JP2012138283A - 荷電粒子線装置及び試料作製方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】イオンビームにより発生したダメージ層の除去加工中に、電子ビーム光学システムで形成された電子ビームを試料に照射することにより発生する透過電子を二次元検出器で検出し、当該二次元検出器で得られたディフラクションパターンのぼけ量に基づいてダメージ層の除去加工を終了するタイミングを判定する。
【選択図】図4
Description
上記した以外の課題、構成及び効果は、以下の実施形態の説明により明らかにされる。
(1)装置構成
図1に、荷電粒子線装置の構成図を示す。荷電粒子線装置は、試料101を載置する可動の試料ステージ102と、試料位置制御装置103と、イオンビーム光学システム装置106と、イオンビーム光学システム制御装置109と、電子ビーム光学システム装置112と、電子ビーム光学システム制御装置113と、二次電子検出器114と、二次電子検出器制御装置115と、二次元検出器117と、二次元検出器制御装置118と、中央処理装置119と、表示装置120と、真空容器121とを有する。
図2に、イオンビーム105によるダメージ層202の除去加工のためのイオンビームの照射と、加工終了タイミングの自動検出のための電子ビームの照射がどのように行われるかについて示す。図2は、高加速FIB加工により、観察、解析対象である形状に既に加工された後の試料について表している。
次に、ダメージ層の除去に伴う動作の概要を説明する。図4は、ダメージ層の除去に伴い実行される処理動作の手順を示している。
このとき、F(μ,ν)のパワースペクトルP(μ,ν)は、次式で定義される。
続いて、ダメージ層の除去処理の他の実施例を説明する。前述した処理手順では、工程102でイオンビームの加工位置を調整した後は、イオンビームによる試料の加工位置を変更しない場合を想定していた。しかしながら、図9に示す処理手順のように、ダメージ層の除去加工中に、加工処理を一旦中断し、加工位置を調整しても良い。また、ダメージ層の除去加工の中断後、試料ステージ102を所定の位置及び向きに制御する工程(例えば試料の断面と電子ビームの光軸が垂直になるように制御する工程)を追加しても良い。このような工程を追加することにより、ダメージ層の除去加工の直前に取得したい結晶方位のディフラクションパターンを決定できる。
以上説明したように、本形態例に係る荷電粒子線装置は、低加速イオンビームによるダメージ層の除去加工中におけるダメージ層の膜厚を、ディフラクションパターン(輝度分布)から算出されるぼけ量に基づいて定量的に観察する方式を採用する。そして、本形態例に係る荷電粒子線装置は、算出されたぼけ量が事前に定めた閾値以下になるタイミングをダメージ層除去加工の終了タイミングとして自動的に検出し、イオンビームの照射を自動的に停止する。これにより、試料の材質や構造に関する情報の有無や作業者の熟練した技術に依存することなく、除去加工の失敗を防ぐことできる。
前述した形態例の場合には、イオンビームが単一原子のイオンビームである場合を想定した。しかしながら、イオンビームは、クラスターイオンビームであっても良い。クラスターイオンビームは、単一原子のイオンビームと比べ、イオン進入深さが浅く、ダメージ層が生じ難い特徴がある。このため、低加速電圧でも加工速度を落とすことなくダメージ層を除去することが可能となる。
102 試料ステージ
103 試料位置制御装置
104 イオン源
105 イオンビーム
106 イオンビーム光学システム装置
107 ブランカー
108 閉止機構
109 イオンビーム光学システム制御装置
110 電子源
111 電子ビーム
112 電子ビーム光学システム装置
113 電子ビーム光学システム制御装置
114 二次電子検出器
115 二次電子検出器制御装置
116 透過電子
117 二次元検出器
118 二次元検出器制御装置
119 中央処理装置
120 表示装置
121 真空容器
201 目標試料
202 ダメージ層
205 電子ビームの光軸
207 二次元検出器の受光平面
208 ディフラクションパターン
301 ディフラクションパターン
302 回折スポット
303 ハローパターン
501 ぼけ量の計算に使用する領域(部分領域)
601 抽出したハローパターン
701 ディフラクションパターンの表示欄
702 ぼけ量の表示欄
703 ぼけ量の表示欄
704 閾値の表示欄
803 閾値
Claims (10)
- イオン源と、
イオンビームを照射するイオンビーム光学システム装置と、
前記イオンビームの照射を制御する第1の制御装置と、
電子源と、
電子ビームを照射する電子ビーム光学システム装置と、
前記電子ビームの照射を制御する第2の制御装置と、
試料を保持する試料保持機構と、
真空容器と、
前記電子ビームのうち前記試料を透過した電子によって生成されるディフラクションパターンを取得する二次元検出器と、
前記イオンビームによる前記試料のダメージ層の除去加工時に、前記ディフラクションパターンのぼけ量を算出し、当該ぼけ量に基づいて前記試料に対するイオンビームの照射停止タイミングを制御する第3の制御部と
を有することを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1に記載の荷電粒子線装置において、
前記ぼけ量は、ディフラクションパターンに出現する輝度値を関数変換して算出される値である
ことを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項2の記載の荷電粒子線装置において、
前記イオンビームは、液体金属イオン源で発生する
ことを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項2の記載の荷電粒子線装置において、
前記イオンビームは、気体イオン源で発生する
ことを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項2の記載の荷電粒子線装置において、
前記第3の制御装置は、ダメージ層除去加工中に前記ディフラクションパターンを表示装置に表示する
ことを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項2の記載の荷電粒子線装置において、
前記第3の制御装置は、前記ぼけ量が所定の閾値以下となるタイミングを、前記イオンビームの照射停止タイミングとして検出する
ことを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項6の記載の荷電粒子線装置において、
ぼけ量の前記閾値を変更する手段を有する
ことを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項2の記載の荷電粒子線装置において、
前記第3の制御装置は、逐次算出されるぼけ量を時系列グラフとして表示装置に表示する
ことを特徴とする荷電粒子線装置。 - イオン源と、イオンビームを照射するイオンビーム光学システム装置と、前記イオンビームの照射を制御する第1の制御装置と、電子源と、電子ビームを照射する電子ビーム光学システム装置と、前記電子ビームの照射を制御する第2の制御装置と、試料を保持する試料保持機構と、真空容器と、前記電子ビームのうち前記試料を透過した電子によって生成されるディフラクションパターンを取得する二次元検出器とを有する荷電粒子線装置を用いた試料作成方法において、
前記イオンビームによる前記試料のダメージ層の除去加工時に、前記ディフラクションパターンのぼけ量を算出する工程と、
前記ぼけ量に基づいて前記試料に対するイオンビームの照射停止タイミングを制御する工程と
を有する荷電粒子線装置を用いた試料作成方法。 - イオン源と、
イオンビームを照射するイオンビーム光学システム装置と、
前記イオンビームの照射を制御する第1の制御装置と、
電子源と、
電子ビームを照射する電子ビーム光学システム装置と、
前記電子ビームの照射を制御する第2の制御装置と、
試料を保持する試料保持機構と、
真空容器と、
前記電子ビームのうち前記試料を透過した電子によって生成されるディフラクションパターンを取得する二次元検出器と、
前記イオンビームによる前記試料のダメージ層の除去加工時に、前記ディフラクションパターンのぼけ量を算出し、当該ぼけ量を表示装置に表示する第3の制御装置と
を有することを特徴とする荷電粒子線装置。
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