JPH10298766A - 非晶質シリコン系感光体の形成装置及び形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】良好な特性を有したａ−Ｓｉ系感光体を高い良
品率で形成可能な非晶質シリコン系感光体の形成方法を
提供する。 【解決手段】真空気密可能な反応容器を備え、該反応容
器内に原料ガス供給手段より原料ガスを供給し、高周波
電源より高周波電力を導入して反応容器内にグロー放電
を生起させ、該反応容器内の基体ホルダーに保持される
円筒状基体上に堆積膜を形成するプラズマＣＶＤ法によ
る非晶質シリコン系感光体の形成装置または形成方法に
おいて、前記基体ホルダーは、少なくとも一部が前記円
筒状基体に内包される円筒状基体密着部を有し、該円筒
状基体密着部は該円筒状基体よりも熱膨張率の大きい材
料からなり、かつ、少なくとも該円筒状基体密着部の一
部が導電性材料で構成され、少なくとも堆積膜形成時に
おいて昇温により熱膨張する該円筒状基体密着部を介し
て前記円筒状基体と前記基体ホルダーとを電気的に導通
可能とした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマＣＶＤ法
による非晶質シリコン（以下、ａ−Ｓｉと称す）系感光
体の形成装置及び形成方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】電子写真用感光体を形成する光導電材料
としては、高感度で、ＳＮ比〔光電流（Ｉｐ）／暗電流
（Ｉｄ）〕が高く、照射する電磁波のスペクトル特性に
適合した吸収スペクトルを有すること、光応答性が早
く、所望の暗抵抗値を有すること、使用時において人体
に対して無害であること、等の特性が要求される。特
に、事務機としてオフィスで使用される電子写真装置内
に組み込まれる電子写真用光受容部材の場合には、上記
の使用時における無公害性は重要な点である。この様な
点に優れた性質を示す光導電材料に水素化アモルファス
シリコン（以下、「ａ−Ｓｉ：Ｈ」と表記する）があ
り、例えば、特公昭６０−３５０５９号公報には電子写
真用光受容部材としての応用が記載されている。このよ
うな電子写真用感光体は、一般的には、導電性支持体を
５０℃〜４００℃に加熱し、該支持体上に真空蒸着法、
スパッタリング法、イオンプレーティング法、熱ＣＶＤ
法、光ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等の成膜法によりａ
−Ｓｉからなる光導電層を形成する。なかでもプラズマ
ＣＶＤ法、すなわち、原料ガスを直流または高周波ある
いはマイクロ波グロー放電によって分解し、支持体上に
ａ−Ｓｉ堆積膜を形成する方法が好適なものとして実用
に付されている。

【０００３】また、特開昭５６−８３７４６号公報にお
いては、導電性支持体と、ハロゲン原子を構成要素とし
て含むａ−Ｓｉ（以下、「ａ−Ｓｉ：Ｘ」と表記する）
光導電層からなる電子写真用感光体が提案されている。
当該公報においては、ａ−Ｓｉにハロゲン原子を１乃至
４０原子％含有させることにより、耐熱性が高く、電子
写真用感光体の光導電層として良好な電気的、光学的特
性を得ることができるとしている。また、特開昭５７−
１１５５５６号公報には、ａ−Ｓｉ堆積膜で構成された
光導電層を有する光導電部材の、暗抵抗値、光感度、光
応答性等の電気的、光学的、光導電的特性及び耐湿性等
の使用環境特性、さらには経時的安定性について改善を
図るため、シリコン原子を母体としたアモルファス材料
で構成された光導電層上に、シリコン原子及び炭素原子
を含む非光導電性のアモルファス材料で構成された表面
障壁層を設ける技術が記載されている。更に、特開昭６
０−６７９５１号公報には、アモルファスシリコン、炭
素、酸素及び弗素を含有してなる透光絶縁性オーバーコ
ート層を積層する感光体についての技術が記載され、特
開昭６２−１６８１６１号公報には、表面層として、シ
リコン原子と炭素原子と４１〜７０原子％の水素原子を
構成要素として含む非晶質材料を用いる技術が記載され
ている。

【０００４】一方、特開昭６０−９５５５１号公報に
は、アモルファスシリコン感光体の画像品質向上のため
に、感光体表面近傍の温度を３０乃至４０℃に維持して
帯電、露光、現像および転写といった画像形成行程を行
うことにより、感光体表面での水分の吸着による表面抵
抗の低下とそれに伴って発生する画像流れを防止する技
術が開示されている。また、特開昭６３−１４９３８１
号公報には、複数の円筒状基体を同心円上に設置し、円
筒状基体に囲まれた放電空間にマイクロ波電力を投入す
るマイクロ波プラズマＣＶＤ法（以後「ＭＷ−ＰＣＶ
Ｄ」と略記する）により、基体上に非晶質膜を形成する
技術が記載されている。これらの技術により、電子写真
用ａ−Ｓｉ系感光体の電気的、光学的、光導電的特性及
び使用環境特性が向上し、それに伴って画像品質も向上
してきた。

【０００５】このようなａ−Ｓｉ系感光体の製造装置及
び製造方法は概略以下のようなものである。図２は電源
としてＲＦ帯の周波数を用いたＲＦプラズマＣＶＤ法
（以後「ＲＦ−ＰＣＶＤ」と略記する）による電子写真
用光受容部材の製造装置の一例を示す模式的な構成図で
ある。図２に示す製造装置の構成は以下の通りである。
この装置は大別すると、堆積装置２１００、原料ガスの
供給装置２２００、反応容器２１１１内を減圧にするた
めの排気装置（図示せず）から構成されている。堆積装
置２１００中の反応容器２１１１内には基体ホルダー２
１２０により保持された円筒状基体２１１２、支持体加
熱用ヒーター２１１３、原料ガス導入管２１１４が設置
され、更に高周波マッチングボックス２１１５が接続さ
れている。原料ガス供給装置２２００は、ＳｉＨ4、Ｇ
ｅＨ4、Ｈ2、ＣＨ4、Ｂ2Ｈ6、ＰＨ3等の原料ガスのボン
ベ２２２１〜２２２６とバルブ２２３１〜２２３６，２
２４１〜２２４６，２２５１〜２２５６およびマスフロ
ーコントローラー２２１１〜２２１６から構成され、各
原料ガスのボンベはバルブ２２６０介して反応容器２１
１１内のガス導入管２１１４に接続されている。

【０００６】この装置を用いた堆積膜の形成は、例えば
以下のように行なうことができる。まず、反応容器２１
１１内に基体ホルダー２１２０により保持された円筒状
支持体２１１２を設置し、不図示の排気装置（例えば真
空ポンプ）により反応容器２１１１内を排気する。続い
て、支持体加熱用ヒーター２１１３により円筒状支持体
２１１２の温度を２００℃乃至３５０℃の所定の温度に
制御する。堆積膜形成用の原料ガスを反応容器２１１１
に流入させるには、ガスボンベのバルブ２２３１〜２２
３７、反応容器のリークバルブ２１１７が閉じられてい
ることを確認し、叉、流入バルブ２２４１〜２２４６、
流出バルブ２２５１〜２２５６、補助バルブ２２６０が
開かれていることを確認して、まずメインバルブ２１１
８を開いて反応容器２１１１およびガス配管内２１１６
を排気する。次に真空計２１１９の読みが約５×１０^-6
Ｔｏｒｒになった時点で補助バルブ２２６０、流出バル
ブ２２５１〜２２５６を閉じる。その後、ガスボンベ２
２２１〜２２２６より各ガスをバルブ２２３１〜２２３
６を開いて導入し、圧力調整器２２６１〜２２６６によ
り各ガス圧を２Ｋｇ／ｃｍ²に調整する。次に、流入バ
ルブ２２４１〜２２４６を徐々に開けて、各ガスをマス
フローコントローラー２２１１〜２２１６内に導入す
る。

【０００７】以上のようにして成膜の準備が完了した
後、以下の手順で各層の形成を行う。円筒状支持体２１
１２が所定の温度になったところで流出バルブ２２５１
〜２２５６のうちの必要なものおよび補助バルブ２２６
０を徐々に開き、ガスボンベ２２２１〜２２２６から所
定のガスをガス導入管２１１４を介して反応容器２１１
１内に導入する。次にマスフローコントローラー２２１
１〜２２１６によって各原料ガスが所定の流量になるよ
うに調整する。その際、反応容器２１１１内の圧力が１
Ｔｏｒｒ以下の所定の圧力になるように真空計２１１９
を見ながらメインバルブ２１１８の開口を調整する。内
圧が安定したところで、周波数１３．５６ＭＨｚのＲＦ
電源（不図示）を所望の電力に設定して、高周波マッチ
ングボックス２１１５を通じて反応容器２１１１内にＲ
Ｆ電力を導入し、グロー放電を生起させる。この放電エ
ネルギーによって反応容器内に導入された原料ガスが分
解され、円筒状支持体２１１２上に所定のシリコンを主
成分とする堆積膜が形成されるところとなる。所望の膜
厚の形成が行われた後、ＲＦ電力の供給を止め、流出バ
ルブを閉じて反応容器へのガスの流入を止め、堆積膜の
形成を終える。同様の操作を複数回繰り返すことによっ
て、所望の多層構造の光受容層が形成される。それぞれ
の層を形成する際には必要なガス以外の流出バルブはす
べて閉じられていることは言うまでもなく、また、それ
ぞれのガスが反応容器２１１１内、流出バルブ２２５１
〜２２５６から反応容器２１１１に至る配管内に残留す
ることを避けるために、流出バルブ２２５１〜２２５６
を閉じ、補助バルブ２２６０を開き、さらにメインバル
ブ２１１８を全開にして系内を一旦高真空に排気する操
作を必要に応じて行う。膜形成の均一化を図るために、
層形成を行なっている間は、支持体２１１２を駆動装置
（不図示）によって所定の速度で回転させることも有効
である。さらに、上述のガス種およびバルブ操作は各々
の層の作成条件にしたがって変更が加えられることは言
うまでもない。

【０００８】一方、つぎの図３に示すような複数の感光
体を同時に形成でき、生産性の極めて高い堆積膜形成装
置の開発も進められている。図３は、従来のＭＷ帯の周
波数を用いたＭＷプラズマＣＶＤ法による電子写真用光
受容部材の製造装置の一例を示した模式的な構成図であ
る。図３（Ａ）は概略断面図、図３（Ｂ）は図３
（（Ａ）の切断線Ｂ−Ｂ’に沿う概略断面図である。反
応容器３０１の側面には排気管３０４が一体的に形成さ
れ、排気管３０４の他端は不図示の排気装置に接続され
ている。反応容器３０１の上面と下面にはそれぞれ導波
管３０３が取り付けられ、各導波管３０３の他端は不図
示のマイクロ波電源に接続されている。各導波管３０３
の反応容器３０１側の端部にはそれぞれ誘電体窓３０２
が気密封止されている。反応容器３０１の中心部を取り
囲むように、堆積膜の形成される６この円筒状基体３０
５が基体ホルダー３１１により保持され、互いに平行に
なるように配置されている。基体ホルダー３１１に設置
された各円筒状基体３０５は回転軸３０８によって保持
され、発熱体３０７によって基体ホルダー３１１を介し
て加熱されるようになっている。モータ３０９を駆動す
ると、減速ギア３１０を介して回転軸３０８が回転し、
円筒状基体３０５がその母線方向中心軸のまわりを自転
するようになっている。反応容器３０１内の円筒状基体
３０５と各誘電体窓３０２で囲まれた空間があり、この
空間が成膜空間３０６となる。また、隣接する２個の円
筒状基体３０５の間の隙間には、それぞれ原料ガス導入
管３５１が設けられている。原料ガス導入管３５１は原
料ガスを成膜空間３０６に導入するようになっている。

【０００９】この装置を用いて電子写真用感光体を作製
するときは、まず、反応容器３０１内を１０^-7Ｔｏｒｒ
以下まで排気し、ついで、発熱体３０７により円筒状基
体３０５を所望の温度に加熱保持する。そして、原料ガ
ス導入管３５１を介して、原料ガスを反応容器３０１内
に導入する。これと同時並行的に周波数５００ＭＨｚ以
上の好ましくは２．４５ＧＨｚのマイクロ波を導波管３
０３、誘電体窓３０２を経て反応容器３０１内に入射さ
せる。その結果、成膜空間３０６においてグロー放電が
生起し、原料ガスは励起解離して円筒状基体３０５上に
堆積膜が形成される。このとき、モータ３０９を回転さ
せることにより、円筒状基体３０５の全周にわたって堆
積膜を形成することができる。

