JP2009251105A - 光学フィルタ装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】性能の低下を抑制できる光学フィルタ装置を提供する。
【解決手段】光学フィルタ装置は、ギャップを介して対向する一対のミラーを有するエタロン素子を備え、ミラーは、炭素を含有する銀の合金膜を含む。
【選択図】図1

Description

本発明は、エタロン素子を備える光学フィルタ装置に関する。
入射した光のうち目標波長の光を選択して射出する光学フィルタ装置として、エタロン素子を備える光学フィルタ装置が知られている。エタロン素子は、ギャップを介して対向する一対のミラーを有する。下記特許文献には、光学フィルタ装置に関する技術の一例が開示されている。
特開2000−329931号公報 特開2007−086517号公報
例えばミラーの耐久性が不十分であったり、ミラーと下地との密着性が不十分であったりすると、光学フィルタ装置の性能が低下する可能性がある。
本発明は、性能の低下を抑制できる光学フィルタ装置を提供することを目的とする。
本発明の態様に従えば、ギャップを介して対向する一対のミラーを有するエタロン素子を備え、前記ミラーは、炭素を含有する銀の合金膜を含む光学フィルタ装置が提供される。
本発明の態様によれば、エタロン素子のミラーが、炭素を含有する銀の合金膜を含むので、ミラーの耐久性を高めたり、ミラーと下地との密着性を高めたりすることができる。したがって、光学フィルタ装置の性能の低下を抑制できる。
本発明の態様において、前記銀に対する前記炭素の含有率は、1〜30%(atomic%)であることが望ましく、1〜10%(atomic%)であることがより望ましい。これにより、所望の性能のミラーを形成できる。炭素の含有率が少ない場合、十分な耐久性及び密着性を得ることができない。一方、炭素の含有率が多い場合、例えば所望の反射特性(反射率)が得られない。炭素の含有率を1〜30%、より望ましくは1〜10%とすることによって、所望の反射特性を維持しつつ、耐久性及び密着性を得ることができる。
本発明の態様において、前記ミラーは、前記合金膜で形成された単層膜であってもよいし、誘電体多層膜と、前記誘電体多層膜の最も表層を覆う前記合金膜とを含むものであってもよい。いずれの場合も、光学フィルタ装置の性能の低下を抑制できる。
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。以下の説明においては、XYZ直交座標系を設定し、このXYZ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をX軸方向、水平面内においてX軸方向と直交する方向をY軸方向、X軸方向及びY軸方向のそれぞれに直交する方向(すなわち鉛直方向)をZ軸方向とする。
<第1実施形態>
第1実施形態について説明する。図1は、第1実施形態に係る光学フィルタ装置1の一例を示す側断面図、図2は、図1の平面図である。
図1及び図2において、光学フィルタ装置1は、ギャップGを介して対向する一対のミラー2(2A、2B)を有するエタロン素子3を備えている。エタロン素子3は、干渉作用により、入射した光のうち、所定波長の光(干渉光)を射出する。一方のミラー2Aと他方のミラー2Bとの間のギャップGに光が入射すると、干渉作用により、ギャップGの大きさに応じた波長の光だけがエタロン素子3より射出される。すなわち、エタロン素子3から射出される光の波長は、ギャップGの大きさに応じて変化する。
エタロン素子3は、一方のミラー2Aを支持する第1基板14と、他方のミラー2Bを支持する第2基板15とを有する。第1基板14は、第2基板15と対向する表面14Aを有する。第2基板15は、第1基板14と対向する表面15Aを有する。一方のミラー2Aは、第1基板14の表面14Aの一部に配置されている。他方のミラー2Bは、第2基板15の表面15Aの一部に配置されている。第1、第2基板14、15は、光透過性である。また、本実施形態において、第1、第2基板14、15は、絶縁性である。本実施形態において、第1、第2基板14、15は、例えばガラスで形成されている。第1、第2基板14、15は、例えばソーダガラス、結晶性ガラス、石英ガラス、鉛ガラス、カリウムガラス、ホウケイ酸ガラス、ホウケイ酸ナトリウムガラス、無アルカリガラス等の各種ガラスで形成可能である。
本実施形態において、第1基板14は、第1部分14C及び第1部分14Cより薄い第2部分14Dを有する。厚みが薄い第2部分14Dは、弾性(可撓性)を有し、変形可能(変位可能)である。第2部分14Dが設けられることによって、第1基板14は、僅かに変形可能である。以下の説明において、第2部分14Dを適宜、ダイヤフラム部14D、と称する。第1基板14が変形することによって、Z軸方向に関する第1基板14の表面14Aと第2基板15の表面15Aとの距離が変化する。第1基板14が変形することによって、表面14Aに配置されている一方のミラー2Aと、表面15Aに配置されている他方のミラー2BとのギャップGの大きさが変化する。
以下の説明において、変形可能な第1基板14に支持されている一方のミラー2Aを適宜、可動ミラー2A、と称し、第2基板15に支持されている他方のミラー2Bを適宜、固定ミラー2B、と称する。
