JP2012123145A - 波長可変干渉フィルター、光モジュール、及び光分析装置 - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 40
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 167
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 17
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 12
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 10
- BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N bis(2-ethylhexyl) phthalate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC(CC)CCCC BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 37
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000013075 data extraction Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005355 lead glass Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
- G02B5/28—Interference filters
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/02—Details
- G01J3/027—Control of working procedures of a spectrometer; Failure detection; Bandwidth calculation
-
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/02—Details
- G01J3/10—Arrangements of light sources specially adapted for spectrometry or colorimetry
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/12—Generating the spectrum; Monochromators
- G01J3/26—Generating the spectrum; Monochromators using multiple reflection, e.g. Fabry-Perot interferometer, variable interference filters
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/46—Measurement of colour; Colour measuring devices, e.g. colorimeters
- G01J3/50—Measurement of colour; Colour measuring devices, e.g. colorimeters using electric radiation detectors
- G01J3/51—Measurement of colour; Colour measuring devices, e.g. colorimeters using electric radiation detectors using colour filters
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
- G02B26/002—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements the movement or the deformation controlling the frequency of light, e.g. by Doppler effect
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
- Optical Filters (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
【解決手段】第1基板に設けられた第1電極と、可動部522を有する第2基板52に設けられ、第1電極と対向する第2電極562と、第1電極から第1基板の外周縁に向かって延出して設けられた第1電極線と、第2電極562から第2基板52の外周縁に向かって延出して設けられた第2電極線562Aと、第1電極線と対向し、第2電極562と絶縁されて設けられた第1対向電極線562Bと、第1電極線及び第1対向電極線562Bを導通する第1導通部とを備え、第2電極線562Aと第1対向電極線562Bとは、第2基板52の厚み方向から見た平面視において、可動部522の中心点を中心とした仮想円の中心点を通り、仮想円を等角度間隔に分割する方向に延出して形成される。
