JPH02109244A - イオンビーム装置 - Google Patents

イオンビーム装置

Info

Publication number
JPH02109244A
JPH02109244A JP26120888A JP26120888A JPH02109244A JP H02109244 A JPH02109244 A JP H02109244A JP 26120888 A JP26120888 A JP 26120888A JP 26120888 A JP26120888 A JP 26120888A JP H02109244 A JPH02109244 A JP H02109244A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ion beam
ion
alignment
fluorescent screen
focusing lens
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP26120888A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2985175B2 (ja
Inventor
Morikazu Konishi
守一 小西
Masaaki Takizawa
正明 滝沢
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP63261208A priority Critical patent/JP2985175B2/ja
Publication of JPH02109244A publication Critical patent/JPH02109244A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2985175B2 publication Critical patent/JP2985175B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、イオンビーム装置に関し、特に、気体イオン
源を用いた集束イオンビーム装置に適用〔発明の概要〕 本発明の第1の発明は、イオンビーム装置において、イ
オンガンの下方に蛍光板が挿入され、上記イオンガンで
発生されるイオンビームが上記蛍光板によりモニターさ
れるように構成されている。
これによって、イオンビームの発生の有無の確認及び集
束レンズ系に対するイオンビームの大まかなアラインメ
ントをその場で行うことができる。
本発明の第2の発明は、イオンビーム装置において、イ
オンガンチャンバーと集束レンズチャンバーとの間に第
1及び第2のアラインメント用板を有するアラインメン
ト用チャンバーが取り付けられ、イオンガンで発生され
るイオンビームによる上記第1及び第2のアラインメン
ト用板の投影像を観察することにより集束レンズ系に対
する上記イオンビームのアラインメントが行われる。こ
れによって、集束レンズ系に対するイオンビームのアラ
インメントを高精度で行うことができる。
〔従来の技術〕
集束イオンビーム技術は、リソグラフィーへの応用をは
じめ、マスクレスイオン注入、マスクレスエツチング等
への幅広い応用範囲を有する技術として注目され、その
ための集束イオンビーム装置の開発が活発に行われてい
る。
第6図は従来の集束イオンビーム装置の構成を示す。第
6図に示すように、この集束イオンビーム装置において
は、1゛オンガンのエミッター101の先端から放射さ
れるイオンは引き出し電極102により下方に引き出さ
れ、イオンビーム103が形成される。このイオンビー
ム103は集束レンズ104により集束された後、アラ
インメント電極105により光学系の光軸に対するアラ
インメントが行われる。次に、このイオンビーム103
はアパーチャー106によりビーム径が絞られた後、ア
ラインメント電極107により再びアラインメントが行
われる。符号108は、イオンビーム描画の際にイオン
ビームのカットを行うためのブランキング電極を示す。
次に、このイオンビーム103は対物レンズ(第2段目
の集束レンズ)109により例えば半導体ウェーハのよ
うな試料110上に結像され、偏向電極111によりこ