また、光学フィルタ装置1は、ギャップGの大きさを調整するために、第1基板14を変形可能な駆動素子16を備えている。上述のように、ダイヤフラム部14Dを含む第1基板14は、変形可能である。第1基板14を変形させることによって、可動ミラー2Aが移動する。可動ミラー2Aが移動することによって、ギャップGの大きさが変化する。
本実施形態において、駆動素子16は、第1、第2基板14、15に配置され、静電力を発生可能な電極16A、16Bを含む。一方の電極16Aは、第1基板14の表面14Aに配置され、他方の基板16Bは、第2基板15の表面15Aに配置される。一方の電極16Aと他方の電極16Bとは対向する。電極16Aは、表面14Aにおいて、可動ミラー2Aの周囲に配置されている。電極16Bは、表面15Aにおいて、固定ミラー2Bの周囲に配置されている。本実施形態においては、表面14A、15Aとほぼ平行なXY平面内において、電極16A、16Bは、ほぼ円環状である。
電極16A、16Bを形成する材料としては、導電性であれば特に限定されず、例えば、Cr、Al、Al合金、Ni、Zn、Tiなどの金属、カーボン、チタン等を分散した樹脂、多結晶シリコン(ポリシリコン)、アモルファスシリコン等のシリコン、窒化シリコン、ITOのような透明導電材料、Au等が挙げられる。
電極16Aは、引き出し配線17A及び配線を介して、電源(不図示)と接続されている。電極16Bは、引き出し配線17B及び配線を介して、電源と接続されている。電源は、電極16A、16Bに電圧を印加する。電源により、電極16Aと電極16Bとの間に電位差が生じる。
電極16A、16Bに電圧が印加されることにより、電極16Aと電極16Bとの間に、印可される電圧(電位差)に応じた静電力が発生する。電極16A、16Bに電圧が印加され、電極16Aと電極16Bとの間に静電力が発生することによって、第1基板14が変形する。第1基板14が変形することによって、ギャップGの大きさが調整される。
上述のように、エタロン素子3から射出される光の波長は、ギャップGの大きさに応じて変化する。ギャップGの大きさは、電極16Aと電極16Bとの間の電位差に基づいて電極16Aと電極16Bとの間に発生する静電力によって調整される。したがって、電極16A、16Bに印加される電圧が調整され、ギャップGの大きさが調整されることによって、エタロン素子3から射出される光の波長が調整される。本実施形態においては、エタロン素子3から射出される光が目標波長の光を含むように、電極16A、16Bに印加される電圧が調整される。
なお、電極16A、16Bを複数設け、それら複数の電極16A、16BをXY平面内において複数の位置に配置し、各電極16A、16B間の電位差(静電力)をそれぞれ調整することによって、第2基板15に対して第1基板14を傾斜させることもできる。
本実施形態において、ミラー2(2A、2B)は、炭素を含有する銀の合金膜である。本実施形態においては、ミラー2は、炭素を含有する銀の合金膜で形成された単層膜である。本実施形態において、ミラー2は、銀に所定量の炭素を添加した材料で形成されている。
銀は、反射率が高く、所望の反射率を有するミラー2を形成できる材料である。しかし、ミラーを純銀(銀100%)で形成すると、耐腐食性が低下する等、ミラーは十分な耐久性を得られなくなる可能性がある。また、変色等により、ミラーの反射率が低下する可能性もある。また、ミラーがガラス基板上に形成される場合において、ミラーを純銀(銀100%)で形成すると、ミラーとガラス基板との十分な密着性を得られなくなる可能性がある。
本実施形態によれば、エタロン素子3のミラー2が、炭素を含有する銀の合金膜なので、ミラー2の耐久性(耐腐食性)を高めることができる。また、ミラー2と第1、第2基板14、15との密着性を高めることができる。したがって、光学フィルタ装置1の性能の低下を抑制できる。
本実施形態において、銀に対する炭素の含有率は、1〜30%であることが望ましく、1〜10%であることがより望ましい。これにより、所望の性能のミラー2を形成できる。炭素の含有率が1%未満の場合、ミラー2は、十分な耐久性及び密着性を得ることができない。一方、炭素の含有率が多い場合、ミラー2は、例えば所望の反射特性(反射率)が得られない等、光学性能が低下する可能性がある。炭素の含有率を1〜30%、より望ましくは1〜10%とすることによって、ミラー2は、所望の光学性能を維持しつつ、耐久性及び密着性を得ることができる。
以上説明したように、本実施形態によれば、エタロン素子3のミラー2が、炭素を含有する銀の合金膜を含むので、ミラー2の耐久性を高めたり、ミラー2と第1、第2基板14、15との密着性を高めたりすることができる。したがって、光学フィルタ装置1の性能の低下を抑制できる。
また、ミラー2の耐久性が向上するので、例えばエタロン素子3の製造時においても、ミラー2の劣化が抑制される。
<第2実施形態>
次に、第2実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
図3は、第2実施形態に係るミラー20を示す図である。図3に示すように、第2実施形態に係るミラー20は、誘電体多層膜30と、誘電体多層膜30の最も表層を覆う合金膜2Gとを有する。合金膜2Gは、炭素を含有する銀の合金膜である。合金膜2Gは、炭素を含有する銀の合金膜で形成された単層膜である。合金膜2Gは、銀に所定量の炭素を添加した材料で形成されている。本実施形態において、銀に対する炭素の含有率は、1〜30%であることが望ましく、1〜10%であることがより望ましい。
