JP2012109801A - 信号増幅回路、電流電圧変換回路、および光受信器 - Google Patents

信号増幅回路、電流電圧変換回路、および光受信器 Download PDF

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Abstract

【課題】入力電流の大きさの変化に応じた出力電圧波形の歪みを抑えることができる信号増幅回路、電流電圧変換回路、および光受信器を提供する。
【解決手段】プリアンプ13は、トランジスタ21、及び該トランジスタ21と電源電位線18との間において出力信号を提供するノードAを有し、光電流Iinを受ける信号入力端13aにトランジスタ21のエミッタが接続され、ノードAにトランジスタ21のコレクタが接続されたベース接地回路20と、ノードAに接続され、出力電圧Voutの平均レベルから利得制御信号Vagcを生成する検知回路50と、ベース接地回路20に対して並列に接続されたトランジスタ31を有し、そのベースに利得制御信号Vagcを受ける分流回路30とを備える。検知回路50は、平均レベルの上昇に応じてトランジスタ31を流れる電流が大きくなるように利得制御信号Vagcを生成する。
【選択図】図2

Description

本発明は、信号増幅回路、電流電圧変換回路、および光受信器に関するものである。
特許文献1には、信号電流を信号電圧に変換するベース接地回路を含む増幅回路が記載されている。図12は、この増幅回路の回路構成を示す図である。同図に示されるように、この増幅回路100は、トランジスタ101〜103を備える。トランジスタ101のエミッタは定電圧端子104に、トランジスタ101のコレクタは負荷抵抗105を介して定電圧端子106に、それぞれ接続されている。また、トランジスタ101のコレクタはトランジスタ102のベースに接続されており、トランジスタ102のコレクタは定電圧端子106に、トランジスタ102のエミッタは抵抗107を介してトランジスタ101のベースに、それぞれ接続されている。また、トランジスタ103のコレクタはトランジスタ101のベースに、トランジスタ103のベースは定電圧端子108に、トランジスタ103のエミッタは定電流源109を介して定電圧端子110に、それぞれ接続されている。
特許文献2には、受光素子で変換された電流信号を電圧信号に変換するための光受信器用トランスインピーダンスアンプが記載されている。このトランスインピーダンスアンプは、ベース接地されたトランジスタと、該トランジスタのエミッタに接続された可変電流源と、該トランジスタのコレクタに接続された負荷用の抵抗器と、該トランジスタのベースに接続された定電圧源と、該トランジスタのエミッタに接続された入力端子と、該トランジスタのコレクタに接続された出力端子と、この出力端子と可変電流源との間に設けられた電流源制御回路とを備える。可変電流源は、制御信号によってその電流値を変えられる機能を有する。電流源制御回路は、出力端子の出力電圧に応じて電流値を変えるための制御信号を出力する。
特許文献3には、入力電流を電圧信号に変換するためのトランスインピーダンスアンプ回路が記載されている。この回路は、異なる電圧を供給する複数の電源電圧手段と、入力電流に応じて複数の電源電圧手段を切り替えることにより、使用する電圧を制御する制御手段とを備える。
特開平9−8564号公報 特開平11−205047号公報 特開2009−246823号公報
光通信において使用される一般的な光受信回路は、フォトダイオード(以下、PDとする)及びプリアンプを含んで構成される。プリアンプは、PDにおいて生成された光電流を電圧信号に変換する。多くの場合、プリアンプとしてトランスインピーダンスアンプ(Trans Impedance Amplifier;TIA)が用いられる。TIAは、反転アンプ(入力の位相に対して出力の位相が反転するアンプ)の入出力間にインピーダンス素子を接続し、かつ反転アンプのバイアス電流(入力電流)を極めて小さく設定して、光電流のほぼ全てをインピーダンス素子に流入させ、インピーダンス素子における電圧降下を電圧信号として取り出すものである。
しかし、TIAにおいては、反転アンプの入力インピーダンスを大きくする必要があるので、信号波形が入力容量の影響を強く受けてしまい、高い周波数帯域での周波数特性を良好に保つには困難を伴う。