の試料110上を走査される。これによって、所定のイ
オンビーム描画が行われる。
ところで、従来の集束イオンビーム装置においては、イ
オンガンとして液体金属イオン源が多く用いられており
、イオンガンで発生されるイオンビーム103の電流は
1μへのオーダーである。
イオンビーム電流がこの程度の大きさである場合には、
イオンガンからのイオンビーム103の発生の有無は、
引き出し電極102や集束レンズ104の電極にイオン
ビーム103が当たることにより流れるイオンビーム電
流の測定から容易に確認することができ、さらにこのイ
オンビーム電流の測定結果をフィードバックしてイオン
ガンのアラインメントを行うこともできる。しかし、液
体金属イオン源を用いた場合には、試料110中に金属
原子が打ち込まれてしまうため、例えばリソグラフィー
を行う場合にはレジストの汚染の問題を生じ、実用性に
欠ける。
そこで、この問題を解決するために、近年、上述の液体
金属イオン源の代わりに気体イオン源を用いた集束イオ
ンビーム装置が開発されている。
しかし、気体イオン源は得られる全イオンビーム電流が
少なく、イオンビーム103により生じる2次電子の影
響を受けやすい。このため、特に低電流モードでイオン
源を作動させる場合には、各電極で測定されるべきイオ
ンビーム電流がイオンビーム103により発生される2
次電子で中和され、その結果イオンビーム電流の測定が
不可能になるおそれがある。また、気体イオン源の場合
には、エミッター101が放電により損傷を受けやすい
ため、集束イオンビーム装置の使用に際しては事前にこ
のエミッター101の動作確認を行う必要があるが、こ
の確認を行うためにはイオンガンと集束レンズ104と
の間の間隔を十分に大きく (例えば、第6図において
2〜locm)とる必要がある。しかし、このようにイ
オンガンと集束レンズ104との間の間隔を大きくとる
と、この集束レンズ104によるイオンビーム103の
集束性の劣化を招いてしまう。
一方、イオンガンで発生されるイオンビームの集束レン
ズに対するアラインメントは従来、次のようにして行わ
れていた。すなわち、第7図に示すように、まず先端の
中央部からイオンが放射されるエミッター101を選ぶ
。具体的には、例えば、H11>方位のニードル状タン
グステン(W)から成り、先端の中央部が(111)面
により構成されているエミッター101が選ばれる。
次に第8図に示すように、この選ばれたエミッター10
1をノズル11.2の内部に挿入して固定する。このノ
ズル112は、金属製0リング113を介してエミッタ
ーホルダー114に取り付けられる。このエミッターホ
ルダー114には、イオンソースガス供給用のガス供給
管115が設けられている。また、このエミッターホル
ダー114は電気絶縁用のサファイアブロック116に
固定され、さらにこのサファイアブロック116はいわ
ゆるコールドエンドの先端部の銅ブロック117に固定
されている。
次に、この第8図に示すイオンガンを集束イオンビーム
装置の集束レンズの上に取り付ける。第9図は、このよ
うにしてイオンガンの取り付けを行った状態を示す。第
9図に示すように、銅ブロック117は例えばステンレ
ス鋼製のチューブ118に接続され、このチューブ11
8と銅ブロック117とによりコールドエンド119が
構成される。また、イオンガンは、イオンガンチャンバ
ー120のM】21の上に設けられているxyzモジュ
ール及ヒ傾斜(lit)モジュール122により、x、
y、z方向の移動及び傾斜が可能に構成されている。一
方、このイオンガンチャンバー120は、集束レンズチ
ャンバー123の上に設けられている。この集束レンズ
チャンバー123内には、集束レンズ104及び対物レ
ンズ109が設けられている。なお、この場合には集束
レンズ1.04の一番上の電極がイオンビームの引き出
し電極を兼用する。
上述のように、イオンガンのアラインメントは、第7図
、第8図及び第9図に示す過程において行われる。しか
し、第8図に示すようにエミッター101をノズル11
2内に取り付ける際には、このノズル112とエミッタ
ー101との間にすきまが存在することからエミッター
101がノズル112の中心軸に対して例えば10mr
ad程度傾斜してしまうため、機械精度的にアラインメ
