不純物が含有されていてもよいことが含まれる。
金属のフィラーは、酸化剤、例えば塩酸、硝酸、クエン酸、蟻酸またはスルファミン酸と反応することができ、その結果、ポリマーハイブリッド材料から除去することができる。例えば、アルミニウムは、濃塩酸と反応して、以下の式に従って溶媒和金属イオンと水素を発生する:
Figure 0006820853
こうしてポリマーマトリックス内に生じる空洞は、ポリマー層または犠牲層への反応剤または溶剤のより迅速な接近を可能にし、さらに反応剤または溶解成分をより素早く搬出するのに寄与する。
同様にして、フィラーとしての亜鉛の反応は、濃塩酸との反応を通じてさらなる空洞の形成をもたらす:
Figure 0006820853
さらに、気体の反応生成物が発生することで(上記実施例では水素が発生することで)、ポリマーハイブリッド材料の除去をさらに促すような付加的な推進力がもたらされる。
さらなる空洞の形成ならびに気体反応生成物の発生は、ポリマー除去を促進し、それ故に分割方法の全体的な歩留まりを高めるのに寄与する。フィラー濃度を変えることで、固体部分片とポリマーハイブリッド材料間の境界領域或いは犠牲層とポリマーハイブリッド材料間の境界領域における空洞密度を意図したままに操作することができる。
フィラーが金属からなる場合の更なる利点は、ポリマーハイブリッド材料内の熱伝導率が改善される点にある。これにより、固体母材を分割するために冷却によって生まれる応力が、より効果的に、すなわちより迅速に、冷却剤の消費量を少なくしながら生成可能とされている。このことが、分割方法の全体的な歩留まりを高める。一実施形態によれば、フィラーは、例えば炭素繊維、ガラス繊維またはバサルト繊維といったような無機繊維からなるものとされてよい。
繊維は、通常、異方性が非常に強い。フィラーがポリマーハイブリッド材料内において方向依存性のある配置とされていることにより、固体母材の分割に必要な応力を意図したままに操作することが可能である。このことが、分割方法の全体的な歩留まりを高めるのに寄与し得る。
強い異方構造を有する繊維材料として有機ないし無機のフィラーが使用される場合のさらなる利点は、これによりポリマーハイブリッド材料内の機械的特性の改善が実現できることにある。
さらなる実施形態において、フィラーはシリカからなる
同様に、機械的特性を改善するのに、無機の網目構造をしたヒュームドシリカのような追加的に導入されるフィラーがポリマー内で寄与するのでもよい。これらの強い相互作用に加えて、さほど強くない相互作用も、純粋に流体力学的な補強を行うことにより改善に貢献できる。例えば、粘度をねらい通りに上昇させることが挙げられる。粘度を上昇させることで、分割特性においてより良好な処理が可能になり、それにより製造公差の改善に役立ち得る。さらに、この相互作用により、構造的な再配向に関する内部自由度が、補強されていくにつれて減り難いようになる。これは、ポリマーハイブリッド材料に使用されるポリマーのガラス転移温度の所望の低下をもたらし、これが、より低い分割温度による利点を引き出せるようにする。
フィラーは、ポリマーハイブリッド材料が等方性または異方性のある特性を有するようにポリマーマトリックス内に分散していてもよい。
異方性のある特性は、例えば、異方性のあるフィラーの性状によって、またはポリマーマトリックス内のフィラー濃度を意図的に変えることによって実現することができる。例えば、固体母材との境界領域或いは犠牲層との境界領域におけるフィラー濃度を増加させることで、空洞の数を意図的に増加させることができ、それに伴いポリマーの除去を加速することができる。層内に垂直勾配を有する不均一な粒子密度分布は、機械的特性の改善に役立ち、均一な分布は、熱特性の改善に役立ち得る。
フィラー濃度を変えることは、例えば、異なる密度を有するフィラーを用いることで実現することができる。
等方性や異方性のある特性を実現するには、ポリマーハイブリッド材料の製造工程並びにポリマーマトリックスの特性も常に考慮しなければならない。
普通は、ポリマーマトリックスとフィラーとの混合は、ポリマーマトリックスの架橋が終了する前に行なわれる。これは、架橋により変化するポリマーマトリックスの粘度に合わせてポリマーマトリックス内にフィラーを分布させる可能性を開く。
未架橋または一部架橋したポリマーマトリックスとフィラーとからなる混合物が、架橋が終了していく間に適度に動くことで、均一なフィラーの分布を得ることができる。他方、フィラーがポリマーマトリックスより高い密度を有する場合には、動きを伴わないゆっくりとした架橋は、地球の重力の作用によって、沈降のために地面に近い領域のフィラーの濃縮をもたらすことになる。このことは、固体母材との境界領域ないし犠牲層との境界領域におけるフィラーの濃度を高めるために、例えば、適切な反応によってねらい通りにそこに空洞を発生させるために余すところなく利用することができる。
フィラーとポリマーマトリックスの密度比の他に、粒子形状も沈降に影響する。異方性が著しい粒子形状、特に、繊維等に特徴的な高い非回転対称アスペクト比を有する粒子形状は、例えば沈降を遅らせ、ポリマーマトリックス内においてフィラーが段階的に変化する分布をもたらす。
アスペクト比は、好ましくは、長さ対直径、長さ対幅または長さ対厚さの比を意味する。
ここで、空間方向のいずれか一方への粒子の最大の拡がりが常に長さとして選択される。