【００１０】このような従来のａ−Ｓｉ系感光体製造装
置、製造方法に加え、更には近年、ＶＨＦ帯の高周波電
力を用いたＶＨＦプラズマＣＶＤ（以後「ＶＨＦ−ＰＣ
ＶＤ」と略記する）法が注目を浴びており、これを用い
たａ−Ｓｉ系感光体製造装置の開発も積極的に進められ
ている。これはＶＨＦ−ＰＣＶＤ法では膜堆積速度が速
く、また高品質なａ−Ｓｉ膜が得られるため、製品の低
コスト化、高品質化を同時に達成し得るものと期待され
るためである。例えば特開平６−２８７７６０にはａ−
Ｓｉ系感光体製造に用いうる装置及び方法が開示されて
いる。

【００１１】ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法を用いたａ−Ｓｉ系感
光体の製造装置及び製造方法は例えば以下のようなもの
である。図４はＶＨＦプラズマＣＶＤ法による電子写真
用光受容部材の製造装置の一例を示す模式的な構成図で
ある。図４（Ａ）は概略断面図、図４（Ｂ）は図４
（Ａ）の切断線Ｂ−Ｂ’に沿う概略断面図である。反応
容器４０１の側面には排気管４１２が一体的に形成さ
れ、排気管４１２の他端は不図示の排気装置に接続され
ている。反応容器４０１の中心部を取り囲むように、堆
積膜の形成される８本の円筒状基体４０５が基体ホルダ
ー４１１により保持され、互いに平行になるように配置
されている。基体ホルダー４１１に設置された各円筒状
基体４０５は回転軸４０８によって保持され、発熱体４
０７によって加熱されるようになっている。モータ４０
９を駆動すると、減速ギア４１０を介して回転軸４０８
が回転し、円筒状基体４０５がその母線方向中心軸のま
わりを自転するようになっている。８本の円筒状基体４
０５により囲まれた成膜空間４０６には原料ガスが原料
ガス供給手段４１３より供給さる。ＶＨＦ電力はＶＨＦ
電源４０３よりマッチングボックス４０４を経て高周波
電力導入手段４０２より成膜空間４０６に供給される。

【００１２】このような装置を用いた堆積膜形成は概略
以下のような手順により行なうことができる。まず、反
応容器４０１内に基体ホルダー４１１により保持された
円筒状基体４０５を設置し、不図示の排気装置により排
気管４１２を通して反応容器４０１内を排気する。続い
て、発熱体４０７により円筒状基体４０５を２００℃〜
３００℃程度の所定の温度に加熱・制御する。円筒状基
体４０５が所定の温度となったところで、原料ガス供給
手段４１３を介して、原料ガスを反応容器４０１内に導
入する。原料ガスの流量が設定流量となり、また、反応
容器４０１内の圧力が安定したのを確認した後、高周波
電源４０３よりマッチングボックス４０４を介して高周
波導入手段４０２へ所定のＶＨＦ電力を供給する。高周
波導入手段４０２より成膜空間に放射されたＶＨＦ電力
により、成膜空間においてグロー放電が生起し、原料ガ
スは励起解離して円筒状基体４０５上に堆積膜が形成さ
れる。所望の膜厚の形成が行なわれた後、ＶＨＦ電力の
供給を止め、続いて原料ガスの供給を停止して堆積膜の
形成を終える。同様の操作を複数回繰り返すことによっ
て、所望の多層構造の光受容層が形成される。堆積膜形
成中、回転軸４０８を介して円筒状基体４０５をモータ
４０９により所定の速度で回転させることにより、円筒
状基体表面全周に渡って堆積膜が形成される。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】上記従来の装置及び方
法により、良好なａ−Ｓｉ系感光体が形成される。しか
しながら、市場における電子写真装置の低価格化、高画
質化、小型化等に対する要求に対応していくため、更な
る技術の向上が必要となっている。現在のａ−Ｓｉ系感
光体形成においては、感光体特性がロット間でばらつき
を生じ、これが良品率低下の一因となっている。良品率
は感光体製造コストに直結するため、このロット間での
特性ばらつきを抑制することは低価格化を実現していく
上で大きく貢献するものである。このため、この特性ば
らつき抑制に関しては、これまでにさまざまな検討・工
夫が為されているにもかかわらず、まだまだ改善の余地
が残されているのが現状である。

【００１４】このばらつきを生じさせている原因の一つ
として、プラズマの均一性・安定性・再現性が不十分で
あるということが挙げられる。電子写真感光体形成工程
においては、大面積にしかも長時間にわたって膜堆積を
行なうため、極めて良好なプラズマ均一性、長時間安定
性を必要とする。このため、電子写真感光体形成におい
ては特に、プラズマ均一性、長時間安定性を常に再現性
良く維持する技術が強く求められている。また、低価格
化を達成していく上で、ａ−Ｓｉ系感光体形成において
は、膜堆積速度の向上は極めて有効であり、さまざまな
検討・開発が進められている。電子写真感光体は一般に
必要とする堆積膜の膜厚が厚いため、感光体作製全工程
に占める堆積膜形成時間が長い。このため、膜堆積速度
の向上は感光体形成工程の大幅な時間短縮につながる。
更に、コピー画像の画質向上を目指して膜特性向上の検
討も積極的に進められている。

【００１５】このような膜堆積速度の向上、膜特性の向
上を達成していく上で、成膜中に基体温度を所定の値に
維持するため、冷却手段を必要とする場合も多々生じて
きている。これは、膜堆積速度の向上、あるいは膜特性
の向上を達成するために、プラズマ密度の向上、バイア
ス印加等の手段が用いられるようになったことに起因す
る。これらは基体に入射するイオンの量、あるいはイオ
ンのエネルギーを増加するため、基体を所望の温度以上
に昇温してしまう場合が生じ、膜質の低下、膜剥れ等を
生じてしまう。また、成膜開始時、即ちプラズマが生起
された直後にプラズマによる昇温作用のために、基体温
度は急激に上昇を開始する。この急激な温度変化で堆積
膜内に構造的ストレスが生じ、膜剥れを引き起こしてし
まう場合もある。これら問題点を解決するため、今日に
おいては冷却手段を用いた基体温度の正確、迅速な制御
に関する技術も重要となっており、そのための検討もな
されているが、充分といえるものではない。

【００１６】そこで、本発明は、上記従来のものにおけ
る課題を解決し、高周波−ＰＣＶＤ法を用いたａ−Ｓｉ
系感光体形成において、ロット間での特性のばらつきを
抑制することにより、良好な特性を有したａ−Ｓｉ系感
光体を高い良品率で形成可能な非晶質シリコン系感光体
の形成装置及び形成方法を提供することを目的としてい
る。また、本発明は、広範囲の膜堆積条件において基体
温度の正確、迅速な制御が可能であり、膜質の低下や膜
剥れ等の弊害がなく、膜堆積速度及び膜質の向上が達成
可能な非晶質シリコン系感光体の形成装置及び形成方法
を提供することを目的としている。

【００１７】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために、非晶質シリコン系感光体の形成装置及び
形成方法をつぎのように構成したことを特徴とするもの
である。すなわち、本発明の感光体形成装置は、真空気
密可能な反応容器を備え、該反応容器内に原料ガス供給
手段より原料ガスを供給し、高周波電源より高周波電力
を導入して反応容器内にグロー放電を生起させ、該反応
容器内の基体ホルダーに保持される円筒状基体上に堆積
膜を形成するプラズマＣＶＤ法による非晶質シリコン系
感光体の形成装置において、前記基体ホルダーは、少な
くとも一部が前記円筒状基体に内包される円筒状基体密
着部を有し、該円筒状基体密着部は該円筒状基体よりも
熱膨張率の大きい材料からなり、かつ、少なくとも該円
筒状基体密着部の一部が導電性材料で構成され、少なく
とも堆積膜形成時において昇温により熱膨張する該円筒
状基体密着部を介して前記円筒状基体と前記基体ホルダ
ーとを電気的に導通可能としたことを特徴としている。
そして、本発明の感光体形成装置は、前記円筒状基体
が、該円筒状基体と該円筒状基体の両端を保持する前記
基体ホルダーと前記円筒状基体密着部とによって囲まれ
た空間内に、該円筒状基体の温度を制御するガス導入手
段が設けられており、また、前記円筒状基体密着部を加
熱する手段を有しており、また、その高周波電源の周波
数が５０ＭＨｚ以上４５０ＭＨｚ以下であることを特徴
としている。また、本発明の感光体形成方法は、真空気
密可能な反応容器内に原料ガス供給手段より原料ガスを
供給し、高周波電力を印加して反応容器内にグロー放電
を生起させ、該反応容器内の基体ホルダーに保持される
円筒状基体上に堆積膜を形成するプラズマＣＶＤ法によ
る非晶質シリコン系感光体の形成方法において、前記基
体ホルダーの一部をなし、少なくとも一部が前記円筒状
基体に内包される円筒状基体密着部を、該円筒状基体よ
りも熱膨張率が大きい材料で形成し、かつ、少なくとも
該円筒状基体密着部の一部を導電性材料で構成し、少な
くとも堆積膜形成時において昇温により熱膨張する該円
筒状基体密着部を介して、該円筒状基体と該基体ホルダ
ーとを電気的に導通させながら堆積膜を形成することを
特徴としている。そして、本発明の感光体形成方法は、
前記堆積膜の形成を、該円筒状基体と前記基体ホルダー
との間に該円筒状基体の温度を制御するガスを導入して
行い、また、前記高周波電力の周波数が５０ＭＨｚ以上
４５０ＭＨｚ以下であることを特徴としている。

【００１８】

【発明の実施の形態】本発明は、本発明者らの以下の検
討により、完成に至ったものである。すなわち、本発明
者は上記課題を達成すべく鋭意検討を行った結果、感光
体特性がロット間でばらつきを生じるのは、堆積膜形成
の際に成膜空間に導入された高周波電力により、基体上
に高周波電位が生じてしまい、基体周辺のプラズマに影
響を及ぼすことが大きな要因の１つとなっていることを
見いだした。そして、円筒状基体を設置する基体ホルダ
ーに、少なくとも一部が該円筒状基体に内包され、かつ
熱膨張率が円筒状基体材料の熱膨張率よりも大きい材料
で構成された円筒状基体密着部を設け、堆積膜形成時に
円筒状基体と基体ホルダーをこの円筒状基体密着部によ
り電気的に導通することでこの問題を解決可能であると
の知見を得、本発明を完成させるに至った。

【００１９】この点について、更に説明すると、従来、
基体ホルダーは例えば図５に示すような構成となってい
た。図５において、５０１は基体ホルダー本体、５０２
はホルダーキャップ、５０３は基体、５０４はアースバ
ネである。基体ホルダーは基体ホルダー本体５０１及び
／またはホルダーキャップ５０２の一部を基体の端面に
接触させることで、基体を基体ホルダーと電気的に接続
し、これを一定電位（一般的にはアース電位）に保つよ
うにしている。また、シリンダー内面との接触により基
体−基体ホルダー間の電気的導通をとることも行なわれ
ている。この場合、接触部は基体をホルダーに設置する
際、摺擦されるため、あまり強く接触すると発塵を生じ
てしまう。このため、この接触部は発塵を生じない程度
にスムーズに基体を設置できるよう、例えば５０４のよ
うにばね状の部材が用いられる。このように、基体と基
体ホルダーは接触部により導通し、基体を所望の電位
（通常はアース電位）に維持する必要がある。しかしな
がら、成膜時に高周波が導入されると、従来の手段では
必ずしも所望の電位に維持され得ない。上述したような
導通手段では、導通が不十分であったり、導通手段が線
状・板状で基体−基体ホルダー間のリアクタンスが大き
いために、基体上に高周波電位が生じてしまう。

【００２０】これを改善するためには、基体と基体ホル
ダー間を充分な断面積を有した経路で密着させることが
有効である。本発明においては、基体ホルダーの少なく
とも一部が基体に内包され、かつ熱膨張率が基体材料の
熱膨張率よりも大きい材料で構成された円筒状基体密着
部を有する構造とする。このため、基体設置時には基体
と基体ホルダー間に発塵なしに基体設置可能なだけのク
リアランスを確保しながら、かつ、膜形成時には円筒状
基体密着部を昇温し、基体及び基体ホルダーにこの円筒
状基体密着部を膨張により密着させることで、充分な断
面積を有した経路でこれらを導通させることが可能とな
る。この結果、基体は成膜時に高周波が導入されても常
に所望の電位に維持され、基体に高周波電力が生じ周辺
のプラズマに影響を及ぼすという問題が解消される。こ
のような作用により、形成される感光体の特性のばらつ
きを抑制でき、良品率の向上を達成することができる。
また、本発明は複雑な構造を必要としないため、基体の
径が小さい場合においても何ら問題なく用いることがで
きる。

【００２１】本発明は更に、円筒状基体と円筒状基体密
着部及び基体ホルダーにより囲まれた空間を形成し、そ
こヘガスを導入可能とすることで、新たな他の効果をも
得ることができる。ａ−Ｓｉ系感光体形成においては、
堆積膜形成時の基体温度が形成される感光体特性に大き
く影響を及ぼす。このため、堆積膜形成時の温度を正確
に、迅速に制御することが重要となる。従来、基体温度
は発熱体、例えばシース状ヒーターの巻き付けヒータ
ー、板状ヒーター、セラミックヒーター等の電気抵抗発
熱体、ハロゲンランプ、赤外線ランプ等の熱放射ランプ
発熱体等により加熱制御される。

