JP2012156287A - 気相処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】チャンバ5には、間隔を空けてサセプタ3を取り囲む穴部HLが設けられている。サセプタガイド21は、チャンバ5の外部に配置されており、サセプタ3を回転可能に保持しており、第1の外周面を有する。第1のリング部31は、穴部HLを取り囲むようにチャンバ5に取り付けられており、第1の内周面を有する。第2のリング部32は、第1の内周面に対向する第2の外周面と、第1の外周面に対向する第2の内周面とを有し、サセプタガイド21に取り付けられており、金属多孔体から作られている。
【選択図】図1
Description
(実施の形態1)
図1〜図4を参照して、本実施の形態のCVD装置100(気相処理装置)は、サセプタ3と、成長室5(チャンバ)と、ヒータ7と、ガス導入部9と、ガス排出部11と、回転軸17と、ジョイント19と、モータ20と、サセプタガイド21と、架台22と、サセプタホルダ23と、リング部31(第1のリング部)と、リング部32(第2のリング部)と、予備室35と、駆動部40とを有する。
図1を参照して、駆動部40が駆動することによって、可動シリンダ41が矢印ALに示すように下方へ変位される。
主に図12を参照して、本実施の形態のCVD装置は、実施の形態1のCVD装置100のリング部32の代わりに、リング部32aを有する。リング部32aは、第1の密度を有する低密度部分32a1(第1の部分)と、第1の密度よりも高い第2の密度を有する高密度部分32a2(第2の部分)とを含む。また本実施の形態においては、高密度部分32a2は、リング部32aの外周面SO2としての表面を有する。
Claims (10)
- 処理対象物を保持するサセプタと、
間隔を空けて前記サセプタを取り囲む穴部が設けられたチャンバと、
前記処理対象物に気相処理を行なうためのガスを前記チャンバ内に導入するガス導入部と、
前記サセプタを一の温度まで加熱することができるように構成されたヒータと、
前記チャンバの外部に配置され、前記サセプタを回転可能に保持し、第1の外周面を有するサセプタガイドと、
前記穴部を取り囲むように前記チャンバに取り付けられ、第1の内周面を有する第1のリング部と、
前記第1の内周面に対向する第2の外周面と前記第1の外周面に対向する第2の内周面とを有し、前記サセプタガイドに取り付けられ、金属多孔体から作られている第2のリング部とを備える、気相処理装置。 - 前記第1のリング部の前記第1の内周面と前記第2のリング部の前記第2の外周面とは、前記サセプタの温度が前記一の温度のときに互いに接触している、請求項1に記載の気相処理装置。
- 前記第2のリング部の前記第2の外周面は、前記サセプタの温度が前記一の温度のときに前記第1のリング部の前記第1の内周面を熱膨張によって押圧するように構成されている、請求項2に記載の気相処理装置。
- 前記第1のリング部の前記第1の内周面と前記第2のリング部の前記第2の外周面とは、前記サセプタが室温のときに互いに接触している、請求項3に記載の気相処理装置。
- 前記サセプタガイドの前記第1の外周面は、前記サセプタの温度が前記一の温度のときに前記第2のリング部の前記第2の内周面を熱膨張によって押圧するように構成されている、請求項1〜4のいずれか1項に記載の気相処理装置。
- 前記金属多孔体の孔径は0.5mm以上1mm以下である、請求項1〜5のいずれか1項に記載の気相処理装置。
- 前記第2のリング部は、第1の密度を有する第1の部分と、前記第1の密度よりも高い第2の密度を有する第2の部分とを含む、請求項1〜6のいずれか1項に記載の気相処理装置。
- 前記第2のリング部の前記第2の部分は、前記第2のリング部の前記第2の外周面としての表面を有する、請求項7に記載の気相処理装置。
- 前記第2のリング部の前記第2の部分は前記サセプタガイドに接する部分を有する、請求項7または8に記載の気相処理装置。
- 前記金属多孔体は、ニッケル、クロム、鉄、銅、ステンレス、マンガン、モリブデン、タングステン、チタン、アルミニウムの少なくともいずれかを含有する、請求項1〜9のいずれか1項に記載の気相処理装置。
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