JP5682165B2 - 干渉フィルター、光モジュール、及び分析装置 - Google Patents
干渉フィルター、光モジュール、及び分析装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5682165B2 JP5682165B2 JP2010165587A JP2010165587A JP5682165B2 JP 5682165 B2 JP5682165 B2 JP 5682165B2 JP 2010165587 A JP2010165587 A JP 2010165587A JP 2010165587 A JP2010165587 A JP 2010165587A JP 5682165 B2 JP5682165 B2 JP 5682165B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- alloy film
- interference filter
- light
- atomic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 96
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 90
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 90
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 60
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 56
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 44
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 44
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 44
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims description 37
- 229910000583 Nd alloy Inorganic materials 0.000 claims description 33
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 31
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 26
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 19
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 16
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 9
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 9
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- -1 alloy film Chemical compound 0.000 claims description 4
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 298
- BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N bis(2-ethylhexyl) phthalate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC(CC)CCCC BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 50
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 24
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 21
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 18
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 18
- 230000008859 change Effects 0.000 description 17
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 16
- 229910001339 C alloy Inorganic materials 0.000 description 12
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 9
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 7
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 6
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 6
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 4
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 3
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- NAXNMOWJZXTOCO-UHFFFAOYSA-M [O-2].[Ti+4].[F-].[Mg+2] Chemical compound [O-2].[Ti+4].[F-].[Mg+2] NAXNMOWJZXTOCO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 239000005355 lead glass Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005486 sulfidation Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
- G02B5/28—Interference filters
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
- G02B26/001—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements based on interference in an adjustable optical cavity