【００２２】しかしながら、今日、膜堆積速度の向上、
膜特性の向上を達成していく上で、成膜中に基体温度を
所定の値に維持するため、既に述べたように、冷却手段
を必要とする場合も多々生じてきている。基体の冷却制
御はこれまでにも為されているが、その手段は例えば図
４の装置においては、基体ホルダー４１１を保持する回
転軸４０８を冷媒により冷却したり、あるいは回転軸４
０８の周りに冷却パイプ等の冷却手段を巻き付ける（不
図示）等、間接的に基体４０５を冷却制御するという手
段がとられていた。このような手段においては、基体４
０５とそれを冷却する媒体となるもの（ここでは基体ホ
ルダー４１１）との間に充分な熱伝導が必要であるが、
円筒状基体を用いた電子写真感光体形成においては、基
体設置の際の摺擦による発塵防止のためにこれらの間で
の接触面を充分に取ること、即ち充分な熱伝導状態を得
ることがが困難であった。また、冷却手段と基体ホルダ
ー間は実質的に真空であるため、この間での熱伝導も充
分でなく基体温度を迅速に制御することが困難であっ
た。更には、円筒状基体の径が小さくなるとこれら冷却
手段を回転軸内、あるいは回転軸周りに設置するのが空
間的制約のために困難であった。

【００２３】本発明においては、このような従来困難で
あった基体温度の正確かつ迅速な制御が可能となる。本
発明においては、円筒状基体と円筒状基体密着部及び基
体ホルダーにより囲まれた空間を形成し、そこヘガスを
導入可能とすることで、冷却媒体である導入ガスにより
基体を直接冷却可能である。このため、従来、プラズマ
によって基体が過剰に昇温してしまうような膜形成条件
においても、基体を効率よく常に所望の温度に制御する
ことができる。本発明においては、円筒状基体と円筒状
基体密着部及び基体ホルダーにより囲まれた空間（以
下、冷却空間と称す）は完全な気密状態ではないため、
冷却空間から成膜空間へ若干のガス流出は生じるもの
の、これらの間のコンダクタンスは充分小さくすること
ができるため、冷却に用いるガス種を適宜選択すること
で、膜特性への影響を実質的に回避することができる。
また、成膜空間の圧力を所望の値に維持しながら、冷却
空間の圧力を高めることが可能なため、充分な冷却能力
を得ることができる。また、基体設置時（円筒状基体密
着部を昇温する前）には円筒状基体密着部と基体の間に
クリアランスがあるため、冷却空間内の大気は、成膜空
間を真空排気する際に同時に排気され、膜形成中に大気
が成膜空間に混入し膜特性を低下させるといった問題も
生じない。

【００２４】以下、図面を用いて本発明を詳しく説明す
る。図１は本発明に用いることができる円筒状基体密着
部を有した基体ホルダーの一例を断面図により示したも
のである。図１において１０１は基体ホルダー本体、１
０２は基体ホルダーの一部を構成するホルダーキャップ
であり、基体ホルダー本体１０１から取りはずし可能と
なっている。１０３は円筒状基体、１０４は基体ホルダ
ー本体の一部を構成する円筒状基体密着部である。円筒
状基体密着部１０４は、少なくとも一部が基体材料より
も熱膨張率が大きい材料よりなり、かつ、少なくとも一
部が導電性材料で構成されており基体１０３と基体ホル
ダー本体１０１あるいはホルダーキャップ１０２を電気
的に導通可能である必要がある。基体材料として例えば
アルミニウムを用いる場合、円筒状基体密着部１０４の
少なくとも一部に、亜鉛、鉛、マグネシウム等の金属、
及び、これらを含有し熱膨張率がアルミニウムよりも大
きくなるよう調整された合金等、熱膨張率がアルミニウ
ムより大きな導電性材料を用いる。また、ポリフッ化エ
チレン等の熱膨張率がアルミニウムより大きな樹脂の一
部を導電処理して用いることもできる。また、基体材料
としてＳＵＳ３０４を用いる場合には、上記材料の他、
アルミニウム、銀、銅、ニッケル等が使用可能である。
このような材料を少なくとも一部に用いることにより、
円筒状基体密着部１０４は、昇温前はその外径が基体１
０３の内径よりも小さく、成膜時の所定の温度において
実質的に等しくなるようその外径を設定する。円筒状基
体密着部１０４は必ずしも完全な円筒状である必要はな
く、例えば図１（Ｃ）（Ｄ）に示すように様々な形状が
使用可能であるが、いずれの場合においても円筒状基体
密着部１０４は基体１０３及び基体ホルダー本体１０１
あるいはホルダーキャップ１０２と充分な接触面積を持
ち、更に、それらの間の導電経路の断面積が小さくなり
すぎないように注意する必要がある。これら接触面積、
断面積の使用可能な具体的数値は一義的に決定されるも
のではなく、膜形成時に使用する高周波の周波数、パワ
ー、あるいはプラズマ密度といった膜形成条件、成膜空
間の大きさ、形状等により適宜決定される。

【００２５】また、円筒状基体密着部１０４の外周部に
は緩衝的役割を持たすための補助材を設置しても良い。
具体的には、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｍ
ｇ、等の金属、あるいは、ステンレスなどのこれらの金
属の合金等の導電性材料をスパイラル状に巻いたもの、
網状に編んだもの、多孔状としたものなどが用いられ
る。これら補助材を用いる場合には、上述したように基
体１０３及び基体ホルダー本体１０１あるいはホルダー
キャップ１０２との実質的な接触面積、それらの間の導
電経路の断面積に特に注意する必要がある。また、冷却
空間にガスを導入する場合には冷却空間から外部へのコ
ンダクタンスが極端に大きくならないように注意する。
このような本発明の効果は、成膜空間内に導入される高
周波電力の周波数が５０ＭＨｚ以上４５０ＭＨｚ以下の
範囲において特に大きな効果を得ることができる。これ
は、基体−基体ホルダー間のリアクタンスは周波数と共
に増加するため、５０ＭＨｚ以上においては基体−基体
ホルダー間の導通状態がリアクタンスに大きく影響を及
ぼすためと考えられる。また、４５０ＭＨｚよりも周波
数が高くなると、高周波電極より導入された電力が電極
周辺で消費され、基体に及ぼす影響が減少するため、本
発明の効果はそれ以下の周波数において特に顕著に現れ
るのではないかと考えている。

【００２６】図６は本発明に用いることができるａ―Ｓ
ｉ系感光体製造装置の一例を示した概略図である。図６
（Ａ）は概略断面図、図６（Ｂ）は図６（Ａ）の切断線
Ｂ−Ｂ’に沿う概略断面図である。図６において、６０
１は反応容器、６１２は反応容器６０１の側面に一体的
に形成された排気管、６０５は円筒状基体、６０６は成
膜空間、６０７は発熱体、６０８は回転軸、６０９はモ
ータである。円筒状基体６０５は図１（Ａ）に示した基
体ホルダー６１１に設置されており、基体ホルダー６１
１には円筒状基体密着部６１４が設けられている。高周
波電源６０３より供給された高周波電力はマッチングボ
ックス６０４を経て、高周波電力導入手段６０２より反
応容器６０１中へ供給される。６１３は原料ガス供給手
段であり、所望の原料ガスを反応容器６０１中へ供給す
る。

【００２７】このような本発明を用いたａ−Ｓｉ系感光
体製造装置による堆積膜形成は概略以下のような手順に
より行なうことができる。まず、基体ホルダー６１１に
円筒状基体６０５を設置し、反応容器６０１内の回転軸
６０８に固定する。次いで、反応容器６０１内を不図示
の排気装置により排気管６１２を通して排気する。続い
て、回転軸６０５を介して円筒状基体６０５をモータ６
０９により所定の速度で回転させながら発熱体６０７に
より基体ホルダー６１１を介して円筒状基体６０５を２
００℃〜３００℃程度の所定の温度に加熱・制御する。
この際、基体ホルダー６１１に設けられた円筒状基体密
着部６１４も同時に加熱制御される。円筒状基体６０５
が所定の温度となると、同時に加熱制御された円筒状基
体密着部６１４は熱膨張により円筒状基体６０５と密着
し、円筒状基体６０５と基体ホルダー６１１の電気的導
通を高める。

【００２８】円筒状基体６０５が所定の温度となったと
ころで、原料ガス供給手段６１３を介して、原料ガスを
反応容器６０１内に導入する。原料ガスの流量が設定流
量となり、また、反応容器６０１内の圧力が安定したの
を確認した後、高周波電源６０３の出力値を所望の電力
に設定し、マッチングボックス６０４を介して高周波電
力導入手段６０２へ高周波電力を供給する。高周波電力
導入手段６０２より成膜空間に放射された高周波電力に
より、成膜空間においてグロー放電が生起し、原料ガス
は励起解離して円筒状基体６０５上に堆積膜が形成され
る。所望の膜厚の形成が行なわれた後、高周波電力の供
給を止め、続いて原料ガスの供給を停止して堆積膜の形
成を終える。同様の繰作を複数回繰り返すことによっ
て、所望の多層構造の光受容層が形成される。なお、各
層間においては、上述したように１つの層の形成が終了
した時点で一旦放電を完全に停止し、次層のガス流量、
圧力に設定が変更された後、再度放電を生起して次層の
形成を行なっても良いし、あるいは、１つの層の形成終
了後一定時間でガス流量、圧力、高周波電力を次層の設
定値に徐々に変化させることにより連続的に複数層を形
成しても良い。なお、本発明においては、円筒状基体６
０５、及び円筒状基体密着部６１４の小温に必ずしも発
熱体を用いる必要はなく、例えば、成膜開始前にＡｒ、
Ｈｅ、Ｈ2等の非成膜性ガスプラズマを生起し、これに
より昇温しても良い。また、円筒状基体、基体ホルダ
ー、円筒状基体密着部により囲まれた空間にガスを導入
し、そのガスにより基体の迅速・正確な温度制御を行な
いながら、ａ−Ｓｉ系感光体の堆積膜形成を行なう場合
には、例えば図９に示す装置を用いて行なうことができ
る。

【００２９】図９において（Ａ）は装置の概略図、
（Ｂ）は基体ホルダーの構成を説明するための概略図で
ある。図（Ａ）において、９０１は反応容器、９１２は
反応容器９０１の側面に一体的に形成された排気管、９
０５は円筒状基体、９０６は成膜空間、９０７は発熱
体、９０９はモータである。円筒状基体９０５は回転軸
と一体的に構成された基体ホルダー９１１に設置されて
いる。基体ホルダー９１１は基体ホルダー本体９２１と
キャップ９２２よりなり、各々に円筒状基体密着部９１
４が設けられている。基体ホルダー本体９２１には、ガ
ス導入路９２６が設けられており、ガス導入孔９２５を
通して基体−基体ホルダー間へのガス導入が可能となっ
ている。また、基体−基体ホルダー間に導入されたガス
はガス排出路９２７により排気可能となっている。高周
波電源９０３より供給された高周波電力はマッチングボ
ックス９０４を経て、高周波電力導入手段９０２より反
応容器９０１中へ供給される。９１３は原料ガス供給手
段であり、所望の原料ガスを反応容器９０１中へ供給す
る。

【００３０】このような装置を用いてａ−Ｓｉ系感光体
の作製は例えば、概略以下のような手順で行なうことが
できる。回転軸と一体的に構成された基体ホルダー９１
１にシリンダー９０５を設置し、反応容器９０１内を不
図示の排気装置により排気管９１２を通して充分に排気
する。この際、不図示の排気装置によりガス排出路９２
７、及びガス導入路９２６も排気する。続いて、円筒状
基体９０５をモータ９０９により所定の速度で回転させ
る。同時に、基体ホルダー９１１に設けられたガス導入
路９２６より、ガス導入孔９２５を通して基体−基体ホ
ルダー間へＨｅ、Ｈ2、Ａｒ等のガスを導入し、基体−
基体ホルダー間の圧力が所定の値となるよう、ガス排出
路９２７に接続された不図示の圧力調整手段により調整
する。これらの準備が整ったところで、発熱体９０７に
より基体ホルダー９１１を介して円筒状基体９０５を所
定の温度に加熱・制御する。この際、原料ガス供給手段
９１３を介して反応容器９０１中にＨｅ、Ｈ2、Ａｒ等
のガスを導入しながら加熱・制御しても良い。

