KR20170067819A - 분할 방법 및 분할 방법에 재료의 사용 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 고체 공급원료를 적어도 2개의 고체 섹셔널 피스(sectional piece)들로 나누기 위한 분할 방법, 및 그런 분할 방법에서 재료의 사용에 관한 것이다. 분할 방법의 총 수율을 증가시키기 위하여, 폴리머 매트릭스 재료에 하나 또는 그 초과의 필러들을 포함하는 폴리머 하이브리드 재료의 사용이 제안된다. 대응하는 분할 방법은 적어도 하나의 노출된 표면을 가지는 고체 공급원료를 제공하는 단계, 합성 구조가 발생하도록 폴리머 매트릭스 내에 필러들을 포함하는 폴리머 하이브리드 재료를 고체 공급연료의 적어도 하나의 노출된 표면상에 적용하는 단계, 및 합성 구조상에 전압장을 인가하여, 고체 공급원료가 고체 공급원료 내의 평면을 따라 적어도 2개의 고체 섹셔널 피스들로 분할하는 단계를 포함한다.

Description

분할 방법 및 분할 방법에 재료의 사용{SPLITTING METHOD AND USE OF A MATERIAL IN A SPLITTING METHOD}
본 발명은 고체-상태 시재료(starting material)를 적어도 2개의 고체 상태 피스(piece)들로 나누기 위한 분할 방법, 및 그런 분할 방법에서 재료의 사용에 관한 것이다.
특히 마이크로 전자 공학 및 광전 변환 공학에서, 실리콘, 게르마늄 또는 사파이어 같은 재료들의 웨이퍼들, 즉 얇은 슬라이스(slice)들 또는 플레이트들이 사용된다. 현재, 이들은 통상적으로, 잉곳(ingot)으로서 또한 지칭되는 컬럼(column) 또는 블록 형태의 고체-상태 재료로부터 획득된다.
원통들 또는 웨이퍼들 형태의 피스들은 예컨대 톱질 또는 브레이크업(breakup) 방법에 의해 그런 잉곳들로부터 생성된다. 이들 피스들은 이미 웨이퍼를 구성할 수 있거나, 또는 획득된 피스들은, 웨이퍼의 원하는 두께가 생성될 때까지 추가로 나누어진다.
톱질 또는 브레이크업 방법에서, 실톱들 또는 다이아몬드 실톱들이 보통 사용되고, 이는 원래의 고체-상태 재료의 최대 50%까지의 부분을 "절단 손실(kerf loss)" 형태로 손실을 유발하고, 이는 특히 값비싼 시재료의 경우에 불리하다.
게다가, 톱질 동작은 자주 웨이퍼 표면상에 손상들을 유발하고, 이는 표면 처리를 위한 부가적인 프로세스 단계들, 예컨대 래핑(lapping) 또는 폴리싱 방법 단계들에 의해 처리되어야 한다.
언급된 단점들의 회피를 위하여, 예컨대, DE 10 2012 001 620 A1호는, 웨이퍼들의 생성 동안, 폴리머 필름이 접착제에 의해 고체-상태 재료에 적용되는 방법을 개시한다. 접착제가 경화된 후, 고체-상태 재료는 폴리머 필름과 함께 열적 스트레스에 영향을 받는다. 고체-상태 재료 및 폴리머의 상이한 열적 특성들 때문에, 고체-상태 재료는 2개의 더 얇은 피스들로 브레이킹(break)된다. 폴리머 필름은 여전히 2개의 피스들 중 하나의 피스의 일 측에 부착되고 후속적인 단계에서 표면으로부터 제거되어야 한다.
이후 "분할 방법"으로서 지칭되는 설명된 방법은 또한 두꺼운 웨이퍼의 2개의 대향 측들에 폴리머 필름들을 적용하고 그리고 대응하는 열 처리에 의해 두꺼운 웨이퍼를 2개의 얇은 웨이퍼들로 나눔으로써, 2개의 얇은 웨이퍼들로 두꺼운 웨이퍼의 나눔을 위해 활용될 수 있다.
그런 방법의 효율성은 특히 적절한 유리 전이 온도(Tg), 폴리머의 열 전도도 및 이의 기계적 특성, 이를테면 취성(brittleness), 인장 강도 및 탄성을 가지는 폴리머의 선택에 좌우된다.
게다가, DE 10 2012 001 620 A1호는 고체-상태 재료와 폴리머 필름 간에 부가적인 희생 층의 사용을 설명하고, 부가적인 희생 층은 예컨대 적절한 반응물들의 부가에 의한 화학적 수단에 의해 희생 층을 브레이크 다운(breaking down)하거나 디태치(detach)함으로써, 디태치먼트 단계 후 폴리머 필름의 제거를 개선시키는 역할을 한다.
그러나, 이런 방법의 단점은, 폴리머 층이 완전히 제거되기 전에 흐르는 최대 몇 시간일 수 있는 긴 시간 기간이다. 이것은 산업적 사용 효율을 크게 제한시킨다.
폴리머 제거 프로세스의 가속을 위해, 적합한 전처리에 의해, 실온에서도 효과적인 적절한 인장 강도들 형태의 부가적인 구동력들을 도입하는 것이 가능하다. 이들은 반응물들 또는 용매에 대한 공격 영역의 증가를 유도하고 그리고 브레이크다운 또는 디태치먼트 및 용해를 촉진시킨다. 그러나, 도입되는 부가적인 스트레스들은 또한, 폴리머의 제거 후 분할된 고체-상태 재료, 즉 예컨대 브레이크한다는 점에서 예컨대 웨이퍼에 손상을 유발할 수 있다. 전체 수율의 저하가 이와 연관되고, 이는 분할 방법의 비용 장점을 감소시킨다.
본 발명의 목적은 전체 수율, 즉 분할 방법에서 사용된 원자재(raw material)들 및 다른 자원들, 이를테면 에너지 및 노동에 관련한 효율성을 증가시키는 수단을 특정하는 것이다.
보다 구체적으로, 분할 방법 후 시간에 대한 폴리머 제거의 프로파일은 특정 방식으로 영향을 받을 것이다.
바람직하게, 폴리머는 빠르고 잔여물-없는 방식으로 그리고 이에 대해 손상 없이 나누어진 시재료로부터 분리가능할 것이다.
유리하게, 폴리머는 재사용가능 하여야 한다.
게다가, 프로세스 안정성은 방법 단계들의 수의 최소화를 통해 증가될 것이다.
이 목적은 청구항 1의 특징부들에 따른 본 발명에 따라 달성된다. 종속항들은 본 발명에 따른 목적을 달성하는 방식들 중 유리한 실시예들을 반영한다.
연구들은, 브레이크다운, 디태치먼트 또는 용해에 의한 폴리머 층의 제거가 수반된 반응물들/용매들의 확산-제어 반응인 것을 보여줬다. 시간이 갈수록, 고체-상태 재료와 폴리머 간에 형성되는 갭 내에서 반응물들의 안팎으로 이동은 훨씬 더 어렵게 되고 매우 상당히 더 느려지게 된다. 따라서, 반응 생성물들과 반응물들/용매 및 용해된 구성 성분들의 안팎 이동은 확산-제어 율속(rate-limiting) 단계이다.
본 발명에 따라, 적어도 2개의 고체-상태 피스들이 고체-상태 시재료로부터 생성되는 분할 방법에서, 폴리머 하이브리드 재료가 사용된다.
보다 구체적으로, 폴리머 하이브리드 재료는, 바람직하게 웨이퍼 형태, 특히 웨이퍼들의 2 또는 그 초과의 원통형 고체-상태 피스들이 원통형 고체-상태 시재료로부터 생성되는 분할 방법에 사용될 수 있다.
원통은 여기서 2개의 평행하고, 편평한 크기와 형태가 동일한 면들(베이스 면 및 상단 면) 및 외부 원통 면에 의해 경계가 형성되는 도형을 의미하는 것으로 이해되고, 외부 면은 평행한 직선들에 의해 형성된다. 바람직하게, 베이스 면 및 상단 면은 원형이고 서로 크기와 형태가 동일하여, 곧은 원형 원통을 유발한다. 예컨대 n-각도 베이스 면들을 가지는 다른 원통 구성들은 똑같이 고려 가능하고, 이때 n=3, 4, 5 또는 6이고, 여기서 베이스 면 및 상단 면은 바람직하게 크기와 형태가 동일하다.
본 설명에 따라, 고체-상태 시재료는 단결정질 재료, 다결정질 또는 비정질 재료를 의미하는 것으로 이해된다. 바람직하게, 고도의 이방성 원자 결합력들로 인해, 고도의 이방성 구조를 가지는 단결정질 재료들은 적절하다. 고체-상태 시재료는 바람직하게 원소들의 주기율표의 메인 그룹들(3, 4, 5 및/또는 12) 중 하나로부터의 재료 또는 재료들의 조합, 특히 메인 그룹들(3, 5 및 12)로부터의 원소들의 조합을 포함한다.