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C5/00—Alloys based on noble metals
- C22C5/06—Alloys based on silver
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C5/00—Alloys based on noble metals
- C22C5/06—Alloys based on silver
- C22C5/08—Alloys based on silver with copper as the next major constituent
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/02—Details
- G01J1/04—Optical or mechanical part supplementary adjustable parts
- G01J1/0488—Optical or mechanical part supplementary adjustable parts with spectral filtering
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/46—Measurement of colour; Colour measuring devices, e.g. colorimeters
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
- G02B5/28—Interference filters
- G02B5/284—Interference filters of etalon type comprising a resonant cavity other than a thin solid film, e.g. gas, air, solid plates
Description
このような干渉フィルターでは、一対のミラー間で光を反射させ、特定波長の光のみを透過させて、その他の波長の光を干渉により打ち消し合わせることで、入射光から特定波長の光のみを透過させる。
しかし、Agで構成された膜(Ag膜。以下、純銀膜とも称する。)は、高温耐性やプロセス耐性が低い。プロセス耐性とは、例えば、成膜後のミラーを所望の形状にパターニングする際に行われるパターニングプロセス中の各工程条件に対する耐久性を指す。プロセス中の条件とは、例えば、高温ベークや、有機溶剤によるレジスト剥離等である。このプロセス加工後のAg膜の反射率の低下は大きく、ミラーに求められる機能を十分に発揮できず、干渉フィルターの性能低下が生じていた。また、Ag膜は、経時変化による反射率の低下も大きい。
このような背景から、ミラーに使用される材料について検討がなされた。
例えば、特許文献1には、純銀に炭素(C)を添加したAg−C合金をミラーに使用した干渉フィルターが記載されている。
本発明によれば、干渉フィルターにおいて、ギャップを介して対向する反射膜が、Ag−Sm−Cu合金膜、又はAg−Bi−Nd合金膜を含んでいる。これらの合金膜は純銀と同等の反射率を有し、また、純銀やAg−C合金よりも高温耐性やプロセス耐性に優れている。そのため、プロセス加工や経時変化による反射率低下が小さくなり、干渉フィルターの性能低下が抑制される。
なお、上記合金膜の厚さが30nm未満であると、厚さが薄すぎて上記合金膜の反射率が低く、さらに、プロセス加工や経時変化による反射率低下も大きくなる。また、上記合金膜をスパッタリング法で成膜する場合、上記合金膜のスパッタリング速度が速いため、厚さのコントロールが難しくなり、製造安定性の低下を招くおそれもある。一方、上記合金膜の厚さが80nmを超えると、光透過率が低下し、一対のミラーとしての機能も低下する。
この発明によれば、上述したように、光モジュールにより、所望波長の光の正確な光量を検出できるため、分析装置では、このような正確な光量に基づいて、正確な分析処理を実施できる。
<第一実施形態>
〔1.測色装置の全体構成〕
図1は、本発明に係る実施形態の測色装置の概略構成を示す図である。
この測色装置1は、本発明の分析装置であり、図1に示すように、被検査対象Aに光を射出する光源装置2と、本発明の光モジュールである測色センサー3と、測色装置1の全体動作を制御する制御装置4とを備えている。そして、この測色装置1は、光源装置2から射出される光を被検査対象Aにて反射させ、反射された検査対象光を測色センサー3にて受光し、測色センサー3から出力される検出信号に基づいて、検査対象光の色度、すなわち被検査対象Aの色を分析して測定する装置である。
光源装置2は、光源21、複数のレンズ22(図1には1つのみ記載)を備え、被検査対象Aに対して白色光を射出する。また、複数のレンズ22には、コリメーターレンズが含まれており、光源装置2は、光源21から射出された白色光をコリメーターレンズにより平行光とし、図示しない投射レンズから被検査対象Aに向かって射出する。
なお、本実施形態では、光源装置2を備える測色装置1を例示するが、例えば被検査対象Aが液晶パネルなどの発光部材である場合、光源装置2が設けられない構成としてもよい。
測色センサー3は、図1に示すように、本発明の干渉フィルターを構成するエタロン5と、エタロン5を透過する光を受光する検出部31と、エタロン5で透過させる光の波長を可変する電圧制御手段6と、を備えている。また、測色センサー3は、エタロン5に対向する位置に、被検査対象Aで反射された反射光(検査対象光)を、内部に導光する図示しない入射光学レンズを備えている。エタロン5は、入射光学レンズから入射した検査対象光のうち、所定波長の光のみを分光する。そして、測色センサー3は、エタロン5により分光された光を検出部31にて受光する。
検出部31は、複数の光電交換素子により構成されており、受光量に応じた電気信号を生成する。そして、検出部31は、制御装置4に接続されており、生成した電気信号を受光信号として制御装置4に出力する。
図2は、本発明の干渉フィルターを構成するエタロン5の概略構成を示す平面図であり、図3は、エタロン5の概略構成を示す断面図である。なお、図1では、エタロン5に検査対象光が図中下側から入射しているが、図3では、検査対象光が図中上側から入射するものとする。なお、エタロン5は、外力により2つ(一対)のミラー間のギャップの大きさを変化させる、いわゆる、波長可変干渉フィルターである。
エタロン5は、図2に示すように、平面正方形状の板状の光学部材であり、一辺が例えば10mmに形成されている。そして、エタロン5は、図3に示すように、2つ(一対)の基板を備え、本実施形態では、それぞれ、第一基板51、及び第二基板52とする。
第一基板51には、一方の反射膜としての固定ミラー56が設けられ、第二基板52には、他方の反射膜としての可動ミラー57が設けられている。ここで、固定ミラー56は、第一基板51の第二基板52に対向する面に固定され、可動ミラー57は、第二基板52の第一基板51に対向する面に固定されている。また、これらの固定ミラー56及び可動ミラー57は、ミラー間ギャップGを介して対向配置されている。
