JP2012146943A - 半導体層の製造方法および光電変換装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体層の製造方法は、金属元素およびカルコゲン元素含有有機化合物を具備する皮膜を形成する工程と、皮膜を大気圧よりも高い圧力雰囲気で加熱してカルコゲン元素含有有機化合物の有機成分を熱分解する工程と、金属元素とカルコゲン元素含有有機化合物のカルコゲン元素とを反応させて金属カルコゲナイドを含む半導体層を作製する工程とを具備する。
【選択図】 図1
Description
図1は、本発明の一実施形態に係る半導体層の製造方法および本発明の一実施形態に係る光電変換装置の製造方法を用いて作製した光電変換装置を示す断面図である。図1〜図3において同じ構成のものには同じ符号を付している。光電変換装置11は、基板1と、第1の電極層2と、金属カルコゲナイドを含む第1の半導体層3と、第2の半導体層4と、第2の電極層5とを含んでいる。
。
主成分として含む化合物をいう。第2の半導体層4は、第1の半導体層3の吸収効率を高めるため、第1の半導体層3が吸収する光の波長領域に対して高い光透過性を有するものであってもよい。
金属カルコゲナイドを含む第1の半導体層3は、次のようにして作製される。先ず、第1の電極層2を有する基板1上に、金属元素およびカルコゲン元素含有有機化合物を含む皮膜が形成される。金属元素は第1の半導体層3を構成する金属元素(例えばI−B族元素、III−B族元素、またはII−B族元素)を含むものであり、金属の状態、あるいは、金属塩や金属錯体のような金属化合物の状態で皮膜中に含まれている。また、カルコゲン元素含有有機化合物は、カルコゲン元素を含む有機化合物であり、炭素元素とカルコゲン元素との共有結合を有する有機化合物である。カルコゲン元素含有有機化合物としては、例えば、チオール、スルフィド、ジスルフィド、チオフェン、スルホキシド、スルホン、チオケトン、スルホン酸、スルホン酸エステル、スルホン酸アミド、セレノール、セレニド、ジセレニド、セレノキシド、セレノン、テルロール、テルリド、ジテルリド等が挙げられる。金属元素とカルコゲン元素含有有機化合物のカルコゲン元素との反応が良好に進行して金属カルコゲナイドが容易に生成するという観点からは、金属元素はカルコゲン元素含有有機化合物と錯体を形成した状態で皮膜中に含まれていてもよい。
的には、雰囲気圧力は標準気圧(101.3kPa)よりも0.2kPa以上高く設定される。これにより、皮膜中のカルコゲン元素の消失が有効に低減される。
上述した第1の半導体層3の作製方法における皮膜の作製工程をより詳細に説明する。金属元素およびカルコゲン元素含有有機化合物を含む皮膜は、原料が溶媒中に溶解(分散でもよい)されて成る原料溶液が、例えば、スピンコータ、スクリーン印刷、ディッピング、スプレー、またはダイコータ等によって第1の電極層2上に膜状に被着され、溶媒が乾燥により除去されることにより形成される。
次に本発明の一実施形態に係る半導体層の製造方法および本発明の一実施形態に係る光電変換装置の製造方法を用いて作製した光電変換装置の変形例を図2、図3に基づき説明する。図2は光電変換装置21の断面図であり、図3は光電変換装置21の斜視図である。図2、図3は、第2の電極層5上に集電電極8が形成されている点で図1の光電変換装置11と異なっている。図2、図3において、図1と同じ構成のものには、同じ符号が付されている。図2、図3に示すように、光電変換装置21は、図1と同様、互いに接続された複数の光電変換セル20を具備している。集電電極8は、第2の電極層5の電気抵抗を小さくするためのものである。第2の電極層5上に集電電極8が設けられることにより、第2の電極層5の厚さを薄くして光透過性を高めるとともに第1の半導体層3で発生した電流が効率よく取り出される。その結果、光電変換装置21の発電効率が高められる。
れした複数の分岐部を有していてもよい。
[a1]カルコゲン元素含有有機化合物であるフェニルセレノール(HSeC6H5)が、ルイス塩基性有機溶剤であるアニリンに対して、同じmol数となるように溶解されて混合溶媒が調製された。
[b1]10ミリモル(mmol)のCu(CH3CN)4・PF6と、20mmolのP(C6H5)3とが、100mlのアセトニトリルに溶解された後、室温(25℃)における5時間の攪拌によって第1錯体溶液が調製された。
次に、ガラスを含む基板1の表面に、Mo等を含む第1の電極層2が成膜されたものが複数枚用意された。そして、窒素ガスの雰囲気下において第1の電極層2の上に上記第1
および第2の原料溶液がそれぞれブレード法によって塗布され、皮膜が形成された。
次に、上述のように作製された第1の半導体層3の上に、それぞれ、第2の半導体層4と第2の電極層5とが順に形成されて光電変換装置が作製された。
作製された光電変換装置の光電変換効率が、定常光ソーラーシミュレーターを用いて測定された。ここでは、光電変換装置の受光面に対する光の照射強度が100mW/cm2であり且つエアマス(AM)が1.5である条件下で光電変換効率が測定された。なお、光電変換効率は、光電変換装置において太陽光のエネルギーが電気エネルギーに変換される割合を示し、ここでは、光電変換装置から出力される電気エネルギーの値が、光電変換装置に入射される太陽光のエネルギーの値で除されて、100が乗じられることで導出された。
2:第1の電極層
3:第1の半導体層(金属カルコゲナイドを含む半導体層)
4:第2の半導体層
5:第2の電極層
6:第3の電極層
7:接続導体
8:集電電極
10、20:光電変換セル
11、21:光電変換装置
Claims (3)
- 金属元素およびカルコゲン元素含有有機化合物を具備する皮膜を形成する工程と、
該皮膜を大気圧よりも高い圧力雰囲気で加熱して前記カルコゲン元素含有有機化合物の有機成分を熱分解する工程と、
前記金属元素と前記カルコゲン元素含有有機化合物のカルコゲン元素とを反応させて金属カルコゲナイドを含む半導体層を作製する工程と
を具備することを特徴とする半導体層の製造方法。 - 前記金属元素は、前記カルコゲン元素含有有機化合物との錯体の状態で前記皮膜中に含まれている、請求項1に記載の半導体層の製造方法。
- 電極上に金属元素およびカルコゲン元素含有有機化合物を具備する皮膜を形成する工程と、
該皮膜を大気圧よりも高い圧力雰囲気で加熱して前記カルコゲン元素含有有機化合物の有機成分を熱分解する工程と、
前記金属元素と前記カルコゲン元素含有有機化合物のカルコゲン元素とを反応させて金属カルコゲナイドを含む第1の半導体層を作製する工程と、
該第1の半導体層上に該第1の半導体層とは異なる導電型の第2の半導体層を作製する工程と
を具備することを特徴とする光電変換装置の製造方法。
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