【００３１】円筒状基体９０５、及び円筒状基体密着部
９１４が所定の温度となり、安定したところで、原料ガ
ス供給手段９１３を介して、原料ガスを反応容器９０１
内に導入する。原料ガスの流量が設定流量となり、ま
た、反応容器９０１内の圧力が安定したのを確認した
後、高周波電源９０３の出力値を所定の電力に設定し、
マッチングボックス９０４を介して高周波電力導入手段
９０２へ高周波電力を供給し、堆積膜の形成を行う。所
望の膜厚の形成が行なわれた後、高周波電力の供給を止
め、続いて原料ガスの供給を停止して堆積膜の形成を終
える。同様の操作を複数回繰り返すことによって、所望
の多層構造の光受容層が形成される。なお、各層間にお
いては、上述したように１つの層の形成が終了した時点
で一旦放電を完全に停止し、次層のガス流量、圧力に設
定が変更された後、再度放電を生起して次層の形成を行
なっても良いし、あるいは、１つの層の形成終了後一定
時間でガス流量、圧力、高周波電力を次層の設定値に徐
々に変化させることにより連続的に複数層を形成しても
良い。

【００３２】このような本発明を用いて作製しうるａ−
Ｓｉ系感光体の層構成は例えば以下のようなものであ
る。図７は、層構成を説明するための模式的構成図であ
る。図７（ａ）に示す電子写真用感光体７００は、支持
体７０１の上にａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘからなり光導電性を有
する光導電層７０２が設けられている。図７（ｂ）に示
す電子写真用感光体７００は、支持体７０１の上に、ａ
−Ｓｉ：Ｈ，Ｘからなり光導電性を有する光導電層７０
２と、アモルファスシリコン系表面層７０３とから構成
されている。図７（ｃ）に示す電子写真用感光体７００
は、支持体７０１の上に、ａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘからなり光
導電性を有する光導電層７０２と、アモルファスシリコ
ン系表面層７０３と、アモルファスシリコン系電荷注入
阻止層７０４とから構成されている。図７（ｄ）に示す
電子写真用感光体７００は、支持体７０１の上に、光導
電層７０２が設けられている。該光導電層７０２はａ−
Ｓｉ：Ｈ，Ｘからなる電荷発生層７０５ならびに電荷輸
送層７０６とからなり、その上にアモルファスシリコン
系表面層７０３が設けられている。

【００３３】感光体の支持体としては、導電性でも電気
絶縁性であってもよい。導電性支持体としては、Ａｌ、
Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｎｂ、Ｔｅ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐ
ｔ、Ｐｄ、Ｆｅ等の金属、およびこれらの合金、例えば
ステンレス等が挙げられる。また、ポリエステル、ポリ
エチレン、ボリカーボネート、セルロースアセテート、
ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリ
アミド等の合成樹脂のフィルムまたはシート、ガラス、
セラミック等の電気絶縁性支持体の少なくとも光受容層
を形成する側の表面を導電処理した支持体も用いること
ができる。支持体７０１の形状は平滑表面あるいは凹凸
表面の円筒状または板状無端ベルト状であることがで
き、その厚さは、所望通りの電子写真用感光体７００を
形成し得るように適宜決定するが、電子写真用感光体７
００としての可撓性が要求される場合には、支持体７０
１としての機能が充分発揮できる範囲内で可能な限り薄
くすることができる。しかしながら、支持体７０１は製
造上および取り扱い上、機械的強度等の点から通常は１
０μｍ以上とされる。

【００３４】光導電層７０２は支持体７０１上に、所望
特性が得られるように適宜成膜パラメーターの数値条件
が設定されて作成される。光導電層７０２を形成するに
は、基本的にはシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ
供給用の原料ガスと、水素原子（Ｈ）を供給し得るＨ供
給用の原料ガスまたは／及びハロゲン原子（Ｘ）を供給
し得るＸ供給用の原料ガスを、内部が減圧にし得る反応
容器内に所望のガス状態で導入して、該反応容器内にグ
ロー放電を生起させ、あらかじめ所定の位置に設置され
てある所定の支持体７０１上にａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘからな
る層を形成させる。また、光導電層７０２中に水素原子
または／及びハロゲン原子が含有されることが必要であ
るが、これはシリコン原子の未結合手を補償し、層品質
の向上、特に光導電性および電荷保持特性を向上させる
ために必須不可欠であるからである。よって水素原子ま
たはハロゲン原子の含有量、または水素原子とハロゲン
原子の和の量はシリコン原子と水素原子または／及びハ
ロゲン原子の和に対して１０〜４０原子％、より好まし
くは１５〜２５原子％とされるのが望ましい。

【００３５】Ｓｉ供給用ガスとなり得る物質としては、
ＳｉＨ4、Ｓｉ2Ｈ6、Ｓｉ3Ｈ8、Ｓｉ4Ｈ10等のガス状態
の、またはガス化し得る水素化珪素（シラン類）が有効
に使用されるものとして挙げられ、更に層作成時の取り
扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の点でＳｉＨ4、Ｓｉ2
Ｈ6が好ましいものとして挙げられる。そして、形成さ
れる光導電層７０２中に水素原子を構造的に導入し、水
素原子の導入割合の制御をいっそう容易になるように図
り、良好な膜特性を得るために、これらのガスに更にＨ
2および／またはＨｅあるいは水素原子を含む珪素化合
物のガスも所望量混合して層形成することも効果的であ
る。また、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複
数種混合しても差し支えないものである。またハロゲン
原子供給用の原料ガスとして有効なのは、たとえばハロ
ゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲンをふくむハロゲン間
化合物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状
のまたはガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げら
れる。また、さらにはシリコン原子とハロゲン原子とを
構成要素とするガス状のまたはガス化し得る、ハロゲン
原子を含む水素化珪素化合物も有効なものとして挙げる
ことができる。好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には弗素ガス（Ｆ2）、ＢｒＦ、ＣｌＦ、Ｃ
ｌＦ3、ＢｒＦ3、ＢｒＦ5、ＩＦ3、ＩＦ7等のハロゲン
間化合物を挙げることができる。ハロゲン原子を含む珪
素化合物、いわゆるハロゲン原子で置換されたシラン誘
導体としては、具体的には、たとえばＳｉＦ4、Ｓｉ2Ｆ
6等の弗化珪素が好ましいものとして挙げることができ
る。

【００３６】光導電層７０２中に含有される水素原子ま
たは／及びハロゲン原子の量を制御するには、例えば支
持体７０１の温度、水素原子または／及びハロゲン原子
を含有させるために使用される原料物質の反応容器内へ
導入する量、放電電力等を制御すればよい。光導電層７
０２には必要に応じて伝導性を制御する原子を含有させ
ることが好ましい。伝導性を制御する原子は、光導電層
７０２中に万偏なく均一に分布した状態で含有されても
良いし、あるいは層厚方向には不均一な分布状態で含有
している部分があってもよい。前記伝導性を制御する原
子としては、半導体分野における、いわゆる不純物を挙
げることができ、ｐ型伝導特性を与える周期律表第IIIb
族に属する原子（以後「第IIIb族原子」と略記する）ま
たはｎ型伝導特性を与える周期律表第Ｖｂ族に属する原
子（以後「第Ｖｂ族原子」と略記する）を用いることが
できる。第IIIb族原子としては、具体的には、硼素
（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、イ
ンジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）等があり、特に
Ｂ、Ａｌ、Ｇａが好適である。第Ｖｂ族原子としては、
具体的には燐（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓ
ｂ）、ビスマス（Ｂｉ）等があり、特にＰ、Ａｓが好適
である。

【００３７】光導電層７０２に含有される伝導性を制御
する原子の含有量としては、好ましくは１×１０^-2〜１
×１０⁴原子ｐｐｍ、より好ましくは５×１０^-2〜５×
１０³原子ｐｐｍ、最適には１×１０^-1〜１×１０³原子
ｐｐｍとされるのが望ましい。伝導性を制御する原子、
たとえば、第IIIb族原子あるいは第Ｖｂ族原子を構造的
に導入するには、層形成の際に、第IIIb族原子導入用の
原料物質あるいは第Ｖｂ族原子導入用の原料物質をガス
状態で反応容器中に、光導電層７０２を形成するための
他のガスとともに導入してやればよい。第IIIb族原子導
入用の原料物質あるいは第Ｖｂ族原子導入用の原料物質
となり得るものとしては、常温常圧でガス状のまたは、
少なくとも層形成条件下で容易にガス化し得るものが採
用されるのが望ましい。そのような第IIIb族原子導入用
の原料物質として具体的には、硼素原子導入用として
は、Ｂ2Ｈ6、Ｂ4Ｈ10、Ｂ5Ｈ9、Ｂ5Ｈ11、Ｂ6Ｈ10、Ｂ6
Ｈ12、Ｂ6Ｈ14等の水素化硼素、ＢＦ3、ＢＣｌ3、ＢＢ
ｒ3等のハロゲン化硼素等が挙げられる。この他、Ａｌ
Ｃｌ3、ＧａＣｌ3、Ｇａ（ＣＨ3）3、ＩｎＣｌ3、Ｔｌ
Ｃｌ3等も挙げることができる。第Ｖｂ族原子導入用の
原料物質として有効に使用されるのは、燐原子導入用と
しては、ＰＨ3、Ｐ2Ｈ4等の水素化燐、ＰＨ4Ｉ、ＰＦ
3、ＰＦ5、ＰＣｌ3、ＰＣｌ5、ＰＢｒ3、ＰＢｒ5、ＰＩ
3等のハロゲン化燐が挙げられる。この他、ＡｓＨ3、Ａ
ｓＦ3、ＡｓＣｌ3、ＡｓＢｒ3、ＡｓＦ5、ＳｂＨ3、Ｓ
ｂＦ3、ＳｂＦ5、ＳｂＣｌ3、ＳｂＣｌ5、ＢｉＨ3、Ｂ
ｉＣｌ3、ＢｉＢｒ3等も第Ｖｂ族原子導入用の出発物質
の有効なものとして挙げることができる。また、これら
の伝導性を制御する原子導入用の原料物質を必要に応じ
てＨ2および／またはＨｅにより希釈して使用してもよ
い。

【００３８】さらに光導電層７０３に炭素原子及び／ま
たは酸素原子及び／または窒素原子を含有させることも
有効である。炭素原子及び／または酸素原子／及びまた
は窒素原子の含有量はシリコン原子、炭素原子、酸素原
子及び窒素原子の和に対して好ましくは１×１０^-5〜１
０原子％、より好ましくは１×１０^-4〜８原子％、最適
には１×１０^-3〜５原子％が望ましい。炭素原子及び／
または酸素原子及び／または窒素原子は、光導電層中に
万遍なく均一に含有されても良いし、光導電層の層厚方
向に含有量が変化するような不均一な分布をもたせた部
分があっても良い。光導電層７０２の層厚は所望の電子
写真特性が得られること及び経済的効果等の点から適宜
所望にしたがって決定され、好ましくは１〜１００μ
ｍ、より好ましくは２０〜５０μｍ、最適には２３〜４
５μｍとされるのが望ましい。所望の膜特性を有する光
導電層７０２を形成するには、Ｓｉ供給用のガスと希釈
ガスとの混合比、反応容器内のガス圧、放電電力ならび
に支持体温度を適宜設定することが必要である。

【００３９】希釈ガスとして使用するＨ2および／また
はＨｅの流量は、層設計にしたがって適宜最適範囲が選
択される。反応容器内のガス圧も同様に層設計にしたが
って適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合１×１０
^-4〜１０Ｔｏｒｒ、好ましくは５×１０^-4〜５Ｔｏｒ
ｒ、最適には１×１０^-3〜１Ｔｏｒｒとするのが好まし
い。光導電層を形成するための支持体温度、ガス圧の望
ましい数値範囲として前記した範囲が挙げられるが、条
件は通常は独立的に別々に決められるものではなく、所
望の特性を有する光受容部材を形成すべく相互的且つ有
機的関連性に基づいて最適値を決めるのが望ましい。

【００４０】上述のようにして支持体７０１上に形成さ
れた光導電層７０２の上に、更にアモルファスシリコン
系の表面層７０３を形成することが好ましい。この表面
層７０３は主に耐湿性、連続繰り返し使用特性、電気的
耐圧性、使用環境特性、耐久性向上を主たる目的として
設けられる。表面層７０３は、アモルファスシリコン系
の材料であればいずれの材質でも可能であるが、例え
ば、水素原子（Ｈ）及び／またはハロゲン原子（Ｘ）を
含有し、更に炭素原子を含有するアモルファスシリコン
（以下「ａ−ＳｉＣ：Ｈ，Ｘ」と表記する）、水素原子
（Ｈ）及び／またはハロゲン原子（Ｘ）を含有し、更に
酸素原子を含有するアモルファスシリコン（以下「ａ−
ＳｉＯ：Ｈ，Ｘ」と表記する）、水素原子（Ｈ）及び／
またはハロゲン原子（Ｘ）を含有し、更に窒素原子を含
有するアモルファスシリコン（以下「ａ−ＳｉＮ：Ｈ，
Ｘ」と表記する）、水素原子（Ｈ）及び／またはハロゲ
ン原子（Ｘ）を含有し、更に炭素原子、酸素原子、窒素
原子の少なくとも一つを含有するアモルファスシリコン
（以下「ａ−ＳｉＣＯＮ：Ｈ，Ｘ」と表記する）等の材
料が好適に用いられる。

