JP2011176128A

JP2011176128A - 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JP2011176128A
Application number: JP2010039150A
Authority: JP
Inventors: Makoto Kubo; 誠久保
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2010-02-24
Filing date: 2010-02-24
Publication date: 2011-09-08

Abstract

【課題】半導体基板上に形成される堆積膜の膜厚均一性の向上を図ることができる半導体製造装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る熱処理装置１は、処理ガスを内部に導入するガス導入口７ｂを有する処理容器２と、処理容器２内に収容され、半導体ウエハＷが配置されるステージ３と、ステージ３の周囲に配置され、ステージ３上の半導体ウエハＷが配置される領域に熱線を放射を放射する複数のランプ４と、複数のランプ４の出力を選択的に制御する制御部５とを備える。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体製造装置及び半導体装置の製造方法に関する。

一般に、半導体装置の製造は、半導体ウエハ等のシリコン基板に対して成膜，エッチング，アニール等の各処理を繰り返して行われる。

例えば、成膜処理に用いられる従来の熱処理装置として、処理容器と、処理容器内に設けられ、半導体ウエハが配置されるステージと、ステージに埋め込まれたヒータパターンと、処理容器の側壁に縦方向に設けられた複数本のカートリッジヒータとを備えたものが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。

この熱処理装置において、ステージ上に半導体ウエハを配置し、この半導体ウエハをヒータパターンにより所定の温度に加熱し、処理容器の側壁をカートリッジヒータにより所定の温度に加熱するとともに、処理容器内に処理ガスを供給しながら処理容器内を減圧雰囲気に維持し、ステージ上の半導体ウエハの表面に堆積膜を形成する。処理容器の側壁を常時加熱することで、側壁表面への反応副生成物の付着を防止することができる。

特開２００２−２５６４４０号公報

しかし、従来の熱処理装置によると、ヒータパターンのみで半導体ウエハを加熱しているため、半導体ウエハの面内において局所的な膜厚を調整できず、堆積膜の膜厚均一性が満足できない場合がある。

従って、本発明の目的は、半導体基板上に形成される堆積膜の膜厚均一性の向上を図ることができる半導体製造装置及び半導体装置の製造方法を提供することにある。

本発明の一態様は、上記目的を達成するため、処理ガスを内部に導入するガス導入口を有する処理容器と、前記処理容器内に収容され、半導体基板が配置されるステージと、前記ステージの周囲に配置され、前記ステージ上の前記半導体基板が配置される領域に熱線を放射する複数のランプと、前記複数のランプの出力を選択的に制御する駆動制御部とを備えた半導体製造装置を提供する。

本発明の他の態様は、上記目的を達成するため、半導体基板が配置されるステージ、及び前記ステージの周囲に配置された複数のランプを内部に有する処理容器を有する装置を用いた半導体装置の製造方法であって、前記ステージに前記半導体基板を配置し、前記複数のランプを選択的に点灯させて前記半導体基板の面内の温度分布を制御し、前記処理容器内に処理ガスを導入して前記半導体基板に処理を施す半導体装置の製造方法。

本発明によると、半導体基板上に形成される堆積膜の膜厚均一性の向上を図ることができる。

図１は、本発明の実施の形態に係る半導体製造装置の概略の構成を示す縦断面図である。図２は、図１のＡ−Ａ線断面図である。図３は、図１に示す内側筒状部材を内側から見た複数のランプの配列状態の要部を示す展開図である。図４は、本発明の実施の形態に係る半導体製造装置の制御系を示すブロック図である。図５は、ランプを使用しない場合に膜厚分布測定装置により測定された膜厚分布の一例を示す図である。図６は、堆積レートとクリーニングレートを示すグラフである。図７（ａ），（ｂ）は、ランプの点灯例を示す展開図である。図８は、本実施の形態と比較例における半導体ウエハの温度が安定するまでの時間を示すグラフである。

図１は、本発明の実施の形態に係る半導体製造装置の概略の構成を示す縦断面図である。

図１に示すように、半導体製造装置としての熱処理装置１は、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置であり、円筒状の処理容器２と、処理容器２内で半導体基板としての半導体ウエハＷが配置されるステージ３と、ステージ３の周囲に配置された複数のランプ４と、後述するヒータ１４の駆動制御を行うとともに、複数のランプ４に対してランプ位置に応じた点灯制御を行う制御部５（図４に示す）とから概略構成されている。

（処理容器の構成）
処理容器２は、内部に成膜処理用の処理空間２ａが形成されるように、上方に開口する円筒状の容器本体６と、容器本体６の上方開口部を閉塞する円板状の蓋体７とを有して構成されている。また、処理容器２は、全体が例えばアルミニウム等の金属材料によって形成されている。

