JPS59163548A - 電子線回折像の自動分析方法 - Google Patents
電子線回折像の自動分析方法Info
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- JPS59163548A JPS59163548A JP58038622A JP3862283A JPS59163548A JP S59163548 A JPS59163548 A JP S59163548A JP 58038622 A JP58038622 A JP 58038622A JP 3862283 A JP3862283 A JP 3862283A JP S59163548 A JPS59163548 A JP S59163548A
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- JP
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- Prior art keywords
- diffraction
- value
- spot
- ring
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- Prior art date
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/295—Electron or ion diffraction tubes
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は電子顕微鏡等によって得られ、る′重子線回折
□□□から試料の同定をAンラインで自動的に行l:f
うノフ法に関りる。
□□□から試料の同定をAンラインで自動的に行l:f
うノフ法に関りる。
[従来技術]
電子顕微鏡を用いて、透過像モード又は走査透過像モー
ドで、試料の回折像を撮影し、この回折像を分析して試
わ1の同定や指数付は或いは試料中の結晶の方位の測定
を行なつ−Cいるが、従来のノ)法にJ3いては、全て
手作業で行なわざるを得なかつ lこ 。
ドで、試料の回折像を撮影し、この回折像を分析して試
わ1の同定や指数付は或いは試料中の結晶の方位の測定
を行なつ−Cいるが、従来のノ)法にJ3いては、全て
手作業で行なわざるを得なかつ lこ 。
即ら、従来においては、まず回折像を11i影し、この
像を現像し、次にネガ上で回折像の寸法を測定して結晶
の格子面間隔であるd fioの組みを求め、この得ら
れたd値の組みを、種々の物質に対するd値を記録して
いるカードと照合してd値の組みが最も一致゛ツるカー
ドを選ひだし、試料の同定を行ない、更に選ばれたカー
ドに記入されている指数表(h、に、l)を利用して回
折像の指数付けを行なっている。
像を現像し、次にネガ上で回折像の寸法を測定して結晶
の格子面間隔であるd fioの組みを求め、この得ら
れたd値の組みを、種々の物質に対するd値を記録して
いるカードと照合してd値の組みが最も一致゛ツるカー
ドを選ひだし、試料の同定を行ない、更に選ばれたカー
ドに記入されている指数表(h、に、l)を利用して回
折像の指数付けを行なっている。
しかしながら、このような従来の方法は作業に知識と経
験を要すと共に、快適でない暗室作業を伴なう上、長時
間を要゛りという欠点がある。
験を要すと共に、快適でない暗室作業を伴なう上、長時
間を要゛りという欠点がある。
[発明の目的]
本発明は、このような従来の欠点を解決して訓ンライン
で自動的に回折像を分析して、試オ′!1のI「」1定
等を行ない得る電子線回折像の分析方法を捉供づること
を1]的としている。
で自動的に回折像を分析して、試オ′!1のI「」1定
等を行ない得る電子線回折像の分析方法を捉供づること
を1]的としている。
[発明の(14成1
本発明は電子線回折像を電気信号に変換し、該信舅強度
の度数分布を表わJ値を算出し、この月)出された1的
かどの値の範囲に入るかにより前記回折像がスポットの
みより成るか、リングのみJ、り成るか、スポラ1〜と
リングの両者より成るかを判定し、この判定に基づいて
各回折スポラ(〜及び又はリングに対応する格子面間隔
1il′1を求め、該〕1(められた試料に対づ”る格
了面間附値の絹みを−J21j j:jの物質の格子面
間隔値を表わすデータど照合JることにJ、す、試料の
同定を行なうことを動機どじ(いる1゜ [発明の作用] 以下本発明において基本となっている、考えを説明する
。
の度数分布を表わJ値を算出し、この月)出された1的
かどの値の範囲に入るかにより前記回折像がスポットの
みより成るか、リングのみJ、り成るか、スポラ1〜と
リングの両者より成るかを判定し、この判定に基づいて
各回折スポラ(〜及び又はリングに対応する格子面間隔
1il′1を求め、該〕1(められた試料に対づ”る格
了面間附値の絹みを−J21j j:jの物質の格子面
間隔値を表わすデータど照合JることにJ、す、試料の
同定を行なうことを動機どじ(いる1゜ [発明の作用] 以下本発明において基本となっている、考えを説明する
。
回折像には、周知のように各々第1図(a)。
(b)、(c)に示すように、比較的大きな結晶から回
折された電子線に基づくスポラ1〜状の回折像のみから
成るもの、粉末状の結晶から回折された電子線に基づく
リング状の回折縁からのみ成るもの、両者が混在してい
るものの3種がある。そして、手作業で分析を行なう際
にも、スポットとリングに対しては別個の処理を行なう
必要があるが、手作業の場合には直感で容易に判断でき
る3者の区別を、自動的且つ到ンラインで分析を行なう
ために(ユ、あまり複雑な情報処理を覆ることなく、機
械的に判別し得ることが必要である。本発明8はスポラ
[〜のみ、リングのみ、両者混在の各場合で【、1、全
像面に占める明るさの人なる部分(即ら、スポット或い
はリングに対応しIj部分)の比率(よ異なることに着
目し、回折像を構成する画素の明るさの度数分布(画素
の検出強度ことの出現数の分イjj )を多数の回折像
につい−(調べたところ、スポットのみ、リングのみ9
両者が混在した場合では、第2図において、点線イ、一