誘電体多層膜30は、高屈折率層31と低屈折率層32とが交互に複数積層された多層膜である。
エタロン素子3を可視光領域、赤外光領域で用いる場合、高屈折率層31を形成する材料として、例えばTiO、Ta、酸化ニオブ等が挙げられる。エタロン素子3を紫外光領域で用いる場合、高屈折率層31を形成する材料として、例えばAl、HfO、ZrO、ThO等が挙げられる。低屈折率層32を形成する材料として、例えばMgF、SiO等が挙げられる。
高屈折率層31及び低屈折率層32の層数、厚さは、必要とする光学特性に応じて設定される。一般に、多層膜により反射膜を構成する場合、その光学特性を得るために必要な層数は12層以上であり、多層膜により反射防止膜を構成する場合、その光学特性に必要な層数は4層程度である。
本実施形態によれば、誘電体多層膜30の最も表層を、炭素を含有する銀の合金膜2Gで覆うので、ミラー20の耐久性(耐腐食性)を高めることができる。また、ミラー20が誘電体多層膜30を含むので、ミラー20の透過特性が向上する。また、合金膜2Gと誘電体多層膜30との密着性は良好である。したがって、光学フィルタ装置1の性能の低下を抑制できる。
<第3実施形態>
次に、第3実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
図4は、第3実施形態に係るミラー20Bを示す図である。第3実施形態に係るミラー20Bは、第2実施形態に係るミラー20の変形例である。第2実施形態に係るミラー20と異なる第3実施形態に係るミラー20Bの特徴的な部分は、保護膜40が設けられている点にある。
図4に示すように、第2実施形態に係るミラー20Bは、誘電体多層膜30と、誘電体多層膜30の最も表層を覆う合金膜2Gと、合金膜2Gの表面を覆う保護膜40とを有する。保護膜40は、合金膜2G及び誘電体多層膜30を保護する機能を有する。保護膜40は、例えばSiOで形成されている。保護膜40を設けることにより、より一層、ミラー20Bの耐久性が向上される。
<実験例>
以下、炭素を含有する銀の合金膜に関して行った評価試験結果について、図5〜図8を参照して説明する。図5は、銀に対する炭素の含有率(atomic%)と、合金膜の比抵抗と、合金膜の熱伝導率との関係を示す。図6は、銀に対する炭素の含有率(atomic%)と、合金膜の反射率との関係を示す。図7は、耐久性試験として、耐塩水試験したときの、銀に対する炭素の含有率(atomic%)と、合金膜の反射率との関係を示す。図8は、耐久性試験として、耐熱試験したときの、銀に対する炭素の含有率(atomic%)と、合金膜の反射率との関係を示す。耐塩水試験は、NaClの濃度が10%の水溶液に、合金膜を1時間浸ける試験である。耐熱試験は、大気中で合金膜を250℃で1時間加熱する試験である。
図5は、銀に対する炭素の含有率(atomic%)と、合金膜の比抵抗と、合金膜の熱伝導率との関係を示す図であって、横軸は、銀に対する炭素の含有率であり、縦軸は、合金膜の比抵抗及び熱伝導率である。図5に示すように、炭素の含有率が多くなると、合金膜の比抵抗は上昇し、合金膜の熱伝導率は低下する。
炭素の含有率を30%程度に抑えることによって、合金膜の比抵抗を、約4〔μΩ・cm〕程度にすることができ、合金膜の熱伝導率を、約255〔W/m・K〕にすることができる。
図6は、銀に対する炭素の含有率(atomic%)と、合金膜の反射率との関係を示す図であって、合金膜の厚みが400nmの場合と、600nmの場合とを示す。図6の横軸は、銀に対する炭素の含有率であり、縦軸は、合金膜の反射率である。図6に示すように、炭素の含有率が多くなると、合金膜の反射率が低下する。
炭素の含有率を30%程度に抑えることによって、厚みが400nmの場合の合金膜の反射率を、約70〔%〕程度にすることができ、厚みが600nmの場合の合金膜の反射率を、約85〔%〕程度にすることができる。
また、炭素の含有率を10%程度に抑えることによって、厚みが400nmの場合の合金膜の反射率を、約81〔%〕程度にすることができ、厚みが600nmの場合の合金膜の反射率を、約94〔%〕程度にすることができる。また、炭素の含有率が0〔%〕の場合の、厚みが400nmの合金膜の反射率は、約81〔%〕であり、炭素の含有率が0〔%〕の場合の、厚みが600nmの合金膜の反射率は、約95〔%〕である。このように、銀に対する炭素の含有率が10%以下の合金膜の反射率は、炭素が含有されてない純銀の膜の反射率とほぼ同等である。すなわち、炭素の含有率を10%以下にすることによって、反射率に関して、純銀の膜とほぼ同等の性能を維持することができる。
