JP2012151255A - 多数個取り配線基板 - Google Patents

Abstract

【課題】導体部分に被覆された金属メッキ被膜の厚みが均一な多数個取り配線基板を提供する。
【解決手段】複数の絶縁層を積層してなり、厚み方向に沿った平面視で矩形を呈する複数の配線基板ｐを縦横に沿って配列した製品領域と、上記同様に絶縁層を積層してなり、製品領域の外周に沿って位置し且つ平面視が矩形枠状である耳部５と、該耳部５の外側面４に形成したメッキ用電極６と、耳部５に形成され、メッキ用電極６と、製品領域内の最外側に位置する複数の配線基板ｐの導体部分８から延びた接続配線９ｊごと、との間を導通するメッキ用タイバー１５とを含み、該メッキ用タイバー１５の幅は、メッキ用電極６に近接する位置から該メッキ用電極６から離れた位置に向かってテーパ状（漸次的）１５ｔに広くなっている、多数個取り配線基板１ａ。
【選択図】図３

Description

本発明は、複数の配線基板が縦横に配列されており、該配線基板ごとの表面、裏面、あるいはキャビティの底面に形成された導体部分に金属メッキが比較的均一に被覆された多数個取り配線基板に関する。

多数個取り配線基板は、複数の配線基板を縦横に配列してなる製品領域と、該製品領域の周囲に位置する矩形枠状の耳部とからなり、該耳部において対向する一対の耳辺の外側面には、上記配線基板ごとの表面に露出して形成されたパッドなどの導体部分に、例えば、ＮｉメッキおよびＡｕメッキを順次被覆するためのメッキ用電極が複数個ずつ形成されている。該メッキ用電極と、製品領域の最外側に位置する配線基板の導体部分との間は、上記耳部の表面あるいは内部に形成された平面視が矩形枠状のメッキ用タイバーを介して、導通可能とされている。そして、上記メッキ用電極ごとの凹面にメッキ用の棒状電極を挿入して接触させた状態で、所定のメッキ液槽に順次浸漬することによって、上記Ａｕメッキなどを各導体部分に被覆している。

ところで、前記メッキ用電極が形成された耳部の耳辺と、前記製品領域の最外側に位置する配線基板の導体部分ごとから接続配線が延びた耳辺とが互いに直交して隣接する形態の場合、該２つの耳辺が直角に連接するコーナ部に位置する前記メッキ用タイバーには、メッキ用電流が過剰に流れ易くなる。
そのため、前記コーナ部付近のメッキ用タイバーの表面には、Ａｕなどのメッキ被膜が比較的厚めに被覆される反面、製品領域内の特に中心部付近に位置する配線基板の導体部分には、メッキ被膜が比較的薄く被覆され易くなるため、製品領域内の位置ごとに配線基板によって、メッキ被膜の厚みが不均一になる、という問題があった。かかる問題を解決するため、矩形枠状を呈する耳部のうち、該耳部のコーナ部ごとの領域に位置するメッキ用タイバーの幅を、他の直線部に位置するメッキ用タイバーの幅よりも広くした多数個取り配線基板が提案されている（例えば、特許文献１参照）。

しかし、特許文献１の多数個取り配線基板では、メッキ用電極が形成された耳部の耳辺と、製品領域の最外側に位置する配線基板の導体部分ごとから接続配線が延びた耳辺とが共通している形態の多数個取り配線基板には、適用し難い。しかも、メッキ用電極の比較的近くに位置する製品領域の最外側の配線基板に比べて、比較的離れた製品領域の中央側に位置する配線基板までの導通抵抗が大きくならざるを得ない。その結果、最外側の配線基板の導体部分に被覆される金属メッキ被膜の厚みが、中央側の配線基板の導体部分に被覆される金属メッキ被膜の厚みよりも厚くなって、メッキ被膜にバラツキが生じ、引いては、個片化された複数の配線基板の間において、品質が不安定になる、という問題があった。

特開２００６−１００５４６号公報（第１〜１１頁、図１）

本発明は、縦横に複数の配線基板が配列された製品領域と、メッキ用電極が外側面に形成された耳部とを併有し、上記製品領域内のどの位置における配線基板であっても、その表面に位置する導体部分に被覆された金属メッキ被膜の厚みが均一な多数個取り配線基板を提供する、ことを課題とする。

課題を解決するための手段および発明の効果

本発明は、前記課題を解決するため、前記形態の多数個取り配線基板において、メッキ用タイバーの幅をメッキ用電極に近接する位置から該メッキ用電極から離れた位置に向かって広くする、ことに着想して成されたものである。
即ち、本発明の多数個取り配線基板（請求項１）は、複数の絶縁層を積層してなり、厚み方向に沿った平面視で矩形を呈する複数の配線基板を縦横に沿って配列した製品領域と、上記同様に絶縁層を積層してなり、上記製品領域の外周に沿って位置し且つ平面視が矩形枠状である耳部と、該耳部の外側面に形成したメッキ用電極と、上記耳部に形成され、上記メッキ用電極と、上記製品領域内の最外側に位置する複数の配線基板の導体部分から延びた接続配線ごと、との間を導通するメッキ用タイバーとを含み、該メッキ用タイバーの幅は、上記メッキ用電極に近接する位置から該メッキ用電極から離れた位置に向かって広くなっている、ことを特徴とする。