さらに、第一基板51と第二基板52との間には、固定ミラー56および可動ミラー57の間のミラー間ギャップGの寸法を調整するための静電アクチュエーター54が設けられている。静電アクチュエーター54は、第一基板51側に設けられる第一変位用電極(固定電極)541、及び第二基板52側に設けられる第二変位用電極(可動電極)542を有し、これらの電極は対向して配置される。これらの第一変位用電極541及び第二変位用電極542に対して電圧を印加すると、第一変位用電極541及び第二変位用電極542間に静電引力が働き、第二基板52が変形して、ミラー間ギャップGの寸法が変化する。このミラー間ギャップGの寸法に応じて、エタロン5から出射される光の波長が変化する。
エタロン5の詳細な構成については、後述することとし、次に、一対の反射膜としての固定ミラー56と可動ミラー57について説明する。
本実施形態において、一対の反射膜である固定ミラー56、及び可動ミラー57は、いずれも単層膜である。そして、単層膜は、銀(Ag)、サマリウム(Sm)、及び銅(Cu)を含有するAg−Sm−Cu合金膜、又は銀(Ag)、ビスマス(Bi)、及びネオジム(Nd)を含有するAg−Bi−Nd合金膜で形成される。ここで、Ag−Sm−Cu合金膜は、実質的に、銀(Ag)、サマリウム(Sm)、及び銅(Cu)で構成され、Ag−Bi−Nd合金膜は、実質的に、銀(Ag)、ビスマス(Bi)、及びネオジム(Nd)で構成されるものである。そして、Ag−Sm−Cu合金膜、及びAg−Bi−Nd合金膜は、合金膜を構成する各元素以外にも、本発明の作用効果を損なわない範囲で、微量な不純物元素(例えば、酸素、窒素、炭素等)を含んでもよい。
このような観点から、固定ミラー56、及び可動ミラー57を形成する上記合金膜の厚さは、好ましくは、30nm以上80nm以下である。上記合金膜の厚さが30nm未満であると、厚さが薄すぎて上記合金膜の反射率が低く、さらに、プロセス加工や経時変化による反射率低下も大きくなる。また、上記合金膜をスパッタリング法で成膜する場合、上記合金膜のスパッタリング速度が速いため、厚さのコントロールが難しくなり、製造安定性の低下を招くおそれもある。一方、上記合金膜の厚さが80nmを超えると、光透過率が低下し、エタロン5の固定ミラー56及び可動ミラー57としての機能も低下する。なお、上記合金膜の厚さは、より好ましくは、40nm以上60nm以下である。
一対の基板としての第一基板51および第二基板52は、それぞれ例えば、ソーダガラス、結晶性ガラス、石英ガラス、鉛ガラス、カリウムガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラスなどの各種ガラスや、水晶などにより形成されている。これらの中でも、一対の基板の構成材料としては、例えばナトリウム(Na)やカリウム(K)などのアルカリ金属を含有したガラスが好ましく、このようなガラスにより第一基板51および第二基板52を形成することで、後述する一対の反射膜である固定ミラー56および可動ミラー57や、各電極の密着性や、基板同士の接合強度を向上させることが可能となる。また、ガラスは、可視光の透過特性が良好であるため、本実施形態のように、被検査対象Aの色を測定する場合では、第一基板51および第二基板52での光の吸収を抑えることができ、測色処理に適している。そして、第一基板51および第二基板52は、外周縁に沿って形成される接合面514,524同士が図示しないプラズマ重合膜により接合されることで、一体的に構成されている。
電極形成溝511は、エタロン5を基板厚み方向から見た平面視(以降、エタロン平面視と称する。)において、平面中心点を中心とした円形に形成されている。ミラー固定部512は、図3に示すように、電極形成溝511の中心部から第二基板52側に突出して形成される。
具体的には、第二基板52には、図2に示すような平面視において、基板中心点を中心とした円形の可動部521と、可動部521と同軸であり可動部521を保持する連結保持部522と、を備えている。この連結保持部522の外周径寸法は、第一基板51の電極形成溝511の外周径寸法と同一寸法に形成されている。
また、可動部521は、第一基板51とは反対側の上面において、図示略の反射防止膜(AR)が形成されている。この反射防止膜は、第一基板51に形成される反射防止膜と同様の構成を有し、低屈折率膜および高屈折率膜を交互に積層することで形成される。
この可動電極542は、可動電極取り出し配線542A、及び図示しない外部配線を介して電圧制御手段6に接続される。この可動電極取り出し配線542Aは、接合面514と接合面524との間に形成された可動電極取り出し部542Bを通り、外部配線と接続される。
この可動電極542、及び前述の固定電極541により、静電アクチュエーター54が構成される。
制御装置4は、測色装置1の全体動作を制御する。
この制御装置4としては、例えば汎用パーソナルコンピューターや、携帯情報端末、その他、測色専用コンピューターなどを用いることができる。
そして、制御装置4は、図1に示すように、光源制御部41、測色センサー制御部42、および測色処理部43(本発明の処理部)などを備えて構成されている。
第一基板51のミラー固定部512等、第二基板52の可動部521等は、製造素材であるガラス基板にエッチング加工を施すことで形成される。
エッチング加工後の第一基板51、及び第二基板52のそれぞれに対して、Ag−Sm−Cu合金膜、又はAg−Bi−Nd合金膜を、スパッタリング法で形成する。本実施形態では、単層膜とする。
スパッタリング後の合金膜を所望の形状にパターニングするターニングプロセスでは、ウェットエッチング法が用いられる。ウェットエッチング法では、例えば、次のような処理が施される。
(A)エッチングマスクとしてのレジスト膜を所望のパターンで合金膜上に形成する。レジストを硬化する際に、合金膜は高温下に曝される。
(B)レジスト膜を有機系レジスト剥離液で剥離する。このとき、合金膜は有機溶剤に曝される。
このようなウェットエッチング加工を経て、第一基板51、及び第二基板52に、それぞれ固定ミラー56、及び可動ミラー57が形成される。
この後、第一基板51、及び第二基板52を接合して、エタロン5が得られる。接合工程では、例えば、接合面514,524にそれぞれプラズマ重合膜を成膜し、このプラズマ重合膜を貼り合わせて、第一基板51と第二基板52とを接合する。
エタロン5では、ミラー間ギャップGを介して対向する固定ミラー56及び可動ミラー57が、純銀やAg−C合金よりも高温耐性やプロセス耐性に優れたAg−Sm−Cu合金膜、又はAg−Bi−Nd合金膜を含んでいる。これらの合金膜は純銀と同等の反射率を有し、また、純銀よりも高温耐性やプロセス耐性に優れている。そのため、プロセス加工、例えば、ウェットエッチング加工や経時変化による合金膜の反射率低下が小さくなり、エタロン5の性能低下が抑制される。