図7は、耐久性試験として、耐塩水試験したときの、銀に対する炭素の含有率(atomic%)と、合金膜の反射率との関係を示す図であって、合金膜を塩水に接触させる前の状態と、塩水に接触させた後の状態とを示す。図7の横軸は、銀に対する炭素の含有率であり、縦軸は、合金膜の反射率である。図7に示すように、銀に対する炭素の含有率が0〔%〕の場合、塩水に接触させる前の状態では、反射率が約81〔%〕であった合金膜が、塩水に接触させた後の状態では、反射率が約72〔%〕となり、反射率が低下することが分かる。一方、銀に対する炭素の含有率が約10〔%〕の場合、塩水に接触させる前の状態、及び塩水に接触させた後の状態のそれぞれにおいて、合金膜の反射率は、約81〔%〕である。すなわち、銀に対する炭素の含有率が0〔%〕の場合、合金膜は、十分な耐久性を得られず、塩水に接触することによって、変色(変質)し、その合金膜の反射率が低下してしまう。銀に対する炭素の含有率を約10〔%〕にした材料で合金膜を形成することによって、合金膜の耐久性が維持され、塩水に接触した場合でも、合金膜の反射率の低下が抑制される。
図8は、耐久性試験として、耐熱試験したときの、銀に対する炭素の含有率(atomic%)と、合金膜の反射率との関係を示す図であって、合金膜を加熱する前の状態と、加熱した後の状態とを示す。図8の横軸は、銀に対する炭素の含有率であり、縦軸は、合金膜の反射率である。図8に示すように、銀に対する炭素の含有率が0〔%〕の場合、加熱する前の状態では、反射率が約81〔%〕であった合金膜が、加熱した後の状態では、反射率が約65〔%〕となり、反射率が低下することが分かる。一方、銀に対する炭素の含有率が約10〔%〕の場合、加熱する前の状態、及び加熱した後の状態のそれぞれにおいて、合金膜の反射率は、約81〔%〕である。すなわち、銀に対する炭素の含有率が0〔%〕の場合、合金膜は、十分な耐久性を得られず、加熱することによって、変色(変質)し、その合金膜の反射率が低下してしまう。銀に対する炭素の含有率を約10〔%〕にした材料で合金膜を形成することによって、合金膜の耐久性が維持され、加熱した場合でも、合金膜の反射率の低下が抑制される。
このように、図6〜図8の評価試験結果より、銀に対する炭素の含有率を1〜10%程度にした材料で合金膜を形成することによって、純銀の膜と同等の反射率を維持したまま、耐久性を向上することができる。
第1実施形態に係る光学フィルタ装置の一部を拡大した側断面図である。 図2の平面図である。 第2実施形態に係る光学フィルタ装置の一部を拡大した側断面図である。 第4実施形態に係る光学フィルタ装置の一部を拡大した側断面図である。 炭素を含有する銀の合金膜に関して行った評価試験結果を示す図である。 炭素を含有する銀の合金膜に関して行った評価試験結果を示す図である。 炭素を含有する銀の合金膜に関して行った評価試験結果を示す図である。 炭素を含有する銀の合金膜に関して行った評価試験結果を示す図である。
符号の説明
1…光学フィルタ装置、2…ミラー、2A…可動ミラー、2B…固定ミラー、2G…合金膜、3…エタロン素子、30…誘電体多層膜、G…ギャップ

Claims (5)

  1. ギャップを介して対向する一対のミラーを有するエタロン素子を備え、
    前記ミラーは、炭素を含有する銀の合金膜を含む光学フィルタ装置。
  2. 前記銀に対する前記炭素の含有率は、1〜30%である請求項1記載の光学フィルタ装置。
  3. 前記銀に対する前記炭素の含有率は、1〜10%である請求項1記載の光学フィルタ装置。
  4. 前記ミラーは、前記合金膜で形成された単層膜である請求項1〜3のいずれか一項記載の光学フィルタ装置。
  5. 前記ミラーは、誘電体多層膜と、前記誘電体多層膜の最も表層を覆う前記合金膜とを含む請求項1〜3のいずれか一項記載の光学フィルタ装置。
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Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011112999A (ja) * 2009-11-30 2011-06-09 Seiko Epson Corp 干渉フィルター、光センサー、および光モジュール
CN102193187A (zh) * 2010-03-19 2011-09-21 精工爱普生株式会社 光滤波器及其分析设备
EP2410369A1 (en) 2010-07-23 2012-01-25 Seiko Epson Corporation Interference filter, optical module, and analyzing device
EP2410368A1 (en) 2010-07-23 2012-01-25 Seiko Epson Corporation Interference filter, optical module, and analyzing device
JP2012042584A (ja) * 2010-08-17 2012-03-01 Seiko Epson Corp 光フィルター、光フィルターモジュール、分光測定器および光機器
JP2012047890A (ja) * 2010-08-25 2012-03-08 Seiko Epson Corp 波長可変干渉フィルター、光モジュール、および光分析装置
CN102375173A (zh) * 2010-08-18 2012-03-14 精工爱普生株式会社 干涉滤光片、光模块及分析装置
JP2012108170A (ja) * 2010-11-15 2012-06-07 Seiko Epson Corp 光フィルターおよび光フィルターの製造方法
JP2012108440A (ja) * 2010-11-19 2012-06-07 Seiko Epson Corp 干渉フィルター、光モジュール、及び光分析装置