실리콘에 더하여, 반도체 시재료는 또한, 예컨대 GaAs(gallium arsenide), GaN(gallium nitride), SiC(silicon carbide), InP(indium phosphide), ZnO(zinc oxide), AlN(aluminum nitride), Ga2O3(germanium, gallium(III) oxide), Al2O3(aluminum oxide)(사파이어), GaP(gallium phosphide), InAs(indium arsenide), InN(indium nitride), AlAs(aluminum arsenide) 또는 다이아몬드로 이루어질 수 있다.
고체-상태 재료 또는 워크피스(workpiece)는 바람직하게 원소들의 주기율 표의 메인 그룹들(3, 4 및 5) 중 하나로부터의 재료 또는 재료 조합, 예컨대 Si, SiC, SiGe, Ge, GaAs, InP, GaN, Al2O3(사파이어), AlN를 포함한다. 보다 바람직하게, 고체-상태 재료는 주기율 표의 제 3 및 제 5 그룹들에서 발생하는 원소들의 조합을 포함한다. 고려가능한 재료들 또는 재료 조합들은 예컨대 갈륨 비화물, 실리콘, 실리콘 탄화물 등이다. 게다가, 고체-상태 재료는 세라믹(예컨대, Al2O3 - 알루미늄 산화물)을 포함할 수 있거나 세라믹으로 이루어질 수 있고; 바람직한 세라믹들은 여기서 예컨대, 일반적으로 페로브스카이트 세라믹들(예컨대 Pb-, O-, Ti/Zr-함유 세라믹들)이고, 그리고 구체적으로 납 마그네슘 니오뷰산염들, 바륨 티탄산염, 리튬 티탄산염, 이트륨 알루미늄 가넷, 특히 고체-상태 레이저 애플리케이션들을 위한 이트륨 알루미늄 가넷 결정들, SAW(surface acoustic wave) 세라믹들, 예컨대 리튬 니오뷰산염, 갈륨 오르토인산염, 석영, 칼슘, 티탄산염 등이다. 따라서, 고체-상태 재료는 바람직하게 반도체 재료 또는 세라믹 재료를 포함하고, 그리고 고체-상태 재료는 보다 바람직하게 적어도 하나의 반도체 재료 또는 세라믹 재료로 이루어진다. 부가적으로, 고체-상태 재료가 부분적으로 투과 재료를 포함하거나 부분적으로 투과 재료로 이루어지거나 또는 부분적으로 투과 재료, 예컨대 사파이어로 제조되는 것이 고려가능하다. 여기서 단독으로 또는 다른 재료와 조합하여 가능한 고체-상태 재료들인 추가 재료들은 예컨대, "광역 갭" 재료들, InAlSb, 고온 초전도체들, 특히 희토류 큐프레이트들(예컨대, YBa2Cu3O7)이다. 부가적으로 또는 대안적으로, 고체-상태 재료가 포토마스크인 것이 고려가능하고, 여기서 본 경우에 사용되는 포토마스크 재료는 바람직하게 출원일에 알려진 임의의 포토마스크 재료 및 보다 바람직하게 이들의 조합들일 수 있다.
폴리머 하이브리드 재료는 본 발명에 따라 폴리머 매트릭스에 하나 또는 그 초과의 필러(filler)들을 포함하는 재료를 의미하는 것으로 이해된다. 이후 필러 또는 해당 필러에 대해 참조가 이루어지는 경우에, 복수의 필러들의 가능성도 마찬가지로 포함될 것이다.
활용되는 폴리머 매트릭스는 고체-상태 시재료를 나누기 위해 필요한 스트레스들을 생성하기 위하여 사용될 수 있는 임의의 폴리머일 수 있다. 예컨대, 폴리머 매트릭스는 바람직하게 폴리디오르가노실록산(polydiorganosiloxane) 매트릭스, 보다 바람직하게 폴리디메틸실록산 매트릭스의 탄성중합체(elastomer) 매트릭스 형태를 취할 수 있다. 이런 종류의 폴리머 재료들은 특히 필러들과 조합하여 매트릭스 재료로서 특히 간략한 방식으로 활용될 수 있는데, 그 특성들이 가교의 가변 정도 때문에 유연한 방식으로 조정될 수 있고 그리고 특정 필러 및 나누어질 고체-상태 시재료에 매칭될 수 있기 때문이다.
폴리머 하이브리드 재료의 사용은 또한, 상이한 폴리머들이 폴리머 하이브리드 재료를 함께 형성하는 하나 또는 그 초과의 동일하거나 상이한 필러들과 함께 활용되는 가능성을 포함한다.
필러는 사실상 유기물이거나 무기물일 수 있고 그리고 원소 또는 화합물, 또는 물질 혼합물, 예컨대 합금으로 이루어질 수 있다. 입자의 적어도 하나의 치수에 기반하여, 통상적으로 μm 및 nm 범위 내인 입자 사이즈가 폴리머 매트릭스에 미립자 형태로 분산된다. 구체 형상에 더하여, 필러 입자들은 또한 다른 구성들, 예컨대 막대 형상 또는 디스크(disk) 형상을 띨 수 있다.
필러 입자들은 임의의 입자 사이즈 분산들, 예컨대 모노모달(monomodal) 또는 바이모달(bimodal), 네로우(narrow), 특히 단순 분산, 또는 브로드(broad)를 가질 수 있다. 필러는 물리적으로, 예컨대 폴리머 네트워크에 임베딩(embed)함으로써, 또는 화학적으로 폴리머 매트릭스에 어태치(attach)될 수 있다.
폴리머 매트릭스 내의 특정 필러 함량은 필러 재료 및 필러의 동작 모드에 크게 좌우된다. 처음에, 필러에도 불구하고 폴리머 매트릭스는 여전히 스트레스들을 생성하는 그의 임무를 수행할 수 있어야 한다. 둘째로, 필러 함량은 폴리머 제거에 대해 원하는 효과를 달성하기에 충분히 높아야 한다. 각각의 경우에 최적 필러 함량은 농도-종속 방식으로 수행되는 간략한 테스트들 내에서 당업자에 의해 확인될 수 있다.
폴리머 하이브리드 재료는 먼저 노출된 표면을 가지는 나누어질 고체-상태 시재료를 제공함으로써 분할 방법에서 사용된다. 폴리머 하이브리드 재료는 이 표면에 적용되어, 대응하는 합성 구조를 유발한다. 선택적으로, 폴리머 하이브리드 재료는 또한 복수의 노출된 표면들, 특히 서로 평행하게 배열된 표면들에 적용될 수 있다.
보다 구체적으로, 고체-상태 시재료는 원통형 고체-상태 시재료일 수 있다. 이 경우에, 폴리머 하이브리드 재료는 노출된 베이스 면 및/또는 상단 면에 적용된다.
이것은 예컨대 폴리머 하이브리드 재료로 이루어진 필름의 접착 본딩에 의해 달성될 수 있다. 대안적으로, 폴리머 하이브리드 재료의 전구체 물질은 또한 액체 상으로 고체-상태 시재료의 노출된 표면상에 적용되고, 그 다음 물리적 및/또는 화학적 동작, 예컨대 기화 및/또는 가교 반응되어, 실제 폴리머 하이브리드 재료가 형성된다.
후속하여, 합성 구조는, 고체-상태 시재료가 고체-상태 시재료 내의 평면을 따라 적어도 2개의 고체-상태 피스들로 분할되도록, 스트레스 필드에 영향을 받는다. 스트레스 필드는 예컨대 갑작스러운 냉각 또는 가열, 특히 액체 질소에 의한 갑작스러운 냉각에 의해 영향을 받을 수 있고, 상기 경우에 스트레스 필드는 고체-상태 시재료와 폴리머 하이브리드 재료의 상이한 열 팽창 계수들, 및 결과적인 탄성율의 상당한 변화로 인해 발생한다.
고체-상태 피스들의 추가 사용을 위하여, 폴리머 하이브리드 재료는 예컨대 화학 반응, 물리적 디태치먼트 동작 및/또는 기계적 제거에 의해 제거된다.
선택적으로, 희생 층은 고체-상태 시재료와 폴리머 하이브리드 재료 간에 제공될 수 있고, 이는 예컨대 희생 층이 적절한 화학 반응에 의해 브레이크 다운된다는 점에서, 나눔을 완료할 때에 폴리머 하이브리드 재료의 제거를 간략하게 한다.
폴리머 매트릭스는 고체-상태 시재료의 나눔에 필요한 스트레스들을 생성하는 역할을 하고, 필러의 주 목적은, 고체-상태 시재료의 나눔 후 폴리머 제거에 대해 특정 영향을 유발하는 것이다. 이런 목적을 위하여, 필러는 예컨대 촉매제, 촉진제 또는 기폭제(initiator), 그렇지 않으면 억제제로서 동작할 수 있다. 디태치먼트 특징들에 더하여, 또한 열적 및/또는 기계적 특성들에 영향을 미치는 것은 가능하다.