点鎖線[」、二点鎖線ハで示すような明瞭な違いがあっ
I、:。
折された電子線に基づくスポラ1〜状の回折像のみから
成るもの、粉末状の結晶から回折された電子線に基づく
リング状の回折縁からのみ成るもの、両者が混在してい
るものの3種がある。そして、手作業で分析を行なう際
にも、スポットとリングに対しては別個の処理を行なう
必要があるが、手作業の場合には直感で容易に判断でき
る3者の区別を、自動的且つ到ンラインで分析を行なう
ために(ユ、あまり複雑な情報処理を覆ることなく、機
械的に判別し得ることが必要である。本発明8はスポラ
[〜のみ、リングのみ、両者混在の各場合で【、1、全
像面に占める明るさの人なる部分(即ら、スポット或い
はリングに対応しIj部分)の比率(よ異なることに着
目し、回折像を構成する画素の明るさの度数分布(画素
の検出強度ことの出現数の分イjj )を多数の回折像
につい−(調べたところ、スポットのみ、リングのみ9
両者が混在した場合では、第2図において、点線イ、一
点鎖線[」、二点鎖線ハで示すような明瞭な違いがあっ
I、:。
但し、第2図におい−(、(必輔はツq)瓜■を、縦軸
は度数1−1 (1)を示しており、実線で示され−C
いるのけ、バックグラウンド成分である。そこ(、本発
明においで、この度数分布の違いを、例えば通常、分散
を求めるのに用いられる以下の式%式%(1) C′与えられる値0−を算出し、この(u゛1がスポラ
h、リンク、両者混在の各場合に対応して取られた1、
。
は度数1−1 (1)を示しており、実線で示され−C
いるのけ、バックグラウンド成分である。そこ(、本発
明においで、この度数分布の違いを、例えば通常、分散
を求めるのに用いられる以下の式%式%(1) C′与えられる値0−を算出し、この(u゛1がスポラ
h、リンク、両者混在の各場合に対応して取られた1、
。
域のどこに入るかにより、回折像の種別を判別りるよう
にしている。但し第1式において、I(J以下の式によ
って与えられる加重平均である。
にしている。但し第1式において、I(J以下の式によ
って与えられる加重平均である。
[実施例1
ト述した考えに基づく本発明の一実施例を1ツー・に詳
述する。
述する。
第3図は本発明を実施覆るだめの装置のflu略を示ず
ためのもので、図中1は電子顕微♀1Σであり、4は電
子割算はである。電子口算橙4より電子顕微鏡1には電
子顕微鏡1を透過像観至モードにしたり、走査透過像観
察モードにしたり−りるための制御伝号が供給される。
ためのもので、図中1は電子顕微♀1Σであり、4は電
子割算はである。電子口算橙4より電子顕微鏡1には電
子顕微鏡1を透過像観至モードにしたり、走査透過像観
察モードにしたり−りるための制御伝号が供給される。
この電子顕微鏡1には透過像を電気信号に変換するため
の11υ像装置2が取りイ・」1プられており、電子顕
微鏡1が透過像観察モードになった際に、この搬像装置
2にょっで得られた画像に対応−するアナログの時系列
f4号はAD変換器3によりデジタル量に変換されC電
子計算1浅に供給される。又、電子顕微鏡1が走査透過
像e察モードになった際には、透過電子検出器5が光軸
上に挿入され、試料を電子線で走査した際の透過電子の
検出信号がAD変換器6にJ、リデジタル信8に変換さ
れて電子口仲橙4に供給される。
の11υ像装置2が取りイ・」1プられており、電子顕
微鏡1が透過像観察モードになった際に、この搬像装置
2にょっで得られた画像に対応−するアナログの時系列
f4号はAD変換器3によりデジタル量に変換されC電
子計算1浅に供給される。又、電子顕微鏡1が走査透過
像e察モードになった際には、透過電子検出器5が光軸
上に挿入され、試料を電子線で走査した際の透過電子の
検出信号がAD変換器6にJ、リデジタル信8に変換さ
れて電子口仲橙4に供給される。
電子訓算1幾4は11段像装置2又は透過゛市子鉄出器
5より供給される画像イ# S”rや、R1’に才31
を同定した結果−(″)、検索用の各種物質に対するd
値の組みにつぃCのデータ省を記憶1Jる外部記憶)装
置7に化続されている。又、電子計算1浅1に(ユ回折
象モニター用のCRT8や、キーボード9.:Jンソー
ル用のCR−r i oが接続されている。
5より供給される画像イ# S”rや、R1’に才31
を同定した結果−(″)、検索用の各種物質に対するd
値の組みにつぃCのデータ省を記憶1Jる外部記憶)装
置7に化続されている。又、電子計算1浅1に(ユ回折
象モニター用のCRT8や、キーボード9.:Jンソー
ル用のCR−r i oが接続されている。
このような414成の装置を用いて、まず、操作者はキ
ーボード9により電子計nts4に指令を匂えて、例え
ば、試料の透過霞モードにお【Jる回折像が撮像装置2
に投影されるようにりる。イこ−(゛、キーボード9に
より電子計算榔4に測定の開始を指令すると、゛重子計
算機1は第4図に承り流れ図に従って分析作業を進めて
行く。
ーボード9により電子計nts4に指令を匂えて、例え
ば、試料の透過霞モードにお【Jる回折像が撮像装置2
に投影されるようにりる。イこ−(゛、キーボード9に
より電子計算榔4に測定の開始を指令すると、゛重子計
算機1は第4図に承り流れ図に従って分析作業を進めて
行く。
即ら、まづ゛撮像装置2にJ、っでこの服像):、置の
画面上に投影された回折像をA I) a換器J目こJ
、つCデジタル信舅に変模しく電子計締機4に取り込み
、電子計p機4内の記憶部に例えば512X !i12
個の画素データとして記憶りる(ステップ△)1、次に
、電子計算);(4ばこの記憶8れた画像データをV+
(、JJ出して、この画像の回hti像か千1々第1図
(a)、(b)、(C)に示りJ、うなスポラ1−のみ
から成るしのか、リングのみから成るらのか。
画面上に投影された回折像をA I) a換器J目こJ
、つCデジタル信舅に変模しく電子計締機4に取り込み
、電子計p機4内の記憶部に例えば512X !i12
個の画素データとして記憶りる(ステップ△)1、次に
、電子計算);(4ばこの記憶8れた画像データをV+
(、JJ出して、この画像の回hti像か千1々第1図
(a)、(b)、(C)に示りJ、うなスポラ1−のみ
から成るしのか、リングのみから成るらのか。