【選択図】図3
Description
このような構成により、一対の電極から基板の外周縁までそれぞれ延出した各電極線に電圧が印加されることで、一対の電極間に静電引力が発生する。この静電引力によりダイヤフラムが湾曲して、ミラーが形成された可動部が基板厚み方向に移動し、一対のミラー間のギャップを変更することが可能となる。これにより、波長可変干渉フィルターは、ギャップに応じた特定波長の光を透過させることが可能となる。
そこで、第1の基板におけるダイヤフラムの応力バランスを向上させるために、基板中心点を対称中心点として、前記電極線と点対称となる位置に、同一構成の電極線(撓み防止膜用電極線)を形成することが考えられる。
しかしながら、例えば、波長可変干渉フィルターを組み込むためのモジュールの配線状態等の構造的な制約などにより、第2の基板のうち、撓み防止用電極線に対向する位置に電極線を設けなければならない場合もある。このような場合、撓み防止用電極線と第2の基板の電極線との間で静電引力が発生するため、一対のミラーが互いに平行とならない可能性がある。これにより、一対のミラー間のギャップを所望のギャップに正確に設定することができないという課題がある。
例えば、第2電極線と第1対向電極線とが180度間隔に形成される場合は、第2電極線及び第1対向電極線が可動部の中心点を中心として点対称に設けられることとなり、第2電極線と第1対向電極線とが90度間隔に形成される場合は、第2電極線及び第1対向電極線が可動部の中心点を通る対称軸を中心として線対称に設けられることとなる。
これにより、第2電極線と第1対向電極線とにより、第2基板の応力バランスが均一に保たれ、上述したように、第2基板に第2電極線のみが成膜された場合の膜応力により、第2基板の可動部が傾くことを防止でき、一対の反射膜を互いに平行に維持できる。
さらに、互いに対向する第1電極線及び第1対向電極線が第1導通部で導通される。これにより、第1電極線及び第1対向電極線は電位差が0となるので、第1電極線と第1対向電極線との間で静電引力が発生することを防止でき、第1電極と第2電極との間でのみ静電引力を発生させることができる。
従って、一対の反射膜を互いに平行に維持でき、所望のギャップに正確に設定できる。
本発明によれば、第2電極線及び第1対向電極線が連結保持部に形成された形成領域における形状は、同一形状に形成される。これにより、第2基板において、連結保持部の応力バランスが均一に保たれるので、例えば、連結保持部に第2電極線のみが成膜された場合の膜応力により、可動部が傾くことを確実に防止でき、一対の反射膜を互いに平行に維持できる。
そこで、本発明によれば、第1基板には、平面視における第1反射膜の中心点を中心とした仮想円の中心点を通り、仮想円を等角度間隔に分割する方向に、第1電極線と、第2電極線に対向する第2対向電極線とが延出して形成される。これにより、第1電極線のみが成膜された場合の膜応力により、第1基板に生じる撓みを防止でき、一対の反射膜をより平行に維持できる。
さらに、互いに対向する第2電極線及び第2対向電極線が第2導通部で導通される。これにより、第2電極線及び第2対向電極線は電位差が0となるので、第2電極線と第2対向電極線との間で静電引力が発生することを防止でき、第1電極と第2電極との間でのみ静電引力を発生させることができる。従って、一対の反射膜をより平行に維持でき、所望のギャップに正確に設定できる。
〔1.測色装置の概略構成〕
図1は、本実施形態の測色装置1(光分析装置)の概略構成を示すブロック図である。
測色装置1は、図1に示すように、検査対象Aに光を射出する光源装置2と、測色センサー3(光モジュール)と、測色装置1の全体動作を制御する制御装置4とを備える。そして、この測色装置1は、光源装置2から射出される光を検査対象Aにて反射させ、反射された検査対象光を測色センサー3にて受光し、測色センサー3から出力される検出信号に基づいて、検査対象光の色度、すなわち検査対象Aの色を分析して測定する装置である。
光源装置2は、光源21、複数のレンズ22(図1には1つのみ記載)を備え、検査対象Aに対して白色光を射出する。また、複数のレンズ22には、コリメーターレンズが含まれてもよく、この場合、光源装置2は、光源21から射出された白色光をコリメーターレンズにより平行光とし、図示しない投射レンズから検査対象Aに向かって射出する。なお、本実施形態では、光源装置2を備える測色装置1を例示するが、例えば検査対象Aが液晶パネルなどの発光部材である場合、光源装置2が設けられない構成としてもよい。
測色センサー3は、図1に示すように、エタロン5(波長可変干渉フィルター)と、エタロン5を透過する光を受光する受光素子31(受光部)と、エタロン5で透過させる光の波長を可変する電圧制御部6とを備える。また、測色センサー3は、エタロン5に対向する位置に、検査対象Aで反射された反射光(検査対象光)を、内部に導光する図示しない入射光学レンズを備えている。そして、この測色センサー3は、エタロン5により、入射光学レンズから入射した検査対象光のうち、所定波長の光を分光し、分光した光を受光素子31にて受光する。
