JP2012156398A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】P型領域とN型領域を有する温度検出素子を備えた半導体装置を提供する。この半導体装置の温度検出素子のP型領域は、P型コンタクト部と、P型コンタクト部から第1方向に延びるP型接合部とを有しており、N型領域は、N型コンタクト部と、N型コンタクト部からP型接合部に沿って第1方向と逆方向に延びると共にP型接合部と接合しているN型接合部とを有するN型領域とを有している。P型接合部の第1方向に直交する第2方向の幅は、P型コンタクト部の第2方向の幅よりも狭く、N型接合部の第2方向の幅は、N型コンタクト部の第2方向の幅よりも狭い。
【選択図】 図2
Description
P型領域とN型領域の形状は、実施例1において説明したL字形状に限定されない。例えば、図5に示すように、温度検出素子130は、平面視したときに矩形波状のP型接合部131aとN型接合部132aを備えており、P型接合部131aとN型接合部132aがその矩形面で互いに接合して、PN接合面となっていてもよい。実施例1と同様に、P型コンタクト部131bは、P型領域131のY方向の幅が最も広い部分であり、X方向に一定の幅を有している。N型コンタクト部132bは、N型領域132のY方向の幅が最も広い部分であり、X方向に一定の幅を有している。P型接合部131aのX軸の正方向の端部はN型コンタクト部132bと接合しており、N型接合部132aのX軸の負方向の端部はP型コンタクト部131bと接合している。
14 トレンチゲート
100 半導体基板
101a〜101c 表面電極
102a〜102e 小信号パッド
104 絶縁膜
111b 素子領域
112b ゲート配線
120,130,140,150,160 温度検出素子
126,127,136,137,146,147,156,157 ポリシリコン領域
121,131,141,151,161 P型領域
121a,131a,141a,151a,161a P型接合部
121b,131b,141b,151b,161b P型コンタクト部
122,132,142,152,162 N型領域
122a,132a,142a,152a,162a N型接合部
122b,132b,142b,152b,162b N型コンタクト部
123,124 配線
Claims (6)
- P型領域とN型領域を有する温度検出素子を備えた半導体装置であって、
P型領域は、P型コンタクト部と、P型コンタクト部から第1方向に延びるP型接合部とを有しており、
N型領域は、N型コンタクト部と、N型コンタクト部からP型接合部に沿って第1方向と逆方向に延びると共にP型接合部と接合しているN型接合部とを有しており、
P型接合部の第1方向に直交する第2方向の幅は、P型コンタクト部の第2方向の幅よりも狭く、
N型接合部の第2方向の幅は、N型コンタクト部の第2方向の幅よりも狭い、半導体装置。 - 温度検出素子の第2方向の幅は、P型コンタクト部の第2方向の幅以下である、請求項1に記載の半導体装置。
- 温度検出素子の第2方向の幅は、N型コンタクト部の第2方向の幅以下である、請求項1または2に記載の半導体装置。
- 半導体装置には、絶縁ゲート型の半導体素子が形成されており、絶縁ゲートの長手方向は第1方向に平行である、請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体装置。
- P型領域とN型領域の接合する部分の端部に、ポリシリコン領域が形成されている、請求項1〜4のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 半導体装置を平面視したときに、P型接合部とN型接合部は、P型コンタクト部とN型コンタクト部とに挟まれる領域内に配置されている、請求項1〜5のいずれか一項に記載の半導体装置。
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