보다 구체적으로, 필러의 사용은 용매 및 용해된 구성 성분들 또는 반응 반응물들 및 생성물들의 안팎 이동을 개선함으로써 폴리머 제거를 가속화할 수 있다. 결과로서, 종래 기술에 따른 시기까지 요구되는 부가적인 스트레스들을 제로로 감소시키는 것이 가능하여, 결과로서 유발되는 고체-상태 피스들에 대한 손상을 회피시키는 것이 가능하다. 결과는 짧아진 프로세스 시간 및 개선된 전체 수율이다.
게다가, 전체 방법의 프로세스 안정성은 증가되는데, 그 이유는 부가적인 스트레스들의 도입을 없앨 가능성으로 인해 더 적은 수의 프로세스 단계들이 필요로 되기 때문이다.
폴리머 매트릭스 및/또는 필러들이 어떠한 화학 반응에도 영향을 받지 않으면, 이들의 재사용은 부가적으로 가능하다.
보다 바람직하게, 폴리머 하이브리드 재료의 제거는, 부가적인 희생 층을 없애는 것이 가능하도록, 가속화된다. 이것은 분할 방법의 추가 간략화 및 따라서 프로세스 안정성의 증가에 기여한다.
일 실시예에서, 필러는 특히 알루미늄, 철, 아연 및/또는 구리 중 적어도 하나의 금속으로 이루어진다.
본 콘텍스트에서 언급되는 모든 재료에 기반하여 "이루어지는"은, 기술적 불순물들 또는 기술적 부가들이 예컨대 필러들의 생성 및 폴리머 매트릭스에 필러들의 분배 또는 필러들의 어태치먼트에 유용하게 하는 가능성이 존재할 수 있는 것을 포함한다.
금속 필러들은 산화제들, 예컨대 염산, 질산, 시트르산, 포름산 또는 술팜산과 반응할 수 있고, 그리고 결과로서 폴리머 하이브리드 재료로부터 제거될 수 있다. 예컨대, 알루미늄은 다음 방정식에 따라 용매화된 금속 이온들 및 수소를 형성하기 위하여 농축된 염산과 반응한다:
Figure pct00001
폴리머 매트릭스에 결과로서 형성되는 공동들은 폴리머 층 또는 희생 층에 대한 반응물들 또는 용매들의 더 빠른 액세스를 가능하게 하고 그리고 부가적으로 반응물들 또는 용해된 구성 성분들의 더 빠른 밖으로의 이동을 유발한다.
유사한 방식으로, 농축된 염산과의 반응에 의해 필러로서 아연의 반응은 부가적인 공동들의 형성을 유도한다:
Figure pct00002
게다가, 가스 반응 생성물들의 생성, 즉 언급된 예들에서 수소의 생성은 폴리머 하이브리드 재료의 제거를 추가로 촉진시키는 부가적인 구동력들을 도입시킨다.
부가적인 공동들의 형성 및 가스 반응 생성물들의 형성은 폴리머의 제거를 가속화하고 그러므로 분할 방법의 전체 수율의 증가에 기여한다. 필러 농도의 변동을 통해, 고체-상태 피스와 폴리머 하이브리드 재료 간 또는 희생 층과 폴리머 하이브리드 재료 간의 인터페이스 지역에서 공동 밀도에 대해 특정 영향을 가지는 것이 가능하다.
필러가 금속으로 이루어지는 경우 추가 장점은 폴리머 하이브리드 재료 내에서 개선된 열 전도도에 있다. 결과로서, 냉각에 의해 고체-상태 시재료의 나눔을 위해 생성되는 스트레스들은 더 효과적으로, 즉 더 빠르고 그리고 냉각재의 더 적은 소비로 생성될 수 있다. 이것은 분할 방법의 전체 수율을 증가시킨다. 일 실시예에서, 필러는 무기 섬유들, 예컨대 탄소 섬유들, 유리 섬유들 또는 현무암 섬유들로 이루어질 수 있다.
섬유들은 통상적은 높은 이방성 특성들을 가진다. 폴리머 하이브리드 재료 내에서 필러의 방향-종속 포지셔닝에 의해, 고체-상태 시재료의 나눔을 위해 필요한 스트레스들에 대해 특정 영향을 가지는 것이 가능하다. 이것은 분할 방법의 전체 수율의 증가에 기여할 수 있다.
유기 또는 무기 필러가 높은 이방성 구조를 가지는 섬유 재료로서 사용되는 경우에, 하나의 부가적인 장점은, 이것이 폴리머 하이브리드 재료 내의 기계적 특성들의 개선을 달성할 수 있다는 것이다.
추가 실시예에서, 필러는 코어-쉘(core-shell) 입자들 또는 실리카로 이루어진다. 일반적으로 하나의 재료의 구체 코어 화합물이 제 2 재료로 구성된 쉘에 의해 둘러싸이는 코어-쉘 입자들의 피처가 있다. 쉘은 코어를 완전히 둘러쌀 수 있거나 그렇지 않으면 투과성일 수 있다.
재료들은 무기 재료들, 예컨대 금속들, 또는 유기 재료들, 예컨대 폴리머들일 수 있다. 예컨대, 2개의 상이한 금속들은 서로 조합될 수 있다. 그러나, 또한 폴리머로 구성된 코어를 금속 또는 제 2 폴리머로 구성된 쉘로 둘러싸는 것은 가능하다.
코어-쉘 입자들은 제 1 및 제 2 재료의 특성들의 조합을 가능하게 한다. 예컨대, 값싼 폴리머 코어는 필러 입자들의 사이즈 및 밀도를 고정시키기 위하여 사용될 수 있는 반면, 금속 쉘은 위에서 설명된 바와 같이 반응할 수 있다. 이들의 종종 단순 분산 입자 사이즈 분포로 인해, 코어-쉘 입자들의 특성들은 부가적으로 정확하게 예측되고 조정될 수 있다.
기계적 특성들의 개선에 대한 기여는 마찬가지로 부가적으로 도입될 필러, 예컨대 무기 네트워크 형태의 건식(fumed) 실리카에 의해 이루어질 수 있다. 이들 강한 상호작용들에 더하여, 덜 강한 상호작용들이 순수하게 유체역학 증폭(hydrodynamic amplification)을 통하여 개선에 기여하는 것이 종종 가능하다. 여기서 일 예는 분할 특징들의 측면에서 개선된 프로세싱을 가능하게 하고 따라서 개선된 제조 허용 오차들에 기여하는 점성의 제어된 증가이다. 게다가, 이런 상호작용은 구조적 재배향에 관한 내부 자유도들이 강화가 증가함에 따라 감소되게 하는 것을 더 어렵게 한다. 이것은 폴리머 하이브리드 재료에 사용되는 폴리머의 유리 전이 온도의 원하는 낮춤을 유도하고, 이것은 더 낮은 분할 온도의 장점을 가능하게 한다.
필러는, 폴리머 하이브리드 재료가 등방성 특성을 가지거나 이방성 특성을 가지는 방식으로, 폴리머 매트릭스 내에 분산될 수 있다.
이방성 특성들은 예컨대 이방성 필러 특성들에 의해 또는 폴리머 매트릭스 내의 필러 농도의 제어된 변동으로 인해 달성될 수 있다. 예컨대, 고체-상태 시재료 또는 희생 층에 대한 인터페이스 지역에서 필러 농도의 증가에 의해, 제어된 방식으로 공동들의 수를 증가시키고 따라서 폴리머의 제거를 가속화하는 것이 가능하다. 층 내에서 수직 기울기를 가진 비균질 입자 밀도 분산은 기계적 특성들의 개선, 및 열적 특성들의 개선을 위한 균질한 분산을 도울 수 있다.
필러 농도의 변동은 예컨대 상이한 밀도를 가진 필러들의 사용을 통해 달성될 수 있다.
등방성 또는 이방성 특성들의 달성을 위하여, 폴리머 하이브리드 재료의 생성을 위한 동작 및 폴리머 매트릭스의 특성들은 또한 항상 주목되어야 한다.
통상적으로, 필러와 폴리머 매트릭스의 혼합은 폴리머 매트릭스의 최종 가교에 앞선다. 이것은, 가교의 결과로서 가변하는 폴리머 매트릭스의 점성의 함수로서 폴리머 매트릭스 내에서 필러의 분산을 수행할 수 있는 가능성을 열어 준다.
최종 가교 동안 필러 혼합물 및 아직 가교되지 않았거나 단지 부분적으로 가교된 폴리머 매트릭스의 적절한 이동에 의해, 필러의 균질한 분산을 달성하는 것이 가능하다. 어떠한 외부측 영향도 없는 점진적인 가교는, 필러가 폴리머 매트릭스보다 더 높은 밀도를 가지면, 지구의 중력의 효과를 통해, 대조적으로, 침강으로 인해, 땅바닥에 가까운 지역에 필러 농축을 유도한다. 이것은 예컨대 적절한 반응들을 통해 인터페이스 지역에 고의로 공동을 생성하기 위하여, 고체-상태 시재료 또는 희생 층에 대한 인터페이스 지역에 필러의 농축을 위해 이용될 수 있다.