【００４１】表面層７０３は真空堆積膜形成方法によっ
て、所望特性が得られるように適宜成膜パラメーターの
数値条件が設定されて作成される。例えば、ａ−Ｓｉ
Ｃ：Ｈ，Ｘよりなる表面層７０３を形成するには、基本
的にはシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の
原料ガスと、炭素原子（Ｃ）を供給し得るＣ供給用の原
料ガスと、水素原子（Ｈ）を供給し得るＨ供給用の原料
ガスまたは／及びハロゲン原子（Ｘ）を供給し得るＸ供
給用の原料ガスを、内部を減圧にし得る反応容器内に所
望のガス状態で導入して、該反応容器内にグロー放電を
生起させ、あらかじめ所定の位置に設置された光導電層
７０２を形成した支持体７０１上にａ−ＳｉＣ：Ｈ，Ｘ
からなる層を形成すればよい。表面層の材質としてはシ
リコンを含有するアモルファス材料なら何れでも良い
が、炭素、窒素、酸素より選ばれた元素を少なくとも１
つ含むシリコン原子との化合物が好ましく、特にａ−Ｓ
ｉＣを主成分としたものが好ましい。表面層をａ−Ｓｉ
Ｃを主成分として構成する場合の炭素量は、シリコン原
子と炭素原子の和に対して３０％から９０％の範囲が好
ましい。また、表面層７０３中に水素原子または／及び
ハロゲン原子が含有されることが必要であるが、これは
シリコン原子の未結合手を補償し、層品質の向上、特に
光導電性特性および電荷保持特性を向上させるために重
要である。水素含有量は、構成原子の総量に対して通常
の場合３０〜７０原子％、好適には３５〜６５原子％、
最適には４０〜６０原子％とするのが望ましい。また、
弗素原子の含有量として、通常の場合は０．０１〜１５
原子％、好適には０．１〜１０原子％、最適には０．６
〜４原子％とされるのが望ましい。

【００４２】表面層の形成において使用されるシリコン
（Ｓｉ）供給用ガスとなり得る物質としては、ＳｉＨ
4、Ｓｉ2Ｈ6、Ｓｉ3Ｈ8、Ｓｉ4Ｈ10等のガス状態の、ま
たはガス化し得る水素化珪素（シラン類）が有効に使用
されるものとして挙げられ、更に層作成時の取り扱い易
さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の点でＳｉＨ4、Ｓｉ2Ｈ6が
好ましいものとして挙げられる。また、これらのＳｉ供
給用の原料ガスを必要に応じてＨ2、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ
等のガスにより希釈して使用してもよい。炭素供給用ガ
スとなり得る物質としては、ＣＨ4、Ｃ2Ｈ6、Ｃ3Ｈ8、
Ｃ4Ｈ10等のガス状態の、またはガス化し得る炭化水素
が有効に使用されるものとして挙げられ、更に層作成時
の取り扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の点でＣＨ4、
Ｃ2Ｈ6が好ましいものとして挙げられる。また、これら
のＣ供給用の原料ガスを必要に応じてＨ2、Ｈｅ、Ａ
ｒ、Ｎｅ等のガスにより希釈して使用してもよい。窒素
または酸素供給用ガスとなり得る物質としては、ＮＨ
3、ＮＯ、Ｎ2Ｏ、ＮＯ2、Ｏ2、ＣＯ、ＣＯ2、Ｎ2等のガ
ス状態の、またはガス化し得る化合物が有効に使用され
るものとして挙げられる。また、これらの窒素、酸素供
給用の原料ガスを必要に応じてＨ２、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ
等のガスにより希釈して使用してもよい。また、形成さ
れる表面層７０３中に導入される水素原子の導入割合の
制御をいっそう容易になるように図るために、これらの
ガスに更に水素ガスまたは水素原子を含む珪素化合物の
ガスも所望量混合して層形成することが好ましい。ま
た、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合しても差し支えないものである。

【００４３】ハロゲン原子供給用の原料ガスとして有効
なのは、たとえばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲ
ンをふくむハロゲン間化合物、ハロゲンで置換されたシ
ラン誘導体等のガス状のまたはガス化し得るハロゲン化
合物が好ましく挙げられる。また、さらにはシリコン原
子とハロゲン原子とを構成要素とするガス状のまたはガ
ス化し得る、ハロゲン原子を含む水素化珪素化合物も有
効なものとして挙げることができる。本発明に於て好適
に使用し得るハロゲン化合物としては、具体的には弗素
ガス（Ｆ2）、ＢｒＦ、ＣｌＦ、ＣｌＦ3、ＢｒＦ3、Ｂ
ｒＦ5、ＩＦ3、ＩＦ7等のハロゲン間化合物を挙げるこ
とができる。ハロゲン原子を含む珪素化合物、いわゆる
ハロゲン原子で置換されたシラン誘導体としては、具体
的には、たとえばＳｉＦ4、Ｓｉ2Ｆ6等の弗化珪素が好
ましいものとして挙げることができる。表面層７０３中
に含有される水素原子または／及びハロゲン原子の量を
制御するには、例えば支持体７０１の温度、水素原子ま
たは／及びハロゲン原子を含有させるために使用される
原料物質の反応容器内へ導入する量、放電電力等を制御
すればよい。炭素原子及び／または酸素原子及び／また
は窒素原子は、表面層中に万遍なく均一に含有されても
良いし、表面層の層厚方向に含有量が変化するような不
均一な分布をもたせた部分があっても良い。さらに表面
層７０３には必要に応じて伝導性を制御する原子を含有
させることが好ましい。伝導性を制御する原子は、表面
層７０３中に万偏なく均一に分布した状態で含有されて
も良いし、あるいは層厚方向には不均一な分布状態で含
有している部分があってもよい。

【００４４】前記の伝導性を制御する原子としては、半
導体分野における、いわゆる不純物を挙げることがで
き、ｐ型伝導特性を与える周期律表第IIIb族に属する原
子（以後「第IIIb族原子」と略記する）またはｎ型伝導
特性を与える周期律表第Ｖｂ族に属する原子（以後「第
Ｖｂ族原子」と略記する）を用いることができる。第II
Ib族原子としては、具体的には、硼素（Ｂ）、アルミニ
ウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉ
ｎ）、タリウム（Ｔｌ）等があり、特にＢ、Ａｌ、Ｇａ
が好適である。第Ｖｂ族原子としては、具体的には燐
（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス
（Ｂｉ）等があり、特にＰ、Ａｓが好適である。表面層
７０３に含有される伝導性を制御する原子の含有量とし
ては、好ましくは１×１０^-3〜１×１０³原子ｐｐｍ、
より好ましくは１×１０^-2〜５×１０²原子ｐｐｍ、最
適には１×１０^-1〜１×１０²原子ｐｐｍとされるのが
望ましい。伝導性を制御する原子、たとえば、第IIIb族
原子あるいは第Ｖｂ族原子を構造的に導入するには、層
形成の際に、第IIIb族原子導入用の原料物質あるいは第
Ｖｂ族原子導入用の原料物質をガス状態で反応容器中
に、表面層７０３を形成するための他のガスとともに導
入してやればよい。第IIIb族原子導入用の原料物質ある
いは第Ｖｂ族原子導入用の原料物質となり得るものとし
ては、常温常圧でガス状のまたは、少なくとも層形成条
件下で容易にガス化し得るものが採用されるのが望まし
い。そのような第IIIb族原子導入用の原料物質として具
体的には、硼素原子導入用としては、Ｂ2Ｈ6、Ｂ4Ｈ1
0、Ｂ5Ｈ9、Ｂ5Ｈ11、Ｂ6Ｈ10、Ｂ6Ｈ12、Ｂ6Ｈ14等の
水素化硼素、ＢＦ3、ＢＣｌ3、ＢＢｒ3等のハロゲン化
硼素等が挙げられる。この他、ＡｌＣｌ3、ＧａＣｌ3、
Ｇａ（ＣＨ3）3、ＩｎＣｌ3、ＴｌＣｌ3等も挙げること
ができる。第Ｖｂ族原子導入用の原料物質として、有効
に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ3、Ｐ2
Ｈ4等の水素化燐、ＰＨ4Ｉ、ＰＦ3、ＰＦ5、ＰＣｌ3、
ＰＣｌ5、ＰＢｒ3、ＰＢｒ5、ＰＩ3等のハロゲン化燐が
挙げられる。この他、ＡｓＨ3、ＡｓＦ3、ＡｓＣl3、Ａ
ｓＢｒ3、ＡｓＦ5、ＳｂＨ3、ＳｂＦ3、ＳｂＦ5、Ｓｂ
Ｃｌ3、ＳｂＣｌ5、ＢｉＨ3、ＢｉＣｌ3、ＢｉＢｒ3等
も第Ｖｂ族原子導入用の出発物質の有効なものとして挙
げることができる。また、これらの伝導性を制御する原
子導入用の原料物質を必要に応じてＨ2、Ｈｅ、Ａｒ、
Ｎｅ等のガスにより希釈して使用してもよい。表面層７
０３の層厚としては、通常０．０１〜３μｍ、好適には
０．０５〜２μｍ、最適には０．１〜１μｍとされるの
が望ましいものである。層厚が０．０１μｍよりも薄い
と光受容部材を使用中に摩耗等の理由により表面層が失
われてしまい、３μｍを越えると残留電位の増加等の電
子写真特性の低下がみられる。

【００４５】表面層７０３は、その要求される特性が所
望通りに与えられるように注意深く形成される。即ち、
Ｓｉ、Ｃ及び／またはＮ及び／またはＯ、Ｈ及び／また
はＸを構成要素とする物質はその形成条件によって構造
的には結晶からアモルファスまでの形態を取り、電気物
性的には導電性から半導体性、絶縁性までの間の性質
を、又、光導電的性質から非光導電的性質までの間の性
質を各々示すので、本発明においては、目的に応じた所
望の特性を有する化合物が形成される様に、所望に従っ
てその形成条件の選択が厳密になされる。例えば、表面
層７０３を耐圧性の向上を主な目的として設けるには、
使用環境に於いて電気絶縁性的挙動の顕著な非単結晶材
料として作成される。又、連続繰り返し使用特性や使用
環境特性の向上を主たる目的として表面層７０３が設け
られる場合には、上記の電気絶縁性の度合はある程度緩
和され、照射される光に対して有る程度の感度を有する
非単結晶材料として形成される。目的を達成し得る特性
を有する表面層７０３を形成するには、支持体７０１の
温度、反応容器内のガス圧を所望にしたがって、適宜設
定する必要がある。支持体７０１の温度（Ｔｓ）は、層
設計にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、通常の
場合、好ましくは２００〜３５０℃、より好ましくは２
３０〜３３０℃、最適には２５０〜３００℃とするのが
望ましい。反応容器内のガス圧も同様に層設計にしたが
って適宜最適範囲が選択されるが、通常の場合、好まし
くは１×１０^-4〜１０ Ｔｏｒｒ、より好ましくは５×１
０^-4〜５Ｔｏｒｒ、最適には１×１０^-3〜１Ｔｏｒｒと
するのが好ましい。。

【００４６】表面層を形成するための支持体温度、ガス
圧の望ましい数値範囲として前記した範囲が挙げられる
が、条件は通常は独立的に別々に決められるものではな
く、所望の特性を有する光受容部材を形成すべく相互的
且つ有機的関連性に基づいて最適値を決めるのが望まし
い。また表面層７０３と光導電層７０２との間に炭素原
子及び／または酸素原子及び／または窒素原子の含有量
が光導電層７０２に向かって連続的に減少する領域を設
けても良い。これにより表面層と光導電層の密着性を向
上させ、界面での光の反射による干渉の影響をより少な
くすることができると同時に、界面でのキャリアのトラ
ップを防止し、感光体特性向上を達し得る。

【００４７】必要に応じて導電性支持体と光導電層との
間に、導電性支持体側からの電荷の注入を阻止する働き
のある電荷注入阻止層７０４を設けてもよい。すなわ
ち、電荷注入阻止層７０４は感光体が一定極性の帯電処
理をその表面に受けた際、支持体側より光導電層側に電
荷が注入されるのを阻止する機能を有し、逆の極性の帯
電処理を受けた際にはそのような機能は発揮されない、
いわゆる極性依存性を有している。そのような機能を付
与するために、電荷注入阻止層７０４には伝導性を制御
する原子を光導電層に比べ比較的多く含有させる。該層
に含有される伝導性を制御する原子は、該層中に万偏な
く均一に分布されても良いし、あるいは層厚方向には万
偏なく含有されてはいるが、不均一に分布する状態で含
有している部分があってもよい。分布濃度が不均一な場
合には、支持体側に多く分布するように含有させるのが
好適である。しかしながら、いずれの場合にも支持体の
表面と平行面内方向においては、均一な分布で万偏なく
含有されることが面内方向における特性の均一化をはか
る点からも必要である。