それども両者が況在しているのかを判定弓る(スノーツ
ノ゛13 ) 、、この判定(−り以下のJ、−)に1
1/、「う1、第す図に示すJ、うに、画像の縦横にX
)乎(S:及びY J’仁)票をどり、X月i標がX、
Y座標がy(ある画素の強度をUXV’U’表わづしの
とりると、仝UXVのうら強度■(゛ある画素の個数を
各Iの(ll′、I Lつい−(語数して強度■につい
ての度数H(I )を算出づる。次に1−1 (I )
の値を用い−C第〈2)式で表わされる加重平均を算出
する。そこで、この加重平均の算出値を用いて、第(1
)式−C表わされる分散σを算出づる。更にこの算出さ
れたσか88,000以下である(ケース1)か、
1’05,000以上である(ケース2〉か、 88,
000と105,000との間であるくケース3)かを
判別リ−る。但し、この場合、全画素数は512X 5
12であり、LJXVの明るさく強度)の階調は255
にとられている。ぞして、ウース1であれば、回折像は
スポラ1〜のみから成り、クーース2であれば回折像は
リングのみから成り、ケース3てあれば、回折像にはス
ポラ1へとリングが共に含まれているものと判定する(
ステップB)。
ノ゛13 ) 、、この判定(−り以下のJ、−)に1
1/、「う1、第す図に示すJ、うに、画像の縦横にX
)乎(S:及びY J’仁)票をどり、X月i標がX、
Y座標がy(ある画素の強度をUXV’U’表わづしの
とりると、仝UXVのうら強度■(゛ある画素の個数を
各Iの(ll′、I Lつい−(語数して強度■につい
ての度数H(I )を算出づる。次に1−1 (I )
の値を用い−C第〈2)式で表わされる加重平均を算出
する。そこで、この加重平均の算出値を用いて、第(1
)式−C表わされる分散σを算出づる。更にこの算出さ
れたσか88,000以下である(ケース1)か、
1’05,000以上である(ケース2〉か、 88,
000と105,000との間であるくケース3)かを
判別リ−る。但し、この場合、全画素数は512X 5
12であり、LJXVの明るさく強度)の階調は255
にとられている。ぞして、ウース1であれば、回折像は
スポラ1〜のみから成り、クーース2であれば回折像は
リングのみから成り、ケース3てあれば、回折像にはス
ポラ1へとリングが共に含まれているものと判定する(
ステップB)。
そこで、この判定に、よって例え(;1回折1へ8がス
ポットのみから成るものとすると、第4図にお(プるス
テップCに移行し、全く回折を受りり゛に直進した電子
線のスポットである中心スポラ1−の座標(lJo、V
o)と他の回折スポラ)〜のPiI−i票((j。
ポットのみから成るものとすると、第4図にお(プるス
テップCに移行し、全く回折を受りり゛に直進した電子
線のスポットである中心スポラ1−の座標(lJo、V
o)と他の回折スポラ)〜のPiI−i票((j。
■)とを求め、更に中心スポットと各回1hスポツ[へ
まCの距離R3及び各回177スポツトに対応りるrl
l的l)sを求める(スフツブC)。このスラップC
(↓詳細に4J第6図の流れ図に承りように、JU □
−1’、UXVを 疋強度J、り小さいもの(黒レベル
)と一定強磨以1−のちの(白レベル)に分(JC所謂
2 l1Ci化処■[1を行ないくステップC−、1)
、 −jet!りの自レベル画素集団のうち、最大の
しのを中心メボツ1〜と兄なし、中心スポットの座標(
lJo、\’c)を求める(ステップC−2)。但し、
白レベルのj31!りのある画素集団の座標(U 、
V )は以上の演算にJ、り求める。
まCの距離R3及び各回177スポツトに対応りるrl
l的l)sを求める(スフツブC)。このスラップC
(↓詳細に4J第6図の流れ図に承りように、JU □
−1’、UXVを 疋強度J、り小さいもの(黒レベル
)と一定強磨以1−のちの(白レベル)に分(JC所謂
2 l1Ci化処■[1を行ないくステップC−、1)
、 −jet!りの自レベル画素集団のうち、最大の
しのを中心メボツ1〜と兄なし、中心スポットの座標(
lJo、\’c)を求める(ステップC−2)。但し、
白レベルのj31!りのある画素集団の座標(U 、
V )は以上の演算にJ、り求める。
u = (un+ax+umin)/ 2− (
3−1)v = (vmax+vmin) /
2 ・−<3 − 2 )ここ−C,umax、
u…1nは第5図に承りように各々この画素集団の最
大X座標値及び最小X )、i14%jH値−(あり、
■月り4票(こついても圧U 11である。従・> ’
(、’ kl Oは最大の画素集団のX座標の最大値と
最小藺の平均−Cあり、VQ ら同様である。わ゛じい
て、他の椀りの画素についてもその座標を求め、各回折
スポラ1〜の座標(u 、 v )を求める(スフ−ツ
ブC−4)。
3−1)v = (vmax+vmin) /
2 ・−<3 − 2 )ここ−C,umax、
u…1nは第5図に承りように各々この画素集団の最
大X座標値及び最小X )、i14%jH値−(あり、
■月り4票(こついても圧U 11である。従・> ’
(、’ kl Oは最大の画素集団のX座標の最大値と
最小藺の平均−Cあり、VQ ら同様である。わ゛じい
て、他の椀りの画素についてもその座標を求め、各回折
スポラ1〜の座標(u 、 v )を求める(スフ−ツ
ブC−4)。
次に中心スポラ1〜(uo、Vo)から各スポラ1〜(
U 、 V )までの距離R3を以下の計V−を行なう
ことにより求める1゜ Rs = (Ll−Uo )’2 +
(’v−VO) 2−(4)この際77いに例えば
5%以内の3uいしかない複数の距離値データは本来同
一値どなるはずの−bのが、種ノZの誤差の介入により
異なった値とイAったどにえられるので、このような複
数の距離値の平均価を用いて一つの距離1的デ゛−タを
求める。そこて゛、求められた距離値Rsに基づ、いr
結晶の格子面間隔値であるd fri’+ D sを求
める(ステップC−5)。このd値は以下の一般式によ
り求める。
U 、 V )までの距離R3を以下の計V−を行なう
ことにより求める1゜ Rs = (Ll−Uo )’2 +
(’v−VO) 2−(4)この際77いに例えば
5%以内の3uいしかない複数の距離値データは本来同
一値どなるはずの−bのが、種ノZの誤差の介入により