受光素子31は、複数の光電交換素子により構成されており、受光量に応じた電気信号を生成する。そして、受光素子31は、制御装置4に接続されており、生成した電気信号を受光信号として制御装置4に出力する。
図2は、エタロン5の第1基板51の平面図であり、図3は、エタロン5の第2基板52の平面図である。図4は、図2及び図3の矢視IV-IV線で示す位置でのエタロン5の断面図である。なお、図1では、エタロン5に検査対象光が図中下側から入射しているが、図4では、検査対象光が図中上側から入射するものとする。
第1基板51及び第2基板52は、図2及び図3に示すように、平面視正方形状の板状の光学部材であり、一辺が例えば10mmに形成されている。このエタロン5は、図4に示すように、検査対象光の入射側から第1基板51及び第2基板52を備え、これらの基板51,52が、プラズマ重合膜を用いたシロキサン接合などにより接合層53を介して互いに接合されて一体的に構成される。これらの2枚の基板51,52は、それぞれ例えば、ソーダガラス、結晶性ガラス、石英ガラス、鉛ガラス、カリウムガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラスなどの各種ガラスや、水晶などにより形成されている。
さらに、第1基板51と第2基板52との間には、各ミラー54,55の間のミラー間ギャップG1の寸法を調整するための静電アクチュエーター56が設けられている。
第1基板51は、厚みが例えば500μmのガラス基材をエッチングにより加工することで形成される。この第1基板51には、図2及び図4に示すように、エッチングにより電極形成溝511及びミラー固定部512が形成される。
なお、第1電極561は、導電性を有し、第2基板52の後述する第2電極562との間で電圧を印加することで、第1電極561及び第2電極562間に静電引力を発生させることが可能なものであれば、特に限定されないが、本実施形態では、ITO(Indium Tin Oxide:酸化インジウムスズ)を用いるが、Au/Crなどの金属積層体を用いてもよい。また、第1電極561の上面には、図示を省略したが、第1電極561及び第2電極562の間の放電等によるリークを防止するために絶縁膜が形成される。この絶縁膜としては、SiO2やTEOS(TetraEthoxySilane)などを用いることができ、特に第1基板51を形成するガラス基板と同一光学特性を有するSiO2が好ましい。絶縁膜として、SiO2を用いる場合、第1基板51及び絶縁膜の間での光の反射等がないため、第1基板51上に第1電極561を形成した後、第1基板51の第2基板52に対向する側の面の全面に絶縁膜を形成することができる。
そして、ミラー固定面512Aには、直径が約3mmで円形状のTiO2−SiO2系の誘電体多層膜により形成された固定ミラー54が固定されている。なお、本実施形態では、固定ミラー54として、TiO2−SiO2系の誘電体多層膜のミラーを用いる例を示すが、分光可能な波長域として可視光全域をカバーできるAg合金単層のミラーを用いる構成としてもよい。
また、第1電極561と絶縁されて、第1電極561の外周縁から離間した位置からは、図2に示す平面視において、第1基板51の対角線に沿うように、左下方向に向かって、1本の第2対向電極線561Bが延出して形成される。
さらに、第1電極線561A及び第2対向電極線561Bの先端には、第1電極パッド561Pが形成され、第1電極パッド561Pが電圧制御部6(図1参照)に接続される。そして、静電アクチュエーター56を駆動時には、電圧制御部6(図1参照)により、第1電極パッド561Pに電圧が印加される。
以上のように、3本の第1電極線561A及び1本の第2対向電極線561Bは、第1基板51の対角線に沿って形成されるので、第1電極561の周方向において、等角度間隔(90度間隔)で形成される。すなわち、3本の第1電極線561A及び1本の第2対向電極線561Bは、第1基板51の厚み方向に見る平面視(以下、エタロン平面視)で固定ミラー54の中心点C(第1基板51の基板中心点)を中心として点対称となるように形成される。これにより、第1電極線561A及び第2対向電極線561Bを第1基板51に成膜形成することで第1基板51に生じる膜応力は、第1基板51の面内において均一化され、ミラー固定面512Aの傾きが抑制される。
第2基板52は、厚みが例えば200μmのガラス基材をエッチングにより加工することで形成される。この第2基板52には、例えば平面視で基板中心点を中心とした円形の変位部521が形成される。この変位部521は、図3及び図4に示すように、第1基板51に向けて進退可能に移動する円柱状の可動部522と同軸であり、エタロン平面視で円環状に形成されて可動部522を第2基板52の厚み方向に移動可能に保持する連結保持部523を備える。
可動部522の第1基板51に対向する面には、第1基板51のミラー固定面512Aに平行な可動面522Aを備え、この可動面522Aには、固定ミラー54と同一構成の可動ミラー55と、リング状に形成され、第1電極561に対して所定の第2ギャップG2を介して対向する第1電極561と同一構成の第2電極562とが形成されている。本発明に係る可動部522の中心点Cを中心とした仮想円は、リング状の第2電極562に相当するものである。