【００４８】電荷注入阻止層７０４に含有される伝導性
を制御する原子としては、半導体分野における、いわゆ
る不純物を挙げることができ、ｐ型伝導特性を与える周
期律表第IIIb族に属する原子（以後「第IIIb族原子」と
略記する）またはｎ型伝導特性を与える周期律表第Ｖｂ
族に属する原子（以後「第Ｖｂ族原子」と略記する）を
用いることができる。第IIIb族原子としては、具体的に
は、Ｂ（ほう素），Ａｌ（アルミニウム），Ｇａ（ガリ
ウム），Ｉｎ（インジウム），Ｔａ（タリウム）等があ
り、特にＢ，Ａｌ，Ｇａが好適である。第Ｖｂ族原子と
しては、具体的にはＰ（リン），Ａｓ（砒素），Ｓｂ
（アンチモン），Ｂｉ（ビスマス）等があり、特にＰ，
Ａｓが好適である。

【００４９】電荷注入阻止層７０４中に含有される伝導
性を制御する原子の含有量としては、所望にしたがって
適宜決定されるが、好ましくは１０ 〜１×１０⁴原子ｐ
ｐｍ、より好適には５０〜５×１０³原子ｐｐｍ、最適
には１×１０²〜１×１０³原子ｐｐｍとされるのが望ま
しい。さらに、電荷注入阻止層７０４には、炭素原子、
窒素原子及び酸素原子の少なくとも一種を含有させるこ
とによって、該電荷注入阻止層７０４に直接接触して設
けられる他の層との間の密着性の向上をよりいっそう図
ることができる。該層に含有される炭素原子または窒素
原子または酸素原子は該層中に万偏なく均一に分布され
ても良いし、あるいは層厚方向には万偏なく含有されて
はいるが、不均一に分布する状態で含有している部分が
あってもよい。しかしながら、いずれの場合にも支持体
の表面と平行面内方向においては、均一な分布で万偏な
く含有されることが面内方向における特性の均一化をは
かる点からも必要である。電荷注入阻止層７０４の全層
領域に含有される炭素原子及び／または窒素原子および
／または酸素原子の含有量は、本発明の目的が効果的に
達成されるように適宜決定されるが、一種の場合はその
量として、二種以上の場合はその総和として、好ましく
は１×１０^-3〜５０原子％、より好適には５×１０^-3〜
３０原子％、最適には１×１０^-2〜１０原子％とされる
のが望ましい。また、電荷注入阻止層７０４に含有され
る水素原子および／またはハロゲン原子は層内に存在す
る未結合手を補償し膜質の向上に効果を奏する。電荷注
入阻止層７０４中の水素原子またはハロゲン原子あるい
は水素原子とハロゲン原子の和の含有量は、好適には１
〜５０原子％、より好適には５〜４０原子％、最適には
１０〜３０原子％とするのが望ましい。電荷注入阻止層
７０４の層厚は所望の電子写真特性が得られること、及
び経済的効果等の点から好ましくは０．１〜５μｍ、よ
り好ましくは０．３〜４μｍ、最適には０．５〜３μｍ
とされるのが望ましい。

【００５０】電荷注入阻止層７０４を形成するには、前
述の光導電層を形成する方法と同様の真空堆積法が採用
される。光導電層７０２と同様に、Ｓｉ供給用のガスと
希釈ガスとの混合比、反応容器内のガス圧、放電電力な
らびに支持体７０１の温度を適宜設定することが必要で
ある。希釈ガスであるＨ2および／またはＨｅの流量
は、層設計にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、
Ｓｉ供給用ガスに対しＨ2および／またはＨｅを、通常
の場合１〜２０倍、好ましくは３〜１５倍、最適には５
〜１０倍の範囲に制御することが望ましい。反応容器内
のガス圧も同様に層設計にしたがって適宜最適範囲が選
択されるが、通常の場合１×１０^-4〜１０Ｔｏｒｒ、好
ましくは５×１０^-4〜５Ｔｏｒｒ、最適には１×１０^-3
〜１Ｔｏｒｒとするのが好ましい。電荷注入阻止層７０
４を形成するための希釈ガスの混合比、ガス圧、放電電
力、支持体温度の望ましい数値範囲として前記した範囲
が挙げられるが、これらの層作成ファクターは通常は独
立的に別々に決められるものではなく、所望の特性を有
する表面層を形成すべく相互的且つ有機的関連性に基づ
いて各層作成ファクターの最適値を決めるのが望まし
い。支持体７０１と光導電層７０２あるいは電荷注入阻
止層７０４との間の密着性の一層の向上を図る目的で、
例えば、Ｓｉ3Ｎ4、ＳｉＯ2、ＳｉＯ、あるいはシリコ
ン原子を母体とし、水素原子及び／またはハロゲン原子
と、炭素原子及び／または酸素原子及び／または窒素原
子とを含む非晶質材料等で構成される密着層を設けても
良い。更に、支持体からの反射光による干渉模様の発生
を防止するための光吸収層を設けても良い。

【００５１】以下、実験例により本発明を更に詳しく説
明する。 （実験例１）図６に示す電子写真用感光体の製造装置を
用い、室温（２７℃）において外径７９．９６ｍｍ、内
径７０．００ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アルミニウ
ムシリンダー６０５上に、高周波電源６０３の発振周波
数を１３．５６ＭＨｚ、３０ＭＨｚ、５０ＭＨｚ、１０
０ＭＨｚ、４５０ＭＨｚ、８００ＭＨｚとして表１に示
す条件でａ−Ｓｉ系感光体の形成を行なった。基体ホル
ダー６１１は図１（Ｂ）に示す構成とし、亜鉛製で室温
（２７℃）における外径６９．８８ｍｍ、長さ５０ｍｍ
の円筒状基体密着部１０４を基体ホルダー上部・中央・
下部の３箇所に設置した。また、高周波電力導入手段６
０２は同一円周上に配置された円筒状アルミニウムシリ
ンダー６０５により囲まれた成膜空間６０６の中央に設
置した。基体ホルダー６１１に円筒状基体６０５を設置
し、反応容器６０１内の回転軸６０８に固定した後、反
応容器６０１内を不図示の排気装置により排気管６１２
を通して充分に排気した。続いて、回転軸６０５を介し
て円筒状基体６０５をモータ６０９により１０回転／分
の速度で回転させ、原料ガス供給手段６１３を介して反
応容器６０１中にＡｒを５００ｓｃｃｍ導入し、更に反
応容器６０１中の圧力を不図示の圧力調整手段により４
００ｍＴｏｒｒに調整・維持しながら、発熱体６０７に
より基体ホルダー６１１を介して円筒状基体６０５を３
００℃に加熱・制御した。この際、円筒状基体密着部１
０４の温度は３０３℃であった。

【００５２】円筒状基体６０５、及び円筒状基体密着部
１０４が所定の温度となったところで、原料ガス供給手
段６１３を介して、原料ガスを反応容器６０１内に導入
した。原料ガスの流量が設定流量となり、また、反応容
器６０１内の圧力が安定したのを確認した後、高周波電
源６０３の出力値を所定の電力に設定し、マッチングボ
ックス６０４を介して高周波電力導入手段６０２へ高周
波電力を供給し、阻止層の形成を行なった。所定の膜厚
の形成が行なわれた後、高周波電力の供給を止め、続い
て原料ガスの供給を停止して阻止層の形成を終えた。同
様の操作を複数回繰り返すことによって、光導電層、表
面層を形成した。膜形成中においても円筒状基体６０
５、及び円筒状基体密着部１０４は発熱体６０７により
所定の温度に制御・維持した。

【００５３】このようにして、各周波数毎にａ−Ｓｉ系
感光体の形成を３０回行なった。形成された感光体を本
実験用に改造されたキヤノン製の複写機ＮＰ−６７５０
に設置し、帯電能、感度、光メモリーの３項目について
評価し、特性のばらつきを調べた。次いで、円筒状基体
密着部１０４を除去し、同様にして各周波数毎にａ−Ｓ
ｉ系感光体の形成及び特性ばらつきの評価を行なった。
帯電能、感度、光メモリーの具体的評価方法は以下のよ
うにした。 帯電能・・・複写機の主帯電器に一定の電流を流したと
きの現像器位置での暗部電位を測定する。したがって、
暗部電位が大きいほど帯電能が良好であることを示す。
帯電能測定は感光体母線方向全領域に渡って行ない、そ
の中の最低暗部電位により評価した。 感度・・・現像器位置での暗部電位が一定値となるよう
主帯電器電流を調整した後、原稿に反射濃度０．０１以
下の所定の白紙を用い、現像器位置での明部電位が所定
の値となるよう像露光光量を調整した際の像露光光量に
より評価する。したがって、像露光光量が少ないほど感
度が良好であることを示す。感度測定は感光体母線方向
全領域に渡って行ない、その中の最大像露光光量により
評価した。 光メモリー・・・現像器位置における暗部電位が所定の
値となるよう主帯電器の電流値を調整した後、反射濃度
０．０１以下の白紙を原稿とした際の明部電位が所定の
値となるよう像露光光量を調整する。この状態でキヤノ
ン製ゴーストチャート（部品番号：ＦＹ９−９０４０）
に反射濃度１．１、直径５ｍｍの黒丸を貼りつけたもの
を原稿台に置き、その上にキヤノン製中間調チャート
（部品番号：ＦＹ９−９０４２）を重ねて置いた際のコ
ピー画像において、中間調コピー上に認められるゴース
トチャートの直径５ｍｍの黒丸の反射濃度と中間調部分
の反射濃度との差を測定することにより行なった。

【００５４】上記具体的方法により、全ての感光体を評
価し、その標準偏差により特性ばらつきを評価した。図
８に評価結果を示す。図８より基体ホルダーに円筒状密
着部を設置することで、感光体特性のばらつきが抑制可
能であることが明らかとなった。特に、感光体形成の際
に用いる高周波の周波数が５０ＭＨｚ〜４５０ＭＨｚの
場合には、その効果が顕著に現れることが確認された。

【００５５】

【表１】

【００５６】

【実施例】以下、本発明の実施例について説明するが、
本発明はこれらによりなんら制限されるものではない。 ［実施例１］図６に示す電子写真用感光体の製造装置を
用い、室温（２７℃）において外径７９．９６ｍｍ、内
径７０．００ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アルミニウ
ムシリンダー６０５上に、高周波電源６０３の発振周波
数を５０ＭＨｚとして、表１に示す条件でａ−Ｓｉ系感
光体の作製を１０回行なった。基体ホルダー６１１は図
１（Ｂ）に示す構成とし、鉛製で室温（２７℃）におけ
る外径６９．９５ｍｍ、長さ５０ｍｍの円筒状基体密着
部１０４を基体ホルダー上部・中央・下部の２箇所に設
置した。高周波電力導入手段６０２は同一円周上に配置
された円筒状アルミニウムシリンダー６０５により囲ま
れた成膜空間６０６の中央に設置した。基体ホルダー６
１１にシリンダー６０５を設置し、反応容器６０１内の
回転軸６０８に固定した後、反応容器６０１内を不図示
の排気装置により排気管６１２を通して充分に排気し
た。続いて、回転軸６０５を介して円筒状基体６０５を
モータ６０９により１０回転／分の速度で回転させ、原
料ガス供給手段６１３を介して反応容器６０１中にＡｒ
を５００ｓｃｃｍ導入し、更に反応容器６０１中の圧力
を不図示の圧力調整手段により４００ｍＴｏｒｒに調整
・維持しながら、発熱体６０７により基体ホルダー６１
１を介して円筒状基体６０５を３００℃に加熱・制御し
た。この際、円筒状基体密着部１０４の温度は３０３℃
であった。

【００５７】円筒状基体６０５、及び円筒状基体密着部
１０４が所定の温度となったところで、実験例１と同様
にしてａ−Ｓｉ系感光体を形成した。形成されたａ−Ｓ
ｉ感光体を本テスト用に改造されたキヤノン製の複写機
ＮＰ−６７５０に設置し、以下に示す具体的評価法によ
り、感光体の特性評価を行なった。 画像欠陥・・・キヤノン製中間調チャート（部品番号：
ＦＹ９−９０４２）を原稿台に置き、コピーしたときに
得られたコピー画像の同一面積内にある直径０．１ｍｍ
以上の白点について、その数を数えた。作製された全て
の感光体の平均値で評価した。 帯電能・・・実験例１に示す具体的評価法を用い、全て
の感光体の平均値により評価した。 感度・・・実験例１に示す具体的評価法を用い、全ての
感光体の平均値により評価した。 光メモリー・・・実験例１に示す具体的評価法を用い、
全ての感光体の平均値により評価した。 特性ばらつき・・・「画像欠陥」「帯電能」「感度」
「光メモリー」の４項目各々について標準偏差を求め、
その値により評価した。 評価結果を表２に示す。いずれの項目においても良好な
結果が得られ、また、本実施例により作製された感光体
を用いて得られたコピー画像は画像流れ、濃度むら等も
ない非常に良好なものであった。この結果、本発明によ
り画像欠陥、帯電能、感度、光メモリーを初めとする電
子写真特性に優れたａ−Ｓｉ系感光体が安定して作製さ
れることが確認された。