필러 및 폴리머 매트릭스의 밀도들의 비율에 더하여, 입자 형상은 또한 침강에 영향을 준다. 섬유들에 대해 고유한 바와 같은, 특히 높은, 비-회전 대칭 종횡비를 가지는 고도의 이방성 입자 형상은 예컨대 폴리머 매트릭스 내에서 침강의 지연 및 필러 분산의 점진적 변화를 유도한다.
종횡비는 바람직하게 길이 대 직경, 길이 대 폭 또는 길이 대 두께의 비율을 의미하는 것으로 이해된다.
길이는 항상 공간 방향들 중 임의의 방향에서 입자의 가장 큰 크기로서 선택된다.
따라서, 종횡비는 결코 1보다 작지 않다. 1의 종횡비는 완전한 구체 형상에 대응한다. 구체 형상으로부터 편차들은 1보다 더 큰 종횡비들에 의해 설명된다.
본 발명에 따라 사용되는 재료들(즉, 이 경우에 무기 또는 유기 섬유들)의 주 입자들은 통상적으로 매우 큰 종횡비(고도의 이방성 입자 형상)를 가진다.
사용된 필러들 또는 필러들의 조합에 따라, 여기서 주 입자들의 종횡비가 100보다 더 크고, 그리고 종종 심지어 1000보다 더 큰 것이 가능하다(비록 본 발명이 상기 종횡비로 제한되지 않을 것이지만).
또한 고도의 이방성 필러 입자들의 경우에, 침강에 대응하는 슈퍼스트럭처(superstructure)들에 의해 부가적인 안정화의 발생이 존재할 수 있다. 나노스케일 필러 입자들의 경우에, 게다가, 3-차원 프레임워크 구조들이 가능하고, 이는 침강을 더 어렵게 하여, 특성들이 특히 인터페이스 지역에서 제어된 방식으로 영향을 받을 수 있다.
부가적인 팩터(factor)는, 스토크스(Stokes) 법칙을 기반하는 스토크스 방정식에 기반하여, 입자 반경의 제곱이 침강 레이트 방정식에서 특징을 이룬다:
Figure pct00003
이때
Figure pct00004
… 침강 레이트
r … 하강하는 입자의 반경
g … 중력에 의한 가속도
Figure pct00005
… 입자 밀도
Figure pct00006
… 유체 밀도
η … 유체의 동적 점성도
따라서, 침강 레이트는 특히 서브마이크로 입자 및 나노스케일 입자들의 경우에서 폴리머 가교 시간의 과정에 걸쳐 떨어진다.
설명된 동작들의 도움으로, 폴리머 하이브리드 재료의 특성들을 개별 고체-상태 시재료 및 제어된 방식으로 분할 방법의 프로세스 조건들에 매칭하는 것이 가능하다. 예컨대, 주로 공동들을 생성하는 역할을 하는 필러를 배열하고 따라서 주로 인터페이스 지역에서 폴리머 하이브리드 재료의 제거를 개선하는 것이 가능하지만, 열적 전도도의 개선을 위한 제 2 필러는 폴리머 하이브리드 재료 내에 최대 분산 균질성으로 존재하여야 한다.
본 발명의 목적은 또한 폴리머 하이브리드 재료 및 폴리머 하이브리드 재료의 생성 방법에 의해 달성된다. 목적을 달성하는 이들 방식 및 목적 구성들의 설명은 분할 방법의 대응하는 구성들에 대한 것들과 동일하다.
본 발명은 또한 이후 서술되는 방법에서 본 발명의 폴리머의 사용을 참조하여 이후 설명될 것이다. 많은 기술적 분야들(예컨대 마이크로 전자 공학 또는 광전 변환 기술), 재료들, 예컨대 실리콘, 게르마늄 또는 사파이어는 얇은 슬라이스들 및 플레이트들(웨이퍼들이라 불림) 형태로 주로 사용된다.
현재 그런 웨이퍼들을 생성하는 표준 방법은 잉곳으로부터의 톱질에 의해서이고, 이는 비교적 큰 재료 손실들("절단 손실")이 생기게 한다. 사용되는 시재료가 종종 매우 값비싸기 때문에, 그런 웨이퍼들을 더 낮은 재료 비용으로 따라서 더 효율적이고 더 싼 방식으로 생성하기 위하여 큰 노력들이 존재한다.
예컨대, 오로지 태양 전지들에 대한 실리콘 웨이퍼들의 생성에 현재 표준 방법들에 의해, 사용되는 재료의 거의 50%가 "절단 손실"로서 손실된다. 전세계적으로 보았을 때, 이것은 이십억 유로들보다 더 큰 연간 손실에 대응한다. 웨이퍼의 비용들이 완성된 태양 전지의 비용들의 가장 큰 비율을 차지하기 때문에(40%보다 더 큼), 웨이퍼 생성의 대응하는 개선들에 의해 태양 전지들의 비용들을 크게 감소시키는 것이 가능할 것이다.
절단 손실 없는("절단-없는 웨이퍼링(wafering)") 그런 웨이퍼 생성을 위한 특히 매력적인 방법들은 종래의 톱질을 생략하고 그리고 예컨대 온도-유도 스트레스들의 사용을 통해 더 두꺼운 워크피스로부터 얇은 웨이퍼들을 직접 디태치할 수 있는 방법들인 것으로 보인다. 이들은 특히, 워크피스에 적용된 폴리머 층이 이들 스트레스들을 생성하기 위하여 사용되는 예컨대 PCT/US2008/012140호 및 PCT/EP2009/067539에 설명된 바와 같은 방법들을 포함한다.
언급된 방법들에서 폴리머 층은 워크피스에 비해 약 100배만큼 더 높은 열 팽창 계수를 가진다. 게다가, 유리 전이를 이용함으로써, 폴리머 층에 비교적 높은 탄성율을 달성하는 것이 가능하여, 워크피스로부터 웨이퍼의 디태치먼트를 가능하게 하기 위하여 냉각에 의해 폴리머 층-워크피스 층 시스템에 충분히 큰 스트레스들을 유도하는 것이 가능하다.
워크피스로부터 웨이퍼의 디태치먼트 시, 폴리머는 언급된 방법들에서 각각의 경우에 웨이퍼의 한 측에 여전히 부착되어 있는다. 여기서 웨이퍼는 이 폴리머 층 방향으로 매우 크게 휘어지고(이는 제어된 디태치먼트를 어렵게 함), 그리고 예컨대 디태치된 웨이퍼의 두께 변동들을 유발할 수 있다. 게다가, 상당한 곡률은 추가 프로세싱을 어렵게 하고 심지어 웨이퍼의 파손을 유도할 수 있다.
종래 기술 상태에 따른 방법을 사용하는 경우에, 통상적으로 생성되는 웨이퍼들은 각각의 경우에 두께가 비교적 높은 변동들을 가지며, 그리고 공간 두께 분산은 자주 다수의 대칭을 가지는 패턴을 도시한다. 기존 방법들의 사용의 경우에 전체 웨이퍼에 걸쳐 보여지는 총 두께 변동(TTV)은 자주 평균 웨이퍼 두께의 100%보다 더 크다(예컨대 그 가장 얇은 포인트에서 50 마이크로미터의 두께 및 그 가장 두꺼운 포인트에서 170 마이크로미터의 두께를 가지는 평균 두께 100 마이크로미터의 웨이퍼는 170-50=120 마이크로미터의 TTV를 가지며, 이는 그 평균 두께에 비교하여 120%의 총 두께 변동에 대응함). 두께의 그런 큰 변동들을 가지는 웨이퍼들은 많은 애플리케이션들에 대해 적절하지 않다. 게다가, 가장 흔히 발생하는 다수의 두께 분산 패턴들의 경우에, 가장 큰 변동들을 가지는 지역들은 불행하게도 가장 지장을 주는 웨이퍼의 중간이다.
게다가, 최신 기술에 따른 방법에서, 디태치먼트 자체에서 균열 전파 동안, 원하지 않는 진동들이 수반된 층 시스템들에서 발생하고(이는 균열 전면의 프로파일 상에 바람직하지 않은 영향을 가짐) 그리고 특히 디태치되는 웨이퍼 두께의 상당한 변동들을 유도할 수 있다.
게다가, 기존 방법들에서 폴리머 층의 전체 영역에 걸쳐 재생가능한 우수한 열적 접촉을 보장하는 것은 어렵다. 그러나, 사용된 폴리머들의 낮은 열 전도도로 인해, 로컬적으로 부적당한 열 접촉은 층 시스템에서 원하지 않는, 상당한 로컬 온도 차이들을 유도할 수 있고, 이는 그 자체로 생성된 스트레이스 필드들의 제어가능성 및 따라서 생성되는 웨이퍼들의 품질에 악영향을 가진다.