これによれば、前記メッキ用電極と、前記製品領域内の最外側に位置する複数の配線基板の導体部分から延びた接続配線ごと、との間を導通する前記メッキ用タイバーは、上記メッキ用電極に近接する位置から該メッキ用電極から離れた位置に向かって幅が広くなるように前記耳部に形成されている。その結果、メッキ用電極からの電流が直ちに該電極に近接する配線基板に過剰に流れにくくなるので、メッキ用電極の比較的近くに位置する製品領域の最外側の配線基板と、メッキ用電極から比較的離れた製品領域の中央側に位置する配線基板との間において、導通経路の長短に伴う導通抵抗の差を抑制ないし低減できる。
従って、メッキ用電極、メッキ用タイバー、および接続配線を介してメッキ電流が、製品領域のどの位置における配線基板に対しても、比較的均一に流されているので、該配線基板ごとの表面などに位置する導体部分に厚みが近似した金属メッキ被膜の被覆された多数個取り配線基板となっている。

尚、前記絶縁層は、アルミナなどの高温焼成セラミックの層、またはガラス−セラミック層を含む低温焼成セラミックの層、あるいは樹脂層である。
また、前記製品領域は、複数の配線基板を縦横に直接隣接させた形態と、複数の配線基板を絶縁層を介して縦横に配列させた形態との双方を含んでいる。
更に、前記メッキ用タイバーは、複数のセラミック層などが積層されてなる前記耳部の表面、裏面、あるいは複数のセラミック層などの層間に形成されている。
また、前記メッキ用タイバーと、前記製品領域内の最外側に位置する配線基板ごとの導体部分との間は、専用の前記接続導体によって、個別に接続されていると共に、前記製品領域内で隣接する配線基板ごとの導体部同士の間も、同様な中継導体で接続されている。
更に、配線基板の導体部分とは、内部配線層、表面または裏面の接続端子（パッド）、キャビティ底面のパッド、スルーホール導体、あるいはキャビティを囲む表面の封止用導体枠などである。
また、前記製品領域と耳部との間、および製品領域内で隣接する配線基板同士の間には、仮想の切断予定面が位置しているか、あるいは該切断予定面に沿った分割溝が表面および裏面の少なくとも一方に形成されている。
更に、前記耳辺は、矩形枠状の耳部を構成する何れか１つの辺を指す。

また、本発明には、前記メッキ用タイバーの幅は、前記メッキ用電極に近接する位置から該メッキ用電極から離れた位置に向かって、漸次的に広くなっているか、または段階的に広くなっている、多数個取り配線基板（請求項２）も含まれる。
これによれば、前記メッキ用タイバーの幅が、前記メッキ用電極に近接する位置から該メッキ用電極から離れた位置に向かって、漸次的または段階的に広くなるように前記耳部に形成されている。その結果、製品領域のどの位置における配線基板に対しても、比較的均一なメッキ電流が流れるので、配線基板ごとの導体部分に厚みが近似した金属メッキ被膜の被覆された多数個取り配線基板となっている。しかも、セラミック層などからなる複数の絶縁層を積層してなる前記耳部の表面、裏面、あるいは内部の絶縁層間に、製造工程において導電性ペーストを、例えば、テーパ状のように漸次的に幅が変化するか、例えば、階段状のように段階的に幅が変化するパターンで印刷することで、工数を大きく増やしたり、複雑にすることなく、容易に前記メッキ用タイバーを形成することができる。
尚、前記「漸次的」とは、メッキ用電極に近接する位置から該メッキ用電極から離れた位置に向かって、例えば、テーパ状のパターンで幅が広くなることを指している。また、前記「段階的」とは、例えば、複数段の階段形状のパターンで幅が広くなることを指している。

更に、本発明には、前記メッキ用電極は、前記耳部の外側面に複数個が形成され、隣接する２つのメッキ用電極の間を接続する前記メッキ用タイバーの幅は、各メッキ用電極に近接する位置で最も狭く、且つ各メッキ用電極から最も離れた位置で最も広い、多数個取り配線基板（請求項３）も含まれる。
これによれば、製品領域において、前記隣接する２つのメッキ用電極の何れかに比較的接近する外周側の配線基板と、何れのメッキ用電極からも比較的離れている配線基板とのどちらであっても、導通経路の長短に伴う導通抵抗の差が小さいので、該配線基板ごとの導体部分に厚みが近似した金属メッキ被膜の被覆された多数個取り配線基板となっている。