従って、アスペクト比は常に1より大きいか1に等しい。アスペクト比が1というのは、完全な球形に相当する。球形からずれると、1より大きなアスペクト比によって表される。
本発明により使用される材料の最も基本的な粒子(最基本粒子)(Primaerpartikel)(このケースでは無機または有機繊維)は、典型的には非常に高いアスペクト比(異方性の強い粒子形状)を有する。
この場合、使用されるフィラーまたはフィラーの組み合わせ次第で、最基本粒子のアスペクト比は100より大きく、時には1000よりも大きいことも有り得る(ただし、本発明はこれらに限定されるものではない。)。
強い異方性のフィラー粒子の場合でも、沈降に逆らうように作用する超構造(Ueberstruktur)によって、付加的な安定化が発生し得る。しかも、ナノスケールのフィラー粒子の場合には、沈降を一層困難にする三次元骨格構造が考えられるので、特に境界領域における特性をねらい通りに操作することができる。
これに関して言うと、ストークスの法則の上に成り立つストークス方程式に基づき、粒径は、沈降速度に2乗で入ってくる:
Figure 0006820853
ここで、
ν … 沈降速度
r … 沈降する粒子の半径
g … 重力加速度
ρ … 粒子密度
ρ … 流体密度
η … 流体の動的粘度
これによれば、沈降速度は、まさにサブミクロンおよびナノスケールの粒子の場合には、ポリマー架橋時間の経過中に低下する。
上記のプロセスを用いることで、ポリマーハイブリッド材料の特性を、それぞれの固体母材および分割方法のプロセス条件に合うようにねらい通りに調整することができる。例えば、空洞を形成し、それによりポリマーハイブリッド材料をより上手く除去する役割を主に担うフィラーを、境界領域に優先的に配置することができる一方、熱伝導率を向上させるための第二のフィラーは、できるだけ均一に分散した状態でポリマーハイブリッド材料内に存在することになろう。
本発明の目的は、ポリマーハイブリッド材料およびその製造方法によっても解決される。これらの解決手段とその態様についての説明は、適当な分割方法の態様の場合と同じである。
以下に詳説する方法に本発明のポリマーを使用することに基づきながら、本発明を以下に説明する。多くの技術分野(例えば、マイクロエレクトロニクスまたは太陽光発電技術)では、シリコン、ゲルマニウムまたはサファイアなどの材料が、薄い円盤や板(ウェハと呼ばれる)の形で使用されることが多い。
現在、この種のウェハは、インゴットからの切断により製造されるのが標準的であり、このとき、比較的大きな材料損失(“カーフロス”)が発生する。使用される母材は、非常に高価であることが多いため、この種のウェハを、より少ない材料コストで、また、それに伴いより効率的かつ安価な方法で製造する多大な努力がなされている。
例えば、今の普通の方法では、太陽電池用のシリコンウェハの製造の場合だけで、使用される材料の約50%が“カーフロス”として失われる。世界的に見れば、これは年間20億ユーロを超える損失に相当する。ウェハのコストが、完成した太陽電池のコストの最も大きな割合(40%以上)を占めるため、ウェハ製造を適切に改善することによって、太陽電池のコストを大幅に削減することができよう。
カーフロスの無いこの種のウェハ製造(“カーフフリー・ウェハ”)には、従来のソーイングを不要にし、例えば温度によって引き起こされる応力を使用することによって薄いウェハをより厚い被加工物から直接分離するという方法が特に魅力的に思われる。これには、特に、例えばPCT/US2008/012140およびPCT/EP2009/067539に記載されている方法が含まれ、これらの応力を生成するために、被加工物に着設されたポリマー層が用いられる。
上述の方法においては、このポリマー層は、被加工物に比べると約2桁高い熱膨張係数を有する。さらに、ガラス転移を利用することによって、ポリマー層内の弾性率をより高いものにすることができ、その結果、冷却によってポリマー層−被加工物の層体系内に、被加工物からウェハを分離するのに十分大きな応力を発生させることができるようになる。
被加工物からウェハを分割する場合、上述した方法では、ウェハの片側にポリマーが毎回そのまま付着している。すると、ウェハは、このポリマー層の方にかなり大きく湾曲し、これが、管理された分割を困難にし、例えば、分割されたウェハの厚さのばらつきにつながるおそれがある。しかも、湾曲が大きいことで後続の処理が困難になり、ウェハの破損に至ることさえあり得る。
これまでの従来技術による方法を用いた場合、製造されたウェハは、厚さのばらつきがそのつど比較的大きいのが普通で、その空間的な厚さ分布は、複数の対称性を有するパターンを示すことが多い。ウェハ全体にわたって見た全体的な厚さのばらつき(変動)(“総厚さ変動(total thickness variation)”TTV)は、これまでの方法を用いる場合、平均ウェハ厚さの100%を超えることが多い(平均厚さ100マイクロメートルのウェハで、その最も薄い所で厚さが50マイクロメートル、その最も厚い所で厚さが170マイクロメータのウェハは、TTVが170−50=120マイクロメートルであり、これは、その平均厚さに比して120%の総厚さ変動に相当する。)。このように大きな厚さのばらつきを有するウェハは、多くの用途に対して不向きである。さらに、最も頻繁に現れる複数の厚さ分布パターンの場合、最大のばらつきを有する領域が、不幸なことに、最も邪魔になるウェハの中央にくる。