게다가, 공개물 DE 196 40 594 A1호는 광-유도 계면 브레이크다운에 의해 반도체 재료들을 분리하는 방법 및 따라서 생성된 디바이스들, 이를테면 구조화되고 그리고 자립적 반도체 층들 및 컴포넌트들을 개시한다. DE 196 40 594 A1호에 따른 방법은 기판과 반도체 층 간 또는 반도체 층들 간의 인터페이스들의 조명을 포함하고, 이의 결과로서 인터페이스에서 또는 그 대신에 의도된 흡수 층에서 광의 흡수는 재료 브레이크다운을 유도한다. 브레이크 다운되도록 유발되는 인터페이스 또는 반도체 층의 선택은 재료 생성 동안 광 파장 및 광 강도, 입사각 또는 얇은 희생 층의 통합의 선택을 통해 이루어진다. 이 방법은, 전체 층들의 파괴 동안, 높은 에너지 도즈(dose)들을 사용하는 것이 필요하고, 이 결과로서 에너지 수요 및 따라서 방법의 비용들이 매우 높다는 단점을 가진다.
본 발명의 폴리머 하이브리드 재료에 의해, 이후 서술되는 고체-상태 재료 층들의 생성 방법에 의해, 균질한 두께를 가지는 고체-상태 재료 플레이트들 또는 웨이퍼들은 값싼 방식으로 생성될 것이다. 따라서, 보다 구체적으로, 120 마이크로미터 미만의 TTV가 달성된다.
방법에서, 위에서 상세히 설명된 바와 같은 본 발명의 폴리머 하이브리드 재료가 사용되고, 그리고 방법은 바람직하게 적어도,
- 적어도 하나의 고체-상태 재료 층의 분리를 위한 고체-상태 재료를 제공하는 단계, 고체-상태 재료 층이 고체-상태 재료로부터 분리되는 디태치먼트 평면을 정의하기 위하여 고체-상태 재료의 내부 구조 내에 적어도 하나의 방사 원(radiation source), 특히 레이저에 의해 결함들을 생성하는 단계,
- 고체-상태 재료상에 고체-상태 재료 층을 홀딩(hold)하도록 억셉터(acceptor) 층을 배열하는 단계,
- 특히 기계적 수단에 의해, 고체-상태 재료에 스트레스들의 생성을 위해 억셉터 층을 열 처리 겪게 하는 단계를 포함하고, 스트레스들은 고체-상태 재료 내의 크랙이 고체-상태 재료로부터 고체-상태 재료 층을 분리시키는 디태치먼트 평면을 따라 전파하게 한다.
이 솔루션은 유리한데, 그 이유는 방사 원으로 인해, 고체-상태 재료 내에 디태치먼트 층 또는 결함 층을 생성하는 것이 가능하고, 상기 디태치먼트 층 또는 결함 층을 통해 크랙의 전파 시 크랙이 안내되거나 수행되고, 이는 매우 작은 TTV들, 특히 200 마이크로미터 또는 100 마이크로미터 미만 또는 80 마이크로 미만 또는 60 마이크로 미만 또는 40 마이크로미터 미만 또는 20 마이크로미터 미만 또는 10 마이크로미터 미만 또는 5 마이크로미터 미만, 특히 4, 3, 2, 또는 1 마이크로미터 미만의 달성을 가능하게 한다.
따라서, 웨이퍼의 방사는 제 1 단계에서, 고체-상태 재료 내에 일종의 천공(perforation)을 생성하고, 제 2 단계에서 천공을 따라 크랙이 전파되거나 또는 천공을 따라서 고체-상태 재료 층이 고체-상태 재료로부터 분리된다.
고체-상태 재료로부터 고체-상태 재료 층의 디태치먼트를 위한 스트레스들은 억셉터 층, 특히 폴리머 층을 열 처리를 겪게 함으로써 생성될 수 있다. 열 처리는 바람직하게 주변 온도로 또는 그 미만으로 그리고 바람직하게 10℃ 미만으로 그리고 보다 바람직하게 0℃ 미만으로 그리고 추가로 바람직하게 -10℃ 미만으로 억셉터 층 또는 폴리머 층의 냉각이다. 폴리머 층의 냉각은 가장 바람직하게, 바람직하게 PDMS로 이루어진 폴리머 층의 적어도 일부가 유리 전이를 겪도록, 이루어진다. 여기서 냉각은 예컨대 액체 질소에 의해 초래될 수 있는 -100℃ 미만으로의 냉각일 수 있다. 이 실시예는 유리한데, 그 이유는 온도 변화에 따라, 폴리머 층이 수축하고 및/또는 가스 전이를 겪고 발생하는 힘들이 고체-상태 재료에 전달되고, 이에 의해 처음에 고체-상태 재료 층의 디태치먼트를 위하여 디태치먼트의 제 1 평면을 따라 크랙의 전파와 함께, 크랙의 트리거링 및/또는 크랙의 전파를 유도하는 기계적 스트레스들을 고체-상태 재료에 생성하는 것이 가능하기 때문이다.
고체-상태 재료는 고체-상태 재료를 홀딩하기 위한 홀딩 층 상에 배열될 수 있고, 홀딩 층은 고체-상태 재료의 제 1 편평한 영역 컴포넌트 상에 배열되고, 고체-상태 재료의 제 1 편평한 영역 컴포넌트는 고체-상태 재료의 제 2 편평한 영역 컴포넌트로부터 이격되고, 폴리머 층은 제 2 편평한 영역 컴포넌트 상에 배열되고 그리고 디태치먼트 평면은 제 1 편평한 영역 컴포넌트 및/또는 제 2 편평한 영역 컴포넌트에 관하여 평행하게 정렬되거나 평행하게 생성된다.
이 실시예는 유리한데, 그 이유는 고체-상태 재료가 홀딩 층과 폴리머 층 간에서 적어도 섹션별로 그리고 바람직하게 전체적으로 배열되고, 이 결과로서 크랙들의 생성 또는 크랙들의 전파를 위한 스트레스들이 이들 층들 중 하나 또는 둘 모두의 층들에 의해 고체-상태 재료 내에 도입될 수 있기 때문이다.
적어도 하나 또는 정확하게 하나의 방사 원은 고체-상태 재료 내에 도입될 방사선의 제공을 위해 구성될 수 있어서, 방사선이 방출하는 광선들은 고체-상태 재료 내의 미리 결정된 사이트(site)들에 결합들을 생성한다. 이 실시예는 유리한데, 그 이유는 방사 원, 특히 레이저에 의해 고체-상태 재료 내에 극히 정확하게 결함들을 생성하는 것이 가능하기 때문이다.
방사 원은, 디태치먼트의 평면의 생성을 위해 방출되는 광선들이 정의된 깊이, 특히 < 100 μm까지 고체-상태 재료 내로 침투하도록 조정될 수 있다. 바람직하게, 디태치먼트의 평면은 고체-상태 재료의 외부, 바람직하게 편평한 표면과 평행하고 상기 표면으로부터 이격되게 형성된다. 바람직하게, 디태치먼트의 평면은 고체-상태 재료 내에 형성되고, 고체-상태 재료의 편평한 표면으로부터, 100 마이크로미터 미만 및 바람직하게 50 마이크로미터 미만 및 보다 바람직하게 20, 10, 5 또는 2 마이크로미터 미만이거나 이와 동일한 만큼 이격된다.
고체-상태 재료는 주어진 파장 및/또는 파워(power)에 노출될 수 있고, 주어진 파장은 바람직하게 특정 재료 또는 기판에 매칭된다. 이 실시예는 유리한데, 그 이유는 결함 사이즈가 파장 및/또는 파워에 의해 영향을 받을 수 있기 때문이다.
본 발명의 추가 바람직한 실시예에서, 고체-상태 재료는 실리콘 및/또는 갈륨 또는 페로브스카이트를 포함하고, 그리고 폴리머 층 및/또는 홀딩 층은 적어도 부분적으로 및 바람직하게 전체적으로 또는 75% 초과의 범위까지 폴리디메틸실록산(PDMS)으로 이루어지고, 홀딩 층은 적어도 섹션별로 편평하고 적어도 부분적으로 적어도 하나의 금속으로 이루어진 안정화 디바이스의 표면상에 배열된다. 안정화 디바이스는 바람직하게 플레이트, 특히 알루미늄을 포함하거나 알루미늄으로 이루어진 플레이트이다. 이 실시예는 유리한데, 그 이유는 안정화 디바이스 및 홀딩 층이 고체-상태 재료를 정의하거나 고정하고, 이것이 스트레스들로 하여금 고체-상태 재료 내에서 매우 정확하게 생성되게 하기 때문이다.
고체-상태 재료 내의 스트레스들은, 크랙킹의 트리거링 및/또는 크랙킹의 전파가 크랙킹의 평면에서 발생하는 표면의 토포그래피의 생성을 위해 제어 가능하도록, 조정가능하거나 생성가능할 수 있다. 따라서 스트레스들은 고체-상태 재료의 상이한 지역들에서, 바람직하게 적어도 상이한 정도들로, 바람직하게 적어도 일시적으로 생성가능하다. 이 실시예는 유리한데, 그 이유는, 크랙킹의 트리거링 및/또는 크랙킹 프로파일의 제어를 통하여, 생성되는 또는 분리되는 고체-상태 재료 층의 토포그래피가 유리한 방식으로 영향을 받을 수 있기 때문이다.