JP2012113194A (ja) * 2010-11-26 2012-06-14 Seiko Epson Corp 波長可変干渉フィルターの製造方法
JP2012123145A (ja) * 2010-12-08 2012-06-28 Seiko Epson Corp 波長可変干渉フィルター、光モジュール、及び光分析装置
CN102636829A (zh) * 2011-02-15 2012-08-15 精工爱普生株式会社 波长可变干涉滤波器、光模块以及光分析装置
JP2012173324A (ja) * 2011-02-17 2012-09-10 Seiko Epson Corp 波長可変干渉フィルター、光モジュール、及び光分析装置
CN103217732A (zh) * 2012-01-18 2013-07-24 精工爱普生株式会社 干涉滤波器、光学模块以及电子设备
US8786861B2 (en) 2010-11-12 2014-07-22 Seiko Epson Corporation Optical device with variable wavelength interference filter
US8860950B2 (en) 2010-10-28 2014-10-14 Seiko Epson Corporation Light measurement device with identifiable detection elements
US8981281B2 (en) 2010-11-25 2015-03-17 Seiko Epson Corporation Optical module and optical measurement device
JP2015079257A (ja) * 2014-11-14 2015-04-23 セイコーエプソン株式会社 干渉フィルター、光モジュール、及び分析装置
US9279925B2 (en) 2012-02-16 2016-03-08 Seiko Epson Corporation Interference filter, optical module, and electronic apparatus
US9389412B2 (en) 2012-05-18 2016-07-12 Seiko Epson Corporation Variable-wavelength interference filter, optical filter device, optical module and electronic apparatus
US9557554B2 (en) 2010-08-25 2017-01-31 Seiko Epson Corporation Wavelength-variable interference filter, optical module, and optical analysis device
US9939629B2 (en) 2013-11-19 2018-04-10 Seiko Epson Corporation Optical filter device, optical module, and electronic apparatus

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01300202A (ja) * 1988-05-27 1989-12-04 Sharp Corp 反射体および該反射体を用いた干渉装置
JP2004039146A (ja) * 2002-07-04 2004-02-05 Tdk Corp 光記録媒体
JP2007002275A (ja) * 2005-06-21 2007-01-11 Toyoshima Seisakusho:Kk 薄膜形成用材料、及びそれを用いて形成された薄膜並びにその形成方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01300202A (ja) * 1988-05-27 1989-12-04 Sharp Corp 反射体および該反射体を用いた干渉装置
JP2004039146A (ja) * 2002-07-04 2004-02-05 Tdk Corp 光記録媒体
JP2007002275A (ja) * 2005-06-21 2007-01-11 Toyoshima Seisakusho:Kk 薄膜形成用材料、及びそれを用いて形成された薄膜並びにその形成方法

Cited By (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011112999A (ja) * 2009-11-30 2011-06-09 Seiko Epson Corp 干渉フィルター、光センサー、および光モジュール
US8559111B2 (en) 2009-11-30 2013-10-15 Seiko Epson Corporation Interference filter having adhesive and warp reduction grooves
CN102193187A (zh) * 2010-03-19 2011-09-21 精工爱普生株式会社 光滤波器及其分析设备