また、第2電極562と絶縁されて、第2電極562の外周縁から離間した位置からは、図4に示すエタロン平面視において、第2基板52の対角線に沿うように左上方向、右上方向、及び右下方向に向かって、連結保持部523を跨いで、3本の第1対向電極線562Bが放射状に三方向に延出して形成される。すなわち、本発明に係る形成領域Arは、第1対向電極線562Bが連結保持部523に形成された領域(図3に示す斜線部分)である。
この形成領域Arにおいて、第1対向電極線562Bと第2電極線562Aとは、長さ寸法、幅寸法、及び厚み寸法が同一となる同一形状に形成される。
そして、1本の第2電極線562A及び3本の第1対向電極線562Bは、第2基板51の対角線に沿って形成されるので、第2電極562の周方向において、等角度間隔(90度間隔)で形成される。すなわち、1本の第2電極線562A及び3本の第1対向電極線562Bは、エタロン平面視で可動部522の中心点C(第2基板52の基板中心点)を中心として点対称となるように形成される。
以上のように、第2電極線562A及び第1対向電極線562Bは、連結保持部523の形成領域Arにおいて、同一形状に形成されることにより、第2電極線562A及び第1対向電極線562Bの膜応力により生じる連結保持部523の応力バランスが均一となる。これにより、連結保持部523に生じる膜応力により可動部522が傾くことなく、可動面522A及びミラー固定面512Aが互いに平行となる。
図5は、図2及び図3のV-C線断面図であり、エタロン5の部分断面図である。
第1対向電極線562Bは、図5に示すように、第1電極線561Aに対向配置され、第1電極線561Aと第1導通部61で導通接続されている。
第1導通部61は、第1対向電極線562Bと第1電極線561Aとに接着され、第1対向電極線562Bと第1電極線561Aとを導通させるものである。この第1導通部61は、導電性を有する材料で形成され、例えば、Agペーストより形成される。
第2対向電極線561Bは、図6に示すように、第2電極線562Aに対向配置され、第2電極線562Aと第2導通部62で導通接続されている。
第2導通部62は、第2対向電極線561Bと第2電極線562Aとに接着され、第2対向電極線561Bと第2電極線562Aとを導通させるものである。
なお、第2導通部62は、第1導通部61と同じ材料で形成される。
また、第1対向電極線562Bの第2電極562に最も近接する一端部562B1と、第2電極562との間の距離L、及び第2対向電極線561Bの第1電極561に最も近接する一端部561B1と、第1電極561との間の距離Lは、ぞれぞれ、約1mm程度である。これに対して、電極間の第2ギャップG2の寸法は、約1μm〜約2μmであるため、電極間で静電引力が発生した場合でも、第1対向電極線562Bと第2電極562との間、及び第2対向電極線561Bと第1電極561との間で静電引力が発生することがない。なお、図5及び図6において、図示の都合上、上述した距離L、及び第2ギャップG2の寸法は、上述した寸法とは異なるものとなっている。
電圧制御部6は、制御装置4からの入力される制御信号に基づいて、静電アクチュエーター56の第1電極561及び第2電極562に印加する電圧を制御する。
制御装置4は、測色装置1の全体動作を制御する。この制御装置4としては、例えば汎用パーソナルコンピューターや、携帯情報端末、その他、測色専用コンピューターなどを用いることができる。
そして、制御装置4は、図1に示すように、光源制御部41、測色センサー制御部42、及び測色処理部43(分析処理部)などを備えて構成されている。
測色センサー制御部42は、測色センサー3に接続されている。そして、測色センサー制御部42は、例えば利用者の設定入力に基づいて、測色センサー3にて受光させる光の波長を設定し、この波長の光の受光量を検出する旨の制御信号を測色センサー3に出力する。これにより、測色センサー3の電圧制御部6は、制御信号に基づいて、利用者が所望する光の波長を透過させるよう、静電アクチュエーター56への印加電圧を設定する。
測色処理部43は、測色センサー制御部42を制御して、エタロン5のミラー間ギャップを変動させて、エタロン5を透過する光の波長を変化させる。また、測色処理部43は、受光素子31から入力される受光信号に基づいて、エタロン5を透過した光の光量を取得する。そして、測色処理部43は、上記により得られた各波長の光の受光量に基づいて、検査対象Aにより反射された光の色度を算出する。
上述の本実施形態に係るエタロン5によれば、以下の効果を奏する。
本実施形態によれば、第1基板51に向けて進退可能に移動する可動部522を有する第2基板52は、第2電極562から第2基板52の外周縁まで延出して設けられた第2電極線562Aと、第1電極線561Aに対向し、第2電極562と絶縁されて設けられた第1対向電極線562Bとを備える。そして、第2電極線562Aと第1対向電極線562Bとは、エタロン平面視において、可動部522の中心点Cを中心とした仮想円(第2電極562)の中心点Cを通り、仮想円を等角度間隔(90度間隔)に分割する方向に延出して形成される。これにより、第2電極線562Aと第1対向電極線562Bとにより、第2基板52の応力バランスが均一に保たれ、上述したように、第2基板52に第2電極線562Aのみが成膜された場合の膜応力により、第2基板52の可動部522が傾くことを防止でき、一対のミラー54,55を互いに平行に維持できる。