それ以外にも、最新の従来技術による方法では、分割時に亀裂が伝播するときに、関与する層体系内に望ましくない振動すら生じ、この振動が、亀裂の先端が延びていくのによくない影響を与え、特に、分割されたウェハの厚さのばらつきを甚大なものにしかねない。
加えて、これまでの方法では、ポリマー層の全面にわたって再現性のある良好な熱接触を確保することが難しい。ところが、局所的に不十分な熱接触は、用いられるポリマーの熱伝導率が低いために、層体系内に望ましからぬ著しい局所的な温度ばらつきをもたらす可能性があり、これが、生成される応力場の制御性にそれ自体悪影響を及ぼし、その結果、製造されたウェハの品質にも悪影響が及ぶ。
さらに、特許文献2より、光誘起境界面分解(licht−induzierter Grenzflaechenzersetzung)によって半導体材料を分離する方法、およびこのようにして製造された装置で、構造化され、自律した半導体層および素子といったような装置が公知である。特許文献2による方法は、基板と半導体層との間、または半導体層間の境界面に光を当てることを有し、これにより、境界面上或いは境界面に対して設けられた吸収層内における光の吸収が材料を分解することになる。分解されることになる境界面または半導体層の選択は、光の波長と光の強度の選択、入射角方向、または、材料の作製中に薄い犠牲層を組み込むことによって行われる。この方法は、層全体を破壊するために、エネルギーをふんだんに用いる必要があり、その結果、エネルギー需要、したがって当該方法のコストが非常に高いという欠点を有する。
本発明のポリマーハイブリッド材料により、固体層を製造する以下詳説の方法を用いて、厚さが均一な固体プレートまたはウェハを安価に製造することができる。特に、これにより120マイクロメートルより少ないTTVが得られる。
本方法では、上記に詳述したような本発明によるポリマーハイブリッド材料が使用され、本方法は、好ましくは少なくとも以下の工程を有する:
‐少なくとも一つの固体層を分離するための固体を用意し、少なくとも一つの光線源、特にレーザを用いて固体の内部構造に欠陥を生成して剥離面を予め設け、当該剥離面に沿って固体層が固体から分離されるようにし、
‐前記固体上に前記固体層を保持するための受容層を配置し、
‐受容層に熱的な作用を加えて特に機械的に固体中に応力を発生させ、当該応力により亀裂が剥離面に沿って固体中を伝搬し、当該亀裂が固体から固体層を分離する。
この解決手段が有利であるのは、光線源により固体中に剥離層または欠陥層を生成することができ、亀裂は、亀裂が伝播する際にこれらの層を通して誘導ないし案内され、これが、非常に小さなTTV、特に200マイクロメートルないし100マイクロメートル未満、または80マイクロメートル未満、または60マイクロメートル未満、または40マイクロメートル未満、または20マイクロメートル未満、または10マイクロメートル未満、または5マイクロメートル未満、特に4,3,2,1マイクロメートルのTTVを可能にするからである。
つまり、ウェハに光線を照射することは、第一段階においては固体内に一つのミシン目を形成することであり、このミシン目に沿って、第二段階において亀裂が拡がり、つまりは固体から固体層が分離される。
固体から固体層を剥離するための応力は、受容層、特にポリマー層に熱を加えることによって発生させることができる。熱的な作用を加えるとは、好ましくは、受容層またはポリマー層を周囲温度かまたは周囲温度より低い温度、好ましくは10℃未満、より好ましくは0℃未満、さらに好ましくは−10℃未満に冷却することである。ポリマー層の冷却は、好ましくはPDMSからなるポリマー層の少なくとも一部がガラス転移を起こすように行われることが最も好ましい。この場合、冷却は、−100℃を下回るように冷却するのでもよい。これは、例えば液体窒素を用いて行うことができる。この実施形態が好ましいのは、温度の変化に合わせてポリマー層が収縮および/またはガラス転移を起こし、その際に発生する力が固体に伝わり、これにより固体内に機械的応力が生成可能で、この応力が亀裂を発生させ且つ/又は亀裂を伝播させ、その際に、亀裂が先ずは第一の剥離面に沿って伝搬して固体層を分割するからである。
固体は、固体を保持する保持層上に配置されていてもよい。保持層は、固体の第一の平坦な表面部分上に設けられ、固体の第一の平坦な表面部分は、固体の第二の平坦な表面部分から隔てられており、ポリマー層は、第二の平坦な表面部分上に設けられ、剥離面は、第一の平坦な表面部分および/または第二の平坦な表面部分に対して平行に配向されるか或いは平行に形成される。
この実施形態が有利であるのは、固体が少なくとも区分的に、好ましくは全体的に保持層とポリマー層との間に配置されており、その結果、固体中に亀裂を発生させ又は亀裂を伝播させるための応力が、これらの層のうちの一方または両方の層を用いて導入可能であるからである。
少なくとも一つ又はちょうど一つの光線源は、固体内に導入するための光線を供給すべく、光線源より放出される光線が固体内部の予め決められた箇所に欠陥を生成するように構成されている。この実施形態が有利であるのは、光線源、特にレーザを用いて固体中に極めて正確に欠陥を発生させることができるからである。
光線源は、剥離面の生成のために、光線源から放射される光線が、決まった深さ、特に<100μmまで固体中に入り込むように調節することができる。好ましくは、剥離面は、固体の外側の表面、好ましくは平坦な表面に対して平行に距離を置いて形成される。好ましくは、剥離面は、固体の平坦な表面から100マイクロメートル未満、好ましくは50マイクロメートル未満、より好ましくは20,10,5ないし2マイクロメートル未満隔てられて固体内部に形成される。
