JP2008189964A - Cvd装置、cvd方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明のCVD装置1は、高周波電源9から21.12MHz以上の高周波電圧がカソード電極3に印加するようになっており、その周波数では従来に比べカソード電極3に近い位置でプラズマが発生するから、プラズマからサセプタ5や基板11に流入する熱量が小さく、基板11を過熱させずに済む。加熱冷却装置16によって、基板11を予め設定した下限温度以上上限温度以下に維持しながら薄膜が形成可能なので、膜質が安定する、
【選択図】図1
Description
また、CVD装置を起動した直後には、CVD装置が過冷却状態にあり、複数枚の基板を処理し、プラズマによってサセプタが昇温するまで、形成される薄膜の膜質が悪化するという問題がある。
従来技術のCVD装置には、下記特許文献に示すものがある。
また、本発明は、真空槽内に設けられたサセプタ上に基板を配置し、真空雰囲気に置かれた前記真空槽内にCVDガスを導入しながら前記基板上に位置するカソード電極に交流電圧を印加し、前記基板上にプラズマを形成し、前記基板上に薄膜を成長させるCVD方法であって、前記薄膜が成長する際の前記基板の下限温度と上限温度を決定しておき、前記カソード電極に印加する前記交流電圧を27.12MHz以上の周波数に設定し、前記サセプタ内部に一定温度の熱媒体を流しながら前記カソード電極に前記周波数の前記交流電圧を印加し、前記基板上にプラズマを形成したときに、前記サセプタ上の基板が前記下限温度以上、前記上限温度以下の温度に維持される前記熱媒体の設定温度を予め求めておき、前記設定温度に温度制御した前記熱媒体を前記サセプタに流しながら、前記薄膜を成長させるCVD方法である。
また、本発明は、前記基板上には有機EL素子の有機薄膜が形成され、前記CVDガスには、少なくともケイ素を含む原料ガスを含有させ、前記有機薄膜上にケイ素化合物の薄膜を形成するCVD方法であって、前記下限温度は60℃、前記上限温度は100℃、前記設定温度を60℃以上80℃未満とするCVD方法である。
熱媒体を循環させると、サセプタを加熱することも冷却することもできるので、過熱時には冷却し、低温時には加熱することができる。
特に、13.56MHzの周波数では、基板の温度が上昇し、過熱状態になり易い。
熱媒体の温度は、下限温度以上とすることで、成膜開始時等に基板を下限温度以上に維持することができる。
このCVD装置1は、真空槽2を有しており、真空槽2の内部の底面側には、サセプタ5が配置されている。
真空槽2の内部の天井側には、サセプタ5と対向する位置にカソード電極3が配置されている。
真空槽2の外部には、熱媒体循環系6と、真空排気系7と、ガス導入系8と、高周波電源9が配置されている。
熱媒体循環系6内には熱媒体が配置されている。
カソード電極3のサセプタ5に対面する面には多数のノズル(孔)が形成されている。
カソード電極3は高周波電源9に接続されており、サセプタ5と真空槽2を接地電位に接続されている。
プラズマ中で活性化されたCVDガスがサセプタ5上の基板11の表面に到達すると、基板11の表面に薄膜が成長する。
一般に、薄膜を形成する際の成長温度の下限温度は、薄膜の膜質から決まっており、上限温度は基板11上に既に形成されている薄膜のダメージの許容範囲で決まっている。
また、サセプタ5を下限温度よりも低温の熱媒体で冷却する場合、CVD装置1が起動した後、プラズマから流入する熱によってサセプタ5が昇温するまでの間は、サセプタ5は下限温度よりも低温である。従って、複数枚の基板11を順次処理する場合、サセプタ5が昇温するまでに薄膜が形成された基板11は、膜質不良によって不良品となってしまう。
ここではCVDガスとして、シランガスとアンモニアガスと窒素ガスの混合ガスが供給されており、基板11は、下限温度以上上限温度以下の温度に維持された状態でSiN膜が形成される。
薄膜が所定膜厚に形成されたら、基板11を真空槽2の外部に搬出し、未成膜の基板11を真空槽2内に搬入し、上記と同様に、設定温度の熱媒体を供給しながら薄膜を形成する。
それに対し、同じ周波数で熱媒体を供給しなかった場合の測定結果を、同図中に比較例1の折れ線L2として示す。
形成する薄膜がSiNx膜等の絶縁膜の場合、絶縁性を確保できる範囲で大きな電力を投入する方が成膜速度が向上するため、上記結果からは、周波数が大きい方が生産量を高くできることになる。
熱媒体を流したほうが放電中の温度上昇が少なく、かつ放電後も速やかに温度が初期状態に復帰している。
2……真空槽
3……カソード電極
5……サセプタ
6……熱媒体循環系
7……真空排気系
9……高周波電源
16……加熱冷却装置
Claims (3)
- 真空槽と、
前記真空槽内に配置されたサセプタと、
前記サセプタ上に配置されたカソード電極と、
前記サセプタに接続され、前記サセプタに熱媒体を供給する熱媒体循環系と、
前記熱媒体循環系に設けられ、前記熱媒体の温度を制御する加熱冷却装置と、
前記カソード電極に接続され、前記カソード電極に27.12MHz以上の交流電圧を印加する高周波電源と、
前記真空槽内を真空排気する真空排気系と、
前記真空槽内にCVDガスを供給するガス供給系とを有するCVD装置。 - 真空槽内に設けられたサセプタ上に基板を配置し、真空雰囲気に置かれた前記真空槽内にCVDガスを導入しながら前記基板上に位置するカソード電極に交流電圧を印加し、前記基板上にプラズマを形成し、前記基板上に薄膜を成長させるCVD方法であって、
前記薄膜が成長する際の前記基板の下限温度と上限温度を決定しておき、
前記カソード電極に印加する前記交流電圧を27.12MHz以上の周波数に設定し、前記サセプタ内部に一定温度の熱媒体を流しながら前記カソード電極に前記周波数の前記交流電圧を印加し、前記基板上にプラズマを形成したときに、前記サセプタ上の基板が前記下限温度以上、前記上限温度以下の温度に維持される前記熱媒体の設定温度を予め求めておき、
前記設定温度に温度制御した前記熱媒体を前記サセプタに流しながら、前記薄膜を成長させるCVD方法。 - 前記基板上には有機EL素子の有機薄膜が形成され、
前記CVDガスには、少なくともケイ素を含む原料ガスを含有させ、
前記有機薄膜上にケイ素化合物の薄膜を形成するCVD方法であって、
前記下限温度は60℃、前記上限温度は100℃、前記設定温度を60℃以上80℃未満とする請求項2記載のCVD方法。
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