また、本発明には、前記耳部のうち、少なくとも平面視で対向する一対の耳辺ごとに複数のメッキ用電極が形成され、耳辺ごとで隣接する２つのメッキ用電極の間を接続する前記メッキ用タイバーの幅は、各メッキ用電極に近接する位置で最も狭く、且つ各メッキ用電極から最も離れた位置で最も広い、多数個取り配線基板（請求項４）も含まれる。
これによれば、製品領域を挟んで対向する一対の耳辺ごとに複数のメッキ用電極が形成され、各耳辺で隣接する２つのメッキ用電極の間を接続する前記メッキ用タイバーの幅が、各メッキ用電極に近接する位置で最も狭くされ、且つ各メッキ用電極から最も離れた位置で最も広くなっている。その結果、製品領域におけるどの位置の配線基板に対しても、比較的均一なメッキ電流が流されているので、配線基板ごとの導体部分に厚みが近似した金属メッキ被膜の被覆された多数個取り配線基板となっている。

更に、本発明には、前記メッキ用タイバーの厚みは、前記メッキ用電極に近接する位置から該メッキ用電極から離れた位置に向かって厚くなっている、多数個取り配線基板（請求項５）も含まれる。
これによれば、メッキ用タイバーは、メッキ用電極に近接する位置から該メッキ用電極から離れた位置に向かって、幅と共に厚みも増大しているので、製品領域におけるどの位置の配線基板であっても、メッキ用電極との導通経路の長短に伴う導通抵抗の差を一層低減している。従って、配線基板ごとの導体部分に厚みが近似した金属メッキ被膜の被覆された多数個取り配線基板となっている。しかも、耳部の表・裏面の幅寸法を抑制できのため、多数個取り配線基板の小型化も可能となる

加えて、本発明には、前記メッキ用タイバーの厚みは、前記メッキ用電極に近接する位置から該メッキ用電極から離れた位置に向かって、漸次的に広くなっているか、または段階的に厚くなっている、多数個取り配線基板（請求項６）も含まれる。
これによれば、メッキ用タイバーは、メッキ用電極に近接する位置から該メッキ用電極から離れた位置に向かって、幅と共に厚みも漸次的または段階的に増大しているので、製品領域におけるどの位置の配線基板であっても、メッキ用電極との導通経路の長短に伴う導通抵抗の差を一層確実に低減することが可能となる。
尚、前記メッキ用タイバーにおいて、該タイバーの幅と共に厚みも大となる部分には、耳部の表面または裏面から外側に突出する形態、あるいは該耳部の内部に食い込む形態とが含まれる。

本発明による一形態の多数個取り配線基板を示す平面図。 図１中のＸ−Ｘ線の矢視に沿った垂直断面図。 図２中のＹ−Ｙ線の矢視に沿った水平断面図。 本発明による異なる形態の多数個取り配線基板を示す平面図。 図４中のＺ−Ｚ線の矢視に沿った垂直断面図。 図５中で左側に示す部分の拡大断面図。 上記多数個取り配線基板の応用形態を示す部分平面図。 前記多数個取り配線基板の変形形態を示す部分平面図。 上記多数個取り配線基板の応用形態を示す部分平面図。 別異な形態の多数個取り配線基板を示す部分平面図。 図１０中のＵ−Ｕ線の矢視に沿った垂直断面図。 別なる形態の多数個取り配線基板を示す部分平面図。 図１２中のＶ−Ｖ線の矢視に沿った垂直断面図。

以下において、本発明を実施するための形態について説明する。
図１は、本発明による一形態の多数個取り配線基板１ａを示す平面図、図２は、図１中のＸ−Ｘ線の矢視に沿った垂直断面図、図３は、図２中のＹ−Ｙ線の矢視に沿った水平断面図である。
多数個取り配線基板１ａは、図１〜図３に示すように、表面２および裏面３を有し且つ２層（複数）のセラミック層（絶縁層）ｓ１，ｓ２を積層してなり、厚み方向に沿った平面視で長方形（矩形）を呈する複数の配線基板ｐを縦横に沿って配列した製品領域Ｐａと、上記と同じセラミック層ｓ１，ｓ２を積層してなり、上記製品領域Ｐａの外周に沿って位置し且つ平面視が矩形枠状の耳部５と、該耳部５のうち、図１，図３で左右一対の耳辺５の外側面４に一対（複数）ずつ形成したメッキ用電極６と、を含んでいる。該メッキ用電極６は、耳部５の外側面４に設けた平面視がほぼ半円形の凹部７の内壁面に沿ったほぼ半円筒体である。
尚、上記表面２および裏面３は、製品領域Ｐａと耳部５とに共通している。
また、上記セラミック層ｓ１，ｓ２は、例えば、アルミナを主成分としている。
更に、図１，図３中の破線は、仮想の切断予定面ｃｆを示している。