このような問題を抱えるTIAとは別に、プリアンプとしてベース接地回路を用いる方式がある。すなわち、PDからの光電流の全てをベース接地トランジスタで受け、該トランジスタのコレクタ電圧を電圧信号として取り出す方式である。このような回路方式によって、プリアンプの入力インピーダンスを小さくすることができ、信号波形への入力容量の影響を抑えることができる。また、該トランジスタのエミッタへの入力電流とコレクタからの出力電圧は互いに同じ位相となるので、ミラー容量の影響も緩和され、高い周波数帯域での周波数特性を良好に保つことが容易にできる。
しかしながら、ベース接地回路を備える従来のプリアンプには、以下の課題がある。図13は、従来の一般的なベース接地回路の構成を示す回路図である。このベース接地回路200は、ベース接地トランジスタ201を備える。ベース接地トランジスタ201のベースには、固定バイアス電圧Vaが入力される。固定バイアス電圧Vaは、抵抗202a及び202bが電源電位線203の電源電圧Vccを分圧することにより生成される。なお、トランジスタ201のベースは、接地電位線204に直接接続されてもよい。トランジスタ201のコレクタは負荷抵抗205を介して電源電位線203に接続されている。トランジスタ201のエミッタは、定電流Icを生成する定電流源206を介して接地電位線204に接続されている。入力電流Iinはトランジスタ201のエミッタに入力され、出力電圧Voutはトランジスタ201のコレクタから取り出される。
このベース接地回路200においては、電流信号Iinが入力されないとき、トランジスタ201及び負荷抵抗205を流れる電流の大きさはIcである。電流信号Iinが入力されると、トランジスタ201及び負荷抵抗205に流れる電流の大きさはIc−Iinとなる。従って、電流信号Iinが大きいほど負荷抵抗205の電圧降下が小さくなり、出力電圧Voutが高くなる。しかし、出力電圧Voutは電源電位線203の電源電圧Vccを超えることはできず、電流信号Iinが大きくなると、出力電圧Voutは次第に電源電圧Vccに近づいて飽和することとなる。
ここで、図14及び図15は、出力電圧Voutのアイパターンの一例を示す図である。図14(a)はIinが100μAである場合を示し、図14(b)はIinが1000μAである場合を示し、図15(a)はIinが1250μAである場合を示し、図15(b)はIinが2000μAである場合を示している。なお、これらの図において、縦軸は出力電圧Vout(単位V)を示し、横軸は時間(単位ピコ秒)を示している。これらの図に示されるように、ベース接地回路200においては、電流信号Iinが大きくなる程、アイパターンのクロスポイントが相対的に高電位側へシフトする。これは、電流信号Iinが大きいほど、出力電圧Voutが早く立ち上がり、飽和するためである。このように、従来のベース接地回路200では、入力電流の大きさの変化に応じて出力電圧波形が歪んでしまうので、入力電流の大きさが制限されるという課題がある。
本発明は、このような問題点に鑑みてなされたものであり、入力電流の大きさの変化に応じた出力電圧波形の歪みを抑えることができる信号増幅回路、電流電圧変換回路、および光受信器を提供することを目的とする。
上述した課題を解決するために、本発明による信号増幅回路は、ベース接地回路、利得制御回路及び分流回路を備える。ベース接地回路は、入力信号電流を受ける信号入力端と、出力信号端と、該信号入力端及び該出力信号端にそれぞれの電流端子が接続されており固定バイアスで駆動される第一のトランジスタとを有する。利得制御回路は、出力信号端に現れる出力信号から利得制御信号を生成する。分流回路は、信号入力端に一方の電流端子が接続され、利得制御信号を受ける制御端子を有し、ベース接地回路に並列に接続された第二のトランジスタを含む。利得制御回路は、出力信号に依存して第一のトランジスタを流れる電流を増減させる。
また、信号増幅回路は、一方の電流端子が信号出力端に接続され、利得制御信号を受ける制御端子を有し、利得制御信号に従って信号出力端から電流を流入させる第三のトランジスタを更に備えてもよい。
また、本発明による電流電圧変換回路は、入力信号電流を受ける信号入力端と、出力信号端と、該信号入力端及び該出力信号端にそれぞれ電流端子が接続されており制御端子に固定バイアスが入力される第一のトランジスタを備えたベース接地回路と、出力信号端に現れる出力信号から利得制御信号を生成する利得制御回路と、信号入力端に一方の電流端子が接続され、利得制御信号を受ける制御端子を有し、ベース接地回路に並列に接続され、利得制御信号に従って第一のトランジスタを流れる電流を増減させる第二のトランジスタを含む分流回路と、一方の電流端子が信号出力端に接続され、利得制御信号を受ける制御端子を有し、利得制御信号に従って信号出力端子から電流を流入させる第三のトランジスタと、信号出力端子に接続された負荷抵抗と、信号入力端子に接続され、第一及び第二のトランジスタに流れる電流の総和を決定する第一の定電流源とを有する。