고체-상태 재료는 바람직하게 원소들의 주기율 표의 메인 그룹들(3, 4 및 5) 중 하나로부터의 재료 또는 재료들의 조합, 예컨대 Si, SiC, SiGe, Ge, GaAs, InP, GaN, Al2O3(사파이어), AlN를 포함한다. 보다 바람직하게, 고체-상태 재료는 주기율 표의 제 3 및 제 5 그룹들에서 발생하는 원소들의 조합을 포함한다. 본원에서 고려가능한 재료들 또는 재료들의 조합들은 예컨대 갈륨 비화물, 실리콘, 실리콘 탄화물 등이다. 게다가, 고체-상태 재료는 세라믹(예컨대, Al2O3 - 알루미늄 산화물)을 포함할 수 있거나 세라믹으로 이루어진다. 바람직한 세라믹들은 여기서 예컨대, 일반적으로 페로브스카이트 세라믹들(예컨대 Pb-, O-, Ti/Zr-함유 세라믹들)이고, 그리고 구체적으로 납 마그네슘 니오뷰산염들, 바륨 티탄산염, 리튬 티탄산염, 이트륨 알루미늄 가넷, 특히 고체-상태 레이저 애플리케이션들을 위한 이트륨 알루미늄 가넷 결정들, SAW(surface acoustic wave) 세라믹들, 예컨대 리튬 니오뷰산염, 갈륨 오르토인산염, 석영, 칼슘, 티탄산염 등이다. 따라서, 고체-상태 재료는 바람직하게 반도체 재료 또는 세라믹 재료를 포함하고, 그리고 고체-상태 재료는 보다 바람직하게 적어도 하나의 반도체 재료 또는 세라믹 재료로 이루어진다. 부가적으로, 고체-상태 재료가 부분적으로 투과 재료를 포함하거나 부분적으로 투과 재료로 이루어지거나 또는 부분적으로 투과 재료, 예컨대 사파이어로 제조되는 것이 고려가능하다. 여기서 단독으로 또는 다른 재료와 조합하여 가능한 고체-상태 재료들인 추가 재료들은 예컨대, "광역 갭" 재료들, InAlSb, 고온 초전도체들, 특히 희토류 큐프레이트들(예컨대, YBa2Cu3O7)이다.
본 발명은 추가로 웨이퍼에 관한 것이다.
게다가, 독일 특허 출원 제 10 2013 016 666.7호의 청구 대상은 본 특허 출원의 청구 대상의 부분으로서 인용에 의해 완전히 통합된다. 마찬가지로 본 출원의 출원일에 출원자에 의해 출원되고 고체-상태 재료 층들의 생성 분야에 관한 모든 특허 출원들의 청구 대상은 또한 본 특허 출원의 청구 대상의 부분으로서 완전히 통합된다.
본 발명의 추가 장점들, 목적들 및 특성들은 첨부된 도면들을 뒤따르는 설명을 참조하여 설명되고, 여기서 본 발명의 웨이퍼 생성이 예로써 상세히 설명된다. 도면들에서 그들의 기능 측면에서 적어도 필수적으로 대응하는 본 발명의 웨이퍼 생성의 컴포넌트들 또는 엘리먼트들은 본원에서 동일한 참조 번호들에 의해 식별될 수 있고, 상기 경우 이들 컴포넌트들 또는 엘리먼트들이 모든 도면들에 번호가 매겨지거나 설명될 필요가 없다.
이후 설명되는 도면들에서 개별 표현들 또는 모든 표현들은 바람직하게 구성 도면들로서 고려되어야 하는데, 이는 도면(들)으로부터 명백한 치수들, 특성들, 기능 관계들 및/또는 어레인지먼트들이 본 발명의 장치 또는 본 발명의 생성의 것들에 바람직하게 정확하게 또는 바람직하게 필수적으로 대응한다는 것을 의미한다.
도 1a는 고체-상태 재료에 결함들의 생성을 위한 개략 구성이다.
도 1b는 고체-상태 재료로부터 고체-상태 재료 층의 분리 전에 층 어레인지먼트의 개략 다이어그램이다.
도 1c는 고체-상태 재료로부터 고체-상태 재료 층의 분리 후에 층 어레인지먼트의 개략 다이어그램이다.
도 2a는 광 파들에 의해 결함 생성을 위한 변형의 제 1 개략 표현이다.
도 2b는 광 파들에 의해 결함 생성을 위한 변형의 제 2 개략 표현이다.
도 3은 디태치먼트 평면의 개략 표현이다.
도 1a는 방사 원(18), 특히 레이저의 지역 내에 배열된 고체-상태 재료(2) 또는 기판을 도시한다. 고체-상태 재료(2)는 바람직하게 제 1 편평한 영역 컴포넌트(14) 및 제 2 편평한 영역 컴포넌트(16)를 가지며, 제 1 편평한 영역 컴포넌트(14)는 바람직하게 제 2 편평한 영역 컴포넌트(16)에 필수적으로 또는 정확하게 평행하게 정렬된다. 제 1 편평한 영역 컴포넌트(14) 및 제 2 편평한 영역 컴포넌트(16)는 바람직하게 수직으로 또는 직각으로 정렬되는 Y 방향으로 고체-상태 재료(2)를 결합시킨다. 편평한 영역 컴포넌트들(14 및 16)은 바람직하게 각각 X-Z 평면으로 연장되고, X-Z 평면은 바람직하게 수평으로 정렬된다. 게다가, 이 다이어그램으로부터, 방사 원(18)이 광선들(6)을 고체-상태 재료(2)로 방출하는 것이 추론될 수 있다. 상기 구성에 따라, 광선들(6)은 고체-상태 재료(2)를 정의된 깊이까지 침투하고 특정 포지션 또는 미리 결정된 포지션에 결함을 생성한다.
도 1b는 다층 어레인지먼트를 도시하고, 고체-상태 재료(2)는 디태치먼트 평면(8)을 포함하고 제 1 편평한 영역 컴포넌트(14)의 지역에 홀딩(holding) 층(12)이 제공되었고, 홀딩 층(12) 상에는 바람직하게 차례로 추가 층(20)이 위에 놓이고, 추가 층(20)은 바람직하게 안정화 디바이스, 특히 금속 플레이트이다. 바람직하게 고체-상태 재료(2)의 제 2 편평한 영역 컴포넌트(16) 맨 위에는 폴리머 층(10)이 배열된다. 폴리머 층(10) 및/또는 홀딩 층(12)은 바람직하게 적어도 부분적으로 및 보다 바람직하게 전체적으로 PDMS로 이루어진다.
도 1c는 크랙킹(cracking)의 트리거링 및 후속적인 크랙킹의 전도 후 상태를 도시한다. 고체-상태 재료 층(4)은 폴리머 층(10)에 부착되어 이격되거나 또는 고체-상태 재료(2)의 나머지로부터 이격될 수 있다.
도 2a 및 2b는 광선들에 의해 고체-상태 재료(2) 내에 결함들의 도입에 의해 디태치먼트 평면(8)의 도 1a에 도시된 생성의 예들을 도시한다.
따라서, 본 발명은 고체-상태 재료 층들을 생성하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 방법은 적어도 하나의 고체-상태 재료 층(4)의 분리를 위한 고체-상태 재료(2)를 제공하는 단계, 고체-상태 재료 층이 고체-상태 재료로부터 분리되는 디태치먼트 평면을 정의하기 위하여 고체-상태 재료의 내부 구조 내에 적어도 하나의 방사 원, 특히 레이저에 의해 결함들을 생성하는 단계, 및 특히 기계적 수단에 의해, 고체-상태 재료(2) 내에 스트레스들의 생성을 위해 고체-상태 재료(2) 상에 배열되는 폴리머 층(10)을 열 처리를 겪게 하는 단계를 포함하고, 스트레스들은 고체-상태 재료(2)의 크랙이 고체-상태 재료(2)로부터 고체-상태 재료 층(4)을 분리시키는 디태치먼트 평면(8)를 따라 전파하게 한다.
따라서, 도 2a는, 어떻게 결함들(34)이 방사 원(18), 특히 하나 또는 그 초과의 레이저들에 의해 특히 디태치먼트(8)의 평면의 생성을 위해 고체-상태 재료(2)에 생성될 수 있는지를 개략 형태로 도시한다. 방사 원(18)은 제 1 파장(30) 및 제 2 파장(32)을 가진 방사선(6)을 방출한다. 파들(30, 32)은 서로 매칭되거나, 또는 방사 원(18)과 생성될 디태치먼트 면(8) 간의 거리는 조정되어, 파들(30, 32)은 고체-상태 재료(2)의 디태치먼트 평면(8)에 필수적으로 또는 정확하게 충족되고, 이에 의해 결함은 2개의 파들(30, 32)의 에너지들의 결과로서 충족 포인트(34)에서 생성된다. 결함들의 생성은 브레이크다운의 상이한 메커니즘 또는 조합된 메커니즘, 예컨대 승화 또는 화학 반응에 의해 이루어질 수 있고, 그리고 브레이크다운은 예컨대 열적 및/또는 광화학 수단에 의해 개시될 수 있다.
