JP2012104703A5 - 半導体装置の製造方法、半導体装置、基板処理装置 - Google Patents

Claims (10)

1. 高誘電体膜が形成された基板を処理室へ搬入する工程と、
   前記基板にマイクロ波を照射することにより、前記高誘電体膜を加熱して改質する工程と、
   前記改質する工程で、前記マイクロ波の波長を可変させる工程と、
   前記基板を前記処理室から搬出する工程と、
   を有する半導体装置の製造方法。
   
2. 前記高誘電体膜は、Ｓｉ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｓｒのいずれかを２０ａｔ．％以上含み、かつ比誘電率が８以上の化合物、もしくは前記化合物を含む積層膜である請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
   
3. 前記マイクロ波の周波数は、前記高誘電体膜の誘電緩和の周波数特性に基づき選択される請求項１又は請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
   
4. 前記改質する工程では、前記処理室内に設けられ前記基板を支持する基板支持部を回転させ、前記基板の表面を前記マイクロ波が走査する工程を有する請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
   
5. 前記高誘電体膜を改質する際は、前記基板にマイクロ波を照射しつつ前記基板を冷却または加熱する請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
   
6. 前記改質する工程では、拡散機構を可動させる工程を有する請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
   
7. 高誘電体膜が形成され、前記高誘電体膜にマイクロ波を、前記マイクロ波の波長を可変させながら供給され加熱して改質された基板を有する半導体装置。
   
8. 高誘電体膜が形成された基板を収容する処理室と、
   前記基板にマイクロ波を供給するマイクロ波供給部と、
   前記マイクロ波供給部で発生させたマイクロ波を前記処理室に供給する導波口と、
   前記基板に前記マイクロ波を供給する際に、前記マイクロ波の波長を可変させるように前記マイクロ波供給部を制御する制御部と、
   を有する基板処理装置。
   
9. 前記処理室内に、マイクロ波を反射する反射板を有する反射機構および前記反射機構を回転させる反射回転機構を備え、
   前記制御部は、前記処理室へマイクロ波を供給しつつ、前記反射板を回転させて前記マイクロ波を前記処理室内で拡散させるよう前記マイクロ波供給部および前記反射機構を制御する請求項８に記載の基板処理装置。
   
10. 高誘電体膜が形成された基板を複数枚収容可能な処理室と、
    前記処理室内で前記基板を積層して支持する基板支持部材と、
    マイクロ波を発生させるマイクロ波供給部と、
    前記マイクロ波供給部で発生させたマイクロ波を前記処理室内に供給する導波口と、
    前記マイクロ波を前記基板に供給する際に前記マイクロ波の波長を可変させる制御部と、
    を有し、
    前記基板は、前記基板の上面に前記反応管内に供給する前記マイクロ波の半波長以上の空間を設けるよう前記基板支持部材に載置され、
    前記導波口は前記反応管の側壁にもうけられることを特徴とする基板処理装置。