さらに、互いに対向する第1電極線561A及び第1対向電極線562Bが第1導通部61で導通される。これにより、第1電極線561A及び第1対向電極線562Bは電位差が0となるので、第1電極線561Aと第1対向電極線562Bとの間で静電引力が発生することを防止でき、第1電極561と第2電極562との間でのみ静電引力を発生させることができる。
従って、一対のミラー54,55を互いに平行に維持でき、所望のギャップG1に正確に設定できる。
また、互いに対向する第2電極線562A及び第2対向電極線561Bが第2導通部62で導通される。これにより、第2電極線562A及び第2対向電極線561Bは電位差が0となるので、第2電極線562Aと第2対向電極線561Bとの間で静電引力が発生することを防止でき、第1電極561と第2電極562との間でのみ静電引力を発生させることができる。従って、一対のミラー54,55をより平行に維持でき、所望のギャップG1に正確に設定できる。
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
図7は、本発明の変形例に係るエタロン5Aの第2基板52Aの平面図である。
前記実施形態では、第2基板52に4本の電極線562A,562Bが形成されていたが、本変形例では、第2基板52Aに3本の電極線562A,562Bが形成されている。
具体的に、エタロン5Aの第2基板52Aは、第2電極562から第2基板52の外周縁に向けて延出して形成された1本の第2電極線562Aと、第2電極562とは絶縁されて形成された2本の第1対向電極線562Bとを備える。そして、第2電極線562Aと、第1対向電極線562Bとは、エタロン平面視における基板中心点を中心とした仮想円の周方向において、120度間隔で形成されている。
また、電極線の本数についても前記実施形態及び前記変形例の本数に限定されるものではなく、例えば、1本の第2電極線と、1本の第1対向電極線とがエタロン平面視における可動部の中心点を中心とした仮想円の中心点を通り、仮想円を等角度間隔に分割する方向に延出して形成されていればよい。
前記実施形態では、各基板51,52に4本の各電極線561A,561B,562A,562Bを各基板51,52の対角線に沿ってそれぞれ形成していたが、第1電極線561Aと第2対向電極線561B、及び第2電極線562Aと第1対向電極線562Bは、エタロン平面視で可動部522の中心点を中心として点対称となるように、形成されていればよい。
また、各波長の光の強度を経時的に変化させることで、各波長の光でデータを伝送させることも可能であり、この場合、光モジュールに設けられたエタロン5により特定波長の光を分光し、受光部で受光させることで、特定波長の光により伝送されるデータを抽出することができ、このようなデータ抽出用光モジュールを備えた光分析装置により、各波長の光のデータを処理することで、光通信を実施することもできる。
Claims (5)
- 第1基板と、
前記第1基板に対向し、前記第1基板に向けて進退可能に移動する可動部を有する第2基板と、
前記第1基板の前記第2基板に対向する面に設けられた第1反射膜と、
前記可動部の前記第1基板に対向する面に設けられ、前記第1反射膜と所定の第1ギャップを介して対向する第2反射膜と、
前記第1基板の前記第2基板に対向する面に設けられた第1電極と、
前記第2基板の前記第1基板に対向する面に設けられ、前記第1電極と所定の第2ギャップを介して対向する第2電極と、
前記第1基板に設けられて、前記第1電極から前記第1基板の外周縁に向かって延出して設けられた第1電極線と、
前記第2基板に設けられて、前記第2電極から前記第2基板の外周縁に向かって延出して設けられた第2電極線と、
前記第2基板に設けられて、前記第1電極線と対向し、前記第2電極と絶縁されて設けられた第1対向電極線と、
前記第1電極線及び前記第1対向電極線を導通する第1導通部と、を備え、
前記第2電極線と前記第1対向電極線とは、第2基板の厚み方向から見る平面視において、前記可動部の中心点を中心とした仮想円の前記中心点を通り、前記仮想円を等角度間隔に分割する方向に延出して形成される
ことを特徴とする波長可変干渉フィルター。 - 請求項1に記載の波長可変干渉フィルターにおいて、
前記第2基板は、前記可動部を前記第2基板の厚み方向に移動可能に保持する連結保持部を有し、
前記連結保持部には、前記第2電極線及び前記第1対向電極線が形成され、
前記第2電極線及び前記第1対向電極線の前記連結保持部に形成された形成領域における形状は、同一形状に形成される
ことを特徴とする波長可変干渉フィルター。 - 請求項1または請求項2に記載の波長可変干渉フィルターにおいて、
前記第1基板に設けられて、前記第2電極線と対向し、前記第1電極と絶縁されて設けられた第2対向電極線と、
前記第2電極線及び前記第2対向電極線を導通する第2導通部とを備え、
前記第1電極線と前記第2対向電極線とは、第1基板の厚み方向から見る平面視において、前記第1反射膜の中心点を中心とした仮想円の前記中心点を通り、前記仮想円を等角度間隔に分割する方向に延出して形成される