次に本発明に係る第二実施形態について説明する。
ここで、第二実施形態の説明において第一実施形態と同一の構成要素は同一符号を付す等して説明を省略もしくは簡略にする。
第二実施形態においては、エタロン5Aの固定ミラー56、及び可動ミラー57が、誘電体膜561,571と合金膜562,572を含む点で、第一実施形態のエタロン5と相違する。合金膜562,572は、第一実施形態と同じく、Ag−Sm−Cu合金膜、又はAg−Bi−Nd合金膜である。
図4に示すように、第一基板51では、第一基板51から順に誘電体膜561、合金膜562が設けられている。すなわち、誘電体膜561は、第一基板51と合金膜562との間に設けられている。同様に、第二基板52では、第二基板52から順に誘電体膜571、合金膜572が設けられている。すなわち、誘電体膜571は、第二基板52と合金膜572との間に設けられている。
誘電体膜561,571は、酸化チタン(TiO2)の単層膜、又は酸化チタン(TiO2)もしくは五酸化タンタル(Ta2O5)の層と酸化ケイ素(SiO2)もしくはフッ化マグネシウム(MgF2)の層とを積層させた多層膜である。後者の誘電体多層膜の場合は、高屈折率材料(TiO2、Ta2O5)の層と、低屈折率材料(SiO2、MgF2)の層が積層されることとなる。単層膜、又は多層膜の各層の厚さや層数は、必要とする光学特性に基づいて適宜に設定される。
第二実施形態に係るエタロン5Aによれば、固定ミラー56、及び可動ミラー57が、上記のような誘電体膜561,571と合金膜562,572とが積層されて構成されているので、合金膜562,572だけで構成される場合と比べて、可視光範囲の短波長側の反射率が向上する。その結果、高い反射率を示す波長域をさらに広げることができ、可視光範囲に渡って高い反射率を有する固定ミラー56、及び可動ミラー57を備えたエタロン5Aを得ることができる。
次に本発明に係る第三実施形態について説明する。
ここで、第三実施形態の説明において第一実施形態及び第二実施形態と同一の構成要素は同一符号を付す等して説明を省略もしくは簡略にする。
第三実施形態においては、エタロン5Bの固定ミラー56、及び可動ミラー57が、誘電体膜561,571、合金膜562,572の他に、保護膜563,573を含む点で、第一実施形態のエタロン5及び第二実施形態のエタロン5Aと相違する。合金膜562,572は、第一実施形態と同じく、Ag−Sm−Cu合金膜、又はAg−Bi−Nd合金膜である。誘電体膜561,571は、第二実施形態のものと同様である。
図5に示すように、第一基板51では、第一基板51から順に誘電体膜561、合金膜562、保護膜563が設けられている。すなわち、保護膜563は、合金膜562に対して誘電体膜561とは反対側に設けられている。同様に、第二基板52では、第二基板52から順に誘電体膜571、合金膜572、保護膜573が設けられている。保護膜573は、合金膜572に対して誘電体膜571とは反対側に設けられている。
保護膜563,573は、酸化ケイ素(SiO2)、酸窒化ケイ素(SiON)、窒化ケイ素(SiN)、もしくはアルミナを含む。保護膜の厚さは、好ましくは、10nm以上20nm以下である。このような範囲に設定することで、反射率及び透過率を低下させることなく、固定ミラー56、及び可動ミラー57を保護できる。
第三実施形態に係るエタロン5Bによれば、誘電体膜561,571、及び合金膜562,572が保護膜563,573によって保護されるので、プロセス加工や経時変化による固定ミラー56、及び可動ミラー57中の合金膜562,572の反射率低下が抑えられ、干渉フィルターの性能低下がさらに確実に防止される。
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
上記実施形態では、平面視正方形状のエタロンを例示したが、これに限定されるものではなく、例えば、平面視円形状、平面視多角形状に形成されていてもよい。
〔1.高温耐性〕
まず、純銀膜及び合金膜(Ag−C合金膜、Ag−Sm−Cu合金膜、及びAg−Bi−Nd合金膜)の高温耐性について評価した。
純銀膜及び上記合金膜は、純銀膜及び次に示す組成を有するターゲット材料を用い、平滑なガラス基板上にスパッタリング法によって、厚さ40nmに形成した。
Ag−C :Cを5.0原子%含有し、残部は実質的にAgである。
Ag−Sm−Cu:Smを0.5原子%含有し、Cuを0.5原子%含有し、残部は実質的にAgである。
Ag−Bi−Nd:Biを1.0原子%含有し、Ndを0.5原子%含有し、残部は実質的にAgである。
高温耐性としては、成膜後の初期の純銀膜及び上記合金膜の反射率と、大気環境下において、250℃、1時間の加熱処理を施した後(高温試験後)の反射率とを比較することで行った。分光測色計を用いて、可視光範囲である波長400nm以上700nm以下における反射率を測定した。
表1に、400nm、550nm、及び700nmにおける、純銀膜及び上記合金膜の初期反射率(単位:%)及び加熱処理後の反射率(単位:%)を示す。さらに表1に、初期反射率から加熱処理後の反射率を引いた値を反射率の変化量(減少量)(単位:%)として示す。
一方、純銀膜は、成膜後の初期では、可視光波長範囲において全般的に高い反射率を有していた。しかし、高温下に曝された純銀膜は、膜の粒塊が成長し、表面粗さが大きくなるため、反射率が大きく低下した。特に、短波長側(400nm)については、純銀膜の反射率低下は著しかった。
また、Ag−C合金膜は、Ag−Sm−Cu合金膜、及びAg−Bi−Nd合金膜と比べて、成膜初期の反射率が低く、さらに、高温試験後も反射率の低下が大きかった。
次に、純銀膜及び合金膜(Ag−C合金膜、Ag−Sm−Cu合金膜、及びAg−Bi−Nd合金膜)のプロセス耐性を評価した。
上記高温耐性の評価と同様にして、純銀膜及び上記合金膜は、純銀膜及び上記合金膜の組成を有するターゲット材料を用い、平滑なガラス基板上にスパッタリング法によって形成した。
そして、プロセス耐性として、ここでは、パターニングプロセス耐性を評価した。パターニングプロセスは、以下に示す通りとした。
(1) ガラス基板上に形成した純銀膜及び上記合金膜にポジレジストをスピンコーターにて塗布
(2) ポジレジスト塗布後、クリーンオーブンで、90℃、15分間のプレベーク
(3) コンタクトアライナーにてフォトマスクを通して露光
(4) 現像液に水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を使用し、現像
(5) クリーンオーブンにて120℃、20分間のポストベーク
(6) レジストをエッチングマスクとして、りん硝酢酸水溶液で純銀膜及び上記合金膜をエッチング
(7) 有機系レジスト剥離液でレジスト剥離
そして、上記高温耐性の評価と同様にして、成膜後の初期の純銀膜及び上記合金膜の反射率と、パターニングプロセス後の反射率とを比較することで行った。
表2に、400nm、550nm、及び700nmにおける、純銀膜及び上記合金膜の初期反射率(単位:%)及びパターニングプロセス後の反射率(単位:%)を示す。さらに表2に、初期反射率からパターニングプロセス後の反射率を引いた値を反射率の変化量(減少量)(単位:%)として示す。