【００５８】（比較例１）比較例１においては、実施例
１で基体ホルダー６１１上に円筒状基体密着部１０４を
設けない以外は実施例１と同様にして、室温（２７℃）
において外径７９．９６ｍｍ、内径７０．００ｍｍ、長
さ３５８ｍｍの円筒状アルミニウムシリンダー６０５上
に、表１に示す条件でａ−Ｓｉ系感光体の作製を１０回
行なった。作製されたａ−Ｓｉ感光体を実施例１に用い
た本テスト用に改造されたキヤノン製の複写機ＮＰ−６
７５０に設置し、感光体の特性の評価を行なった。評価
項目及び具体的評価法は実施例１と同様とした。評価結
果を表２に示す。「帯電能」、「感度」、「光メモリ
ー」、「特性ばらつき」において実施例１との間に明確
な差が認められた。

【００５９】

【表２】 ［実施例２］実施例２においては、図６に示す電子写真
用感光体の製造装置を用い、室温（２７℃）において外
径２９．９０ｍｍ、内径２４．００ｍｍ、長さ３５８ｍ
ｍの円筒状ＳＵＳ３０４製シリンダー６０５上に、高周
波電源６０３の発振周波数を４５０ＭＨｚとして、表３
に示す条件でａ−Ｓｉ系感光体の作製を１０回行なっ
た。基体ホルダー６１１は図１（Ｃ）に示す構成とし、
マグネシウム製で室温（２７℃）における外径２３．９
３ｍｍ、長さ４０ｍｍの円筒状基体密着部１０４を基体
ホルダー上部・下部の２箇所に設置した。円筒状基体密
着部１０４には幅３ｍｍ、長さ２０ｍｍのスリットが周
方向に６個、等間隔で設けられ、シリンダー６０５と基
体ホルダー６１１間の大気は、このスリットを通しても
排気可能となっている。高周波電力導入手段６０２は同
一円周上に配置された円筒状ＳＵＳシリンダー６０５に
より囲まれた成膜空間６０６の中央に設置した。基体ホ
ルダー６１１にシリンダー６０５を設置し、反応容器６
０１内の回転軸６０８に固定した後、反応容器６０１内
を不図示の排気装置により排気管６１２を通して充分に
排気した。続いて、回転軸６０５を介して円筒状基体６
０５をモータ６０９により１０回転／分の速度で回転さ
せ、原料ガス供給手段６１３を介して反応容器６０１中
にＡｒを５００ｓｃｃｍ導入し、更に反応容器６０１中
の圧力を不図示の圧力調整手段により４００ｍＴｏｒｒ
に調整・維持しながら、発熱体６０７により基体ホルダ
ー６１１を介して円筒状基体６０５を２５０℃に加熱・
制御した。この際、円筒状基体密着部１０４の温度は２
５２℃であった。

【００６０】円筒状基体６０５、及び円筒状基体密着部
１０４が所定の温度となったところで、実験例１と同様
にしてａ−Ｓｉ系感光体を形成した。形成されたａ−Ｓ
ｉ感光体を本テスト用に改造されたキヤノン製の複写機
ＮＰ−６０３０に設置し、実施例１と同様の具体的評価
法により、感光体の特性評価を行なった。評価結果を表
４に示す。いずれの項目においても良好な結果が得ら
れ、また、本実施例により作製された感光体を用いて得
られたコピー画像は画像流れ、濃度むら等もない非常に
良好なものであった。この結果、本発明により画像欠
陥、帯電能、感度、光メモリーを初めとする電子写真特
性に優れたａ−Ｓｉ系感光体が安定して作製されること
が確認された。

【００６１】（比較例２）比較例２においては、実施例
２で基体ホルダー６１１上に円筒状基体密着部１０４を
設けない以外は実施例２と同様にして、室温（２７℃）
において外径２９．９０ｍｍ、内径２４．００ｍｍ、長
さ３５８ｍｍの円筒状ＳＵＳ３０４製シリンダー６０５
上に、表３に示す条件でａ−Ｓｉ系感光体の作製を１０
回行なった。作製されたａ−Ｓｉ感光体を実施例１に用
いた本テスト用に改造されたキヤノン製の複写機ＮＰ−
６０３０に設置し、感光体の特性の評価を行なった。評
価項目及び具体的評価法は実施例１と同様とした。評価
結果を表４に示す。「帯電能」、「感度」、「光メモリ
ー」、「特性ばらつき」において実施例２との間に明確
な差が認められた。

【００６２】

【表３】

【００６３】

【表４】 ［実施例３］実施例３においては、図９に示す電子写真
用感光体の製造装置を用い、室温（２７℃）において外
径７９．９６ｍｍ、内径７０．００ｍｍ、長さ３５８ｍ
ｍの円筒状アルミニウムシリンダー９０５上に、高周波
電源９０３の発振周波数を１００ＭＨｚとして、表５に
示す条件でａ−Ｓｉ系感光体の作製を１０回行なった。
図９において（Ａ）は装置の概略図、（Ｂ）は基体ホル
ダーの構成を説明するための概略図である。図（Ａ）に
おいて、９０１は反応容器、９１２は反応容器９０１の
側面に一体的に形成された排気管、９０５は円筒状基
体、９０６は成膜空間、９０７は発熱体、９０９はモー
タである。円筒状基体９０５は回転軸と一体的に構成さ
れた基体ホルダー９１１に設置されている。基体ホルダ
ー９１１は基体ホルダー本体９２１とキャップ９２２よ
りなり、各々に円筒状基体密着部９１４が設けられてい
る。基体ホルダー本体９２１には、ガス導入路９２６が
設けられており、ガス導入孔９２５を通して基体−基体
ホルダー間へのガス導入が可能となっている。また、基
体−基体ホルダー間に導入されたガスはガス排出路９２
７により排気可能となっている。高周波電源９０３より
供給された高周波電力はマッチングボックス９０４を経
て、高周波電力導入手段９０２より反応容器９０１中へ
供給される。９１３は原料ガス供給手段であり、所望の
原料ガスを反応容器９０１中へ供給する。円筒状基体密
着部９１４は亜鉛製で、室温（２７℃）における外径６
９．９３ｍｍ、長さ５０ｍｍとした。

【００６４】このような装置を用い、感光体の作製は概
略以下のような手順で行なった。回転軸と一体的に構成
された基体ホルダー９１１にシリンダー９０５を設置
し、反応容器９０１内を不図示の排気装置により排気管
９１２を通して充分に排気した。この際、不図示の排気
装置によりガス排出路９２７、及びガス導入路９２６も
排気した。続いて、円筒状基体９０５をモータ９０９に
より１０回転／分の速度で回転させ、原料ガス供給手段
９１３を介して反応容器９０１中にＡｒを５００ｓｃｃ
ｍ導入し、更に反応容器９０１中の圧力を不図示の圧力
調整手段により４００ｍＴｏｒｒに調整・維持した。同
時に、基体ホルダー９１１に設けられたガス導入路９２
６より、ガス導入孔９２５を通して基体−基体ホルダー
間へＨｅを１００ｓｃｃｍ導入し、基体−基体ホルダー
間の圧力が１０Ｔｏｒｒとなるよう、ガス排出路９２７
に接続された不図示の圧力調整手段により調整した。こ
れらの準備が整ったところで、発熱体９０７により基体
ホルダー９１１を介して円筒状基体９０５を２８０℃に
加熱・制御した。この際、円筒状基体密着部９１４の温
度は２８０℃であった。

【００６５】円筒状基体９０５、及び円筒状基体密着部
９１４が所定の温度となったところで、原料ガス供給手
段９１３を介して、原料ガスを反応容器９０１内に導入
した。原料ガスの流量が設定流量となり、また、反応容
器９０１内の圧力が安定したのを確認した後、高周波電
源９０３の出力値を所定の電力に設定し、マッチングボ
ックス９０４を介して高周波電力導入手段９０２へ高周
波電力を供給し、阻止層の形成を行なった。阻止層形成
開始後、円筒状基体９０５の温度が２８０℃となるよう
発熱体９０７の温度、基体−基体ホルダー間へ導入する
Ｈｅ流量、基体−基体ホルダー間の圧力を調整した。所
定の膜厚の形成が行なわれた後、高周波電力の供給を止
め、続いて原料ガスの供給を停止して阻止層の形成を終
えた。同様の操作を複数回繰り返すことによって、光導
電層、表面層を形成した。各層形成中及び、各層間の非
成膜時においても基体９０５の温度は常に２８０℃を維
持するよう、発熱体９０７の温度、基体−基体ホルダー
間へ導入するＨｅ流量、基体−基体ホルダー間の圧力を
調整した。

【００６６】このようにして形成されたａ−Ｓｉ感光体
を本テスト用に改造されたキヤノン製の複写機ＮＰ−６
７５０に設置し、実施例１と同様の具体的評価法によ
り、感光体の特性評価を行なった。評価結果を表６に示
す。いずれの項目においても良好な結果が得られ、ま
た、得られたコピー画像はなんら問題のない極めて良好
なものであった。この結果、本発明により、画像欠陥、
帯電能、感度、光メモリーを初めとする電子写真特性に
優れたａ−Ｓｉ系感光体が安定して作製されることが確
認された。

【００６７】（比較例３−１）比較例３−１において
は、実施例３の基体ホルダー９１１に円筒状基体密着部
９１４を設けず、更にガス導入路９２６、ガス導入孔９
２５、ガス排出路９２７を除去し、基体−基体ホルダー
間へのガス導入を行なわない以外は実施例３と同様にし
て、室温（２７℃）において外径７９．９６ｍｍ、内径
７０．００ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アルミニウム
シリンダー９０５上に、表５に示す条件でａ−Ｓｉ系感
光体の作製を１０回行なった。阻止層、光導電層、表面
層の各層において、基体９０５の温度を２８０℃に維持
する４０ことができず、各々３２５℃、３５０℃、２９
５℃となってしまった。作製されたａ−Ｓｉ感光体は全
て膜剥れを生じており、評価不能であった。

【００６８】（比較例３−２）比較例３−２において
は、図１０に示す電子写真用感光体の製造装置を用い、
室温（２７℃）において外径７９．９６ｍｍ、内径７
０．００ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アルミニウムシ
リンダー９０５上に、高周波電源９０３の発振周波数を
１００ＭＨｚとして、表５に示す条件でａ−Ｓｉ系感光
体の作製を１０回行なった。図１０において（Ａ）は装
置の概略図、（Ｂ）は基体ホルダーの構成を説明するた
めの概略図である。図１０中において、図９中と同番号
が付されているものは、図９における装置構成と同様で
ある。基体ホルダー１０１１は基体ホルダー本体１０２
１とキャップ１０２２よりなり、基体ホルダー本体１０
２１には、冷却手段１０２３が設けられており、冷却用
パイプ内を冷却水が循環可能となっている。

【００６９】このような装置を用い、基体９０５の温度
制御を発熱体９０７、及び冷却手段１０２３により行な
う以外は実施例３と同様の手順で感光体の作製を行なっ
た。阻止層、光導電層においては冷却水の水量を変化さ
せても、基体９０５の温度を２８０℃に維持することが
できず、各々３０５℃、３３０℃となってしまった。作
製されたａ−Ｓｉ感光体の中には部分的に膜剥れを生じ
ているものもあったため、膜剥れが生じていない感光体
のみについて、感光体を実施例３に用いた本テスト用に
改造されたキヤノン製の複写機ＮＰ−６７５０に設置
し、感光体の特性の評価を行なった。評価項目及び具体
的評価法は実施例１と同様とした。評価結果を表６に示
す。「画像欠陥」、「帯電能」、「感度」、「光メモリ
ー」、「特性ばらつき」において実施例３との間に明確
な差が認められた。

【００７０】

【表５】

【００７１】

【表６】 ［実施例４］実施例４においては、図６に示す電子写真
用感光体の製造装置において発熱体６０７が除去された
装置を用い、室温（２７℃）において外径７９．９６ｍ
ｍ、内径７０．００ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アル
ミニウムシリンダー６０５上に、高周波電源６０３の発
振周波数を２００ＭＨｚとして、表７に示す条件でａ−
Ｓｉ系感光体の作製を１０回行なった。感光体の作製は
概略以下の手順で行なった。基体ホルダー６１１にシリ
ンダー６０５を設置し、反応容器６０１内の回転軸６０
８に固定した後、反応容器６０１内を不図示の排気装置
により排気管６１２を通して充分に排気した。続いて、
回転軸６０５を介して円筒状基体６０５をモータ６０９
により１０回転／分の速度で回転させ、原料ガス供給手
段６１３を介して反応容器６０１中に水素を６００ｓｃ
ｃｍ導入し、更に反応容器６０１中の圧力を不図示の圧
力調整手段により５０ｍＴｏｒｒに調整・維持しなが
ら、高周波電源９０３よりマッチングボックス９０４を
介して高周波電力導入手段９０２へ高周波電力を供給
し、成膜空間６０６に水素プラズマを生起し、基体６０
５を昇温した。高周波電源９０３の出力を調整すること
で基体６０５を２９０℃に維持した。