ント精度に限界があり、さらに場合によってはエミッタ
ー101自身がわずかに曲がっていることもある。この
ため、イオンガンの傾斜及び集束レンズ系の光軸に垂直
な面内のxSy方向のアラインメント精度の向上には自
ずから限界があった。
なお、気体イオン源を用いた集束イオンビーム装置につ
いては、例えば特開昭59−117]、22号公報に記
載されている。
〔発明が解決しようとする課題〕
以上のように、従来の集束イオンビーム装置は、イオン
ビームの発生の有無を確認することも、集束レンズに対
するイオンビームのアラインメントを行うことも難しか
った。
従って本発明の目的は、イオンビームの発生の有無の確
認及び集束レンズ系に対するイオンビームの大まかなア
ラインメントをその場で行うことができるイオンビーム
装置を提供することにある。
本発明の他の目的は、集束レンズ系に対するイオンビー
ムのアラインメントを高精度で行うことができるイオン
ビーム装置を提供するごとにある。
〔課題を解決するための手段〕 上記第1の課題を解決するため、本発明の第1の発明に
よるイオンビーム装置は、イオンガンの下方に蛍光板(
20)が設けられ、イオンガンで発生されるイオンビー
ムが蛍光板(20)によりモニターされるように構成さ
れている。
上記第2の課題を解決するため、本発明の第2の発明に
よるイオンビーム装置は、イオンガンチャンバー(1)
と集束レンズチャンバー(10)との間に第1及び第2
のアラインメント用板(12、]3)を有するアライン
メント用チャンバー(11)が取り付けられ、イオンガ
ンで発生されるイオンビームによる第1及び第2のアラ
インメント用板(12,13)の投影像を観察すること
により集束レンズ系に対するイオンビームのアラインメ
ントが行われる。
〔作用〕
第1の発明の上記した手段によれば、蛍光板(20)に
イオンビームが当たることにより形成されるイオンビー
ム像を観察することによりイオンビームの発生の有無を
確認することができる。
さらに、この蛍光板(20)上のイオンビーム像の位置
から、集束レンズ系の光軸からのイオンビームのずれを
知ることができるので、このずれをなくすようにイオン
ガンの位置を調整することによりイオンビームのアライ
ンメントを行うことができる。しかも、これらのイオン
ビームの発生の有無の確認及びアラインメン]・はいず
れもイオンビーム装置内においてその場(in 5it
u)で行うことができる。
第2の発明の上記した手段によれば、第1及び第2のア
ラインメント用板の投影像を例えば蛍光板で観察し、こ
れらの第1及び第2のアラインメント用板の中心位置が
一致するようにイオンガンの調整を行うことにより、集
束レンズ系に対するイオンビームのアラインメントを高
精度で行つことができる。
〔実施例〕
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明
する。以下の実施例r及び実施例Hは、いずれも気体イ
オン源を用いた集束イオンビーム装置に本発明を適用し
た実施例である。なお、実施例の全図において同一部分
には同一の符号を付ける。
実1朋ユ 第1図は本発明の実施例Iを示す。
第1図において、符号1はイオンガンチャンバーを示す
。この実施例rにおけるイオンガンの構造は第8図に示
した従来のイオンガンと同様な構造ヲ有し、例えばニー
ドル状のWから成るエミ・ンター2、ノズル3、エミッ
ターホルダー(図示せず)、サファイアブロック4、銅
ブロック5及び例えばステンレス鋼製のチューブ6から
成る。これらの銅ブロック5及びチューブ6によりコー
ルドエンド7が構成される。そして、チューブ6内に供
給される液体ヘリウム等により銅ブロック5が極低温に
冷却され、これによってイオンガンの冷却が行われる。
また、このイオンガン全体は、イオンガンチャンバー1
の蓋8の上に設けられたXYZモジュール及び傾斜モジ
ュール9により、X、Y、Z方向の移動及び傾斜が可能
に構成されている。
この実施例Iにおいては、集束レンズやアラインメント
電極(図示せず)が設けられている集束レンズチャンバ
ー10と」二連のイオンガンチャンバー1との間にイオ
ンガンのアラインメント用チャンバーIIが取り付けら
れている。このアラインメント用チャンバーII内には
、例えばステンレス鋼製のアラインメント用円板12.