異なった値とイAったどにえられるので、このような複
数の距離値の平均価を用いて一つの距離1的デ゛−タを
求める。そこて゛、求められた距離値Rsに基づ、いr
結晶の格子面間隔値であるd fri’+ D sを求
める(ステップC−5)。このd値は以下の一般式によ
り求める。
d−(1−・λ)/R・・・(5)
但し、上式においてRは中心スポットと回折スポラ1〜
(又は回折リンク)5L、での距離(・あり、(し−λ
)はカメラ定数である。カメラ定数は装置の状態によっ
て変化−づるため、格子面間1(ハリが既知である金の
蒸名粒子等を用いて測定したデータを用いて較正したも
のを用いる1゜ 次にリングのみから成6と判定きれた場合について説明
Jる。この場合には第4図6に示すよう(、ニステップ
Dに移行し、リングの半径Rr及びd値[)rを求める
。このステップDを更に詳細に示し1計すのが第7図で
ある。いま、第8図に示づような画像を処理刃る場合を
例にとると、電子針幹1幾4において、各画素の座標X
に対してΣUxyを幹出しくこの操作を画像のX軸への
剣影操11「とよぶものとする)、同様に各画素の座標
yに対して6ΣUxyを算出(この操作を画像のY軸へ
のf)J影操作とよぶものと゛づる)Jる(ステップD
−1> 、。
(又は回折リンク)5L、での距離(・あり、(し−λ
)はカメラ定数である。カメラ定数は装置の状態によっ
て変化−づるため、格子面間1(ハリが既知である金の
蒸名粒子等を用いて測定したデータを用いて較正したも
のを用いる1゜ 次にリングのみから成6と判定きれた場合について説明
Jる。この場合には第4図6に示すよう(、ニステップ
Dに移行し、リングの半径Rr及びd値[)rを求める
。このステップDを更に詳細に示し1計すのが第7図で
ある。いま、第8図に示づような画像を処理刃る場合を
例にとると、電子針幹1幾4において、各画素の座標X
に対してΣUxyを幹出しくこの操作を画像のX軸への
剣影操11「とよぶものとする)、同様に各画素の座標
yに対して6ΣUxyを算出(この操作を画像のY軸へ
のf)J影操作とよぶものと゛づる)Jる(ステップD
−1> 、。
このΣUxy及びΣUxyの値は各々x、yのllI′
!【こ対x して例えば第8図の曲線A、Bで示すよう<1:’bの
となり、中心スポッ1−の位置に、lI3い°CC大人
イsる。
!【こ対x して例えば第8図の曲線A、Bで示すよう<1:’bの
となり、中心スポッ1−の位置に、lI3い°CC大人
イsる。
そこで、曲線A、[3において、狛が11A人どイにる
×座標と■座標を求めれば、これが中心スポツ1〜の座
標(uo、VO)である。このにうにし乙中心スポット
の斤ユ標(Uo、Vo)を求め(ステップD−2)だ後
、中心スポッ1への位置を通りX il’lllに平行
な第8図においてl 、 m c示ず線分とY軸に゛[
行な線分n、sJの画素の値(〕xyを読Jノ出−J
。
×座標と■座標を求めれば、これが中心スポツ1〜の座
標(uo、VO)である。このにうにし乙中心スポット
の斤ユ標(Uo、Vo)を求め(ステップD−2)だ後
、中心スポッ1への位置を通りX il’lllに平行
な第8図においてl 、 m c示ず線分とY軸に゛[
行な線分n、sJの画素の値(〕xyを読Jノ出−J
。
これら各線分上の画素の箭を、中心スポッ1〜iこ向う
向ぎに座標軸の向きを揃えて図示すると、各々第9図の
(a )’+ (b )、 (c )、 (d
)で示りJ、うに互いに略相似形をしており、いずれも
回折リングの位置に極大を有している。そこで、電子計
算機において第9図(a)、(b)、(c)。
向ぎに座標軸の向きを揃えて図示すると、各々第9図の
(a )’+ (b )、 (c )、 (d
)で示りJ、うに互いに略相似形をしており、いずれも
回折リングの位置に極大を有している。そこで、電子計
算機において第9図(a)、(b)、(c)。
(d )に示した強度を足し合せて、第9図(C)(こ
示づ゛ような結果を得る演算を行ない、先に〕)ミめた
中心スポットの座標とこの第9図(0)に示寸値が極大
となる座標との距離を求めれば、これにより各リング半
径Rrが高粘度に求められる。半径Rrが求められると
、ステップCの場合と同様に前記(5)式を用い−Cd
値を氷め6゜次に第4図におけるステップBにおいて、
スポット−とリングが共1こ存在していると判定された
場合を説明する。このように判定されると、第4図にお
りるステップ[に移行°する。スう一ツブ[は詳細には
第10図の流れ図に示づもの(・あり、即ち、まずステ
ップD−1にiJE &プる場合と全く同様に前述した
X@への射影操作とY軸への射影操作を行ない、各17
ΣUXVを最大とづるXと、ΣUXVを最X 人とりる■を求め(中心スポッI〜のIIi’ 4票(
+10゜Vo)どり6(スーTツブF−1’ )。尚、
この場合回折1(+には一スポット状のものし含まれ(
いくンため、X軸及びYIiIilIへのI’l影強度
には第1′1図の11、う(ニスボッ1〜に基つく極大
部Gが4−しるが、スポッ1への占める面積はリングの
面積に比較し゛(小さいため、極大部GがΣ1・・標(
uo、Vo)を求めイノ際にド・11害にイ2ること+
91ない。V(に画像の2 kt″」イヒを行ないくス
テップ[:’−3)、この2舶化された画像11′1報
に従つC同−画像内にJ> LSIるスポッ1−とリン
グの弁別を行なう(ステップ[−4)。即I)、−しυ
りの画素集団につい−C前記第(/1)式に従っ(その
座標(U 、 V )を求める。両糸9、団がリングな
らば、イの座標は最初に求めた中心スポットの座標(I
Jo、Vo)と同一か、或いはこの座標を中心とりる極
く小ざい半径1’ cの円内に位冒しくいる【まずであ
る。そこで、求められた各画素集団に対しくその座標が
この円内に入るか否かを判定し、この円内に入るものは
リングと児なして、スポッ1〜として分析処理する対象
から除外する。リングをスポットとして混同して処理づ
ると、小ざな距離Rsを右する多数の回折スポッI〜が
存Y「リ−ることになり、前記第(5)式により多数の
大きな餡を右りるd値が存在りるというム)1つだ分析
結果を導き2.そのため試料の正しい同定がで′きなく
なる、。