図１，図２に示すように、製品領域Ｐａの表面２には、縦横に隣接する４個の配線基板ｐの各隅部に跨り且つ平面視が比較的大きな正方形の表面導体１０と、製品領域Ｐａの最外側に沿って隣接する２個の配線基板ｐの各隅部に跨り且つ平面視が長方形の表面導体１１と、製品領域Ｐａの四隅に位置する配線基板ｐの各外隅部に形成され且つした平面視が比較的小さな正方形の表面導体１２と、が形成されている。即ち、追って切断予定面ｃｆに沿って個片化された際に、得られる配線基板ｐごとの表面２の四隅には、追って４個のパッドが個別に形成される。
図２，図３に示すように、前記セラミック層ｓ１，ｓ２間の耳部５のうち、左右一対の長辺の耳辺５には、メッキ用タイバー１５が対向して形成され、上下一つの短辺の耳辺５には、接続用タイバー１８が対向して形成されている。上記メッキ用タイバー１５は、接続線１４を介してメッキ用電極６の中央部と接続し且つ該メッキ用電極６に近接する位置１６から、上記メッキ用電極６より最も離れた位置１７に向かって、幅がテーパ状（漸次的）１５ｔに広くなるように形成されている。上下に隣接するメッキ用電極６，６間に位置するメッキ用タイバー１５においても、各メッキ用電極６から最も離れた位置１７に向かって漸次的に広くなっている。一方、左右の上記メッキ用タイバー１５の上・下端の位置１７，１７間を接続する上下の各接続用タイバー１８は、幅が一定の帯状を呈している。

図２，図３に示すように、前記セラミック層ｓ１，ｓ２間には、耳部５の内周側と製品領域Ｐａの最外側に沿って配列された複数の配線基板ｐの外隅、あるいは、製品領域Ｐａ内で隣接する４個の配線基板ｐの各隅部に跨って形成された平面視がほぼ正方形の配線部（導体部分）８と、該配線部８，８同士間を接続する平面視がクランク形状の連絡配線９と、最外側の配線部８と前記メッキ用タイバー１５とを接続する接続導体９ｊとが形成されている。上記配線部８ごとの中心部には、前記セラミック層ｓ１，ｓ２を厚み方向に貫通するスルーホールｈが位置しており、該スルーホールｈの内壁面に沿って円筒形状のスルーホール導体ｔｄが形成されている。該スルーホール導体ｔｄを介して、各配線部８と前記表面導体１０，１１，１２とが導通可能されている。図２に示すように、セラミック層ｓ２側の裏面３には、前記表面導体１０〜１２と同様な複数の裏面導体１９が形成されている。該裏面導体１９も、上記スルーホール導体ｔｄを介して、各配線部８および前記表面導体１０〜１２と個別に導通可能されている。

即ち、追って切断予定面ｃｆに沿って個片化した際の配線基板ｐごとのセラミック層ｓ１，ｓ２間には、四隅付近に電気的に独立した４個の配線部が配設され、これらの配線部は四隅の外側面に露出する凹溝導体を介して、表面２側のパッドや裏面３側の裏面導体と導通される。
尚、前記メッキ用電極６、配線部８、連絡配線９、接続導体９ｊ、表面導体１０〜１２、メッキ用タイバー１５、接続用タイバー１８、裏面導体１９、スルーホール導体ｔｄは、例えば、ＷあるいはＭｏからなる。
また、前記メッキ用タイバー１５は、追って前記セラミック層ｓ２となるグリーンシートの表面に、Ｗ粉末などを含む導電性ペーストを、前記パターンに倣って印刷した後、常法により積層・焼成することで、容易に形成されたものである。

以上のような多数個取り配線基板１ａによれば、セラミック層ｓ１，ｓ２間の耳部５において、左右一対の耳辺５に対向して形成された一対のメッキ用タイバー１５の幅は、前記一対のメッキ用電極６に近接する位置１６から該メッキ用電極６から離れた位置１７に向かって、テーパ状（漸次的）１５ｔに広くなっている。その結果、メッキ用電極６の比較的近くに位置する製品領域Ｐａの最外側の配線基板ｐと、メッキ用電極６から比較的離れた製品領域Ｐａの中央側に位置する配線基板ｐとの間においても、導通経路の長短に伴う導通抵抗の差が小さくされている。従って、メッキ用電極６、メッキ用タイバー１５、接続配線９ｊ、および接続線９を介してメッキ電流が、製品領域Ｐａのどの位置における配線基板ｐに対しても、比較的均一に流されるため、配線基板ｐごとの表・裏面導体１０〜１２，１９にＮｉメッキ被膜やＡｕメッキ被膜が近似した厚みで被覆した多数個取り配線基板１ａとされている。

図４は、異なる形態の多数個取り配線基板１ｂを示す平面図、図５は、図４中のＺ−Ｚ線の矢視に沿った垂直断面図、図６は、図５中で左側に示す部分の拡大断面図である。
多数個取り配線基板１ｂは、図４〜図６に示すように、表面２および裏面３を有し且つ３層のセラミック層ｓ１〜ｓ３を積層してなり、厚み方向に沿った平面視で長方形を呈する複数の配線基板ｐを互いに離隔しつつ縦横に沿って配列した製品領域Ｐａと、上記と同じセラミック層ｓ１〜ｓ３を積層してなり、上記製品領域Ｐａの外周に沿って位置し且つ平面視が矩形枠状の耳部５と、該耳部５のうち、図４で左右一対の耳辺５の外側面４に一対ずつ形成した前記同様のメッキ用電極６と、を含んでいる。
尚、セラミック層ｓ１〜ｓ３も、例えばアルミナを主成分としている。