また、電流電圧変換回路は、固定バイアスを制御端子に受け、一方の電流端子が第三のトランジスタの他方の電流端子に接続された第四のトランジスタと、第三のトランジスタと第四のトランジスタに流れる電流の総和を決定する第二の定電流源とを更に有してもよい。
また、本発明による光受信器は、上述したいずれかの電流電圧変換回路と、光信号を入力し、該光信号の強度に応じた大きさの信号電流を入力信号電流として信号入力端に提供するフォトダイオードとを備えることを特徴とする。
本発明による信号増幅回路、電流電圧変換回路、および光受信器によれば、入力電流の大きさの変化に応じた出力電圧波形の歪みを抑えることができる。
図1は、本発明の一実施形態に係る光受信器の構成を示す図である。 図2は、本実施形態のプリアンプの具体的な構成例を示す回路図である。 図3は、ベース接地回路、分流回路、及び電流補償回路の基本的な構成を示す。 図4は、第一トランジスタ及び第二トランジスタのコレクタ電流の変化の様子を示すグラフである。 図5は、第一トランジスタ及び第三トランジスタのコレクタ電流、並びに負荷抵抗を流れる電流の変化の様子を示すグラフである。 図6は、負荷抵抗を流れる電流、並びに第一トランジスタ、第二トランジスタ、及び第三トランジスタの各コレクタ電流の波形の関係を示すグラフである。 図7は、本実施形態における出力電圧のアイパターンの一例を示す図である。 図8は、本実施形態における出力電圧のアイパターンの一例を示す図である。 図9は、光電流の大きさと利得制御信号との関係を示すグラフである。 図10は、光電流を0〜1.5mAの間において0.1mA刻みで増加させたときの、出力電圧の波形の変化を示す図である。 図11は、図10における出力電圧の振幅の変化を示すグラフであり、縦軸は利得制御信号の振幅を示し、横軸は光電流を示している。 図12は、特許文献1に記載された増幅回路の回路構成を示す図である。 図13は、従来の一般的なベース接地回路の構成を示す回路図である。 図14は、従来の一般的なベース接地回路の出力電圧のアイパターンの一例を示す図である。 図15は、従来の一般的なベース接地回路の出力電圧のアイパターンの一例を示す図である。
以下、添付図面を参照しながら本発明による信号増幅回路、電流電圧変換回路、および光受信器の実施の形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
図1は、本発明の一実施形態に係る光受信器の構成を示す図である。この光受信器10は、PD11からの光電流Iinを電圧信号に変換し、増幅して出力するための装置である。図1に示されるように、光受信器10は、PD11と、光受信回路12とを備える。光受信回路12は、プリアンプ13、3つの差動増幅回路14、15及び16、並びにオフセット補償回路17を有する。
PD11は、高周波の光信号を入力し、該光信号の強度に応じた大きさの信号電流(光電流Iin)を生成する。PD11は、この光電流Iinを入力信号電流として光受信回路12に提供する。光電流Iinは、光受信回路12の入力端子12aを経てプリアンプ13に入力される。プリアンプ13は、本実施形態における信号増幅回路であり且つ電流電圧変換回路である。プリアンプ13は、光電流Iinに応じた出力電圧Voutを生成する。出力電圧Voutは、差動増幅回路14〜16に順次入力され、増幅される。差動増幅回路16から出力された電圧信号は、光受信回路12の出力端子12bを経て外部へ出力される。
オフセット補償回路17は、差動増幅回路14のオフセットを調整するためのフィードバック回路であり、差動増幅回路16から出力された電圧信号を入力し、この電圧信号に基づいて差動増幅回路14のオフセットを調整する。
図2は、本実施形態のプリアンプ13の具体的な構成例を示す回路図である。同図に示されるように、プリアンプ13は、ベース接地回路20、分流回路30、電流補償回路40、検知回路50、及びエミッタフォロワ回路51を備える。なお、図3は、理解の容易の為、ベース接地回路20、分流回路30、及び電流補償回路40の基本的な構成を示す。
ベース接地回路20は、トランジスタ21及び負荷抵抗22を有する。トランジスタ21は、本実施形態における第一トランジスタであり、電源電位線(第一定電位線)18と、電源電位線18より低い電位の基準電位線(第二定電位線)19との間に接続されている。具体的には、トランジスタ21のエミッタ(一方の電流端子)は、定電流源61を介して基準電位線19に接続されている。また、トランジスタ21のコレクタ(他方の電流端子)は、ノードAを介して電源電位線18に接続されている。負荷抵抗22は、ノードAと電源電位線18との間に接続されている。