【００７２】円筒状基体６０５の温度が安定した後、原
料ガス供給手段６１３を介して、原料ガスを反応容器６
０１内に導入した。原料ガスの流量が設定流量となり、
また、反応容器６０１内の圧力が安定したのを確認した
後、高周波電源６０３の出力値を所定の電力に設定し、
マッチングボックス６０４を介して高周波電力導入手段
６０２へ高周波電力を供給し、電荷輸送層の形成を行な
った。所定の膜厚の形成が行なわれた後、５分間でガス
流量、圧力、高周波電力を電荷発生層の設定値に徐々に
変化させることにより電荷輪送層と電荷発生層を連続的
に形成した。また、電荷発生層形成終了後、同様にして
電荷発生層と連続的に表面層を形成した。各層形成時の
基体６０５の温度は各々２８５℃、２８５℃、２７５℃
であった。このようにして形成されたａ−Ｓｉ系感光体
を本テスト用に改造されたキヤノン製の複写機ＮＰ−６
７５０に設置し、実施例１と同様の具体的評価法によ
り、感光体の特性評価を行なった。評価結果を表８に示
す。いずれの項目においても良好な結果が得られ、ま
た、得られたコピー画像はなんら問題のない良好なもの
であった。この結果、本発明により、画像欠陥、帯電
能、感度、光メモリーを初めとする電子写真特性に優れ
たａ−Ｓｉ系感光体が安定して作製されることが確認さ
れた。

【００７３】

【表７】

【００７４】

【表８】

【００７５】

【発明の効果】本発明は、以上のように円筒状基体密着
部が該円筒状基体よりも熱膨張率の大きい材料からな
り、かつ、少なくとも該円筒状基体密着部の一部は導電
性材料で構成することにより、少なくとも堆積膜形成時
の昇温による円筒状基体密着部の膨張によって、基体及
び基体ホルダーにこの円筒状基体密着部を密着させ、充
分な断面積を有した経路でこれらを導通させることが可
能となり、高周波−ＰＣＶＤ法を用いたａ−Ｓｉ系感光
体形成において、ロット間での特性ばらつきを抑制する
ことができ、良好な特性を有したａ−Ｓｉ系感光体を高
い良品率で形成可能となる。また、本発明においては、
円筒状基体と前記基体ホルダーとの間に該円筒状基体の
温度を制御するガスを導入するようにすることにより、
広範囲のａ−Ｓｉ系感光体形成条件において基体温度の
正確、迅速な制御が可能となり、特性の低下や膜剥れ等
の弊害がなく、ａ−Ｓｉ系感光体の形成時間を短縮する
ことができ、感光体特性の向上を図ることが可能とな
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に用いることができる基体ホルダーの一
例を示した模式的な構成図である。

【図２】従来のＲＦ帯の周波数を用いたＲＦプラズマＣ
ＶＤ法による電子写真用光受容部材の製造装置の一例を
示した模式的な構成図である。

【図３】従来のＭＷ帯の周波数を用いたＭＷプラズマＣ
ＶＤ法による電子写真用光受容部材の製造装置の一例を
示した模式的な構成図であり、図３（Ａ）は概略断面
図、図３（Ｂ）は図３（Ａ）の切断線Ｂ−Ｂ’に沿う概
略断面図である。

【図４】従来のＶＨＦの周波数を用いたＶＨＦプラズマ
ＣＶＤ法による電子写真用光受容部材の製造装置の一例
を示した模式的な構成図であり、図４（Ａ）はその概略
断面図、図４（Ｂ）は図４（Ａ）の切断線Ｂ−Ｂ’に沿
う概略断面図である。

【図５】従来の基体ホルダーの一例を示した模式的な構
成図である。

【図６】本発明に用いることができる電子写真用光受容
部材の製造装置の一例を示した模式的な構成図である。

【図７】ａ−Ｓｉ系感光体の層構成の一例を示した図で
ある。

【図８】本発明の効果を確認するため行なった実験例の
評価結果を示した図である。

【図９】本発明に用いることができる電子写真用光受容
部材の製造装置の一例を示した模式的な構成図であり、
図９（Ａ）はその概略断面図、図９（Ｂ）は図９（Ａ）
の切断線Ｂ−Ｂ’に沿う概略断面図である。

【図１０】本発明に用いることができる電子写真用光受
容部材の製造装置の一例を示した模式的な構成図であ
り、図１０（Ａ）はその概略断面図、図１０（Ｂ）は図
１０（Ａ）の切断線Ｂ−Ｂ’に沿う概略断面図である。

【符号の説明】

１０１・・・・・・・・・・基体ホルダー本体 １０２・・・・・・・・・・ホルダーキャップ １０３・・・・・・・・・・円筒状基体 １０４・・・・・・・・・・円筒状基体密着部 ２１００・・・・・・・・・・堆積装置 ２１１１・・・・・・・・・・反応容器 ２１１２・・・・・・・・・・円筒状基体 ２１１３・・・・・・・・・・支持体加熱用ヒーター ２１１４・・・・・・・・・・原料ガス導入管 ２１１５・・・・・・・・・・マッチングボックス ２１１６・・・・・・・・・・原料ガス配管 ２１１７・・・・・・・・・・反応容器リークバルブ ２１１８・・・・・・・・・・メイン排気バルブ ２１１９・・・・・・・・・・真空計 ２２００・・・・・・・・・・原料ガス供給装置 ２２１１〜２２１６・・・・・・・・・・マスフローコ
ントローラー ２２２１〜２２２６・・・・・・・・・・原料ガスボン
ベ ２２３１〜２２３６・・・・・・・・・・原料ガスボン
ベバルブ ２２４１〜２２４６・・・・・・・・・・ガス流入バル
ブ ２２５１〜２２５６・・・・・・・・・・ガス流出バル
ブ ２２６１〜２２６６・・・・・・・・・・圧力調整器 ３０１・・・・・・・・・・反応容器 ３０２・・・・・・・・・・誘電体窓 ３０３・・・・・・・・・・導波管 ３０４・・・・・・・・・・排気管 ３０５・・・・・・・・・・円筒状基体 ３０６・・・・・・・・・・成膜空間 ３０７・・・・・・・・・・発熱体 ３０８・・・・・・・・・・回転軸 ３０９・・・・・・・・・・モータ ３１０・・・・・・・・・・減速ギア ３５１・・・・・・・・・・原料ガス導入管 ４０１・・・・・・・・・・反応容器 ４０２・・・・・・・・・・高周波電力導入手段 ４０３・・・・・・・・・・高周波電源 ４０４・・・・・・・・・・マッチングボックス ４０５・・・・・・・・・・円筒状基体 ４０６・・・・・・・・・・成膜空間 ４０７・・・・・・・・・・発熱体 ４０８・・・・・・・・・・回転軸 ４０９・・・・・・・・・・モータ ４１０・・・・・・・・・・減速ギア ４１１・・・・・・・・・・補助部材 ４１２・・・・・・・・・・排気管 ４１３・・・・・・・・・・原料ガス供給手段 ５０１・・・・・・・・・・基体ホルダー本体 ５０２・・・・・・・・・・ホルダーキャップ ５０３・・・・・・・・・・円筒状基体 ５０４・・・・・・・・・・アースばね ６０１・・・・・・・・・・反応容器 ６０２・・・・・・・・・・高周波電力導入手段 ６０３・・・・・・・・・・高周波電源 ６０４・・・・・・・・・・マッチングボックス ６０５・・・・・・・・・・円筒状基体 ６０６・・・・・・・・・・成膜空間 ６０７・・・・・・・・・・発熱体 ６０８・・・・・・・・・・回転軸 ６０９・・・・・・・・・・モータ ６１０・・・・・・・・・・減速ギア ６１１・・・・・・・・・・基体ホルダー ６１２・・・・・・・・・・排気管 ６１３・・・・・・・・・・原料ガス供給手段 ６１４・・・・・・・・・・円筒状基体密着部 ７００・・・・・・・・・・電子写真用感光体 ７０１・・・・・・・・・・支持体 ７０２・・・・・・・・・・光導電層 ７０３・・・・・・・・・・表面層 ７０４・・・・・・・・・・電荷注入阻止層 ７０５・・・・・・・・・・電荷発生層 ７０６・・・・・・・・・・電荷輸送層 ９０１・・・・・・・・・・反応容器 ９０２・・・・・・・・・・高周波電力導入手段 ９０３・・・・・・・・・・高周波電源 ９０４・・・・・・・・・・マッチングボックス ９０５・・・・・・・・・・円筒状基体 ９０６・・・・・・・・・・成膜空間 ９０７・・・・・・・・・・発熱体 ９０８・・・・・・・・・・回転軸 ９０９・・・・・・・・・・モータ ９１０・・・・・・・・・・減速ギア ９１１・・・・・・・・・・基体ホルダー ９１２・・・・・・・・・・排気管 ９１３・・・・・・・・・・原料ガス供給手段 ９１４・・・・・・・・・・円筒状基体密着部 ９２１・・・・・・・・・・基体ホルダー本体 ９２２・・・・・・・・・・ホルダーキャップ ９２５・・・・・・・・・・ガス放出孔 ９２６・・・・・・・・・・ガス導入路 ９２７・・・・・・・・・・ガス排出路 １０１１・・・・・・・・・・基体ホルダー １０２１・・・・・・・・・・基体ホルダー本体 １０２２・・・・・・・・・・ホルダーキャップ １０２３・・・・・・・・・・冷却手段

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 秋山 和敬 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 白砂 寿康 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】真空気密可能な反応容器を備え、該反応容
   器内に原料ガス供給手段より原料ガスを供給し、高周波
   電源より高周波電力を導入して反応容器内にグロー放電
   を生起させ、該反応容器内の基体ホルダーに保持される
   円筒状基体上に堆積膜を形成するプラズマＣＶＤ法によ
   る非晶質シリコン系感光体の形成装置において、 前記基体ホルダーは、少なくとも一部が前記円筒状基体
   に内包される円筒状基体密着部を有し、該円筒状基体密
   着部は該円筒状基体よりも熱膨張率の大きい材料からな
   り、かつ、少なくとも該円筒状基体密着部の一部が導電
   性材料で構成され、少なくとも堆積膜形成時において昇
   温により熱膨張する該円筒状基体密着部を介して前記円
   筒状基体と前記基体ホルダーとを電気的に導通可能とし
   たことを特徴とする非晶質シリコン系感光体の形成装
   置。
2. 【請求項２】前記円筒状基体は、該円筒状基体と該円筒
   状基体の両端を保持する前記基体ホルダーと前記円筒状
   基体密着部とによって囲まれた空間内に、該円筒状基体
   の温度を制御するガス導入手段が設けられていることを
   特徴とする請求項１に記載の非晶質シリコン系感光体の
   形成装置。
3. 【請求項３】前記非晶質シリコン系感光体形成装置は、
   前記円筒状基体密着部を加熱する手段を有していること
   を特徴とする非晶質シリコン系感光体の形成装置。
4. 【請求項４】前記高周波電源は、その周波数が５０ＭＨ
   ｚ以上４５０ＭＨｚ以下であることを特徴とする非晶質
   シリコン系感光体の形成装置。
5. 【請求項５】真空気密可能な反応容器内に原料ガス供給
   手段より原料ガスを供給し、高周波電力を印加して反応
   容器内にグロー放電を生起させ、該反応容器内の基体ホ
   ルダーに保持される円筒状基体上に堆積膜を形成するプ
   ラズマＣＶＤ法による非晶質シリコン系感光体の形成方
   法において、 前記基体ホルダーの一部をなし、少なくとも一部が前記
   円筒状基体に内包される円筒状基体密着部を、該円筒状
   基体よりも熱膨張率が大きい材料で形成し、かつ、少な
   くとも該円筒状基体密着部の一部を導電性材料で構成
   し、少なくとも堆積膜形成時において昇温により熱膨張
   する該円筒状基体密着部を介して、該円筒状基体と該基
   体ホルダーとを電気的に導通させながら堆積膜を形成す
   ることを特徴とする非晶質シリコン系感光体の形成方
   法。
6. 【請求項６】前記堆積膜の形成を、該円筒状基体と前記
   基体ホルダーとの間に該円筒状基体の温度を制御するガ
   スを導入して行うことを特徴とする請求項５に記載の非
   晶質シリコン系感光体の形成方法。
7. 【請求項７】前記高周波電力は、周波数が５０ＭＨｚ以
   上４５０ＭＨｚ以下であることを特徴とする非晶質シリ
   コン系感光体の形成方法。