図４に示すように、前記セラミック層ｓ１の表面２の耳部５のうち、左右一対の長辺の耳辺５には、メッキ用タイバー２５が対向して形成され、上下一つの短辺の耳辺５には、接続用タイバー２８が対向して形成されている。上記メッキ用タイバー２５は、接続線１４を介してメッキ用電極６の中央部と接続し且つ該メッキ用電極６に近接する位置２６から、上記メッキ用電極６から最も離れた位置２７に向かって、幅が階段状（段階的）２５ｓに広くなるように形成されている。上下に隣接するメッキ用電極６，６間に位置するメッキ用タイバー２５においても、各メッキ用電極６から最も離れた位置２７に向かって段階的に広くなっている。一方、左右の上記メッキ用タイバー２５の上・下端の位置２７，２７間を接続する上下の各接続用タイバー２８は、幅が一定の帯状を呈している。

図４〜図６に示すように、製品領域Ｐａ内において、互いに離れて縦横に配列された複数の配線基板ｐは、表面２に開口し且つ平面視が長方形を呈するキャビティ２３を有し、該キャビティ２３の周囲を囲むセラミック層ｓ１の表面２に沿って平面視が長方形の封止用の導体枠（導体部分）２０が個別に形成されている。左右に隣接する配線基板ｐ，ｐの導体枠２０，２０間は、接続線２１を介して接続され、製品領域Ｐａの最外側に位置する配線基板ｐごとの導体枠２０は、接続導体２２を介して左右のメッキ用タイバー２５と個別に接続されている。
個々の配線基板ｐにおいて、キャビティ２３の底面に露出する最下層のセラミック層ｓ３の表面には、一対の接続端子２４が形成され、該接続端子２４は、図６に示すように、セラミック層ｓ３の裏面３に形成された一対の裏面導体２９と、該セラミック層ｓ３を貫通するスルーホール導体ｔｄを介して個別に導通可能とされている。更に、配線基板ｐごとにおける一対の裏面導体２９は、セラミック層ｓ１〜ｓ３を貫通するスルーホール導体ｔｄを介して、表面２側の導体枠２０と個別に導通可能とされている。

即ち、図４〜図６に示すように、左右の耳辺５に位置するメッキ用電極６は、接続線１４、メッキ用タイバー２５、接続導体２２、および接続線２１を介して、配線基板ｐごとの導体枠２０と導通可能され、個々の配線基板ｐでは、長短２種類のスルーホール導体ｔｄを介して、導体枠２０と一対の接続端子２４とが個別に導通可能とされている。
尚、図５，図６中の破線で示す切断予定面ｃｆは、平面視で個々の配線基板ｐにおける導体枠２０における四辺の外側辺に沿っている。
また、前記導体枠２０、配線線２１、接続配線２２、接続端子２４、メッキ用タイバー２５、接続用タイバー２８、裏面導体２９、スルーホール導体ｔｄは、例えば、ＷあるいはＭｏからなる。
更に、前記メッキ用タイバー２５は、追って前記セラミック層ｓ１となるグリーンシートの表面に、Ｗ粉末などを含む導電性ペーストを、前記パターンに倣って印刷した後、常法により積層・焼成することで、容易に形成されている。
加えて、切断予定面ｃｆに沿って個片化された後の配線基板ｐにおいて、導体枠２０は、キャビティ２３の開口部を閉塞する金属製の蓋板とのロウ付けに活用され、且つ一対の接続端子２３を含む回路におけるアースを兼ねるものでもある。

以上のような多数個取り配線基板１ｂによれば、セラミック層ｓ１の表面２における左右一対の耳辺（耳部）５に対向して形成された一対のメッキ用タイバー２５の幅は、前記一対のメッキ用電極６に近接する位置２６から該メッキ用電極６より離れた位置２７に向かって、階段状（段階的）２５ｓに広くなっている。その結果、メッキ用電極６の比較的近くに位置する製品領域Ｐａの外周側の配線基板ｐと、メッキ用電極６から比較的離れた製品領域Ｐａの中央側に位置する配線基板ｐとの間においても、導通経路の長短に伴う導通抵抗の差が抑制されている。
従って、メッキ用電極６、メッキ用タイバー２５、接続配線２２、および接続線２１を介してメッキ電流が、製品領域Ｐａのどの位置における配線基板ｐに対しても、比較的均一に流されるため、配線基板ｐごとの導体枠２０、接続端子２４、裏面導体２９の表面に、Ｎｉメッキ被膜やＡｕメッキ被膜が近似した厚みで被覆した多数個取り配線基板１ｂとされている。