ことを特徴とする波長可変干渉フィルター。 - 請求項1から請求項3のいずれかに記載の波長可変干渉フィルターと、
前記波長可変干渉フィルターを透過した検査対象光を受光する受光部とを備える
ことを特徴とする光モジュール。 - 請求項4に記載の光モジュールと、
前記光モジュールの前記受光部により受光された光に基づいて、前記検査対象光の光特性を分析する分析処理部とを備える
ことを特徴とする光分析装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010273264A JP5673049B2 (ja) | 2010-12-08 | 2010-12-08 | 波長可変干渉フィルター、光モジュール、及び光分析装置 |
US13/313,661 US8797650B2 (en) | 2010-12-08 | 2011-12-07 | Variable wavelength interference filter, optical module, and optical analysis device |
CN201110406763.2A CN102540311B (zh) | 2010-12-08 | 2011-12-08 | 可变波长干涉滤波器、光模块以及光分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010273264A JP5673049B2 (ja) | 2010-12-08 | 2010-12-08 | 波長可変干渉フィルター、光モジュール、及び光分析装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012123145A true JP2012123145A (ja) | 2012-06-28 |
JP2012123145A5 JP2012123145A5 (ja) | 2013-12-26 |
JP5673049B2 JP5673049B2 (ja) | 2015-02-18 |
Family
ID=46199088
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010273264A Expired - Fee Related JP5673049B2 (ja) | 2010-12-08 | 2010-12-08 | 波長可変干渉フィルター、光モジュール、及び光分析装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8797650B2 (ja) |
JP (1) | JP5673049B2 (ja) |
CN (1) | CN102540311B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014059497A (ja) * | 2012-09-19 | 2014-04-03 | Seiko Epson Corp | 波長可変干渉フィルター、光学フィルターデバイス、光学モジュール、電子機器、及びmemsデバイス |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5370246B2 (ja) * | 2009-05-27 | 2013-12-18 | セイコーエプソン株式会社 | 光フィルター、光フィルター装置、分析機器、および光フィルターの製造方法 |
JP5589459B2 (ja) | 2010-03-15 | 2014-09-17 | セイコーエプソン株式会社 | 光フィルター及び光フィルターモジュール並びに分析機器及び光機器 |
JP5348032B2 (ja) * | 2010-03-16 | 2013-11-20 | セイコーエプソン株式会社 | 光フィルター並びにそれを用いた分析機器及び光機器 |
JP6089674B2 (ja) * | 2012-12-19 | 2017-03-08 | セイコーエプソン株式会社 | 波長可変干渉フィルター、波長可変干渉フィルターの製造方法、光学フィルターデバイス、光学モジュール、及び電子機器 |
JP6136356B2 (ja) * | 2013-02-25 | 2017-05-31 | セイコーエプソン株式会社 | 測定装置 |
WO2018124814A1 (ko) * | 2017-01-02 | 2018-07-05 | 엘지이노텍(주) | 광 감지 소자 및 입자 센싱 장치 |
JP7006172B2 (ja) * | 2017-11-21 | 2022-01-24 | セイコーエプソン株式会社 | 波長可変干渉フィルター、光学デバイス、光学モジュール、及び電子機器 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008116669A (ja) * | 2006-11-02 | 2008-05-22 | Seiko Epson Corp | 光学デバイス、光学デバイスの製造方法、波長可変フィルタ、波長可変フィルタモジュール、および光スペクトラムアナライザ |
JP2009251105A (ja) * | 2008-04-02 | 2009-10-29 | Seiko Epson Corp | 光学フィルタ装置 |