固体は、予め設定された波長および/またはパワーを付与することができ、その際に、予め設定された波長は、好ましくは各材料ないし基板に合うように調整されている。この実施形態が有利であるのは、波長および/またはパワーによって欠陥の大きさに作用することができるからである。
本発明のさらに好ましい実施形態によれば、固体は、シリコンおよび/またはガリウムまたはペロブスカイトを含み、ポリマー層および/または保持層は、少なくとも部分的に、好ましくは全体的に、或いは75%より多い部分がポリジメチルシロキサン(PDMS)からなり、このとき、保持層は、少なくとも部分的に少なくとも一種の金属からなる安定化装置の少なくとも部分的に平坦な面上に配置されている。安定化装置は、好ましくはプレートであり、特にアルミニウムを有するか又はアルミニウムからなるプレートである。この実施形態が有利であるのは、安定化装置と保持層とにより固体が確定ないし固定されることで、応力が固体内において非常に正確に生成され得るからである。
応力は、固体内において、亀裂面内に出来る表面の凸凹(Topografie)を生み出す亀裂の発生および/または亀裂の伝播を制御できるように調節可能ないし生成可能であってもよい。従って、応力は、好ましくは、固体の異なる領域において、好ましくは少なくとも一時的に異なる大きさで発生させることができる。この実施形態が有利であるのは、亀裂の発生および/または亀裂の走り方を制御することにより、生成または分離された固体層の表面性状に有利にも影響を与えることができるからである。
固体は、例えば、Si、SiC、SiGe、Ge、GaAs、InP、GaN、Al(サファイア)、AlNといったような、元素の周期律表の主族3,4および5の一つからなる材料またはその材料の組合せを有することが好ましい。より好ましくは、固体は、周期律表の第3および第5族にある元素の組み合わせを含む。この場合、考えられる材料または材料の組み合わせは、例えばガリウム砒素、シリコン、炭化ケイ素などである。さらに、固体は、セラミックス(例えば、Al−酸化アルミニウム)を含んでもよいし、或いはセラミックスからなるものでもよい。ここで、好ましいセラミックスは、一般的には例えばペロブスカイト型セラミックス(例えばPb−、O−、Ti/Zr−含有セラミックス)であり、具体的にはマグネシウムニオブ酸鉛、チタン酸バリウム、チタン酸リチウム、イットリウムアルミニウムガーネット、なかんずく固体レーザ用のイットリウムアルミニウムガーネット結晶、SAW(弾性表面波)セラミックス(例えば、ニオブ酸リチウム、オルトリン酸ガリウム、石英、チタン酸カルシウム等といったもの)である。そのため、固体は、半導体材料またはセラミックス材料を含むことが好ましく、或いはより好ましくは、少なくとも一つの半導体材料またはセラミックス材料からなる。固体が透明材料を含むか、または部分的に透明な材料(例えばサファイア等)からなる或いは製造されることがさらに考えられる。このとき、固体として、単体で或いは別の材料との組み合わせで考えられる他の材料は、例えば、“ワイドバンドギャップ”材料、InAlSb、高温超伝導体、特に希土類銅酸塩(例えば、YBaCu)である。
本発明はさらに、ウェハに関する。
さらに、独国特許出願第102013016666.7号の主題は、本特許出願の主題の一部として、参照により完全に組み込まれる。同様に、同じく本特許出願の出願日に出願人によって提出され、かつ固体層の製造の分野に関連する他の全ての特許出願の主題もまた、本特許出願の主題に完全に組み込まれる。
本発明のさらなる利点、目的および特性は、添付の図面の以下の説明を参照して説明され、ここでは、本発明のウェハの製造が例として詳細に説明される。本発明によるウェハ製造の構成部または要素であって、図中少なくとも実質的にその機能に関して一致するようなものは、ここでは同一の符号で識別することができ、その際に、これらの構成部または要素は、全ての図において符号が付されて説明されなければならないものではない。
以下に記載する図面の個々の或いは全ての図示は、好ましくは、構造図として見るべきである。つまり、図面から明らかな寸法、比率、機能的関係および/または配置は、好ましくは正確に、または好ましくは実質的に、本発明の装置または本発明の生産物に相当する。
固体中に欠陥を発生させるための概略的な構造を示す図である。 固体から固体層を分離する前の層構成の概略図である。 固体層から固体層を分離した後の層構成の概略図である。 光波による欠陥生成の第一の変形例の概略図である。 光波による欠陥生成の第二の変形例の概略図である。 剥離面の概略図である。
図1aには、固体2または基板が示されており、当該固体が光線源18、特にレーザの領域に配置されている。固体2は、好ましくは、第一の平坦な表面部分14および第二の平坦な表面部分16を有し、第一の平坦な表面部分14は、好ましくは、第二の平坦な表面部分16に対して大体またはきっちり平行になるように揃えられている。第一の平坦な表面部分14及び第二の平坦な表面部分16は、好ましくは垂直または鉛直に向けられたY方向において、好ましくは固体2の境界をなす。平坦な表面部分14および16は、好ましくはそれぞれX−Z平面内に延在し、X−Z平面は好ましくは水平に揃えられている。さらに、この図から、光線源18が固体2上に光線6を放射することが看取できる。光線6は、構成に合わせて決められた深さまで固体2内に入り込み、それぞれの位置に或いは予め決められた位置に欠陥を生成する。