13が互いに平行に、かつこの゛アラインメント用チャ
ンバー11の中心軸とこれらのアラインメント用円板1
2.13の中心とが一致するように設けられている。こ
れらのアラインメント用円板12.13の中心は、集束
レンズ系の光軸と一致するようにあらかじめ調整されて
いる。第2図Aに示すように、このアラインメント用円
板12は、外側の環状部12a、内側の環状部12b及
びこれらを連結する連結部12 cから成る。同様に、
第2図Bに示すように、アラインメント用円板13は、
外側の環状部1.3 a、内側の環状部13b及びこれ
らを連結する連結部13cから成る。この場合、アライ
ンメント用円板12の内側の環状部12bの直径は、ア
ラインメント用円板13の内側の環状部13bの直径よ
りも小さい。なお、これらのアラインメント用円板12
、I3の厚さは例えば5rIIm程度である。
第1図において、上述のアラインメント用円板12.1
3の下方には蛍光板14が設けられ、その下方にミラー
15がこの蛍光板14に対して傾斜して設けられている
。そして、アラインメント用チャンバー11の壁面に設
けられたヴユーボト16の透明ガラス窓17を通してこ
のミラー15を観察することにより、蛍光板14上に形
成されるイオンビーム像を観察することができるように
なっている。
この実施例Iにおいては、イオンガンのアラインメント
は次のようにして行われる。
まず、イオンガンによりイオンビームを発生させる。こ
の段階では通常、イオンビームは集束レンズ系の光軸か
らずれているため、蛍光板14 、JT。
に形成されるアラインメント用円板12.13の投影像
は第3図Aに示すようになり、アラインメント用円板1
2の内側の環状部12bの中心位置とアラインメント用
円板13の内側の環状部13bの中心位置とは互いにず
れている。そこで、次にこの蛍光板14上の投影像を観
察しながらXYZモジュール及び傾斜モジュール9によ
りイオンガンのX、Y、Z方向の位置及び傾斜の調整を
行い、蛍光板I4上でアラインメント用円板12.13
の内側環状部12b、13bの中心位置を第3図Bに示
すように一致させる。この第3図Bに示す状態が、イオ
ンガンで発生されるイオンビームがアラインメント用円
板12.13の中心、従って集束レンズ系の光軸に一致
した状態にほかならず、この光軸に対するイオンビーム
のアラインメントが行われたことを意味する。このよう
にしてイオンビームのアラインメントを行った後、アラ
インメント用チャンバー11を取り外してイオンガンチ
ャンバー1を集束レンズチャンバー10の上に直接取り
付ける。実際のイオンビーム描画はこの状態で行われる
この実施例Iによれば、イオンビームにより蛍光板14
上に形成されるアラインメント用円板12.13の投影
像の中心位置が一致するようにイオンガンの調整を行っ
ているので、集束レンズ系に対するイオンビームのアラ
インメントを高精度で行うことができる。また、エミッ
ター2の先端中央部の最高輝度面を集束レンズ系の光軸
に一致させることができるので、最高輝度のイオンビー
ムを得ることができる。
裏腹佐l 第4図は本発明の実施例■を示す。
第4図において、符号1日はエミッター2の先端から放
射されるイオンを下方に引き出すための引き出し電極を
示す。また、符号I9は図示省略した集束レンズチャン
バー内に取り付けられている集束レンズを示す。上述の
引き出し電極18とこの集束レンズ19との間の間隔2
は通常例えば3cIIl程度はある。そこで、この実施
例Hにおいては、この引き出し電極18と集束レンズ1
9との間の空間内に蛍光板20が挿入されている。この
蛍光板20は支持具21の先端に取り付けられ、さらに
この支持具21は水平方向(集束レンズ系の光軸に垂直
な方向)に直線運動が可能なリニアモーションドライブ
22の先端に取り付けられている。符号23はフランジ
を示し、このフランジ23はイオンガンチャンバー1の
壁面に設けられた管状部のフランジ1aに接続されてい
る。また、符号24はフランジ23に接続されたベロー
ズ(蛇腹)を示す。そして、リニアモーションドライブ
22は、このベローズ24の図示省略した一端に取り付
けられた駆動装置(図示せず)により駆動されるように
なっている。
上記蛍光板20は例えば正方形の形状を有し、その−辺
の長さは例えば3cm程度である。また、この蛍光板2
0の蛍光剤としては、例えばZnS、Mnで活性化され
たZn、5iO4(Zn、SiO,:Mn) 、Pbで
活性化されたCa W O4(Ca W O4: Pb
)等を用いることができる。イオンビームの照射により
発生する蛍光の色は、ZnS及びCaWO,:Pbは青
色、ZnzS)Oa:Hnは緑色である。また、これら
の蛍光剤はいずれも例えばネオン(Ne)のような希ガ
ス中で用いられ、イオンに対する耐性は比較的強い。
この蛍光板20には、集束レンズ系の光軸との交点付近
にあらかしめ印(例えば、O印)が付けられている。そ
して、イオンビームがこの蛍光板20に当たったときに
この印の中にイオンビームが入っていれば、イオンビー
ムは光軸に対してほぼアラインメントされていることが
わかるようになっている。
一方、イオンガンチャンバー1の壁面にはヴユーボート
25が設けられ、このヴユーボ−1・25の透明ガラス
窓26から上述の蛍光板20上に形成されるイオンビー
ム像を観察することができるようになっている。
この実施例■においては、蛍光板20上にイオンビーム