도 2b는 포커싱된 광선(6)을 도시하고, 광선의 포커스는 바람직하게 디태치먼트 평면(8) 내에 있다. 여기서, 광선(6)이 하나 또는 그 초과의 포커싱 바디들, 특히 렌즈(들)(도시되지 않음)에 의해 포커싱되는 것이 고려가능하다. 이 실시예에서, 고체-상태 재료(2)는 다층 형태이고 바람직하게 사파이어로 이루어지거나 사파이어를 포함하는 바람직하게 부분적으로 투과적 또는 투과적 기판 층(3) 또는 재료 층을 가진다. 광선들(6)은 기판 층(3)을 통하여 바람직하게 희생 층(5)에 의해 형성되는 디태치먼트 평면(8)으로 통과하고, 희생 층(5) 상에서 방사선의 효과는 바람직하게 열적 및/또는 광화학 수단에 의해 포커스에 있거나 또는 포커스 지역 내의 희생 층(5)의 부분적 또는 완전한 브레이크다운이다. 마찬가지로, 디태치먼트 층(8)의 생성을 위한 결함들이 2개의 층들(3, 4) 간의 인터페이스 지역 또는 정확히 인터페이스에 생성되는 것이 고려가능하다. 따라서 마찬가지로, 고체-상태 재료 층(4)이 캐리어(carrier) 층, 특히 기판 층(3), 고체-상태 재료 층(4)의 디태치먼트 또는 분리를 위한 디태치먼트 평면(8) 상에 생성되고 그리고 하나 또는 그 초과의 희생 층들(5)에 의해 및/또는 인터페이스, 특히 고체-상태 재료 층(4)과 캐리어 층 간에 결함들의 생성에 의해 생성될 수 있는 것이 고려가능하다.
도 3은 상이한 결함 농도들(82, 84, 86)을 가지는 지역들을 가진 디태치먼트 평면(8)을 도시한다. 여기서, 상이한 결함 농도들을 가지는 다수의 지역들이 디태치먼트 평면(8)을 형성하는 것이 고려가능하고, 그리고 마찬가지로 디태치먼트 평면(8) 내 결함들(34)이 그 영역에 걸쳐 필수적으로 또는 정확하게 균질하게 분산되는 것이 고려가능하다. 상이한 결함 농도들은 영역 측면에서 동일하거나 상이할 수 있다. 바람직하게, 제 1 상승된 결함 농도는 바람직하게 에지 영역에서 또는 에지 쪽으로 연장되거나 에지에 인접하게 생성되는 크랙-트리거링 농도(82)를 구성한다. 부가적으로 또는 대안적으로, 크랙-전도 농도(84)는, 고체-상태 재료(2)로부터 고체-상태 재료 층(4)을 분리하는 크랙이 제어가능하거나 조종가능하도록, 형성될 수 있다. 게다가, 부가적으로 또는 대안적으로 바람직하게 고체-상태 재료(2)의 중앙 영역에 매우 편평한 표면을 가능하게 하는 중앙 농도(86)를 생성하는 것이 가능하다. 바람직하게, 크랙-전도 농도(84)는 부분적으로 또는 완전히 환형 또는 원형 형태이고 따라서 바람직하게 섹션들 그리고 보다 바람직하게 고체-상태 재료(2)의 중앙 전체 또는 고체-상태 재료 층(4) 전체를 둘러싼다. 크랙-전도 농도(84)가 고체-상태 재료(2)의 에지로부터 진행하여 고체-상태 재료(2)의 중앙 방향으로 단계적으로 또는 일정하거나 유동적인 방식으로 감소하는 것이 추가로 고려가능하다. 크랙-전도 농도(84)가 리본 같고 균질하거나 필수적으로 또는 정확하게 균질한 형태인 것이 추가로 고려가능하다.
2 고체-상태 재료
3 기판
4 고체-상태 재료 층
5. 희생 층
6 방사선
8 디태치먼트 평면
10 폴리머 층
12 홀딩 층
14 제 1 편평한 영역 컴포넌트
16 제 2 편평한 영역 컴포넌트
18 방사 원
20 안정화 디바이스
30 제 1 방사 컴포넌트
32 제 2 방사 컴포넌트
34 결함 생성 사이트
82 크랙-트리거링 농도
84 크랙-전도 농도
86 중앙 농도
X 제 1 방향
Y 제 2 방향
Z 제 3 방향

Claims (29)

  1. 적어도 2개의 고체-상태 피스(piece)들로 고체-상태 시재료(starting material)의 나눔을 위한 분할 방법에서 폴리머 매트릭스에 하나 또는 그 초과의 필러(filler)들을 포함하는 폴리머 하이브리드 재료의 사용.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 폴리머 매트릭스는 탄성중합체(elastomer) 매트릭스, 바람직하게 폴리디오르가노실록산(polydiorganosiloxane) 매트릭스, 보다 바람직하게 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane) 매트릭스인,
    폴리머 하이브리드 재료의 사용.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    필러는 특히 알루미늄, 철, 아연 및/또는 구리 중 적어도 하나의 금속으로 이루어지는,
    폴리머 하이브리드 재료의 사용.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    필러는 무기 섬유들, 특히 탄소 섬유들, 유리 섬유들 및/또는 현무암 섬유들로 이루어지는,
    폴리머 하이브리드 재료의 사용.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    필러는 코어-쉘(core-shell) 입자들 또는 실리카로 이루어지는,
    폴리머 하이브리드 재료의 사용.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    필러는 반응물, 바람직하게 산화제의 도움으로 반응하여, 가스 생성물을 방출할 수 있는,
    폴리머 하이브리드 재료의 사용.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    필러는, 상기 폴리머 하이브리드 재료가 등방성 특성을 가지거나 이방성 특성을 가지도록, 상기 폴리머 매트릭스 내에 분산되는,
    폴리머 하이브리드 재료의 사용.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    적어도 2개의 원통형 고체-상태 피스들로 원통형 고체-상태 시재료의 나눔을 위한,
    폴리머 하이브리드 재료의 사용.
  9. 2 또는 그 초과의 고체-상태 피스들로 고체-상태 시재료의 나눔을 위한 분할 방법으로서,
    - 적어도 하나의 노출된 표면을 가지는 상기 고체-상태 시재료를 제공하는 단계,
    - 합성 구조를 유발하기 위하여, 폴리머 매트릭스 내에 필러들을 포함하는 폴리머 하이브리드 재료를 상기 고체-상태 시재료의 적어도 하나의 노출된 표면에 적용하는 단계,
    - 상기 고체-상태 시재료가 상기 고체-상태 시재료 내의 평면을 따라 적어도 2개의 고체-상태 피스들로 분할되도록 상기 합성 구조를 스트레스 필드(stress field)에 영향을 받게 하는 단계
    를 포함하는,
    2 또는 그 초과의 고체-상태 피스들로 고체-상태 시재료의 나눔을 위한 분할 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 폴리머 하이브리드 재료의 상기 폴리머 매트릭스는 탄성중합체 매트릭스, 바람직하게 폴리디오르가노실록산 매트릭스, 보다 바람직하게 폴리디메틸실록산 매트릭스인,
    2 또는 그 초과의 고체-상태 피스들로 고체-상태 시재료의 나눔을 위한 분할 방법.
  11. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
    상기 폴리머 하이브리드 재료의 필러는 특히 알루미늄, 철, 아연 및/또는 구리 중 적어도 하나의 금속으로 이루어지는,
    2 또는 그 초과의 고체-상태 피스들로 고체-상태 시재료의 나눔을 위한 분할 방법.
  12. 제 9 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 폴리머 하이브리드 재료의 필러는 무기 섬유들, 특히 탄소 섬유들, 유리 섬유들 및/또는 현무암 섬유들로 이루어지는,
    2 또는 그 초과의 고체-상태 피스들로 고체-상태 시재료의 나눔을 위한 분할 방법.
  13. 제 9 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 폴리머 하이브리드 재료의 필러는 코어-쉘 입자들 또는 실리카로 이루어지는,
    2 또는 그 초과의 고체-상태 피스들로 고체-상태 시재료의 나눔을 위한 분할 방법.
  14. 제 9 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
    필러는 반응물, 바람직하게 산화제의 도움으로 반응하여, 가스 생성물을 방출할 수 있는,
    2 또는 그 초과의 고체-상태 피스들로 고체-상태 시재료의 나눔을 위한 분할 방법.