図７は、前記配線基板１ｂの応用形態である多数個取り配線基板１ｃを示す部分平面図である。
多数個取り配線基板１ｃは、図７に示すように、前記導体枠２０、接続端子２４、キャビティ２３などを含む複数の配線基板ｐを縦横に配列した前記同様の製品領域Ｐａと、その外側に位置する前記同様の耳部５とを備えている。該多数個取り配線基板１ｃが前記配線基板１ｂと相違するのは、左右の耳辺（耳部）５の表面２に形成されたメッキ用タイバー２５が、該耳辺５の外側面４に設けたメッキ用電極６の中央部と直に接続し且つ該メッキ用電極６に近接する位置２６から、上記メッキ用電極６より最も離れた位置２７に向かって、幅がテーパ状（漸次的）２５ｔに広くなるように形成されていることである。
また、上下の耳辺５の表面２に、上記位置２７に隣接する位置の幅が狭く且つ各耳辺５の中央部に向かって幅がテーパ状（漸次的）２８ｔに広くなったメッキ用タイバー２８ｂが形成されていること、および図７の縦方向に沿って、上記メッキ用タイバー２８ｂと、製品領域Ｐａ内の外周側に位置する配線基板ｐごとの導体枠２０との間を接続する接続配線２２ｊ、および縦方向に隣接する配線基板ｐごとの導体枠２０，２０間を接続する接続線２１ｉとを更に形成したことも、前記配線基板１ｂとの相違点である。

以上のような多数個取り配線基板１ｃによれば、左右一対のメッキ用タイバー２５によって、前記配線基板１ｂと同様な効果が得られるのに加え、上下一対のメッキ用タイバー２８ｂ、縦方向に沿った接続配線２２ｊ、および接続線２１ｉが更に併設されることで、表面２における複数の配線基板ｐごとの導体枠２０を縦方向に沿った経路においても、各メッキ用電極６との距離の差を、製品領域Ｐａ内のどの位置であっても、一層低減ないし抑制して均一化することができる。従って、各メッキ用電極６に給電されたメッキ電流が、製品領域Ｐａのどの位置における配線基板ｐに対しても、比較的均一に流されるため、配線基板ｐごとの導体枠２０などの表面にＮｉおよびＡｕメッキ皮膜を一層均一な厚みで被覆した多数個取り配線基板１ｃとすることができる。
尚、前記多数個取り配線基板１ｂにおいても、前記接続用タイバー２８に替えて、メッキ用タイバー２８ｂあるいは段階的に幅が変化するメッキ用タイバーを設け、更に前記接続配線２２ｊおよび接続線２１ｉを追加した形態としても良い。
また、前記多数個取り配線基板１ａにおいても、前記接続用タイバー１８に替えて、メッキ用タイバー２８ｂあるいは段階的に幅が変化するメッキ用タイバーを設け、更に縦方向に沿った接続配線および接続線を追加した形態としても良い。
更に、前記多数個取り配線基板１ａ，１ｂの接続用タイバー１８，２８と配線基板ｐごとの間に、縦方向に沿った接続配線（２２ｊ）および接続線（２１ｉ）を追加した形態としても良い。

図８は、前記多数個取り配線基板１ａの変形形態１ｄを示す部分平面図である。
多数個取り配線基板１ｄは、図８に示すように、前記セラミック層ｓ１，ｓ２間における左右一対の耳辺５に、メッキ用電極６に近接する位置１６から該メッキ用電極６より離れた位置１７に向かって、階段状（段階的）１５ｓに広くなっているメッキ用タイバー１５を個別に形成したものであり、前記多数個取り配線基板１ａと同様な効果を奏することが可能である。
図９は、前記多数個取り配線基板１ｄの応用形態１ｅを示す部分平面図である。
多数個取り配線基板１ｅは、図９に示すように、幅が階段状（段階的）１５ｓに変化する左右一対の前記メッキ用タイバー１５に加え、上下の耳辺５に、前記位置１７に隣接する位置の幅が狭く且つ各耳辺５の中央部に向かって幅が階段状（段階的）１８ｓに広くなるメッキ用タイバー１８ｂが形成されると共に、および図９の縦方向に沿って、上記メッキ用タイバー１８ｂと、製品領域Ｐａ内の外周側に位置する配線基板ｐごとの配線部８との間を接続する接続配線９ｋ、および縦方向に隣接する配線基板ｐごとの配線部８，８間を接続する接続線９ｉを更に追加して形成している。

以上のような多数個取り配線基板１ｅによれば、前記多数個取り配線基板１ａ，１ｄによる効果に加え、上下一対のメッキ用タイバー１８ｂ、縦方向に沿った接続配線９ｋ、および接続線９ｉが更に併設されることで、複数の配線基板ｐごとの配線部８，８の縦方向に沿った経路においても、各メッキ用電極６との距離の差を、製品領域Ｐａ内のどの位置であっても、一層低減ないし抑制して均一化することができる。従って、各メッキ用電極６に給電されたメッキ電流が、製品領域Ｐａのどの位置における配線基板ｐに対しても、比較的均一に流されているため、配線基板ｐごとの導体部８などの表面にＮｉメッキ皮膜およびＡｕメッキ皮膜を一層均一な厚みで被覆した多数個取り配線基板１ｅとなっている。
尚、前記多数個取り配線基板１ａにおいても、前記接続用タイバー１８に替えて、メッキ用タイバー１８ｂあるいは漸次的に幅が変化するメッキ用タイバーを設け、更に縦方向に沿った接続配線および接続線を追加した形態としても良い。