示づ゛ような結果を得る演算を行ない、先に〕)ミめた
中心スポットの座標とこの第9図(0)に示寸値が極大
となる座標との距離を求めれば、これにより各リング半
径Rrが高粘度に求められる。半径Rrが求められると
、ステップCの場合と同様に前記(5)式を用い−Cd
値を氷め6゜次に第4図におけるステップBにおいて、
スポット−とリングが共1こ存在していると判定された
場合を説明する。このように判定されると、第4図にお
りるステップ[に移行°する。スう一ツブ[は詳細には
第10図の流れ図に示づもの(・あり、即ち、まずステ
ップD−1にiJE &プる場合と全く同様に前述した
X@への射影操作とY軸への射影操作を行ない、各17
ΣUXVを最大とづるXと、ΣUXVを最X 人とりる■を求め(中心スポッI〜のIIi’ 4票(
+10゜Vo)どり6(スーTツブF−1’ )。尚、
この場合回折1(+には一スポット状のものし含まれ(
いくンため、X軸及びYIiIilIへのI’l影強度
には第1′1図の11、う(ニスボッ1〜に基つく極大
部Gが4−しるが、スポッ1への占める面積はリングの
面積に比較し゛(小さいため、極大部GがΣ1・・標(
uo、Vo)を求めイノ際にド・11害にイ2ること+
91ない。V(に画像の2 kt″」イヒを行ないくス
テップ[:’−3)、この2舶化された画像11′1報
に従つC同−画像内にJ> LSIるスポッ1−とリン
グの弁別を行なう(ステップ[−4)。即I)、−しυ
りの画素集団につい−C前記第(/1)式に従っ(その
座標(U 、 V )を求める。両糸9、団がリングな
らば、イの座標は最初に求めた中心スポットの座標(I
Jo、Vo)と同一か、或いはこの座標を中心とりる極
く小ざい半径1’ cの円内に位冒しくいる【まずであ
る。そこで、求められた各画素集団に対しくその座標が
この円内に入るか否かを判定し、この円内に入るものは
リングと児なして、スポッ1〜として分析処理する対象
から除外する。リングをスポットとして混同して処理づ
ると、小ざな距離Rsを右する多数の回折スポッI〜が
存Y「リ−ることになり、前記第(5)式により多数の
大きな餡を右りるd値が存在りるというム)1つだ分析
結果を導き2.そのため試料の正しい同定がで′きなく
なる、。
このJ、うにしてリングを除外した、各スポッ1−に対
応づる画素集団の座標を求めた後(,1、中心スポツ1
〜のJ4i6標(uo、Vo)は既に求められ−Cいる
ため、第6図に示したステツノ゛C’3からC−5、L
でと全く同様の処理を行ない、各スポットの距:’TJ
J Rrとd値を求める〈ステップ” 5 ) n’
(1(に;J: 7図に示しlこ流れ図にd3CJる
スフ−ツブD 3からスラップD −5までと全<l
1Xi1)l、贅の処理を行なうごとにより、各リング
の半径Rl゛とd値[)rを求める。
応づる画素集団の座標を求めた後(,1、中心スポツ1
〜のJ4i6標(uo、Vo)は既に求められ−Cいる
ため、第6図に示したステツノ゛C’3からC−5、L
でと全く同様の処理を行ない、各スポットの距:’TJ
J Rrとd値を求める〈ステップ” 5 ) n’
(1(に;J: 7図に示しlこ流れ図にd3CJる
スフ−ツブD 3からスラップD −5までと全<l
1Xi1)l、贅の処理を行なうごとにより、各リング
の半径Rl゛とd値[)rを求める。
このようにしで、スラップC又は「によってスポットの
座標(U、V)、距離Rs及びd値Dsが求められたら
、これらデータを各々電子計に、1 ts=4の記憶部
の記憶領域PXY、R8及びDSに記憶りる。同様にス
テップD又は[によってリングの半径Rr及びd値[)
rが求められたら、各1z記憶領域RR及びDRに記憶
りる。そこC゛、次に第4図に示すステップ「を行4f
い、外部記憶装置7に記憶、されている多数の各種物質
の(j佃の組みを表ねづデータを読み出し、電子泪憧機
4におい−C既に求められた試料のd値データと照合す
る。この場合、外部2恨装置には第12図(a >にポ
リように物質毎にその名称、屈づ−る結晶系、 it
O。
座標(U、V)、距離Rs及びd値Dsが求められたら
、これらデータを各々電子計に、1 ts=4の記憶部
の記憶領域PXY、R8及びDSに記憶りる。同様にス
テップD又は[によってリングの半径Rr及びd値[)
rが求められたら、各1z記憶領域RR及びDRに記憶
りる。そこC゛、次に第4図に示すステップ「を行4f
い、外部記憶装置7に記憶、されている多数の各種物質
の(j佃の組みを表ねづデータを読み出し、電子泪憧機
4におい−C既に求められた試料のd値データと照合す
る。この場合、外部2恨装置には第12図(a >にポ
リように物質毎にその名称、屈づ−る結晶系、 it
O。
bO,Coで表わされる格子定数とよ(に複数のfj値
データdi、d2.・・・d、及び各d値の指数(h、
k、 l )1 、 (h、
k、 l :l++ 、 、=(
b。
データdi、d2.・・・d、及び各d値の指数(h、
k、 l )1 、 (h、
k、 l :l++ 、 、=(
b。
k 、 l ) nを記憶した原波検索データを記憶し
−Cいるが、この原波検索データからtiL効率良く物
′〔1の同定はできないたり、このデータを第12図(
[))に承りようにd1的を中心にし−U slAへか
え−(効率良く同定のための検索を行ない1GるJ、゛
うにしCいる。即ら、この並べ変えた被検索データは、
原波検索データに含まれ−(いる全物質のd IiOデ
ータを、例えば最も小さいものから順に並l\、各d値
に対してこの値を右づる物質名に対応労るアドレスを記
憶するようにしたものである。電子計算(幾4により、
測定によって既に求めたd伯データとこの被検索データ
とを照合し、各d直に対して該溝刃る物質名を拾い挙げ
て行さ、最も多くの回数挙げられた物質名が正しい名称
で゛ある着熱性が高いため、この名称を第13図(a
)に示りようにCRTloに表示づる。この同定結果は
第13図(a )の」、うに最も多く挙げられた結晶名
だ(プを表示俳るようにしても良いが、第13図(b
)に示すように挙(づられた結晶名の全てをその挙げら
れた回数の%と共に表示づるJ、うにしても良い。
−Cいるが、この原波検索データからtiL効率良く物
′〔1の同定はできないたり、このデータを第12図(