図1bには、固体2が剥離面8を含むとともに、第一の平坦な表面部分14の領域に保持層12が設けられている多層構成が示されており、この上に好ましくはさらに別の層20が積層される。ここで、この別の層20は、好ましくは安定化装置、特に金属プレートである。固体2の第二の平坦な表面部分16の上に、好ましくはポリマー層10が配置されている。ポリマー層10および/または保持層12は、好ましくは、少なくとも部分的に、より好ましくは全体がPDMSからなる。
図1cには、亀裂が発生した後のその後の亀裂の伝わる様子が示されている。固体層4は、ポリマー層10に付着しており、固体2の残りの部分から離間されている或いは離間可能である。
図2aおよび図2bには、光線を用いた固体2への欠陥の導入による図1aに示された剥離面8の生成の例が示されている。
このように、本発明は、固体層を製造する方法に関する。ここで、本発明による方法は、少なくとも次の工程を有する:少なくとも一つの固体層(4)を分離するための固体(2)を用意し、少なくとも一つの光線源、特にレーザを用いて固体の内部構造に欠陥を生成して剥離面を予め設け、当該剥離面に沿って固体層が固体から分離されるようにし、固体(2)上に配置されたポリマー層(10)に熱的な作用を加えて特に機械的に固体(2)中に応力を発生させ、当該応力により亀裂が剥離面(8)に沿って固体(2)中を伝搬し、当該亀裂が固体(2)から固体層(4)を分離する。
こうして、図2aには、特に剥離面8を生成するために、光線源18、特に一つまたは複数のレーザを用いて欠陥34がどのように固体2中に生成可能であるかが概略的に示されている。光線源18は、第一の波長30及び第二の波長32を有する光線6を放射する。ここでは、波長30,32が互いに重なるように調整されていることで、或いは固体2中に生成すべき剥離面8と光線源18との間の距離が調整されていることで、波30,32が、大体または正確に固体2中の剥離面8上で出会い、これにより、二つの波30,32のエネルギーによって、出会った地点34に欠陥が生成される。欠陥は、例えば昇華や化学反応といった様々な分解メカニズムないしその組み合わせによって、発生させることができ、その際、分解は、例えば熱的および/または光化学的に開始させることができる。
図2bには、集束された光線6が示されており、その焦点は、好ましくは剥離面8内にある。ここで、光線6は、一つまたは複数の集束体、特にレンズ(図示せず)によって集束されることが考えられる。この実施形態では、固体2は多層に形成されており、好ましくは半透明または透明な基板層3ないし材料層を有し、この層が好ましくはサファイアからなるか又はサファイアを含む。光線6は、基板層3を通って剥離面8に達する。この剥離面8は、犠牲層5によって形成され、この犠牲層5は、光線が供給されることで、焦点において或いは焦点付近において熱的および/または光化学的に部分的ないし完全に犠牲層5が破壊される作用を受ける。剥離層8を生成するための欠陥が、二つの層3,4の間の領域またはその境界に正確に生成されることも同様に考えられる。こうして、固体層4が保持層、特に基板層3上に生成され、一つまたは複数の犠牲層5によって、且つ/又は特に固体層4と保持層との間の境界面に欠陥を生成することによって、固体層4を剥離ないし分離するための剥離面8が生成可能とされていることも同様に考えられる。
図3には、欠陥濃度が異なった領域82,84,86を有する剥離面8が示されている。ここでは、欠陥濃度の異なる多数の領域が剥離面8を形成すると考えることができ、その際、剥離面8内の欠陥34は、やはりその面にわたって大体または正確に均一に分布していると想像できる。異なる欠陥濃度は、面積的に同じ大きさか、異なる大きさに形成されていてよい。好ましくも、第一の高められた欠陥濃度が、亀裂誘起濃度82となる。この濃度は、好ましくは周縁領域に生成されるか、または周縁に対して内側に拡がるまたは周縁に隣接するように生成される。付加的ないし代替的に、固体層4を固体2から分離する亀裂が管理可能ないし制御可能となるように亀裂誘導濃度84を形成することができる。さらに、付加的ないし代替的に、好ましくも固体2の中心領域において非常に平坦な表面を実現する中心濃度86を生成してもよい。好ましくは、亀裂誘導濃度84は、部分的または全体的に環状つまりは取り囲むように形成されていて、その結果、好ましくも固体2または固体層4を好ましくは部分的に、より好ましくは完全に取り囲む。亀裂誘導濃度84は、固体2の周縁から出発して固体2の中心の方に進むにつれて階段状に或いは連続的ないし滑らかに減少するということもさらに考えられる。さらに、亀裂誘導濃度84は、帯状に形成されているとともに、均一に、つまりは大体または正確に均一に形成されていることも考えられる。
2 固体
3 基板
4 固体層
5 犠牲層
6 光線
8 剥離面
10 ポリマー層
12 保持層
14 第一の平坦な表面部分
16 第二の平坦な表面部分
18 光線源
20 安定化装置
30 第一の光線成分
32 第二の光線成分
34 欠陥生成の位置
82 亀裂誘起濃度
84 亀裂誘導濃度
86 中心濃度
X 第一の方向
Y 第二の方向
Z 第三の方向