図１０は、前記配線基板１ｃの応用形態である多数個取り配線基板１ｆを示す部分平面図、図１１は、図１０中のＵ−Ｕ線の矢視に沿った垂直断面図である。
多数個取り配線基板１ｆは、図１０に示すように、前記導体枠２０、接続端子２４、キャビティ２３などを含む複数の配線基板ｐを縦横に配列した前記同様の製品領域Ｐａと、その外側に位置する前記同様の耳部５とを備え、対向する一対の耳辺５には、メッキ用タイバー２５の幅が、該耳辺５の外側面４に設けたメッキ用電極６の中央部と接続線１４を介して接続し且つ該メッキ用電極６に近接する位置２６から、上記メッキ用電極６より最も離れた位置２７に向かって、テーパ状（漸次的）２５ｔに広くなるように形成されている。
更に、多数個取り配線基板１ｆでは、図１１に示すように、メッキ用タイバー２５の厚みが、前記メッキ用電極６に近接する位置２６から、該メッキ用電極６より最も離れた位置２７ｖに向かって、テーパ状（漸次的）２５ｔｖに外向きに厚くされている。また、隣接する一対のメッキ用電極６，６間においても、メッキ用タイバー２５の厚みが、前記メッキ用電極６に近接する位置２６から、各メッキ用電極６より最も離れた位置２７ｖに向かって、テーパ状（漸次的）２５ｔｖに厚くなっている。

図１２は、前記配線基板１ｂの応用形態である多数個取り配線基板１ｇを示す部分平面図、図１３は、図１２中のＶ−Ｖ線の矢視に沿った垂直断面図である。
多数個取り配線基板１ｇは、図１２に示すように、前記同様の製品領域Ｐａと耳部５とを備え、対向する一対の耳辺５には、メッキ用タイバー２５の幅が、該耳辺５の外側面４に設けたメッキ用電極６の中央部と接続線１４を介して接続し且つ該メッキ用電極６に近接する位置２６から、上記メッキ用電極６より最も離れた位置２７に向かって、階段状（段階的）２５ｓに広くなるように形成されている。更に、多数個取り配線基板１ｇでは、図１２に示すように、メッキ用タイバー２５の厚みが、前記メッキ用電極６に近接する位置２６から、該メッキ用電極６より最も離れた位置２７ｖに向かって、階段状（段階的）２５ｓｖに外向きに厚くされている。また、隣接する一対のメッキ用電極６，６間においても、メッキ用タイバー２５の厚みが、前記メッキ用電極６に近接する位置２６から、各メッキ用電極６より最も離れた位置２７ｖに向かって、階段状（段階的）２５ｓｖに厚くなっている。尚、前記メッキ用タイバー２５の幅と厚みとは、前記位置２６，２７間の同じ位置で段階的に広くなり且つ厚くしたが、幅と厚みとの変化が前記同様であれば、前記位置２６，２７間の異なる位置で変化させても良い。

以上のような多数個取り配線基板１ｆ，１ｇによれば、メッキ用タイバー２５の厚みを、前記位置２６，２７間において幅の拡がる変化と同様に変化させたので、製品領域Ｐａ内のどの位置の配線基板ｐであっても、各メッキ用電極６との距離の差を、一層均一化することができる。従って、各メッキ用電極６に給電されたメッキ電流が、どの位置における配線基板ｐに対しても、比較的均一に流されるので、配線基板ｐごとの導体枠２０などの表面にＮｉおよびＡｕメッキ皮膜を一層均一な厚みで被覆した多数個取り配線基板１ｆ，１ｇとなっている。
尚、配線基板１ｆ，１ｇにおけるメッキ用タイバー２５の厚みは、セラミック層ｓ１の内部に向かって漸次的または段階的に厚くなるような形態にしても良い。
また、前記多数個取り配線基板１ａ，１ｄ，１ｅについても、前記メッキ用タイバー１５の厚みを、前記位置１６，１７間において幅の拡がる変化と同様に変化させることで、製品領域Ｐａ内のどの位置の配線基板ｐであっても、各メッキ用電極６との距離の差を、一層均一化することが可能である。