  15. 제 9 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,
    필러는, 상기 폴리머 하이브리드 재료가 등방성 특성을 가지거나 이방성 특성을 가지도록, 상기 폴리머 매트릭스 내에 분산되는,
    2 또는 그 초과의 고체-상태 피스들로 고체-상태 시재료의 나눔을 위한 분할 방법.
  16. 제 9 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,
    원통형 고체-상태 시재료는 적어도 2개의 원통형 고체-상태 피스들로 나누어지는,
    2 또는 그 초과의 고체-상태 피스들로 고체-상태 시재료의 나눔을 위한 분할 방법.
  17. 제 9 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서,
    제 1 희생 층은 상기 고체-상태 시재료의 적어도 하나의 노출된 표면에 적용되고 그 다음으로 상기 폴리머 하이브리드 재료는 상기 희생 층에 적용되어, 상기 합성 구조는 상기 고체-상태 시재료, 상기 희생 층 및 상기 폴리머 하이브리드 재료를 포함하는,
    2 또는 그 초과의 고체-상태 피스들로 고체-상태 시재료의 나눔을 위한 분할 방법.
  18. 폴리머 매트릭스를 포함하는, 적어도 2개의 고체-상태 피스들로 고체-상태 시재료의 나눔을 위한 분할 방법을 위한 폴리머 하이브리드 재료를 생성하는 방법으로서,
    하나 또는 그 초과의 필러들은 탄성중합체 매트릭스로서, 바람직하게 폴리디오르가노실록산 매트릭스로서, 보다 바람직하게 폴리디메틸실록산 매트릭스로서 폴리머 매트릭스에 부가되는,
    폴리머 하이브리드 재료를 생성하는 방법.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 필러들 중 하나는 특히 알루미늄, 철, 아연 및/또는 구리 중 적어도 하나의 금속으로 이루어지는,
    폴리머 하이브리드 재료를 생성하는 방법.
  20. 제 18 항 또는 제 19 항에 있어서,
    상기 필러들 중 하나는 무기 섬유들, 특히 탄소 섬유들, 유리 섬유들 및/또는 현무암 섬유들로 이루어지는,
    폴리머 하이브리드 재료를 생성하는 방법.
  21. 제 18 항 내지 제 20 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 필러들 중 하나는 코어-쉘 입자들 또는 실리카로 이루어지는,
    폴리머 하이브리드 재료를 생성하는 방법.
  22. 제 18 항 내지 제 21 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 필러들 중 하나는 반응물, 바람직하게 산화제의 도움으로 반응하여, 가스 생성물을 방출할 수 있는,
    폴리머 하이브리드 재료를 생성하는 방법.
  23. 제 18 항 내지 제 22 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 필러들 중 하나는, 상기 폴리머 하이브리드 재료가 등방성 특성을 가지거나 이방성 특성을 가지도록, 상기 폴리머 매트릭스 내에 분산되는,
    폴리머 하이브리드 재료를 생성하는 방법.
  24. 폴리머 매트릭스를 포함하는, 적어도 2개의 고체-상태 피스들로 고체-상태 시재료의 나눔을 위한 분할 방법을 위한 폴리머 하이브리드 재료로서,
    상기 폴리머 매트릭스는 탄성중합체 매트릭스, 바람직하게 폴리디오르가노실록산 매트릭스, 보다 바람직하게 폴리디메틸실록산 매트릭스이고, 그리고 폴리머 매트릭스에 하나 또는 그 초과의 필러들을 포함하는,
    폴리머 하이브리드 재료.
  25. 제 24 항에 있어서,
    상기 필러들 중 하나는 특히 알루미늄, 철, 아연 및/또는 구리 중 적어도 하나의 금속으로 이루어지는,
    폴리머 하이브리드 재료.
  26. 제 24 항 또는 제 25 항에 있어서,
    상기 필러들 중 하나는 무기 섬유들, 특히 탄소 섬유들, 유리 섬유들 및/또는 현무암 섬유들로 이루어지는,
    폴리머 하이브리드 재료.
  27. 제 24 항 내지 제 26 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 필러들 중 하나는 코어-쉘 입자들 또는 실리카로 이루어지는,
    폴리머 하이브리드 재료.
  28. 제 24 항 내지 제 27 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 필러들 중 하나는 반응물, 바람직하게 산화제의 도움으로 반응하여, 가스 생성물을 방출할 수 있는,
    폴리머 하이브리드 재료.
  29. 제 24 항 내지 제 28 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 필러들 중 하나는, 상기 폴리머 하이브리드 재료가 등방성 특성을 가지거나 이방성 특성을 가지도록, 상기 폴리머 매트릭스 내에 분산되는,
    폴리머 하이브리드 재료.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102016105616A1 (de) * 2016-03-24 2017-09-28 Siltectra Gmbh Polymer-Hybrid-Material, dessen Verwendung in einem Splitting-Verfahren und Verfahren zur Herstellung des Polymer-Hybrid-Materials
US10858495B2 (en) * 2016-03-24 2020-12-08 Siltectra Gmbh Polymer hybrid material for use in a splitting method
EP3551373A1 (de) * 2016-12-12 2019-10-16 Siltectra GmbH Verfahren zum dünnen von mit bauteilen versehenen festkörperschichten

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003509574A (ja) * 1999-09-17 2003-03-11 ハネウエル・インターナシヨナル・インコーポレーテツド コンプライアントで架橋性の熱インタフェース材料
JP2011012198A (ja) * 2009-07-03 2011-01-20 Union Chemicar Co Ltd 感圧転写型粘着テープ
KR20120037369A (ko) * 2009-08-11 2012-04-19 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 레이저 가공장치 및 레이저 가공방법
JP2012513312A (ja) * 2008-12-23 2012-06-14 ジルテクトラ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 構造化表面を備えた固体状材料の薄い独立層を生産する方法
WO2013113730A1 (de) * 2012-01-30 2013-08-08 Siltectra Gmbh Verfahren zur herstellung von dünnen platten aus werkstoffen geringer duktilität mittels temperaturinduzierter mechanischer spannung unter verwendung von vorgefertigten polymer-folien
JP2014049537A (ja) * 2012-08-30 2014-03-17 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの加工方法
JP2014072452A (ja) * 2012-09-28 2014-04-21 Fujifilm Corp 半導体装置製造用仮接合層、積層体、及び、半導体装置の製造方法。
JP2014125505A (ja) * 2012-12-25 2014-07-07 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 部品製造方法、接合剥離装置、および複合キャリア

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19640594B4 (de) 1996-10-01 2016-08-04 Osram Gmbh Bauelement
JP2001044144A (ja) 1999-08-03 2001-02-16 Tokyo Seimitsu Co Ltd 半導体チップの製造プロセス
US6706219B2 (en) * 1999-09-17 2004-03-16 Honeywell International Inc. Interface materials and methods of production and use thereof
WO2003088315A2 (en) * 2002-04-11 2003-10-23 Honeywell International Inc. Thermally conductive coating compositions, methods of production and uses thereof
JP2006184504A (ja) 2004-12-27 2006-07-13 Canon Inc 記録材判別装置および画像形成装置
JP5117692B2 (ja) 2006-07-14 2013-01-16 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
WO2009061353A2 (en) 2007-11-02 2009-05-14 President And Fellows Of Harvard College Production of free-standing solid state layers by thermal processing of substrates with a polymer
US8748296B2 (en) * 2011-06-29 2014-06-10 International Business Machines Corporation Edge-exclusion spalling method for improving substrate reusability
EP2817819A4 (en) 2012-02-26 2015-09-02 Solexel Inc SYSTEMS AND METHOD FOR LASER DISTRIBUTION AND DEVICE LAYER TRANSMISSION
DE102014013107A1 (de) 2013-10-08 2015-04-09 Siltectra Gmbh Neuartiges Waferherstellungsverfahren

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003509574A (ja) * 1999-09-17 2003-03-11 ハネウエル・インターナシヨナル・インコーポレーテツド コンプライアントで架橋性の熱インタフェース材料
JP2012513312A (ja) * 2008-12-23 2012-06-14 ジルテクトラ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 構造化表面を備えた固体状材料の薄い独立層を生産する方法
JP2011012198A (ja) * 2009-07-03 2011-01-20 Union Chemicar Co Ltd 感圧転写型粘着テープ
KR20120037369A (ko) * 2009-08-11 2012-04-19 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 레이저 가공장치 및 레이저 가공방법
WO2013113730A1 (de) * 2012-01-30 2013-08-08 Siltectra Gmbh Verfahren zur herstellung von dünnen platten aus werkstoffen geringer duktilität mittels temperaturinduzierter mechanischer spannung unter verwendung von vorgefertigten polymer-folien
JP2014049537A (ja) * 2012-08-30 2014-03-17 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの加工方法
JP2014072452A (ja) * 2012-09-28 2014-04-21 Fujifilm Corp 半導体装置製造用仮接合層、積層体、及び、半導体装置の製造方法。
JP2014125505A (ja) * 2012-12-25 2014-07-07 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 部品製造方法、接合剥離装置、および複合キャリア

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