JP2011197386A (ja) * 2010-03-19 2011-10-06 Seiko Epson Corp 光フィルターおよび分析機器
EP2367057A3 (en) * 2010-03-19 2012-01-11 Seiko Epson Corporation Optical filter and analytical instrument
EP2600193A3 (en) * 2010-03-19 2013-12-25 Seiko Epson Corporation Optical filter and analytical instrument
EP2600194A3 (en) * 2010-03-19 2013-12-25 Seiko Epson Corporation Optical filter and analytical instrument
EP2600192A3 (en) * 2010-03-19 2013-12-25 Seiko Epson Corporation Optical filter and analytical instrument
EP2985657A1 (en) * 2010-03-19 2016-02-17 Seiko Epson Corporation Optical filter and analytical instrument
US9703092B2 (en) 2010-03-19 2017-07-11 Seiko Epson Corporation Optical filter including a substrate having a groove with a pair of curved surfaces and analytical instrument
EP2410368A1 (en) 2010-07-23 2012-01-25 Seiko Epson Corporation Interference filter, optical module, and analyzing device
JP2012027226A (ja) * 2010-07-23 2012-02-09 Seiko Epson Corp 干渉フィルター、光モジュール、及び分析装置
RU2581742C2 (ru) * 2010-07-23 2016-04-20 Сейко Эпсон Корпорейшн Интерференционный фильтр, оптический модуль и анализирующее устройство
JP2012027224A (ja) * 2010-07-23 2012-02-09 Seiko Epson Corp 干渉フィルター、光モジュール、及び分析装置
EP2607939A3 (en) * 2010-07-23 2014-04-09 Seiko Epson Corporation Interference filter, optical module, and analyzing device
CN102346270A (zh) * 2010-07-23 2012-02-08 精工爱普生株式会社 干涉滤光器、光模块及分析装置
CN102346271A (zh) * 2010-07-23 2012-02-08 精工爱普生株式会社 干涉滤光器、光模块以及分析装置
EP2410369A1 (en) 2010-07-23 2012-01-25 Seiko Epson Corporation Interference filter, optical module, and analyzing device
EP2607939A2 (en) 2010-07-23 2013-06-26 Seiko Epson Corporation Interference filter, optical module, and analyzing device
JP2012042584A (ja) * 2010-08-17 2012-03-01 Seiko Epson Corp 光フィルター、光フィルターモジュール、分光測定器および光機器
CN102375173A (zh) * 2010-08-18 2012-03-14 精工爱普生株式会社 干涉滤光片、光模块及分析装置
JP2012047890A (ja) * 2010-08-25 2012-03-08 Seiko Epson Corp 波長可変干渉フィルター、光モジュール、および光分析装置
US9128279B2 (en) 2010-08-25 2015-09-08 Seiko Epson Corporation Wavelength-tunable interference filter, optical module, and optical analysis apparatus
US9557554B2 (en) 2010-08-25 2017-01-31 Seiko Epson Corporation Wavelength-variable interference filter, optical module, and optical analysis device
US9404803B2 (en) 2010-10-28 2016-08-02 Seiko Epson Corporation Light measurement device with identifiable detection elements