一方、純銀膜は、成膜初期では、可視光波長範囲において全般的に高い反射率を有していた。しかし、パターニングプロセスを経た純銀膜の反射率は、大きく低下した。特に、短波長側(400nm)については、純銀膜の反射率低下は著しかった。このような純銀膜の反射率の低下は、レジストのベーク工程で高温下に曝されたことや、レジスト剥離工程で有機溶剤に曝されたためと考えられる。
また、Ag−C合金膜は、Ag−Sm−Cu合金膜、及びAg−Bi−Nd合金膜と比べて、成膜初期の反射率が低く、さらに、パターニングプロセス後も反射率の低下が大きかった。
さらに、合金膜(Ag−C合金膜、Ag−Sm−Cu合金膜、及びAg−Bi−Nd合金膜)のプロセス耐性として、パターニングプロセス後の透過率変化についても測定した。
具体的には、成膜初期の合金膜の透過率と、パターニングプロセス後の合金膜の透過率とを比較することで行った。
表3に、400nm、550nm、及び700nmにおける、上記合金膜の初期透過率(単位:%)及びパターニングプロセス後の透過率(単位:%)を示す。さらに表3に、パターニングプロセス後の透過率から初期透過率を引いた値を透過率の変化量(増加量)(単位:%)として示す。
Claims (10)
- ギャップを介して対向する2つの反射膜を備え、
前記反射膜は、
銀(Ag)、サマリウム(Sm)、及び銅(Cu)を含有するAg−Sm−Cu合金膜、又は
銀(Ag)、ビスマス(Bi)、及びネオジム(Nd)を含有するAg−Bi−Nd合金膜を含み、
厚さが30nm以上80nm以下に設けられ、光を透過する透過特性と光を反射する反射特性とを有する
ことを特徴とする干渉フィルター。 - 請求項1に記載の干渉フィルターにおいて、
前記Ag−Sm−Cu合金膜は、
Smを0.1原子%以上0.5原子%以下含み、
Cuを0.1原子%以上0.5原子%以下含み、
Sm及びCuの合計は、1原子%以下である
ことを特徴とする干渉フィルター。 - 請求項1に記載の干渉フィルターにおいて、
前記Ag−Bi−Nd合金膜は、
Biを0.1原子%以上3原子%以下含み、
Ndを0.1原子%以上5原子%以下含む
ことを特徴とする干渉フィルター。 - 請求項1から請求項3までのいずれかに記載の干渉フィルターにおいて、
前記反射膜は単層膜である
ことを特徴とする干渉フィルター。 - 請求項1から請求項3までのいずれかに記載の干渉フィルターにおいて、
前記反射膜を支持する基板を備え、
前記反射膜は、誘電体膜と合金膜とを含み、
前記基板に対して、前記基板側から順に前記誘電体膜、及び前記合金膜が設けられ、
前記誘電体膜は、
酸化チタン(TiO2)の単層膜、又は
酸化チタン(TiO2)もしくは五酸化タンタル(Ta2O5)の層と酸化ケイ素(SiO2)もしくはフッ化マグネシウム(MgF2)の層とを積層させた多層膜であり、
前記合金膜は前記Ag−Sm−Cu合金膜又は前記Ag−Bi−Nd合金膜である
ことを特徴とする干渉フィルター。 - 請求項5に記載の干渉フィルターにおいて、
前記反射膜は、前記誘電体膜、前記合金膜、及び保護膜を含み、
前記基板に対して、前記基板側から順に前記誘電体膜、前記合金膜、及び前記保護膜が設けられ、
前記保護膜は、酸化ケイ素(SiO2)、酸窒化ケイ素(SiON)、窒化ケイ素(SiN)、もしくはアルミナを含み、
前記保護膜の厚さが10nm以上20nm以下である
ことを特徴とする干渉フィルター。 - 請求項1から請求項6までのいずれかに記載の干渉フィルターと、
この干渉フィルターにより取り出される光の光量を検出する検出部と、を備えた
ことを特徴とする光モジュール。 - 請求項7に記載の光モジュールと、
前記検出部により検出された光の光量に基づいて、光分析処理を実施する処理部と、を備えた
ことを特徴とする分析装置。 - ギャップを介して対向する2つの反射膜と、
前記反射膜を透過した光の光量を検出する検出部と有し、
前記反射膜は、
銀(Ag)、サマリウム(Sm)、及び銅(Cu)を含有するAg−Sm−Cu合金膜、又は
銀(Ag)、ビスマス(Bi)、及びネオジム(Nd)を含有するAg−Bi−Nd合金膜を含み、
厚さが30nm以上80nm以下に設けられ、光を透過する透過特性と光を反射する反射特性とを有する
ことを特徴とする光モジュール。 - ギャップを介して対向する2つの反射膜と、
前記反射膜を透過した光の光量を検出する検出部と、
前記検出部にて検出された光の光量に基づいて、光分析処理を実施する処理部とを有し、
前記反射膜は、
銀(Ag)、サマリウム(Sm)、及び銅(Cu)を含有するAg−Sm−Cu合金膜、又は
銀(Ag)、ビスマス(Bi)、及びネオジム(Nd)を含有するAg−Bi−Nd合金膜を含み、
厚さが30nm以上80nm以下に設けられ、光を透過する透過特性と光を反射する反射特性とを有する
ことを特徴とする分析装置。
Priority Applications (10)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010165587A JP5682165B2 (ja) | 2010-07-23 | 2010-07-23 | 干渉フィルター、光モジュール、及び分析装置 |
US13/114,281 US20120019812A1 (en) | 2010-07-23 | 2011-05-24 | Interference filter, optical module, and analyzing device |
BRPI1103584-6A BRPI1103584A2 (pt) | 2010-07-23 | 2011-07-19 | filtro de interferência, módulo óptico e dispositivo de análise |
CN201110203270.9A CN102346271B (zh) | 2010-07-23 | 2011-07-20 | 干涉滤光器、光模块以及分析装置 |
TW100125685A TWI531821B (zh) | 2010-07-23 | 2011-07-20 | 干涉濾光器、光模組及分析裝置 |
EP20130158748 EP2607939A3 (en) | 2010-07-23 | 2011-07-20 | Interference filter, optical module, and analyzing device |
EP11174643.4A EP2410368B1 (en) | 2010-07-23 | 2011-07-20 | Interference filter, optical module, and analyzing device |
KR1020110072534A KR20120010191A (ko) | 2010-07-23 | 2011-07-21 | 간섭 필터, 광 모듈 및 분석 장치 |