Claims (21)

  1. 固体母材を少なくとも二つの固体部分片に分ける分割方法における、ポリマーマトリックス内に一つまたは複数のフィラーを含むポリマーハイブリッド材料の使用であって、
    フィラーは、固体母材の分割後にポリマーハイブリッド材料を除去する効果を生じさせ、
    フィラーが、少なくとも一種の金属、特にアルミニウム、鉄、亜鉛および/または銅からなり、
    前記フィラーの濃度を変えることにより、前記固体部分片と前記ポリマーハイブリッド材料との間の境界領域における空洞密度を調整し、
    前記空洞は、前記フィラーが、酸化剤により気体の生成物を放出しながら反応することにより形成される、
    ポリマーハイブリッド材料の使用。
  2. ポリマーマトリックスが、エラストマーマトリックス、好ましくはポリジオルガノシロキサンマトリックス、より好ましくはポリジメチルシロキサンマトリックスである、
    請求項1に記載の使用。
  3. フィラーは、ポリマーハイブリッド材料が等方性または異方性のある特性を有するようにポリマーマトリックス内に分散している、
    請求項1または2に記載の使用。
  4. シリンダ形状の固体母材を少なくとも二つのシリンダ形状の固体部分片に分けるための、
    請求項1〜3のいずれか一項に記載の使用。
  5. フィラーは、固体母材の分割後にポリマーハイブリッド材料を除去する際に、触媒、促進剤、開始剤または阻害剤として働く、
    請求項1〜4のいずれか一項に記載の使用。
  6. フィラーが、少なくとも一種の金属、特にアルミニウム、鉄、亜鉛および/または銅からなり、このフィラーが、フィラーを含まないマトリックスに比べて熱伝導率を改善する機能を有する、
    請求項1〜5のいずれか一項に記載の使用。
  7. 固体母材を二つ以上の固体部分片に分ける分割方法であって、以下の、
    ‐少なくとも一つの露出した表面を有する固体母材を用意し、
    ‐ポリマーマトリックス内にフィラーを含むポリマーハイブリッド材料を、固体母材の少なくとも一つの露出した表面に着設することで複合構造となし、フィラーが、少なくとも一種の金属、特にアルミニウム、鉄、亜鉛および/または銅からなり、
    ‐複合構造に応力場を付与することで、固体母材が固体母材内の一平面に沿って少なくとも二つの固体部分片に分裂し、
    ‐ポリマーハイブリッド材料を固体部分片から除去し、この除去をフィラーによって操作する、
    工程を有し、
    前記フィラーの濃度を変えることにより、前記固体部分片と前記ポリマーハイブリッド材料との間の境界領域における空洞密度を調整し、
    前記空洞は、前記フィラーが、酸化剤により気体の生成物を放出しながら反応することにより形成される、
    分割方法。
  8. ポリマーハイブリッド材料のポリマーマトリックスが、エラストマーマトリックス、好ましくはポリジオルガノシロキサンマトリックス、より好ましくはポリジメチルシロキサンマトリックスである、
    請求項7に記載の分割方法。
  9. フィラーは、ポリマーハイブリッド材料が等方性または異方性のある特性を有するようにポリマーマトリックス内に分散している、
    請求項7または8に記載の分割方法。
  10. シリンダ形状の固体母材を少なくとも二つのシリンダ形状の固体部分片に分ける、
    請求項7〜9のいずれか一項に記載の分割方法。
  11. 固体母材の少なくとも一つの露出した表面の上に先ず犠牲層を着設し、その後にポリマーハイブリッド材料を犠牲層の上に着設することで、複合構造が、固体母材、犠牲層およびポリマーハイブリッド材料を有するようにする、
    請求項7〜10のいずれか一項に記載の分割方法。
  12. フィラーは、固体母材の分割後にポリマーハイブリッド材料を除去する際に、触媒、促進剤、開始剤または阻害剤として働く、
    請求項7〜11のいずれか一項に記載の分割方法。
  13. フィラーが、少なくとも一種の金属、特にアルミニウム、鉄、亜鉛および/または銅からなり、フィラーが、フィラーを含まないマトリックスに比べて熱伝導率を改善する機能を有することを特徴とする、
    請求項7〜12のいずれか一項に記載の分割方法。
  14. 固体母材を少なくとも二つの固体部分片に分ける分割方法のための、ポリマーマトリックスを含んだポリマーハイブリッド材料において、
    ポリマーマトリックスは、エラストマーマトリックス、好ましくはポリジオルガノシロキサンマトリックス、より好ましくはポリジメチルシロキサンマトリックスであり、ポリマーマトリックス内に一つまたは複数のフィラーを含み、