ノードAは、トランジスタ21と電源電位線18との間において、出力電圧(出力信号)Voutを提供する。すなわち、ノードAはプリアンプ13の信号出力端13bに接続されており、プリアンプ13では、エミッタフォロワ回路51のトランジスタ51aのエミッタ電圧が出力電圧Voutとして供給される。トランジスタ21のエミッタには、プリアンプ13の信号入力端13aが接続されている。信号入力端13aには、PD11からの光電流Iin(入力信号電流)が入力される。トランジスタ21のベース(制御端子)には、抵抗62a、62bによって分圧された定電位Vbiasが与えられる。
分流回路30は、トランジスタ31を有する。トランジスタ31は、本実施形態における第二トランジスタであり、ベース接地回路20に対して並列に接続されている。具体的には、トランジスタ31のエミッタ(一方の電流端子)は、トランジスタ21のエミッタに短絡されるとともに、定電流源61を介して基準電位線19に接続されている。また、トランジスタ31のコレクタ(他方の電流端子)は、2つのダイオード接続トランジスタ32,33を介して電源電位線18に接続されている。トランジスタ31のベース(制御端子)には、後述する検知回路50から利得制御信号Vagcが入力される。
なお、定電流源61は、本実施形態における第一定電流源である。定電流源61は、トランジスタ21及びトランジスタ31の各エミッタと基準電位線19との間に接続されており、定電流Ibias1を生成する。
電流補償回路40は、トランジスタ41及び42を有する。トランジスタ41は、本実施形態における第三トランジスタであり、ノードAと基準電位線19との間に接続されている。また、トランジスタ42は、本実施形態における第四トランジスタであり、トランジスタ41及び負荷抵抗22に対して並列に接続されている。
具体的には、トランジスタ41のコレクタ(一方の電流端子)は、ノードAを介して負荷抵抗22に接続され、且つトランジスタ21のコレクタに直接接続されている。また、トランジスタ41のエミッタ(他方の電流端子)は、定電流源63を介して基準電位線19に接続されている。トランジスタ41のベース(制御端子)には、後述する検知回路50から利得制御信号Vagcが入力される。
トランジスタ42のコレクタ(一方の電流端子)は、2つのダイオード接続トランジスタ43,44を介して電源電位線18に接続されている。また、トランジスタ42のエミッタ(他方の電流端子)は、トランジスタ41のエミッタに短絡されるとともに、定電流源63を介して基準電位線19に接続されている。トランジスタ42のベース(制御端子)には、トランジスタ21のベースに提供されるベースバイアス電圧Vbiasと同じ大きさのベースバイアス電圧が与えられる。本実施形態では、トランジスタ42のベースに定電圧源62からベースバイアス電圧Vbiasが入力される。
なお、定電流源63は、本実施形態における第二定電流源である。定電流源63は、トランジスタ41及び42の各エミッタと基準電位線19との間に接続されており、定電流源61が生成する定電流Ibias1と実質的に等しい大きさの定電流Ibias2を生成する。
エミッタフォロワ回路51は、電源電位線18と基準電位線19との間に直列に接続されたトランジスタ51a及び定電流源51bを含む。トランジスタ51aのコレクタは電源電位線18に接続されており、トランジスタ51aのエミッタは定電流源51bに接続されている。トランジスタ51aのベースはノードAに接続されており、出力電圧Voutを受ける。
検知回路(利得制御回路)50は、ノードAに接続され、出力電圧Voutの平均レベルを検知し、該平均レベルから利得制御信号Vagcを生成する。そして、検知回路50は、この利得制御信号Vagcを、トランジスタ31及び41の各ベースに提供する。検知回路50は、平均レベルの上昇に応じてトランジスタ31及び41を流れる電流が大きくなるように、利得制御信号Vagcを生成する。