RU2011130834/28A RU2581742C2 (ru) | 2010-07-23 | 2011-07-22 | Интерференционный фильтр, оптический модуль и анализирующее устройство |
US14/717,308 US20150253564A1 (en) | 2010-07-23 | 2015-05-20 | INTERFERENCE FILTER HAVING Ag-Sm-Cu REFLECTIVE FILM |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010165587A JP5682165B2 (ja) | 2010-07-23 | 2010-07-23 | 干渉フィルター、光モジュール、及び分析装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014231366A Division JP5978506B2 (ja) | 2014-11-14 | 2014-11-14 | 干渉フィルター、光モジュール、及び分析装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012027224A JP2012027224A (ja) | 2012-02-09 |
JP5682165B2 true JP5682165B2 (ja) | 2015-03-11 |
Family
ID=44651019
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010165587A Active JP5682165B2 (ja) | 2010-07-23 | 2010-07-23 | 干渉フィルター、光モジュール、及び分析装置 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20120019812A1 (ja) |
EP (2) | EP2607939A3 (ja) |
JP (1) | JP5682165B2 (ja) |
KR (1) | KR20120010191A (ja) |
CN (1) | CN102346271B (ja) |
BR (1) | BRPI1103584A2 (ja) |
RU (1) | RU2581742C2 (ja) |
TW (1) | TWI531821B (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013148644A (ja) * | 2012-01-18 | 2013-08-01 | Seiko Epson Corp | 干渉フィルター、光学モジュールおよび電子機器 |
JP2015079257A (ja) * | 2014-11-14 | 2015-04-23 | セイコーエプソン株式会社 | 干渉フィルター、光モジュール、及び分析装置 |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5919728B2 (ja) * | 2011-10-26 | 2016-05-18 | セイコーエプソン株式会社 | 分光測定装置 |
JP5811789B2 (ja) * | 2011-11-09 | 2015-11-11 | セイコーエプソン株式会社 | 分光測定装置 |
US8760751B2 (en) | 2012-01-26 | 2014-06-24 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Analog IMOD having a color notch filter |
JP6035768B2 (ja) * | 2012-02-16 | 2016-11-30 | セイコーエプソン株式会社 | 干渉フィルター、光学モジュール、および電子機器 |
JP2013181912A (ja) * | 2012-03-02 | 2013-09-12 | Seiko Epson Corp | 成分分析装置 |
JP5888080B2 (ja) * | 2012-04-11 | 2016-03-16 | セイコーエプソン株式会社 | 波長可変干渉フィルター、光学フィルターデバイス、光学モジュール、電子機器、及び波長可変干渉フィルターの駆動方法 |
FI125612B (en) * | 2012-05-08 | 2015-12-15 | Teknologian Tutkimuskeskus Vtt Oy | Fabry-Perot Interferometer |
JP2013238755A (ja) * | 2012-05-16 | 2013-11-28 | Seiko Epson Corp | 光学モジュール、電子機器、食物分析装置、分光カメラ、及び波長可変干渉フィルターの駆動方法 |
JP6098051B2 (ja) | 2012-07-04 | 2017-03-22 | セイコーエプソン株式会社 | 分光測定装置 |
JP6260076B2 (ja) * | 2012-09-19 | 2018-01-17 | セイコーエプソン株式会社 | 分光装置 |
JP6225423B2 (ja) * | 2013-01-07 | 2017-11-08 | セイコーエプソン株式会社 | 分光測定装置、カラーマネージメントシステム、及びプロファイル作成方法 |
JP5985414B2 (ja) * | 2013-02-19 | 2016-09-06 | デクセリアルズ株式会社 | 異方性導電接着剤、発光装置及び異方性導電接着剤の製造方法 |
JP6496973B2 (ja) * | 2013-08-07 | 2019-04-10 | セイコーエプソン株式会社 | 光フィルター、光学モジュール、電子機器 |
JP6264838B2 (ja) * | 2013-10-29 | 2018-01-24 | セイコーエプソン株式会社 | 光学素子 |
WO2018228671A1 (en) * | 2017-06-13 | 2018-12-20 | Technische Universiteit Delft | Interferometric modulator device comprising a monolayer |
TWI637502B (zh) * | 2017-12-05 | 2018-10-01 | 義明科技股份有限公司 | 光學感測裝置以及光學感測模組 |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7316837B2 (en) * | 2000-07-21 | 2008-01-08 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
US6522801B1 (en) * | 2000-10-10 | 2003-02-18 | Agere Systems Inc. | Micro-electro-optical mechanical device having an implanted dopant included therein and a method of manufacture therefor |