    フィラーは、固体母材の分割後にポリマーハイブリッド材料の除去を生じさせ、
    フィラーの一つは、少なくとも一種の金属、特にアルミニウム、鉄、亜鉛および/または銅からなり、
    前記フィラーの濃度を変えることにより、前記固体部分片と前記ポリマーハイブリッド材料との間の境界領域における空洞密度を調整し、
    前記空洞は、前記フィラーが、酸化剤により気体の生成物を放出しながら反応することにより形成される、
    ことを特徴とするポリマーハイブリッド材料。
  15. フィラーの一つは、ポリマーハイブリッド材料が等方性または異方性のある特性を有するようにポリマーマトリックス内に分散していることを特徴とする、
    請求項14に記載のポリマーハイブリッド材料。
  16. ポリマーマトリックスは、固体母材の分割後にポリマーハイブリッド材料を除去する際に触媒、促進剤、開始剤または阻害剤として働くフィラーを、フィラーとして含むことを特徴とする、
    請求項14または15に記載のポリマーハイブリッド材料。
  17. フィラーの一つが、少なくとも一種の金属、特にアルミニウム、鉄、亜鉛および/または銅からなり、このフィラーが、フィラーを含まないマトリックスに比べて熱伝導率を改善する機能を有することを特徴とする、
    請求項14〜16のいずれか一項に記載のポリマーハイブリッド材料。
  18. 請求項14〜17のいずれか一項に記載のポリマーハイブリッド材料であって、固体母材を少なくとも二つの固体部分片に分ける分割方法のためのポリマーハイブリッド材料の製造方法において、
    ポリマーマトリックスとしてのエラストマーマトリックス、好ましくはポリジオルガノシロキサンマトリックス、より好ましくはポリジメチルシロキサンマトリックスには、一つまたは複数のフィラーが添加され、
    添加するフィラーの一つが、少なくとも一種の金属、特にアルミニウム、鉄、亜鉛および/または銅からなり
    添加するフィラーの一つが、反応剤、好ましくは酸化剤により気体の生成物を放出しながら反応可能である、
    ことを特徴とする、
    ポリマーハイブリッド材料の製造方法。
  19. フィラーの一つは、ポリマーハイブリッド材料が等方性または異方性のある特性を有するようにポリマーマトリックス内に分散されることを特徴とする、
    請求項18に記載のポリマーハイブリッド材料の製造方法。
  20. 少なくとも一種の金属、特にアルミニウム、鉄、亜鉛および/または銅からなるフィラーの、
    固体母材を少なくとも二つの固体の部分片に分割する請求項7〜13のいずれか一項に記載の分割方法のための、ポリマーマトリックスと該ポリマーマトリックス内に一つまたは複数のフィラーとを含んだ請求項14〜17のいずれか一項に記載のポリマーハイブリッド材料内における使用であって、
    固体母材が少なくとも二つの固体部分片に分割される分割方法による分割で得られる固体部分片からポリマーハイブリッド材料を剥がすのを加速するためのフィラーの使用。
  21. 第一の波長および第二の波長を有する光線を放射する光線源を用いて、前記固体母材内に欠陥を生成して剥離面を設け、前記剥離面に沿って前記固体母材を分割する、
    請求項7〜13のいずれか一項に記載の分割方法。
JP2017537017A 2014-10-06 2015-10-06 分割方法および分割方法における材料の使用 Active JP6820853B2 (ja)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102014114456.2 2014-10-06
DE102014114456 2014-10-06
DE102015103118.3 2015-03-04
DE102015103118.3A DE102015103118A1 (de) 2014-10-06 2015-03-04 Splitting-Verfahren und Verwendung eines Materials in einem Splitting-Verfahren
PCT/EP2015/072990 WO2016055443A1 (de) 2014-10-06 2015-10-06 Splitting-verfahren und verwendung eines materials in einem splitting-verfahren