JP2010204457A (ja) * | 2009-03-04 | 2010-09-16 | Seiko Epson Corp | 光フィルター及びそれを備えた光モジュール |
JP2011112998A (ja) * | 2009-11-30 | 2011-06-09 | Seiko Epson Corp | 干渉フィルター、測色センサー、測色モジュール、及び干渉フィルターの製造方法 |
JP2011112999A (ja) * | 2009-11-30 | 2011-06-09 | Seiko Epson Corp | 干渉フィルター、光センサー、および光モジュール |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5142414A (en) * | 1991-04-22 | 1992-08-25 | Koehler Dale R | Electrically actuatable temporal tristimulus-color device |
JP2003106899A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-09 | Ando Electric Co Ltd | 光学式分光器 |
JP2003315690A (ja) * | 2002-04-26 | 2003-11-06 | Seiko Instruments Inc | 波長選択フィルタおよびそれを有する波長選択装置と波長選択方法 |
JP3812550B2 (ja) * | 2003-07-07 | 2006-08-23 | セイコーエプソン株式会社 | 波長可変光フィルタ |
JP2005165067A (ja) * | 2003-12-03 | 2005-06-23 | Seiko Epson Corp | 波長可変フィルタおよび波長可変フィルタの製造方法 |
JP4210245B2 (ja) * | 2004-07-09 | 2009-01-14 | セイコーエプソン株式会社 | 波長可変フィルタ及び検出装置 |
JP4466634B2 (ja) * | 2006-01-19 | 2010-05-26 | セイコーエプソン株式会社 | 光学デバイス、波長可変フィルタ、波長可変フィルタモジュール、および光スペクトラムアナライザ |
-
2010
- 2010-12-08 JP JP2010273264A patent/JP5673049B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-12-07 US US13/313,661 patent/US8797650B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-12-08 CN CN201110406763.2A patent/CN102540311B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008116669A (ja) * | 2006-11-02 | 2008-05-22 | Seiko Epson Corp | 光学デバイス、光学デバイスの製造方法、波長可変フィルタ、波長可変フィルタモジュール、および光スペクトラムアナライザ |
JP2009251105A (ja) * | 2008-04-02 | 2009-10-29 | Seiko Epson Corp | 光学フィルタ装置 |
JP2010204457A (ja) * | 2009-03-04 | 2010-09-16 | Seiko Epson Corp | 光フィルター及びそれを備えた光モジュール |
JP2011112998A (ja) * | 2009-11-30 | 2011-06-09 | Seiko Epson Corp | 干渉フィルター、測色センサー、測色モジュール、及び干渉フィルターの製造方法 |
JP2011112999A (ja) * | 2009-11-30 | 2011-06-09 | Seiko Epson Corp | 干渉フィルター、光センサー、および光モジュール |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014059497A (ja) * | 2012-09-19 | 2014-04-03 | Seiko Epson Corp | 波長可変干渉フィルター、光学フィルターデバイス、光学モジュール、電子機器、及びmemsデバイス |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102540311A (zh) | 2012-07-04 |
US8797650B2 (en) | 2014-08-05 |
US20120147380A1 (en) | 2012-06-14 |
CN102540311B (zh) | 2015-11-18 |
JP5673049B2 (ja) | 2015-02-18 |
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