KR100506474B1 (ko) * | 2002-03-25 | 2005-08-03 | 히타치 긴조쿠 가부시키가이샤 | Ag 합금막 및 Ag 합금막 형성용 스퍼터링 타겟재 |
JP4103067B2 (ja) * | 2002-03-25 | 2008-06-18 | 日立金属株式会社 | 平面表示装置用Ag合金系反射膜 |
US20030227250A1 (en) * | 2002-05-08 | 2003-12-11 | Han Nee | Silver alloy thin film reflector and transparent electrical conductor |
DE60305495T2 (de) * | 2002-06-28 | 2006-12-28 | Williams Advanced Materials Inc. | Korrosionsbeständige silbermetalllegierungen für optisches aufzeichnen und beschreibbare optische aufzeichnungsmedien welche diese legierung enthalten |
US7514037B2 (en) * | 2002-08-08 | 2009-04-07 | Kobe Steel, Ltd. | AG base alloy thin film and sputtering target for forming AG base alloy thin film |
JP4105956B2 (ja) * | 2002-08-08 | 2008-06-25 | 株式会社神戸製鋼所 | 光反射膜およびこれを用いた液晶表示素子、ならびに光反射膜用スパッタリングターゲット |
JP4009564B2 (ja) * | 2003-06-27 | 2007-11-14 | 株式会社神戸製鋼所 | リフレクター用Ag合金反射膜、及び、このAg合金反射膜を用いたリフレクター、並びに、このAg合金反射膜のAg合金薄膜の形成用のAg合金スパッタリングターゲット |
JP3770326B2 (ja) * | 2003-10-01 | 2006-04-26 | セイコーエプソン株式会社 | 分析装置 |
EP1612784B1 (en) * | 2004-06-29 | 2007-11-28 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | Semi-reflective film and reflective film for optical information recording medium, optical information recording medium, and sputtering target |
JP2007035104A (ja) * | 2005-07-22 | 2007-02-08 | Kobe Steel Ltd | 光情報記録媒体用Ag合金反射膜、光情報記録媒体および光情報記録媒体用Ag合金反射膜の形成用のAg合金スパッタリングターゲット |
US7417746B2 (en) * | 2005-12-29 | 2008-08-26 | Xerox Corporation | Fabry-perot tunable filter systems and methods |
US7508586B2 (en) * | 2006-04-14 | 2009-03-24 | Southwall Technologies, Inc. | Zinc-based film manipulation for an optical filter |
US7734131B2 (en) * | 2006-04-18 | 2010-06-08 | Xerox Corporation | Fabry-Perot tunable filter using a bonded pair of transparent substrates |
US8092889B2 (en) * | 2006-08-28 | 2012-01-10 | Kobe Steel, Ltd. | Silver alloy reflective film for optical information storage media, optical information storage medium, and sputtering target for the deposition of silver alloy reflective film for optical information storage media |
CN101461002A (zh) * | 2006-11-17 | 2009-06-17 | 田中贵金属工业株式会社 | 反射膜或半透反射膜用的薄膜及溅射靶材以及光记录介质 |
JP4540687B2 (ja) * | 2007-04-13 | 2010-09-08 | 株式会社ソニー・ディスクアンドデジタルソリューションズ | 読み出し専用の光情報記録媒体 |
JP5564759B2 (ja) * | 2008-04-02 | 2014-08-06 | セイコーエプソン株式会社 | 光学フィルタ装置 |
JP2010060930A (ja) * | 2008-09-04 | 2010-03-18 | Seiko Epson Corp | 光学干渉フィルタ、表示装置および電子機器 |
US8314991B2 (en) * | 2008-10-31 | 2012-11-20 | Cpfilms Inc. | Variable transmission composite interference filter |
JP5151944B2 (ja) * | 2008-12-09 | 2013-02-27 | セイコーエプソン株式会社 | 光フィルタ及びそれを備えた光モジュール |
JP5798709B2 (ja) * | 2009-03-04 | 2015-10-21 | セイコーエプソン株式会社 | 光フィルター及びそれを備えた光モジュール |
US8102592B2 (en) * | 2010-03-24 | 2012-01-24 | Unipel Technologies, LLC | Reflective display using calibration data for electrostatically maintaining parallel relationship of adjustable-depth cavity component |
JP2012042651A (ja) * | 2010-08-18 | 2012-03-01 | Seiko Epson Corp | 干渉フィルター、光モジュール、及び分析装置 |
JP5910099B2 (ja) * | 2012-01-18 | 2016-04-27 | セイコーエプソン株式会社 | 干渉フィルター、光学モジュールおよび電子機器 |