具体的には、本実施形態の検知回路50は、図2に示されるように、積分回路52を有する。積分回路52は、出力電圧Voutの平均レベルを生成するための回路であり、抵抗素子52a及び容量素子52bを含むRC積分回路からなる。積分回路52の一端はトランジスタ51aのエミッタに接続されており、積分回路52は該一端から出力電圧Voutを受ける。積分回路52の他端は、直流フィードバック回路53及び抵抗素子54を介してトランジスタ31及び41の各ベースに接続されており、これらのベースに対し、出力電圧Voutの平均レベルを利得制御信号Vagcとして提供する。直流フィードバック回路53は、リファレンス電位発生回路55のリファレンス電位と積分回路52の出力電圧との差分にゲインが乗ぜられた電圧を出力する構成となっている。
なお、一実施例では、抵抗素子52aの抵抗値は20kΩであり、容量素子52bの容量は0.1uFである。この場合、積分回路52の時定数は光信号の周期より格段に大きくなり、ほぼ出力信号Voutの直流成分のみが利得制御信号Vagcとなる。
以上の構成を備えるプリアンプ13の動作について、分流回路30のトランジスタ31がオン状態の時とオフ状態の時に分けて説明する。
トランジスタ31がオフ状態のとき、すなわち出力電圧Voutの平均レベルがトランジスタ31及び41をターンオンさせるほど高くない場合には、このプリアンプ13の動作は、図13に示した従来のベース接地回路の動作と同様になる。すなわち、トランジスタ21及び負荷抵抗22を流れる電流の大きさは、定電流Ibias1から光電流Iinを差し引いた大きさ(Ibias1−Iin)となる。したがって、光電流Iinの増減が負荷抵抗22の電流の増減に直接反映され、負荷抵抗22の電圧降下量に応じた大きさの出力電圧Voutが得られる。
一方、出力電圧Voutの平均レベルが或る値より大きくなると、利得制御信号Vagcによってトランジスタ31がオン状態となる。そして、利得制御信号Vagcは、出力電圧Voutの平均レベルの上昇に応じてトランジスタ31を流れる電流を大きくする。このとき、トランジスタ21及び31は、いずれもベース接地の増幅回路として動作するので、トランジスタ21及び31それぞれのコレクタには、同相の電流信号が現れる。これらの電流信号の大きさは、定電流Ibias1から光電流Iinを差し引いた電流(Ibias1−Iin)を、トランジスタ21及び31の各ベース電位(Vbias、Vagc)の比率で配分した大きさとなる。すなわち、光電流Iinの変化分が全てトランジスタ21のコレクタに反映されずに、その一部のみがトランジスタ21のコレクタに反映されるので、ベース接地回路20における電流利得は、トランジスタ31がオフ状態である場合よりも減少する。なお、この減少分については、トランジスタ31のベースに与えられる利得制御信号Vagcが直流成分のみから成る場合であっても、トランジスタ31自体は光電流Iinに対してトランジスタ21と同様の動作条件を設定されているので、高周波領域までその電流利得が減少することになる。
ここで、電流(Ibias1−Iin)の一部が分流回路30へ分流されることによってトランジスタ21を流れる電流が減少すると、負荷抵抗22での電圧降下量が小さくなるので、トランジスタ21のコレクタ電圧(すなわち出力電圧Vout)の平均レベルが上昇することになる。本実施形態では、このように光電流Iinの大きさによって出力電圧Voutの平均レベルが増減することを抑制する為に、電流補償回路40を設けている。
すなわち、電流補償回路40のトランジスタ41のベースにはトランジスタ31のベースと共通の利得制御信号Vagcが入力され、且つ、定電流源63の電流値Ibias2と定電流源61の電流値Ibias1とが実質的に等しいので、トランジスタ41には、トランジスタ31を流れる電流とほぼ同じ大きさの電流が流れる。そして、トランジスタ41はノードAに接続されているので、トランジスタ41を流れる電流は、負荷抵抗22を通る。したがって、分流回路30への電流の分流によって低下した負荷抵抗22の電圧降下分を補うことができるので、光電流Iinの大きさによって出力電圧Voutの平均レベルが増減することを効果的に抑制できる。また、このトランジスタ41と並列にトランジスタ42を設け、このトランジスタ42に対し、トランジスタ21と共通のベースバイアス電圧Vbiasを与えることによって、トランジスタ41の動作条件をトランジスタ31とほぼ等しくすることができる。
図4は、トランジスタ21及び31のコレクタ電流の変化の様子を示すグラフである。図4において、縦軸はコレクタ電流(単位:mA)を示し、横軸は光電流Iin(単位:mA)を示している。また、グラフG11はトランジスタ21のコレクタ電流を示しており、グラフG12はトランジスタ31のコレクタ電流を示している。この図では、光電流Iinの大きさが0.4(mA)を超えると、分流回路30のトランジスタ31に電流が流れ始めている(グラフG12)。そして、この分流回路30への分流に伴い、ベース接地回路20のトランジスタ21を流れる電流量が大きく低下している(グラフG11)。