US8860950B2 (en) 2010-10-28 2014-10-14 Seiko Epson Corporation Light measurement device with identifiable detection elements
US9158049B2 (en) 2010-11-12 2015-10-13 Seiko Epson Corporation Optical device with variable wavelength interference filter
US8786861B2 (en) 2010-11-12 2014-07-22 Seiko Epson Corporation Optical device with variable wavelength interference filter
JP2012108170A (ja) * 2010-11-15 2012-06-07 Seiko Epson Corp 光フィルターおよび光フィルターの製造方法
US8848292B2 (en) 2010-11-15 2014-09-30 Seiko Epson Corporation Optical filter and method for manufacturing optical filter
JP2012108440A (ja) * 2010-11-19 2012-06-07 Seiko Epson Corp 干渉フィルター、光モジュール、及び光分析装置
US8981281B2 (en) 2010-11-25 2015-03-17 Seiko Epson Corporation Optical module and optical measurement device
JP2012113194A (ja) * 2010-11-26 2012-06-14 Seiko Epson Corp 波長可変干渉フィルターの製造方法
JP2012123145A (ja) * 2010-12-08 2012-06-28 Seiko Epson Corp 波長可変干渉フィルター、光モジュール、及び光分析装置
CN102636829A (zh) * 2011-02-15 2012-08-15 精工爱普生株式会社 波长可变干涉滤波器、光模块以及光分析装置
US8917451B2 (en) * 2011-02-15 2014-12-23 Seiko Epson Corporation Variable wavelength interference filter, optical module, and optical analyzer
US9664890B2 (en) 2011-02-15 2017-05-30 Seiko Epson Corporation Variable wavelength interference filter, optical module, and optical analyzer
US20130044377A1 (en) * 2011-02-15 2013-02-21 Seiko Epson Corporation Variable wavelength interference filter, optical module, and optical analyzer
JP2012173324A (ja) * 2011-02-17 2012-09-10 Seiko Epson Corp 波長可変干渉フィルター、光モジュール、及び光分析装置
CN103217732A (zh) * 2012-01-18 2013-07-24 精工爱普生株式会社 干涉滤波器、光学模块以及电子设备
US9322966B2 (en) 2012-01-18 2016-04-26 Seiko Epson Corporation Interference filter having Ag—Bi—Nd alloy film
US9279925B2 (en) 2012-02-16 2016-03-08 Seiko Epson Corporation Interference filter, optical module, and electronic apparatus
US9389412B2 (en) 2012-05-18 2016-07-12 Seiko Epson Corporation Variable-wavelength interference filter, optical filter device, optical module and electronic apparatus
US9939629B2 (en) 2013-11-19 2018-04-10 Seiko Epson Corporation Optical filter device, optical module, and electronic apparatus
JP2015079257A (ja) * 2014-11-14 2015-04-23 セイコーエプソン株式会社 干渉フィルター、光モジュール、及び分析装置

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JP5564759B2 (ja) 2014-08-06

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