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017531925A JP2017531925A (ja) 2017-10-26
JP6820853B2 true JP6820853B2 (ja) 2021-01-27

Family

ID=55531253

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017537017A Active JP6820853B2 (ja) 2014-10-06 2015-10-06 分割方法および分割方法における材料の使用

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10229835B2 (ja)
EP (2) EP3186824B1 (ja)
JP (1) JP6820853B2 (ja)
KR (1) KR102554020B1 (ja)
CN (1) CN107004569B (ja)
DE (1) DE102015103118A1 (ja)
WO (1) WO2016055443A1 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102016105616A1 (de) * 2016-03-24 2017-09-28 Siltectra Gmbh Polymer-Hybrid-Material, dessen Verwendung in einem Splitting-Verfahren und Verfahren zur Herstellung des Polymer-Hybrid-Materials
WO2017162800A1 (de) * 2016-03-24 2017-09-28 Siltectra Gmbh Polymer-hybrid-material zur verwendung in einem splitting-verfahren
JP7256123B2 (ja) * 2016-12-12 2023-04-11 ジルテクトラ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 構成部材を備えた固体層を薄くするための方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19640594B4 (de) 1996-10-01 2016-08-04 Osram Gmbh Bauelement
US6238596B1 (en) * 1999-03-09 2001-05-29 Johnson Matthey Electronics, Inc. Compliant and crosslinkable thermal interface materials
JP2001044144A (ja) 1999-08-03 2001-02-16 Tokyo Seimitsu Co Ltd 半導体チップの製造プロセス
US6706219B2 (en) * 1999-09-17 2004-03-16 Honeywell International Inc. Interface materials and methods of production and use thereof
AU2003228495A1 (en) * 2002-04-11 2003-10-27 Honeywell International Inc. Thermally conductive coating compositions, methods of production and uses thereof
JP2006184504A (ja) 2004-12-27 2006-07-13 Canon Inc 記録材判別装置および画像形成装置
JP5117692B2 (ja) 2006-07-14 2013-01-16 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
MX2010004896A (es) 2007-11-02 2010-07-29 Harvard College Produccion de capas de estado solido independientes mediante procesamiento termico de sustratos con un polimero.
WO2010072675A2 (en) 2008-12-23 2010-07-01 Pfeffer, Christian Method for producing thin, free-standing layers of solid state materials with structured surfaces
JP5506026B2 (ja) * 2009-07-03 2014-05-28 ユニオンケミカー株式会社 感圧転写型粘着テープ
US20120061356A1 (en) * 2009-08-11 2012-03-15 Hamamatsu Photonics K.K. Laser machining device and laser machining method
US8748296B2 (en) * 2011-06-29 2014-06-10 International Business Machines Corporation Edge-exclusion spalling method for improving substrate reusability
DE102012001620A1 (de) * 2012-01-30 2013-08-01 Siltectra Gmbh Verfahren zur Herstellung von dünnen Platten aus Werkstoffen geringer Duktilität mittels temperaturinduzierter mechanischer Spannung unter Verwendung von vorgefertigten Polymer-Folien
KR20140140053A (ko) * 2012-02-26 2014-12-08 솔렉셀, 인크. 레이저 분할 및 디바이스 층 전사를 위한 시스템 및 방법
JP2014049537A (ja) * 2012-08-30 2014-03-17 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの加工方法
JP2014072452A (ja) * 2012-09-28 2014-04-21 Fujifilm Corp 半導体装置製造用仮接合層、積層体、及び、半導体装置の製造方法。
JP6188051B2 (ja) * 2012-12-25 2017-08-30 国立研究開発法人産業技術総合研究所 部品製造方法、接合剥離装置、および複合キャリア
DE102014013107A1 (de) 2013-10-08 2015-04-09 Siltectra Gmbh Neuartiges Waferherstellungsverfahren

Also Published As

Publication number Publication date
EP3361495A1 (de) 2018-08-15
CN107004569A (zh) 2017-08-01
KR102554020B1 (ko) 2023-07-11
DE102015103118A1 (de) 2016-04-07
EP3186824A1 (de) 2017-07-05
US10229835B2 (en) 2019-03-12
WO2016055443A1 (de) 2016-04-14
KR20170067819A (ko) 2017-06-16
EP3186824B1 (de) 2018-05-16
US20180233373A1 (en) 2018-08-16
JP2017531925A (ja) 2017-10-26
CN107004569B (zh) 2022-01-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6899653B2 (ja) レーザー処理及び温度誘導ストレスを用いた複合ウェハー製造方法
JP7250695B2 (ja) 規定どおりに配向された改質線を有するウェハの製造方法
US10843380B2 (en) Method for the material-saving production of wafers and processing of wafers
US11201081B2 (en) Method for separating thin layers of solid material from a solid body
CN1146973C (zh) 受控切分处理
JP2015523712A (ja) 光電子工学デバイスを形成するための技術
CN106041330B (zh) 用于制造固体层的方法和设备以及根据该方法制造的晶片
JP6820853B2 (ja) 分割方法および分割方法における材料の使用
WO2013115351A1 (ja) 単結晶加工部材およびその製造方法
TW201523696A (zh) 用於增進自固體分離固體層的裂縫起始點或裂縫導引部的生成
JP2014019120A (ja) 内部加工層形成単結晶部材の製造方法
CN109155248B (zh) 用于在分裂方法中使用的聚合物杂化材料
CN111357084A (zh) 用于使设有构件的固体层变薄的方法
WO2024195874A1 (ja) 結晶材料のスライシング方法、ウェーハの製造方法、および結晶材料からなる部材
DE102016105616A1 (de) Polymer-Hybrid-Material, dessen Verwendung in einem Splitting-Verfahren und Verfahren zur Herstellung des Polymer-Hybrid-Materials

Legal Events

Date Code Title Description
A524 Written submission of copy of amendment under article 19 pct

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A525

Effective date: 20170602

A529 Written submission of copy of amendment under article 34 pct

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A529

Effective date: 20170602

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180719

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20190712

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20190802

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20190805

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20191018

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20191111

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200210

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200716

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20201013

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20201207

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20210105

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6820853

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250