図4において、例えば光電流Iinの大きさが0(mA)とIA(mA)との間を往復するとき、トランジスタ21のコレクタ電流の大きさはIB1とIB2との間を往復し、トランジスタ31のコレクタ電流の大きさはIC1とIC2との間を往復する。一例では、光電流Iinが0(mA)と1(mA)との間で往復する場合、トランジスタ21のコレクタ電流の大きさは、グラフG11に従い4.4(mA)と1.6(mA)との間を往復し、トランジスタ31のコレクタ電流の大きさは、グラフG12に従い有意値と1.4(mA)との間を往復する。ここで、有意値は、光電流Iinが0(mA)であるときの電圧レベルと、トランジスタ31のベース電位Vagcとによって定まる。
図5は、トランジスタ21及び41のコレクタ電流、並びに負荷抵抗22を流れる電流の変化の様子を示すグラフである。図5において、縦軸はコレクタ電流(単位:mA)を示し、横軸は光電流Iin(単位:mA)を示している。また、グラフG13はトランジスタ41のコレクタ電流を示しており、グラフG14は負荷抵抗22を流れる電流を示している。図5に示されるように、電流補償回路40のトランジスタ41のコレクタ電流は、分流回路30のトランジスタ31のコレクタ電流と同様に変化する。そして、分流回路30への分流によってトランジスタ21のコレクタ電流が減り始めても、トランジスタ41を流れる電流によってその減少分が補われるので、負荷抵抗22を流れる電流の大きさはほぼ一定となっている(グラフG14)。
図6は、負荷抵抗22を流れる電流(グラフG21)、トランジスタ21のコレクタ電流(グラフG22)、トランジスタ31のコレクタ電流(グラフG23)、及びトランジスタ41のコレクタ電流(グラフG24)の波形の関係を示すグラフである。このグラフの縦軸は電流値を示し、横軸は時間を示している。図6に示されるように、光電流Iinの変化に同期して、二つのトランジスタ21、31のコレクタ電流が変化する。そして、これらのコレクタ電流の大きさは、この例ではほぼ等しく示されているが、利得制御信号Vagcのレベルによって調整可能である。
図7及び図8は、本実施形態における出力電圧Voutのアイパターンの一例を示す図である。図7(a)は光電流Iinが100μAである場合を示し、図7(b)は光電流Iinが1000μAである場合を示し、図8(a)は光電流Iinが1250μAである場合を示し、図8(b)は光電流Iinが2000μAである場合を示している。なお、これらの図において、縦軸は出力電圧Vout(単位:V)を示し、横軸は時間(単位:ピコ秒)を示している。これらの図に示されるように、本実施形態のプリアンプ13においては、光電流Iinが大きくなっても、アイパターンのクロスポイントCPは相対的に高電位側へシフトせず、ハイレベルとローレベルとの間の中心付近の位置を保っている。このように、本実施形態のプリアンプ13によれば、光電流Iinの大きさの変化に応じた出力電圧Voutの波形の歪みを効果的に抑えることができる。
なお、図9は、光電流Iinの大きさと利得制御信号Vagcとの関係を示すグラフである。図9において、縦軸は利得制御信号Vagc(単位:V)を示し、横軸は光電流Iin(単位:mA)を示している。光電流Iinが小さい(約0mA)ときには、利得制御信号Vagcは低い値を示しており、光電流Iinが或る値(例えば0.45mA)を超えるまでは光電流Iinの増加にほぼ比例して利得制御信号Vagcが増加する。そして、光電流Iinの大きさが或る値を超えると、利得制御信号Vagcは飽和する。
図10は、光電流Iinを0〜1.5mAの間において0.1mA刻みで増加させたときの、出力電圧Voutの波形の変化を示す図である。図10において、縦軸は出力電圧Vout(単位:mV)を示し、横軸は時間(単位:ナノ秒)を示している。また、グラフG31〜G36は、それぞれ光電流Iinが0mA、0.1mA、0.2mA、0.3mA、0.4mA、及び0.5mAである場合を示している。また、図11は、図10における出力電圧Voutの振幅の変化を示すグラフであり、縦軸は利得制御信号Vagcの振幅(単位:mV)を示し、横軸は光電流Iin(単位:mA)を示している。
図10及び図11に示されるように、光電流Iinが0mAから0.4mA程度である場合、出力電圧Voutの振幅は、光電流Iinの増加に対して線形に増加しているが、0.4mAを超えると、振幅が一定となることがわかる。
本発明による信号増幅回路、電流電圧変換回路、及び光受信器は、上述した実施形態に限られるものではなく、他に様々な変形が可能である。例えば、上記実施形態におけるトランジスタはバイポーラトランジスタに限られず、FETを用いることができる。また、本発明の検知回路としては、上記実施形態のようなRC積分回路のほか、出力信号の平均レベルを検知できる種々の回路を適用することができる。また、上記実施形態では負荷抵抗における電圧降下を利用して電流電圧変換を行う構成を例示したが、本発明に係る信号増幅回路はこれに限られず、例えば入力信号電流の大きさに応じた出力電流を出力信号として生成するものであってもよい。この場合、第一トランジスタのコレクタ電流を出力電流とするとよい。
10…光受信器、11…フォトダイオード(PD)、12…光受信回路、12a…入力端子、12b…出力端子、13…プリアンプ、13a…信号入力端、14〜16…差動増幅回路、17…オフセット補償回路、18…電源電位線、19…基準電位線、20…ベース接地回路、21…第一トランジスタ、22…負荷抵抗、30…分流回路、31…第二トランジスタ、40…電流補償回路、41…第三トランジスタ、42…第四トランジスタ、50…検知回路、51…エミッタフォロワ回路、52…積分回路、53…直流フィードバック回路、61,63…定電流源、62a,62b…分圧抵抗、Iin…光電流、Vagc…利得制御信号、Vbias…ベースバイアス電圧、Vout…出力電圧。

Claims (5)

  1. ベース接地回路、利得制御回路及び分流回路を備える信号増幅回路であって、
    前記ベース接地回路は、入力信号電流を受ける信号入力端と、出力信号端と、該信号入力端及び該出力信号端にそれぞれの電流端子が接続されており固定バイアスで駆動される第一のトランジスタとを有し、
    前記利得制御回路は、前記出力信号端に現れる出力信号から利得制御信号を生成し、
    前記分流回路は、前記信号入力端に一方の電流端子が接続され、前記利得制御信号を受ける制御端子を有し、前記ベース接地回路に並列に接続された第二のトランジスタを含み、
    前記利得制御回路は、前記出力信号に依存して前記第一のトランジスタを流れる電流を増減させる、
    ことを特徴とする信号増幅回路。
  2. 一方の電流端子が前記信号出力端に接続され、前記利得制御信号を受ける制御端子を有し、前記利得制御信号に従って前記信号出力端から電流を流入させる第三のトランジスタを更に備える、
    請求項1に記載の信号増幅回路。
  3. 入力信号電流を受ける信号入力端と、出力信号端と、該信号入力端及び該出力信号端にそれぞれ電流端子が接続されており制御端子に固定バイアスが入力される第一のトランジスタを備えたベース接地回路と、
    前記出力信号端に現れる出力信号から利得制御信号を生成する利得制御回路と、
    前記信号入力端に一方の電流端子が接続され、前記利得制御信号を受ける制御端子を有し、前記ベース接地回路に並列に接続され、前記利得制御信号に従って前記第一のトランジスタを流れる電流を増減させる第二のトランジスタを含む分流回路と、
    一方の電流端子が前記信号出力端に接続され、前記利得制御信号を受ける制御端子を有し、前記利得制御信号に従って前記信号出力端子から電流を流入させる第三のトランジスタと、
    前記信号出力端子に接続された負荷抵抗と、
    前記信号入力端子に接続され、前記第一及び第二のトランジスタに流れる電流の総和を決定する第一の定電流源と、
    を有する電流電圧変換回路。
  4. 前記固定バイアスを制御端子に受け、一方の電流端子が前記第三のトランジスタの他方の電流端子に接続された第四のトランジスタと、
    前記第三のトランジスタと前記第四のトランジスタに流れる電流の総和を決定する第二の定電流源と
    を更に有する請求項3に記載の電流電圧変換回路。
  5. 請求項3及び4のいずれか一項に記載の電流電圧変換回路と、
    光信号を入力し、該光信号の強度に応じた大きさの信号電流を前記入力信号電流として前記信号入力端に提供するフォトダイオードと
    を備えることを特徴とする、光受信器。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015192268A (ja) * 2014-03-28 2015-11-02 日本電信電話株式会社 可変利得トランスインピーダンスアンプ
JP2015207923A (ja) * 2014-04-22 2015-11-19 日本電信電話株式会社 トランスインピーダンス増幅器
JP2016178432A (ja) * 2015-03-19 2016-10-06 株式会社東芝 集積回路、光子検出装置、及び放射線分析装置

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5459103B2 (ja) * 2010-06-25 2014-04-02 住友電気工業株式会社 増幅回路
JP6467924B2 (ja) * 2015-01-06 2019-02-13 富士通株式会社 増幅回路
WO2017023240A1 (en) 2015-07-31 2017-02-09 Hewlett Packard Enterprise Development Lp Optical receivers
US10333628B2 (en) 2016-06-10 2019-06-25 Hewlett Packard Enterprise Development Lp Optical receivers
US11843418B2 (en) * 2021-09-16 2023-12-12 Cisco Technology, Inc. DC and offset cancellation for fully differential optical receiver

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06310961A (ja) * 1993-04-26 1994-11-04 Hitachi Denshi Ltd 信号利得制御回路
JP2005175725A (ja) * 2003-12-09 2005-06-30 Rohm Co Ltd 光受信装置及びそれを備えるデータ通信装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4529947A (en) * 1979-03-13 1985-07-16 Spectronics, Inc. Apparatus for input amplifier stage
JP2859880B2 (ja) 1988-10-07 1999-02-24 株式会社日立製作所 可変利得増幅回路
JPH098534A (ja) 1995-06-16 1997-01-10 Mitsubishi Electric Corp アンテナ装置
JP3116884B2 (ja) 1998-01-13 2000-12-11 日本電気株式会社 光受信器用トランスインピーダンスアンプ
US6728276B2 (en) * 2002-07-02 2004-04-27 Finisar Corporation System for controlling bias current in laser diodes with improved switching rates
US7525391B2 (en) * 2007-05-17 2009-04-28 Finisar Corporation Linear transimpedance amplifier with multiplexed gain stage
JP2009100337A (ja) * 2007-10-18 2009-05-07 Renesas Technology Corp 可変利得増幅器を内蔵する半導体集積回路
JP4886725B2 (ja) 2008-03-31 2012-02-29 富士通株式会社 トランスインピーダンスアンプ回路

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06310961A (ja) * 1993-04-26 1994-11-04 Hitachi Denshi Ltd 信号利得制御回路
JP2005175725A (ja) * 2003-12-09 2005-06-30 Rohm Co Ltd 光受信装置及びそれを備えるデータ通信装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015192268A (ja) * 2014-03-28 2015-11-02 日本電信電話株式会社 可変利得トランスインピーダンスアンプ
JP2015207923A (ja) * 2014-04-22 2015-11-19 日本電信電話株式会社 トランスインピーダンス増幅器
JP2016178432A (ja) * 2015-03-19 2016-10-06 株式会社東芝 集積回路、光子検出装置、及び放射線分析装置

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