JP2012137438A5 - - Google Patents
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本発明の放射線画像検出装置は、
放射線の照射によって蛍光を発するシンチレータと、
前記シンチレータが発した蛍光を電気信号として検出する光検出器と、
前記光検出器を駆動制御する制御モジュールと、を備え、
放射線入射側から、前記光検出器、前記シンチレータ、前記制御モジュールの順に配置されており、
前記光検出器は、ガラス基板及び該ガラス基板上に形成された複数のスイッチング素子及び光電変換素子を含むセンサ基板を有し、該センサ基板の前記シンチレータに相対する表面には樹脂平坦化層が設けられており、
前記シンチレータは、ヨウ化セシウムを含有する蛍光物質の結晶が柱状に成長してなる柱状結晶の群で形成された柱状部及びこの柱状部の前記センサ基板側に設けられる第1非柱状部を有する。
放射線の照射によって蛍光を発するシンチレータと、
前記シンチレータが発した蛍光を電気信号として検出する光検出器と、
前記光検出器を駆動制御する制御モジュールと、を備え、
放射線入射側から、前記光検出器、前記シンチレータ、前記制御モジュールの順に配置されており、
前記光検出器は、ガラス基板及び該ガラス基板上に形成された複数のスイッチング素子及び光電変換素子を含むセンサ基板を有し、該センサ基板の前記シンチレータに相対する表面には樹脂平坦化層が設けられており、
前記シンチレータは、ヨウ化セシウムを含有する蛍光物質の結晶が柱状に成長してなる柱状結晶の群で形成された柱状部及びこの柱状部の前記センサ基板側に設けられる第1非柱状部を有する。
[製作例13]
支持体として、製作例3で用いたガラス基板に変えて、光検出器表面に直接シンチレータを、製作例3と同様の条件にて製膜して形成した。本態様では、光検出器の近傍に第1非柱状部がまず形成され、その後、柱状部が形成されることになり、熱硬化性の接着剤による貼り合わせは実施していない。この処理以外は、製作例3と同様に行った。
支持体として、製作例3で用いたガラス基板に変えて、光検出器表面に直接シンチレータを、製作例3と同様の条件にて製膜して形成した。本態様では、光検出器の近傍に第1非柱状部がまず形成され、その後、柱状部が形成されることになり、熱硬化性の接着剤による貼り合わせは実施していない。この処理以外は、製作例3と同様に行った。
表1に明らかなように、本発明の製作例1〜11の放射線画像検出装置は、シンチレータがすべて柱状結晶で構成される製作例12に比べて、高感度でかつ、画像のボケなどの画質低下が抑制され、得られる画像の鮮鋭度が高いことがわかる。
Claims (15)
- 放射線の照射によって蛍光を発するシンチレータと、
前記シンチレータが発した蛍光を電気信号として検出する光検出器と、
前記光検出器を駆動制御する制御モジュールと、を備え、
放射線入射側から、前記光検出器、前記シンチレータ、前記制御モジュールの順に配置されており、
前記光検出器は、ガラス基板及び該ガラス基板上に形成された複数のスイッチング素子及び光電変換素子を含むセンサ基板を有し、該センサ基板の前記シンチレータに相対する表面には樹脂平坦化層が設けられており、
前記シンチレータは、ヨウ化セシウムを含有する蛍光物質の結晶が柱状に成長してなる柱状結晶の群で形成された柱状部及びこの柱状部の前記センサ基板側に設けられる第1非柱状部を有する放射線画像検出装置。 - 請求項1に記載の放射線画像検出装置であって、
前記第1非柱状部の空隙率は、10%以下である、放射線画像検出装置。 - 請求項1又は2に記載の放射線画像検出装置であって、
前記第1非柱状部の厚みは、3μm以上、50μm以下である、放射線画像検出装置。 - 請求項1から3のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置であって、
前記シンチレータは、前記柱状部の前記第1非柱状部側とは反対側に設けられる第2非柱状部を有する、放射線画像検出装置。 - 請求項4に記載の放射線画像検出装置であって、
前記第1非柱状部の空隙率は、前記第2非柱状部の空隙率よりも小さい、放射線画像検出装置。 - 請求項4又は5に記載の放射線画像検出装置であって、
前記第1非柱状部の厚みは、前記第2非柱状部の厚みよりも小さい、放射線画像検出装置。 - 請求項1から6のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置であって、
前記センサ基板には、前記シンチレータの前記第1非柱状部側の部分が貼り合わせられる、放射線画像検出装置。 - 請求項7に記載の放射線画像検出装置であって、
前記柱状部における結晶成長方向先端部の少なくとも前記柱状結晶間に前記第1非柱状部が設けられて前記シンチレータが平坦化される、放射線画像検出装置。 - 請求項1から6のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置であって、
前記シンチレータは、気相堆積法により前記センサ基板に蒸着される、放射線画像検出装置。 - 請求項9に記載の放射線画像検出装置であって、
前記第1非柱状部は、前記センサ基板上に、蒸着の初期において形成された領域であり、この第1非柱状部の空隙率は、0あるいは略0である、放射線画像検出装置。 - 請求項1から10のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置であって、
前記シンチレータは、保護膜によって被覆される、放射線画像検出装置。 - 請求項11に記載の放射線画像検出装置であって、
前記保護膜は、パリレンである、放射線画像検出装置。 - 請求項11又は12に記載の放射線画像検出装置であって、
前記保護膜は、気相堆積法により蒸着される、放射線画像検出装置。 - 請求項1から13のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置であって、
可搬なカセッテとされる、放射線画像検出装置。 - 請求項1から14のいずれか一項に記載の放射線画像検出装置の製造方法であって、
支持体上に、気相堆積法により前記シンチレータを形成する際に、真空度、支持体温度、及び蒸着レートの少なくともいずれかの条件を変更することで、前記柱状部及び前記第1非柱状部を少なくとも含むシンチレータを形成するシンチレータ形成工程を含む、放射線画像検出装置の製造方法。
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