像が形成された場合にはイオンビームが確かに発生して
いることを確認することができ、一方、蛍光板20上に
イオンビーム像が形成されなければイオンビームは発生
されていないことがわかる。さらに、イオンビームの発
生が確認された後には、次のようにしてイオンビームの
アラインメントを行うことができる。すなわち、この蛍
光板20上のイオンビーム像をヴユーボート25の透明
ガラス窓26から観察しながら実施例■と同様にしてイ
オンガンの調整を行い、蛍光板20上の印の中にイオン
ビーム像が入るようにする。
第5図はその状態を示す(印は図示せず)。ごの状態が
、集束レンズ系の光軸に対してイオンビームの大まかな
アラインメント(粗調整)が行われた状態を示す。なお
、蛍光板20上のイオンビーム像の観察は肉眼で行うこ
ともできるが、この蛍光板20上のイオンビーム像の輝
度は一般に低いので、例えば高感度カメラで観察しても
よい。
上述のようにしてイオンビームの大まかなアラインメン
トを行った後、リニアモーションドライブ22により蛍
光板20をイオンビームの経路から完全に外れる位置ま
で引っ張り出す。このようにすると、イオンビームは集
束レンズ19に入射するので、イオンビーム電流の測定
を行いながらより精密なアラインメントを行うことがで
きる。
このように、この実施例■によれば、イオンガンのすぐ
下方に挿入された蛍光板22にイオンビームが当たるこ
とにより形成されるイオンビーム像の観察から、イオン
ビームの発生の有無の確認及び集束レンズ系に対するイ
オンビームの大まかなアラインメントをその場で行うこ
とができる。
以上、本発明の実施例につき具体的に説明したが、本発
明は、上述の実施例に限定されるものではなく、本発明
の技術的思想から逸脱しない範囲で各種の変形が可能で
ある。
例えば、実施例Iにおいて、アラインメント用円板12
.13の環状部12a、12b、13a、13bの径や
幅、連結部12c、13cの幅等は必要に応じて変更す
ることが可能である。さらに、アラインメント用板は必
ずしも円板である必要はなく、例えば外形が四角形の板
を用いることも可能である。
〔発明の効果〕
以上述べたように、本発明の第1の発明によれば、イオ
ンビームの発生のを無の確認及び集束レンズ系に対する
イオンビームの大まかなアラインメントをその場で行う
ことができる。
また、本発明の第2の発明によれば、集束レンズ系に対
するイオンビームのアラインメントを高精度で行うこと
ができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例■を示す断面図、第2図A及び
第2図Bはアラインメント用円板の形状を示す平面図、
第3図Aはアラインメント前の蛍光板上のイオンビーム
投影像を示す平面図、第3図Bはアラインメント後の蛍
光板上のイオンビーム投影像を示す平面図、第4図は本
発明の実施例■を示す断面図、第5図は蛍光板上のイオ
ンビーム像の例を示す平面図、第6図は従来の集束イオ
ンビーム装置の概略構成図、第7図はエミッターを示す
側面図、第8図はイオンガンを示す断面図、第9図は第
8図に示すイオンガンを取り付けた集束イオンビーム装
置のイオンガン部及び集束レンズ部の構成を示す断面図
である。 ューボート、  19;集束レンズ、 アモーションドライブ。 22:リニ

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、イオンガンの下方に蛍光板が挿入され、上記イオン
    ガンで発生されるイオンビームが上記蛍光板によりモニ
    ターされるように構成されていることを特徴とするイオ
    ンビーム装置。 2、イオンガンチャンバーと集束レンズチャンバーとの
    間に第1及び第2のアラインメント用板を有するアライ
    ンメント用チャンバーが取り付けられ、イオンガンで発
    生されるイオンビームによる上記第1及び第2のアライ
    ンメント用板の投影像を観察することにより集束レンズ
    系に対する上記イオンビームのアラインメントが行われ
    ることを特徴とするイオンビーム装置。
JP63261208A 1988-10-17 1988-10-17 イオンビーム装置 Expired - Fee Related JP2985175B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63261208A JP2985175B2 (ja) 1988-10-17 1988-10-17 イオンビーム装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63261208A JP2985175B2 (ja) 1988-10-17 1988-10-17 イオンビーム装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH02109244A true JPH02109244A (ja) 1990-04-20
JP2985175B2 JP2985175B2 (ja) 1999-11-29

Family

ID=17358645