[))に承りようにd1的を中心にし−U slAへか
え−(効率良く同定のための検索を行ない1GるJ、゛
うにしCいる。即ら、この並べ変えた被検索データは、
原波検索データに含まれ−(いる全物質のd IiOデ
ータを、例えば最も小さいものから順に並l\、各d値
に対してこの値を右づる物質名に対応労るアドレスを記
憶するようにしたものである。電子計算(幾4により、
測定によって既に求めたd伯データとこの被検索データ
とを照合し、各d直に対して該溝刃る物質名を拾い挙げ
て行さ、最も多くの回数挙げられた物質名が正しい名称
で゛ある着熱性が高いため、この名称を第13図(a
)に示りようにCRTloに表示づる。この同定結果は
第13図(a )の」、うに最も多く挙げられた結晶名
だ(プを表示俳るようにしても良いが、第13図(b
)に示すように挙(づられた結晶名の全てをその挙げら
れた回数の%と共に表示づるJ、うにしても良い。
このようにして第4図においCステップ1−で示づ試料
の同定が終了覆ると、この同定された試料の各回折スポ
ットあるいはリングについC面指数の指数伺りと結晶方
位の算出が行なわれる(ステップG)。この面指数の指
数付(プは電子計算機4によっC外部記憶装置に記憶さ
れている原波検索データを読み出して、該当する物質の
d値と指数との関係を記録しているデータを検索するこ
とにより行なう。又、結晶方位の割算も指数イ・1(つ
られたーj−タを基に逆格了ベク1ヘルのii韓を電了
泪(式()穴4におい”0行にうことにJ、って自動的
(こiiない、得られた結果をCRT 10等に表示り
る。
の同定が終了覆ると、この同定された試料の各回折スポ
ットあるいはリングについC面指数の指数伺りと結晶方
位の算出が行なわれる(ステップG)。この面指数の指
数付(プは電子計算機4によっC外部記憶装置に記憶さ
れている原波検索データを読み出して、該当する物質の
d値と指数との関係を記録しているデータを検索するこ
とにより行なう。又、結晶方位の割算も指数イ・1(つ
られたーj−タを基に逆格了ベク1ヘルのii韓を電了
泪(式()穴4におい”0行にうことにJ、って自動的
(こiiない、得られた結果をCRT 10等に表示り
る。
尚、本発明は上述した実施例に限定されることなく幾多
の変形が司能で・ある11例えば、1 i、、、ii
I、た実施例におい℃は、回折((:を構成りる各画素
におりる検出強1シの度数分イliを表わ’IJ ’+
’、1’+をい出弓るため、所謂分散をf;)出づるた
めの式と同形の代を用いたか、他の式にJ、・)(算出
し−(し良く3、例え(5、L′、第1への(I−[)
を3東した式を用い−(らj、1いし、第2図に示した
度数分4+を表わり曲r’r:r ’aミス18−ズイ
ンクた後、曲線の傾きを力ii出しく、この(111き
の値にJ、り回折像がスポラI〜から成/、)かリング
から成るかを判定り−るようにしくし良い、。
の変形が司能で・ある11例えば、1 i、、、ii
I、た実施例におい℃は、回折((:を構成りる各画素
におりる検出強1シの度数分イliを表わ’IJ ’+
’、1’+をい出弓るため、所謂分散をf;)出づるた
めの式と同形の代を用いたか、他の式にJ、・)(算出
し−(し良く3、例え(5、L′、第1への(I−[)
を3東した式を用い−(らj、1いし、第2図に示した
度数分4+を表わり曲r’r:r ’aミス18−ズイ
ンクた後、曲線の傾きを力ii出しく、この(111き
の値にJ、り回折像がスポラI〜から成/、)かリング
から成るかを判定り−るようにしくし良い、。
[効果]
上)ホしたように本願によれば、回Jlr iα(がス
ポラ1〜から成るものか、リングから成るしのか、あ6
いはスポラ1〜とリングの混在したものかを比較的簡単
な情報処理により自動的に判定して、夫々の場合に応じ
て別個の処理を行ない、試料をオンラインで分析するこ
とができる。従って、分析のための知識や経験が無くて
も、又快適で゛ない!18室作A“3をすることなしに
、試料の分析を知++:!、間で行なうことができる。
ポラ1〜から成るものか、リングから成るしのか、あ6
いはスポラ1〜とリングの混在したものかを比較的簡単
な情報処理により自動的に判定して、夫々の場合に応じ
て別個の処理を行ない、試料をオンラインで分析するこ
とができる。従って、分析のための知識や経験が無くて
も、又快適で゛ない!18室作A“3をすることなしに
、試料の分析を知++:!、間で行なうことができる。
第1図は回折像がスポット状である場合、リング状C゛
ある場合、スポラ1〜とリングが混在している場合を比
較して示づための図、第2図は回折像がスポット状、リ
ング状1両名が混在の各場合にd5りる画素の検出強度
の度数分布を比較[7て示ずIこめの図、第3図は本発
明を実施づるための装置の一例を承りだめの図、り14
図(ま試才ご1を自動的に同定りるための処理の’7A
Eれの全1水を承りだめの図、第5図は画素の座標と白
レベルの両糸集団の座標を説明するための図、第6図は
回折16ξがスポラ1〜状である場合にd値を求めるた
めの流れ図、第7図は回折像がリング状C′dうる揚台
にd1白を求めるための流れ図、第8図は画素の射影操
作によって1冒られる強度を説明するための図、第9図
は中心スポラ1〜からリングまでの距離を求める処理を
訂1明りるための図、第10図は回折像がスポラ1〜と
リングから成6揚合にd)10を求めるための処理の流
れを説明りるl、:めの図、第11図(よ回折部がスポ
ラ1〜とリングから成る場合の射影強度を例示りるため
の図、第12図は原波検索データと原波倹素データから
作られIこ被検索データを説明Jるための図、第13図
は分析結果のCRTにJ5 +jる表示例を示づための
図である。 1:電子顕微鏡、2:(1η像装置、3 : A D変
換器、4:電子計算機、5:透′Al電了検出器、6:
AD変換器、7:外部記IJム装置、8:モニター用C
RT、9:キーボード、10:二lンソール用ORT。 第1図 第3図 第4図 v Vmin 第6図
ある場合、スポラ1〜とリングが混在している場合を比
較して示づための図、第2図は回折像がスポット状、リ
ング状1両名が混在の各場合にd5りる画素の検出強度
の度数分布を比較[7て示ずIこめの図、第3図は本発
明を実施づるための装置の一例を承りだめの図、り14
図(ま試才ご1を自動的に同定りるための処理の’7A
Eれの全1水を承りだめの図、第5図は画素の座標と白
レベルの両糸集団の座標を説明するための図、第6図は
回折16ξがスポラ1〜状である場合にd値を求めるた
めの流れ図、第7図は回折像がリング状C′dうる揚台
にd1白を求めるための流れ図、第8図は画素の射影操
作によって1冒られる強度を説明するための図、第9図
は中心スポラ1〜からリングまでの距離を求める処理を
訂1明りるための図、第10図は回折像がスポラ1〜と
リングから成6揚合にd)10を求めるための処理の流
れを説明りるl、:めの図、第11図(よ回折部がスポ
ラ1〜とリングから成る場合の射影強度を例示りるため
の図、第12図は原波検索データと原波倹素データから
作られIこ被検索データを説明Jるための図、第13図
は分析結果のCRTにJ5 +jる表示例を示づための
図である。 1:電子顕微鏡、2:(1η像装置、3 : A D変
換器、4:電子計算機、5:透′Al電了検出器、6:
AD変換器、7:外部記IJム装置、8:モニター用C
RT、9:キーボード、10:二lンソール用ORT。 第1図 第3図 第4図 v Vmin 第6図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 電子線回折像を電気信号に変換し、該信舅強1シの度数
分布を表わす値を緯出し、この算出されl二顧がどの値
の範囲に入るかにJ、り前記回折像がスポットのみより
成るか、リングのミJ:り成るか。 スポットとリングの両”lj J、り成ろがを刊′I「
シ、この判定に基づいて各回折スボッ1〜及び又【、1
、リングに対応りる格子面間隔値を求め、請求められた
ふ1:斜に対重る格子面間隔値の組みを種々の吻C″I
(7)侶了面間隔沁を表わリーデータと照合することに
j、す、試料の同定を行なうことを特徴どりる電了線回
1)f像の自動弁4fi方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58038622A JPS59163548A (ja) | 1983-03-09 | 1983-03-09 | 電子線回折像の自動分析方法 |
US06/584,602 US4553030A (en) | 1983-03-09 | 1984-02-29 | Method for automatic analysis of electron beam diffraction pattern |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58038622A JPS59163548A (ja) | 1983-03-09 | 1983-03-09 | 電子線回折像の自動分析方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59163548A true JPS59163548A (ja) | 1984-09-14 |
JPH0521180B2 JPH0521180B2 (ja) | 1993-03-23 |
Family
ID=12530335
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58038622A Granted JPS59163548A (ja) | 1983-03-09 | 1983-03-09 | 電子線回折像の自動分析方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4553030A (ja) |
JP (1) | JPS59163548A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7385198B2 (en) | 2001-02-28 | 2008-06-10 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for measuring the physical properties of micro region |
Families Citing this family (15)
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---|---|---|---|---|
US4857731A (en) * | 1987-04-17 | 1989-08-15 | Jeol Ltd. | Instrument for analyzing specimen |
NL9001800A (nl) * | 1990-08-10 | 1992-03-02 | Philips Nv | Methode voor het direct verkrijgen van amplitude- en fase-informatie van een object met behulp van beelden van een hoge-resolutie elektronenmicroscoop. |
JP2580953B2 (ja) * | 1993-07-01 | 1997-02-12 | 日本電気株式会社 | 結晶構造決定方法 |
JP3230911B2 (ja) * | 1993-11-04 | 2001-11-19 | 株式会社日立製作所 | 走査電子顕微鏡及びその画像形成方法 |
CN1291502C (zh) * | 2001-03-19 | 2006-12-20 | 信越半导体株式会社 | 太阳能电池及其制造方法 |
US6732054B2 (en) | 2001-11-27 | 2004-05-04 | Shell Oil Company | Process for identifying single crystals by electron diffraction |
US7532985B2 (en) * | 2001-11-27 | 2009-05-12 | Shell Oil Company | Process for identifying polycrystalline materials by electron diffraction |
JP4148799B2 (ja) * | 2003-03-04 | 2008-09-10 | 京セラ株式会社 | 電子回折パターンの解析方法及び解析装置 |
US8131481B2 (en) * | 2007-05-03 | 2012-03-06 | State Of Oregon Acting By And Through The State Board Of Higher Education On Behalf Of Portland State University | Database supported nanocrystal structure identification by lattice-fringe fingerprinting with structure factor extraction |
US8748817B2 (en) * | 2010-07-27 | 2014-06-10 | Vineet Kumar | Orientation imaging using wide angle convergent beam diffraction in transmission electron microscopy |
JP5473891B2 (ja) * | 2010-12-27 | 2014-04-16 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置及び試料作製方法 |
ES2419181B2 (es) * | 2011-12-16 | 2014-04-24 | Universidad De Cádiz | Metodo de determinacion de parametros reticulares de materiales cristalinos mediante difraccion de electrones de alta resolucion |
JP2014240780A (ja) | 2013-06-11 | 2014-12-25 | 株式会社東芝 | 試料構造分析方法、透過電子顕微鏡およびプログラム |
EP2899744A1 (en) * | 2014-01-24 | 2015-07-29 | Carl Zeiss Microscopy GmbH | Method for preparing and analyzing an object as well as particle beam device for performing the method |
US9978557B2 (en) * | 2016-04-21 | 2018-05-22 | Fei Company | System for orienting a sample using a diffraction pattern |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS5740639A (en) * | 1980-08-25 | 1982-03-06 | Agency Of Ind Science & Technol | Analyzing method for x-ray powder diffracted image |
JPS5838623A (ja) * | 1981-08-31 | 1983-03-07 | Daido Steel Co Ltd | 搬送機構 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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DE3008404C2 (de) * | 1980-03-05 | 1984-07-19 | Helmut 8046 Garching Formanek | Verfahren und Einrichtung zum Erzeugen von Elektronenstrahl-Beugungsbildern |
BR8108474A (pt) * | 1981-12-29 | 1983-08-16 | Minas Gerais Siderurg | Metodo e dispositivo para determinacao de distancias interplanares em figuras de difracao de eletrons |
-
1983
- 1983-03-09 JP JP58038622A patent/JPS59163548A/ja active Granted
-
1984
- 1984-02-29 US US06/584,602 patent/US4553030A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5740639A (en) * | 1980-08-25 | 1982-03-06 | Agency Of Ind Science & Technol | Analyzing method for x-ray powder diffracted image |
JPS5838623A (ja) * | 1981-08-31 | 1983-03-07 | Daido Steel Co Ltd | 搬送機構 |
Cited By (1)
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---|---|---|---|---|
US7385198B2 (en) | 2001-02-28 | 2008-06-10 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for measuring the physical properties of micro region |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0521180B2 (ja) | 1993-03-23 |
US4553030A (en) | 1985-11-12 |
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