-
2010
- 2010-07-23 JP JP2010165587A patent/JP5682165B2/ja active Active
-
2011
- 2011-05-24 US US13/114,281 patent/US20120019812A1/en not_active Abandoned
- 2011-07-19 BR BRPI1103584-6A patent/BRPI1103584A2/pt not_active Application Discontinuation
- 2011-07-20 TW TW100125685A patent/TWI531821B/zh active
- 2011-07-20 EP EP20130158748 patent/EP2607939A3/en not_active Withdrawn
- 2011-07-20 EP EP11174643.4A patent/EP2410368B1/en active Active
- 2011-07-20 CN CN201110203270.9A patent/CN102346271B/zh active Active
- 2011-07-21 KR KR1020110072534A patent/KR20120010191A/ko not_active Application Discontinuation
- 2011-07-22 RU RU2011130834/28A patent/RU2581742C2/ru active
-
2015
- 2015-05-20 US US14/717,308 patent/US20150253564A1/en not_active Abandoned
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013148644A (ja) * | 2012-01-18 | 2013-08-01 | Seiko Epson Corp | 干渉フィルター、光学モジュールおよび電子機器 |
JP2015079257A (ja) * | 2014-11-14 | 2015-04-23 | セイコーエプソン株式会社 | 干渉フィルター、光モジュール、及び分析装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI531821B (zh) | 2016-05-01 |
KR20120010191A (ko) | 2012-02-02 |
JP2012027224A (ja) | 2012-02-09 |
EP2410368A1 (en) | 2012-01-25 |
CN102346271B (zh) | 2017-07-04 |
US20120019812A1 (en) | 2012-01-26 |
EP2410368B1 (en) | 2017-10-18 |
US20150253564A1 (en) | 2015-09-10 |
TW201219855A (en) | 2012-05-16 |
EP2607939A3 (en) | 2014-04-09 |
RU2011130834A (ru) | 2013-01-27 |
BRPI1103584A2 (pt) | 2012-12-11 |
CN102346271A (zh) | 2012-02-08 |
EP2607939A2 (en) | 2013-06-26 |
RU2581742C2 (ru) | 2016-04-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5682165B2 (ja) | 干渉フィルター、光モジュール、及び分析装置 | |
US20160077260A1 (en) | Interference filter, optical module, and optical analyzer | |
US7525713B2 (en) | Optical device | |
JP5641220B2 (ja) | 波長可変干渉フィルター、光モジュール、及び光分析装置 | |
JP5716412B2 (ja) | 波長可変干渉フィルター、光モジュール、及び光分析装置 | |
JP5779852B2 (ja) | 波長可変干渉フィルター、光モジュール、および光分析装置 | |
US7515325B2 (en) | Optical device | |
JP2012042651A (ja) | 干渉フィルター、光モジュール、及び分析装置 | |
JP5707780B2 (ja) | 波長可変干渉フィルター、光モジュール、及び光分析装置 | |
US9322966B2 (en) | Interference filter having Ag—Bi—Nd alloy film | |
JP2012027226A (ja) | 干渉フィルター、光モジュール、及び分析装置 | |
JP2006349775A (ja) | 光学素子および光学装置 | |
JP5845592B2 (ja) | 波長可変干渉フィルター、光モジュール、及び光分析装置 | |
JP5978506B2 (ja) | 干渉フィルター、光モジュール、及び分析装置 | |
JP5999213B2 (ja) | 波長可変干渉フィルター、光モジュール、及び光分析装置 | |
JP2012128136A (ja) | 光センサー | |
JP2011081055A (ja) | 波長可変干渉フィルター、測色センサー、測色モジュール | |
JP2015043103A (ja) | 波長可変干渉フィルター、光モジュール、及び光分析装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130705 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140430 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140513 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140710 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140916 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141114 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20141216 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141229 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5682165 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |