JP2012140427A5

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Publication number: JP2012140427A5
Application number: JP2011288179A
Authority: JP
Filing date: 2011-12-28
Publication date: 2014-05-01
Anticipated expiration: 2025-09-21

Description

好適なエチレン性不飽和モノマーは公知でありおよび一般に市販されている。このような化合物の例としては、例えば、アリルアセテートおよびアリルヘプタノエートなどのアリルエステル；セチルビニルエーテル、ドデシルビニルエーテル、２−クロロエチルビニルエーテル、エチルビニルエーテルなどのアルキルビニルエーテルまたはアルキルアリルエーテル；アクリル酸、メタクリル酸、α−クロロアクリル酸、クロトン酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸およびそれらの無水物およびエステル（ビニル−、アリル−、メチル−、ブチル−、イソブチル−、ヘキシル−、ヘプチル−、２−エチル−ヘキシル−、シクロヘキシル−、ラウリル−、ステアリル−、イソボルニル−、オクタデシル−、ヘキサデシル−またはアルコキシエチルアクリレートおよびメタクリレートなど）などの不飽和酸；アクリロニトリル、メタクリロニトリル、２−クロロアクリロニトリル、２−シアノエチルアクリレート、アルキルシアノアクリレートなどのα−β不飽和ニトリル；アリルアルコール、アリルグリコール酸、アクリルアミド、メタクリルアミド、ｎ−ジイソプロピルアクリルアミド、ジアセトアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノエチルメタクリレート、Ｎ−ｔ−ブチルアミノエチルメタクリレートなどのα，β−不飽和カルボン酸誘導体；ビニルトルエン、α−メチルスチレン、α−シアノメチルスチレンなどのスチレンおよびその誘導体；ハロゲン化エチレン、ハロゲン化プロピレン、ハロゲン化イソブテン、ハロゲン化３−クロロ−１−イソブテン、ハロゲン化イソプレン、およびハロゲン化アリルまたはハロゲン化ビニル（塩化ビニルおよび塩化ビニリデンなど）などのハロゲンを含有する低級オレフィン系炭化水素などのラジカル重合可能なエチレン化合物の一般的なクラスが挙げられる。他の有用なモノマーとしては、２−ヒドロキシ−エチル（メタ）アクリレートとオクタデシルイソシアネートなどの単官能性イソシアネートとの反応生成物などの、ウレタン基を含有するモノマーが挙げられる。特定の好適なモノマーとしては、オクタデシル（メタ）アクリレート、ヘキサデシル（メタ）アクリレート、メチルメタクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレートおよびイソボルニル（メタ）アクリレート、エチルヘキシルメタクリレート、ウレタン基を含有する前記の（メタ）アクリレート、およびそれらの混合物からなる群から選択されるものが挙げられる。

Claims

カルボジイミド化合物が式
Ｑ¹−Ｘ¹−ＣＯＮＨ−（Ａ¹−（Ｎ＝Ｃ＝Ｎ）_q）_m−Ａ²−ＮＨＣＯＸ²−Ｑ²
（式中、Ｘ¹およびＸ²は各々独立してＯ、ＳまたはＮＨを表し、Ａ¹およびＡ²は各々独立して有機ジ−またはトリイソシアネート化合物からイソシアネート基を除去することにより得られるそれらの残渣を表し、ｑは１または２であり、ｍは１〜２０の値を有し、およびＱ¹およびＱ²はカテナリまたは非カテナリヘテロ原子を１つ以上含有し得る炭化水素基、カテナリまたは非カテナリヘテロ原子を１つ以上含有し得る部分または完全フッ素化炭化水素基、および以下の式のいずれかに対応する官能基

（式中、Ｇ³およびＧ⁴は各々独立して水素、またはラジカル開始剤の残渣からなる群から選択された末端基を表し、そのラジカル開始剤は１つ以上のエチレン性不飽和アクリルモノマーのフリーラジカルオリゴマー化によって調製される、官能基化オリゴマーの調製に用いるものであり、前記ラジカル開始剤はアゾ化合物、ヒドロ過酸化物、ペルオキシ酸エステル、及びジアシルペルオキシドをからなる群から選択され、Ｍ_hは１つ以上のエチレン性不飽和アクリルモノマーから誘導される２つ以上の繰返し単位を表し、ここで、前記エチレン性不飽和アクリルモノマーは、オクタデシル（メタ）アクリレート、ヘキサデシル（メタ）アクリレート、メチルメタクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、エチルヘキシルメタクリレート、ウレタン基を含有する前記の（メタ）アクリレート、およびそれらの混合物からなる群から選択され、Ｌ²は直鎖分岐または環式脂肪族基または芳香族基からなる群から選択された、炭素の数１〜３０個を有する有機二価結合基を表し、Ｑ³はカテナリまたは非カテナリヘテロ原子を１つ以上含有し得る炭化水素基、またはカテナリまたは非カテナリヘテロ原子を１つ以上含有し得る部分または完全フッ素化炭化水素基を表し、直鎖分岐または環式脂肪族基または芳香族基を包含する一価脂肪族、部分または完全フッ素化脂肪族基または部分または完全フッ素化ポリエーテル基からなる群から選択された、炭素の数が１〜５０個である基であり、Ａ³およびＡ⁴は各々独立して有機ジ−またはトリイソシアネート化合物からイソシアネート基を除去することにより得られるそれらの残渣を表し、Ｘ³およびＸ⁴は各々独立してＯ、ＳまたはＮＨを表し、ｓは１〜２０の値を有し、およびｔは１または２であり、Ｌ³は直鎖分岐または環式脂肪族基または芳香族基からなる群から選択された、炭素の数１〜３０個を有する有機三価結合基を表し、およびＬ⁴はカテナリまたは非カテナリヘテロ原子を１つ以上含有するかまたは含有しない炭化水素基、またはカテナリまたは非カテナリヘテロ原子を１つ以上含有し得る部分または完全フッ素化炭化水素基を表し、ここで、Ｑ¹およびＱ²のいずれか一方が式（Ａ）、（Ｂ）、（Ｄ）または（Ｅ）の基に対応する）
から選択される）
によって表されることができるカルボジイミド化合物またはその二つ以上のカルボジイミド化合物の混合物。
フッ素化化合物および、請求項１に記載のカルボジイミド化合物またはその二つ以上の混合物を含む組成物。
前記フッ素化化合物が式：
Ｒ_f−Ｌ⁵−Ｃ（Ｒ）＝ＣＲ₂
（式中、Ｒ_fは炭素原子数３または４個のペルフルオロ化脂肪族基、またはペルフルオロ化ポリエーテル基を表し、Ｌ⁵は有機二価結合基を表し、およびＲは各々独立してＨまたは１〜３個の炭素原子を有する低級アルキル基を表す）
のフッ素化モノマーから誘導される１つ以上の繰返し単位を含む高分子化合物である、請求項２に記載の組成物。
基材を請求項２に記載の組成物に接触させる工程を含む処理方法。