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63261208A Expired - Fee Related JP2985175B2 (ja) 1988-10-17 1988-10-17 イオンビーム装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2985175B2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012090670A1 (ja) * 2010-12-27 2012-07-05 株式会社 日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置及び試料作製方法
JP2022081571A (ja) * 2018-02-28 2022-05-31 株式会社日立ハイテク イオンミリング装置及びイオンミリング装置のイオン源調整方法
WO2022244149A1 (ja) * 2021-05-19 2022-11-24 株式会社日立ハイテク イオンミリング装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4979454A (ja) * 1972-12-06 1974-07-31
JPS63222288A (ja) * 1987-03-11 1988-09-16 Mitsubishi Electric Corp 螢光板モニタ

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4979454A (ja) * 1972-12-06 1974-07-31
JPS63222288A (ja) * 1987-03-11 1988-09-16 Mitsubishi Electric Corp 螢光板モニタ

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012090670A1 (ja) * 2010-12-27 2012-07-05 株式会社 日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置及び試料作製方法
JP2012138283A (ja) * 2010-12-27 2012-07-19 Hitachi High-Technologies Corp 荷電粒子線装置及び試料作製方法
JP2022081571A (ja) * 2018-02-28 2022-05-31 株式会社日立ハイテク イオンミリング装置及びイオンミリング装置のイオン源調整方法
WO2022244149A1 (ja) * 2021-05-19 2022-11-24 株式会社日立ハイテク イオンミリング装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2985175B2 (ja) 1999-11-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6825468B2 (en) Fine stencil structure correction device
US7582885B2 (en) Charged particle beam apparatus
TW418457B (en) Processing/observing instrument
JP3191554B2 (ja) X線撮像装置
EP0641011B1 (en) An electron beam apparatus
US9159533B2 (en) Charged particle beam apparatus permitting high-resolution and high-contrast observation
JPH0425531B2 (ja)
KR910007533B1 (ko) X선 마스크의 결함 수정 방법 및 그 장치
US6727500B1 (en) System for imaging a cross-section of a substrate
JPH11238484A (ja) 投射方式の荷電粒子顕微鏡および基板検査システム
US7622714B2 (en) Standard specimen for a charged particle beam apparatus, specimen preparation method thereof, and charged particle beam apparatus
JP2926132B1 (ja) 集束イオンビームによる二次イオン像観察方法
JP2002042713A (ja) 対物レンズ内検出器を備えた走査電子顕微鏡
JPH02109244A (ja) イオンビーム装置
JPH10162769A (ja) イオンビーム加工装置
JP4221817B2 (ja) 投射型イオンビーム加工装置
JPH04106853A (ja) 走査電子顕微鏡
JP3014369B2 (ja) 試料の高さ計測手段を備えた電子ビーム装置
KR20030050320A (ko) 반도체 기판 검사 방법 및 장치
JP2001243904A (ja) 走査形電子顕微鏡
JP2004247321A (ja) 走査形電子顕微鏡
JPH03273200A (ja) 端部放出型x線顕微鏡
JP2000048749A (ja) 走査電子顕微鏡および電子ビームの軸合わせ方法
JPH0427539B2 (ja)
JPH07282763A (ja) 透過型電子顕微鏡装置

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees