JP2012109562A - 電荷注入特性が高い有機薄膜トランジスタ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1導電層及び第2導電層からなるソース・ドレイン電極を有するボトムゲート・ボトムコンタクト構造の有機薄膜トランジスタであって、該第1導電層は、塗布法を用いて形成されたものであり、該第1導電層の端部は該第2導電層の端部と比較して電極ブロックの内側に位置している有機薄膜トランジスタ。
【選択図】図1
Description
該ソース電極及びドレイン電極は、該ゲート絶縁層上の第1導電層及び第1導電層上の第2導電層からなり、
該第1導電層は、酸化タングステン、酸化銀、酸化銅、酸化亜鉛、銀塩、銀及び銅からなる群から選ばれる1種以上の材料を含み、塗布法を用いて形成されたものであり、
該第1導電層の端部は該第2導電層の端部よりも内側に位置している有機薄膜トランジスタを提供する。
該ゲート絶縁層上に塗布法を用いて、酸化タングステン、酸化銀、酸化銅、酸化亜鉛、銀塩、銀及び銅からなる群から選ばれる1種以上の材料を含む第1導電層を成膜する工程;
該第1導電層上に第2導電層を成膜後、ソース電極及びドレイン電極に応じたパターンに形成する工程;
該第2導電層で被覆されていない第1導電層の部分を除去する工程;
更に第1導電層をその端の部分から除去することにより、第1導電層の端部を該第2導電層の端部よりも内側に位置させる工程;
第1導電層が除去されて露出したゲート絶縁層とその両側のソース電極及びドレイン電極とが被覆されるように、有機半導体層を成膜する工程;
を含む有機薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
例えば、耐エレクトロ・ストレスマイグレーション性の高い高融点金属の合金、酸化物、窒化物である。また、金属表面の仕事関数を調整するため、必要に応じて、ゲート電極2を積層構造にしたり、表面改質の処理を実施してもよい。本発明において、高融点金属とは、融点が1000℃以上の金属を指す。
有機薄膜トランジスタが折り曲げることができない素子である場合、基板1に用いられる材料としては、ガラス、金属等が挙げられる。
ここで、金属の微粒子とは、粒径が1nm〜1000nmの金属をいう。好ましくは、平均粒径が3〜100nmのナノ粒子、更に好ましくは、3〜30nmのナノ粒子である。
acetamidopentacene(NSFAAP))、6,13−ジヒドロ−6,13−メタノペンタセン−15−オン(6,13-Dihydro-6,13-methanopentacene-15-one(DMP))、ペンタセン−N−スルフィニル−n−ブチルカルバマート付加物(Pentacene-N -sulfinyl-n -butylcarbamate adduct)、ペンタセン−N−スルフィニル−tert−ブチルカルバマート(Pentacene-
N -sulfinyl-tert -butylcarbamate)等のペンタセン前駆体、[1]ベンゾチエノ[3,2−b]ベンゾチオフェン([1]Benzothieno[3,2-b]benzothiophene (BTBT))、ポルフィリン、可溶性基としてアルキル基等を有するオリゴチオフェン等の低分子化合物、ポリ(3−ヘキシルチオフェン)(P3HT)等のポリチオフェン、フルオレンコポリマー(例えば、フルオレンジイル基とチオフェンジイル基とを有する共重合体)等の高分子化合物等が挙げられる。
(高分子化合物1の合成)
スチレン(和光純薬製)2.06g、2,3,4,5,6−ペンタフルオロスチレン(アルドリッチ製)2.43g、2−〔O−[1’−メチルプロピリデンアミノ]カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート(昭和電工製、商品名「カレンズMOI−BM」)1.00g、2,2’−アゾビス(2−メチルプロピオニトリル)0.06g、2−ヘプタノン(和光純薬製)14.06gを、50ml耐圧容器(エース製)に入れ、窒素をバブリングした後、密栓し、60℃のオイルバス中で48時間重合させて、高分子化合物1が溶解している粘稠な2−ヘプタノン溶液を得た。高分子化合物1は下記繰り返し単位を有している。ここで、( )の添え数字は繰り返し単位のモル分率を示している。
(高分子化合物2の合成)
4−アミノスチレン(アルドリッチ製)3.50g、2,3,4,5,6−ペンタフルオロスチレン(アルドリッチ製)13.32g、2,2’−アゾビス(2−メチルプロピオニトリル)0.08g、2−ヘプタノン(和光純薬製)25.36gを、125ml耐圧容器(エース製)に入れ、窒素をバブリングした後、密栓し、60℃のオイルバス中で48時間重合させて、高分子化合物2が溶解している粘稠な2−ヘプタノン溶液を得た。
高分子化合物2は下記繰り返し単位を有している。ここで、( )の添え数字は繰り返し単位のモル分率を示している。
(高分子化合物3の合成)
9,9−ジ−n−オクチルフルオレン−2,7−ジ(エチレンボロネート)6.40g、及び5,5’−ジブロモ−2,2’−バイチオフェン4.00gを含むトルエン(80mL)中に、窒素下において、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム0.18g、メチルトリオクチルアンモニウムクロライド(Aldrich製、商品名「Aliquat 336」(登録商標))1.0g、及び2Mの炭酸ナトリウム水溶液24mLを加えた。この混合物を激しく攪拌し、加熱して24時間還流した。粘稠な反応混合物をアセトン500mLに注ぎ、繊維状の黄色のポリマーを沈澱させた。このポリマーを濾過によって集め、アセトンで洗浄し、真空オーブンにおいて60℃で一晩乾燥させた。得られたポリマーを高分子化合物1とよぶ。高分子化合物3は、下記繰り返し単位を有している。nは繰り返し単位の数を示している。高分子化合物3の標準ポリスチレンから求めた重量平均分子量は、61000であった(島津製GPC、「Tskgel super HM−H」1本+「Tskgel super H2000」1本、移動相=THF)。
(有機薄膜トランジスタIの製造)
本発明の実施例1の有機薄膜トランジスタの製造過程を、図2から図11を用いて説明する。
有機半導体層8の膜厚は約16nmであった。上記の工程により、図8に示す有機薄膜トランジスタIを製造した。
製造した有機薄膜トランジスタIを、真空プローバーで、トランジスタ特性として20〜−40Vの範囲の伝達(Vg−Id)特性と出力(Vd−Id)特性を測定した。この時の真空プローバーの真空度は、約5×10−3Paであった。伝達特性及び出力特性を図11(a)、(b)に示す。また、移動度μ、最大電流Id、スレッショルド電圧Vth、Swing Factor(サブスレッショルドスイング(S値))、On/Off比は、伝達(Vg−Id)特性から求めた。評価結果を表2に示す。
トランジスタ特性測定後に、有機薄膜トランジスタIの断面2箇所を走査型電子顕微鏡(SEM)で断面観察した。この時のSEM観察像を、図10の(a)と(b)に示す。2箇所とも第2導電層5の端部の下に高分子化合物3が入り込んでいることが確認できた。図10の(a)に示す断面では、奥行き約250nmの第2導電層5の端部が、全て有機半導体層と接触していた。一方、図10の(b)に示す断面では、奥行き約250nmの第2導電層5の端部のうち、奥行き150nm〜180nm程度は有機半導体層と接触していたが、残り20nm〜50nm程度の空洞が残っていた。
(有機薄膜トランジスタIIの製造及びトランジスタ特性の評価)
第2導電層5の層厚を500nmにすること以外は実施例1と同様にして有機薄膜トランジスタIIを作製し、トランジスタ特性を評価した。伝達特性及び出力特性を図12(c)、(d)に示す。評価結果を表2に示す。
(有機薄膜トランジスタIIIの製造及びトランジスタ特性の評価)
第1導電層4を形成せず、高ドープp+Si基板のゲート絶縁層3上に、スパッタ法によりCuスパッタ膜を直接形成すること以外は実施例1と同様にして、有機薄膜トランジスタIIIを製造し、トランジスタ特性を評価した。得られた伝達特性及び出力特性を図11(a)、(b)に示す。また、評価結果を表2に示す。
(有機薄膜トランジスタIVの製造及びトランジスタ特性の評価)
Cuスパッタ膜の層厚を500nmにすること以外は比較例1と同様にして有機薄膜トランジスタIVを作製し、トランジスタ特性を評価した。伝達特性及び出力特性を図12(c)、(d)に示す。評価結果を表2に示す。
(有機薄膜トランジスタVの製造)
本発明の実施例3の有機薄膜トランジスタの製造過程を、図14から図20を用いて説明する。
上記の工程により、図20に示す有機薄膜トランジスタVを製造した。
製造した有機薄膜トランジスタVを、真空プローバーで、トランジスタ特性として20〜−40Vの範囲の伝達(Vg−Id)特性と出力(Vd−Id)特性を測定した。この時の真空プローバーの真空度は、約5×10−3Paであった。伝達特性及び出力特性を図21(a)、(b)に示す。また、移動度μ、最大電流Id、スレッショルド電圧Vth、Swing Factor(サブスレッショルドスイング(S値))、On/Off比は、伝達(Vg−Id)特性から求めた。評価結果を表3に示す。
(有機薄膜トランジスタVIの製造及びトランジスタ特性の評価)
第1導電層4を形成せず、ゲート絶縁層3上に、スパッタ法によりCuスパッタ膜を直接形成すること以外は実施例3と同様にして、有機薄膜トランジスタVIを製造し、トランジスタ特性を評価した。得られた伝達特性及び出力特性を図21(a)、(b)に示す。
また、評価結果を表3に示す。
また、本発明の有機薄膜能動素子は、アクティブマトリックス表示装置、回路に用いることができる。
2…ゲート電極、
3…ゲート絶縁層、
4…第1導電層、
5…第2導電層、
7…ソース・ドレイン電極、
8…有機半導体層、
9…マスク、
10…保護層。
Claims (10)
- ゲート電極と、該ゲート電極上に該ゲート電極を被覆するゲート絶縁層と、該ゲート絶縁層上にソース電極及びドレイン電極とを有し、更に、該ゲート絶縁層上の該ソース電極と該ドレイン電極とに挟まれた領域を被覆し、かつ該ソース電極と該ドレイン電極の少なくとも一部とを被覆する有機半導体層を有する、ボトムゲート・ボトムコンタクト構造の有機薄膜トランジスタであって、
該ソース電極及びドレイン電極は、該ゲート絶縁層上の第1導電層及び第1導電層上の第2導電層からなり、
該第1導電層は、酸化タングステン、酸化銀、酸化銅、酸化亜鉛、銀塩、銀及び銅からなる群から選ばれる1種以上の材料を含み、塗布法を用いて形成されたものであり、
該第1導電層の端部は該第2導電層の端部よりも内側に位置している有機薄膜トランジスタ。 - 前記第2導電層の端部から第1導電層の端部までの間隔が1nm以上500nm以下である請求項1に記載の有機薄膜トランジスタ。
- 該第1導電層が、酸化タングステン、酸化亜鉛及び酸化銀からなる群から選ばれる1種以上の材料を含み、該第2導電層が、金属又は合金を含む請求項1又は2に記載の有機薄膜トランジスタ。
- 前記第1導電層が、タングステンアルコキサイドからゾルゲル法により形成された、タングステンの価数が5価、又は5価と6価の組み合わせである酸化タングステン層である請求項3に記載の有機薄膜トランジスタ。
- 前記第1導電層が酸化タングステンのみからなり、第2導電層が銀、銅又は銀と銅とパラジウムの合金のみからなる請求項1〜4のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタ。
- ソース電極の第1導電層及びドレイン電極の第1導電層が銅からなり、ソース電極の第2導電層及びドレイン電極の第2導電層が、金からなる請求項1又は2に記載の有機薄膜トランジスタ。
- ソース電極の第1導電層及びドレイン電極の第1導電層の膜厚が、同一又は相異なり、1〜100nmである請求項1〜6のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタ。
- 請求項1〜7のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタを含む回路。
- 請求項8に記載の回路がマトリクス状に配置されたアクティブマトリクス型表示装置。
- 基板上に、ゲート電極、及び該ゲート電極を被覆するゲート絶縁層を形成する工程;
該ゲート絶縁層上に塗布法を用いて、酸化タングステン、酸化銀、酸化銅、酸化亜鉛、銀塩、銀及び銅からなる群から選ばれる1種以上の材料を含む第1導電層を成膜する工程;
該第1導電層上に第2導電層を成膜後、ソース電極及びドレイン電極に応じたパターンに形成する工程;
該第2導電層で被覆されていない第1導電層の部分を除去する工程;
更に第1導電層をその端の部分から除去することにより、第1導電層の端部を該第2導電層の端部よりも内側に位置させる工程;
第1導電層が除去されて露出したゲート絶縁層とその両側のソース電極及びドレイン電極とが被覆されるように、有機半導体層を成膜する工程;
を含む有機薄膜トランジスタの製造方法。
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Citations (5)
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JP2006059896A (ja) * | 2004-08-18 | 2006-03-02 | Sony Corp | 電界効果型トランジスタ |
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---|---|---|---|---|
JP2006059896A (ja) * | 2004-08-18 | 2006-03-02 | Sony Corp | 電界効果型トランジスタ |
JP2007013108A (ja) * | 2005-05-31 | 2007-01-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法及び半導体装置 |
JP2009076854A (ja) * | 2007-08-31 | 2009-04-09 | Sony Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2010003747A (ja) * | 2008-06-18 | 2010-01-07 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機薄膜トランジスタ |
JP2010040897A (ja) * | 2008-08-07 | 2010-02-18 | Sony Corp | 有機薄膜トランジスタ、有機薄膜トランジスタの製造方法、および電子機器 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017050400A (ja) * | 2015-09-02 | 2017-03-09 | 学校法人神奈川大学 | フレキシブル熱電変換部材の作製方法 |
WO2019224656A1 (ja) * | 2018-05-25 | 2019-11-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、および半導体装置の作製方法 |
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