本発明は、以上において説明した各形態に限定されるものではない。
例えば、絶縁層は、前記アルミナ以外の高温焼成セラミック、あるいは低温焼成セラミックの一種であるガラス−セラミック、更には、エポキシなどの樹脂からなるものとしても良い。このうち、ガラス−セラミックやエポキシ系樹脂を用いた場合、前記メッキ用電極６、導体部８、メッキ用タイバー１５，２５、導体枠２０などの導体は、Ｃｕ、Ａｇ、Ｃｕ合金、あるいはＡｇ合金が適用される。
また、前記メッキ用電極６は、耳部５の同じ耳辺５に１個のみ設けたり、あるいは３個以上を併設した形態としても良い。
更に、前記メッキ用電極６は、耳部５における四辺の耳辺５ごとに、１個以上を同数あるいは異なる数にして形成しても良い。かかる形態では、四辺の耳辺５ごとに、前記メッキ用タイバー１５，２５が配設される。
また、前記メッキ用タイバー１５は、複数の絶縁層のうち、最上層の絶縁層の表面に配設しても良く、前記メッキ用タイバー２５は、複数の絶縁層の間に配設しても良い。

更に、前記「漸次的」には、メッキ用電極に近接する位置から該メッキ用電極から離れた位置に向かって、曲線状に（カーブして）幅が拡がる形態も含まれる。
また、前記「段階的」には、メッキ用電極に近接する位置から該メッキ用電極から離れた位置に向かって、傾斜した複数の斜辺を介して幅が段階的に順次拡がる形態も含まれる。
更に、前記多数個取り配線基板１ａ〜１ｇにおいて、製品領域Ｐａと耳部５との境界や、配線基板ｐ，ｐ間の境界に破線で示す仮想の切断予定面ｃｆを配置した形態では、かかる切断予定面ｃｆに沿ってシンター（剪断）加工することで、各配線基板ｐが個片化される。
加えて、前記多数個取り配線基板１ａ〜１ｇにおいて、前記切断予定面ｃｆに替えて、表面２に開口する断面ほぼＶ字形の分割溝を形成したり、表面２と裏面３との双方に断面ほぼＶ字形の分割溝を一対対称に形成し、該分割溝に沿って曲げ加工することで、各配線基板ｐを個片化するようにしても良い。

縦横に複数の配線基板が配列された製品領域と、メッキ用電極が外側面に形成された耳部とを併有し、上記製品領域内のどの位置における配線基板でも、導体部分に被覆された金属メッキ被膜の厚みが均一な多数個取り配線基板を確実に提供することができる。

１ａ〜１ｇ……………………多数個取り配線基板
５………………………………耳部／耳辺
６………………………………メッキ用電極
８………………………………配線部（導体部分）
９ｊ，９ｉ，２２，２２ｊ…接続配線
１５，２５……………………メッキ用タイバー
１６，２６……………………メッキ用電極に近接する位置
１７，２７……………………メッキ用電極から離れた位置
２０……………………………導体枠（導体部分）
Ｐａ……………………………製品領域
ｐ………………………………配線基板
ｓ１〜ｓ３……………………セラミック層（絶縁層）
１５ｔ，２５ｔ，２５ｔｖ…テーパ状（漸次的）
１５ｓ，２５ｓ，２５ｓｖ…階段状（段階的）

Claims (6)

1. 複数の絶縁層を積層してなり、厚み方向に沿った平面視で矩形を呈する複数の配線基板を縦横に沿って配列した製品領域と、
   上記同様に絶縁層を積層してなり、上記製品領域の外周に沿って位置し且つ平面視が矩形枠状である耳部と、
   上記耳部の外側面に形成したメッキ用電極と、
   上記耳部に形成され、上記メッキ用電極と、上記製品領域内の最外側に位置する複数の配線基板の導体部分から延びた接続配線ごと、との間を導通するメッキ用タイバーとを含み、
   上記メッキ用タイバーの幅は、上記メッキ用電極に近接する位置から該メッキ用電極から離れた位置に向かって広くなっている、
   ことを特徴とする多数個取り配線基板。
2. 前記メッキ用タイバーの幅は、前記メッキ用電極に近接する位置から該メッキ用電極から離れた位置に向かって、漸次的に広くなっているか、または段階的に広くなっている、
   ことを特徴とする請求項１に記載の多数個取り配線基板。
3. 前記メッキ用電極は、前記耳部の外側面に複数個が形成され、隣接する２つのメッキ用電極の間を接続する前記メッキ用タイバーの幅は、各メッキ用電極に近接する位置で最も狭く、且つ各メッキ用電極から最も離れた位置で最も広い、
   ことを特徴とする請求項１または２に記載の多数個取り配線基板。
4. 前記耳部のうち、少なくとも平面視で対向する一対の耳辺ごとに複数のメッキ用電極が形成され、耳辺ごとで隣接する２つのメッキ用電極の間を接続する前記メッキ用タイバーの幅は、各メッキ用電極に近接する位置で最も狭く、且つ各メッキ用電極から最も離れた位置で最も広い、
   ことを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の多数個取り配線基板。
5. 前記メッキ用タイバーの厚みは、前記メッキ用電極に近接する位置から該メッキ用電極から離れた位置に向かって厚くなっている、
   ことを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の多数個取り配線基板。
6. 前記メッキ用タイバーの厚みは、前記メッキ用電極に近接する位置から該メッキ用電極から離れた位置に向かって、漸次的に広くなっているか、または段階的に厚くなっている、
   ことを特徴とする請求項請求項５に記載の多数個取り配線基板。

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