容器本体６は、内側に位置する内側筒部材８と、内側筒部材８の外側に位置する外側筒部材９と、内側筒部材８及び外側筒部材９の下方開口部を閉塞する底板１０とから構成されている。

容器本体６の上方開口部は、外部搬送装置（図示せず）によって半導体ウエハＷを外部から処理空間２ａに搬入し、かつ半導体ウエハＷを処理空間２ａから外部に搬出するための搬入・搬出口６ａとして機能する。

内側筒部材８は、内周面に処理空間２ａに開口し、複数のランプ４を収容する環状の収容空間８ａが形成されている。収容空間８ａは、その開口部が複数のランプ４の出射光（ランプ光ともいう。）を透過する環状の光透過部材１１によって閉塞されている。

また、内側筒部材８は、収容空間８ａを形成する内面に鏡面処理を施すことが望ましい。これにより、鏡面処理が施された内面でランプ４のランプ光を反射させて半導体ウエハＷ等を加熱することができ、効率の良いランプ光の利用が可能となる。なお、ランプ４の背面側にランプ光を反射するミラーを設けてもよい。

光透過部材１１は、良好なクリーニング耐性を有する材料、例えば石英，サファイア等を用いることができる。

外側筒部材９は、内部に処理容器２を冷却するための冷却管１２が埋設されている。冷却管１２内に冷却水を循環させることにより外側筒部材９の温度上昇を例えば６０℃以下に抑制している。

底板１０は、容器本体６の下部に配置され、排気装置（図示せず）に接続するガス導出口１０ａが設けられている。

蓋体７は、外部に露出するフランジ７ａを有し、処理容器２の上部に昇降可能に配置されている。そして、蓋体７は、容器本体６に対する昇降によって搬入・搬出口６ａを開閉するように構成されている。蓋体７には、図１に矢印Ｇで示すように処理空間２ａに処理ガスを導入するガス導入口７ｂが設けられている。また、蓋体７のフランジ７ａと内側筒部材８の上方端面との間には、処理空間２ａに処理ガスを均一に分散して導入するためのシャワー板１３が配置されている。

シャワー板１３は、蓋体７のフランジ７ａと内側筒部材８の上方端面との間に介在するフランジ１３ａを有し、蓋体７に取り付けられ、全体が円筒状の部材によって形成されている。また、シャワー板１３には、ガス導入口７ｂに連通して蓋体７の一部を収容する収容空間１３ｂと、収容空間１３ｂ及び処理空間２ａに連通する複数の噴射孔１３ｃとが設けられている。シャワー板１３のフランジ１３ａと内側筒体８の上方端面との間には、シール部材（図示せず）が介装されている。

（ステージの構成）
ステージ３は、処理容器２の底板１０上に配置され、かつ処理空間２ａに収容され、表面に配置された半導体ウエハＷを加熱する抵抗発熱体からなるヒータ１４を内蔵している。また、ステージ３は、全体が例えば窒化アルミニウム等からなる平面円形状のブロック部材によって形成されている。ステージ３の外径は、半導体ウエハＷの外径よりも大きい寸法に設定されている。

（複数のランプの構成）
図２は、図１のＡ−Ａ線断面図、図３は、図１に示す内側筒状部材を内側から見た複数のランプの配列状態の要部を示す展開図である。

複数のランプ４は、放射する熱線の輻射熱によってステージ３上の半導体ウエハＷを含む処理容器２内の領域を加熱するように内側筒状部材８の収容空間８ａに配置されている。具体的には、図２及び図３に示すように、内側筒状部材８の高さ方向に等間隔を有して第１列に１６個のランプ４ａ_１〜４ａ_１６、第２列に１６個の４ｂ_１〜４ｂ_１６、第３列に１６個ランプ４ｃ_１〜４ｃ_１６、第４列に１６個のランプ４ｄ_１〜４ｄ_１６（図２ではランプ４ｄ_１〜４ｄ_１６のみを示し、図３ではランプ４ａ_１〜４ｄ_１，４ａ_２〜４ｄ_２，…，４ａ_１０〜４ｄ_１０のみを示す。）が収容空間８ａに配置され、かつ、それぞれのランプ４は内側筒状部材８の周方向に等間隔を有して収容空間８ａに配置されている。複数のランプ４のうち一部のランプ、例えば最下段の第４列のランプ４ｄ_１〜４ｄ_１６は、半導体ウエハＷの上面よりも下側に配置するのが好ましい。なお、ランプ４の数、配列、位置は、上記に限られず、列の数や１つの列に配置されるランプ４の数も上記に限られない。また、ランプ４をステージ３の全周に配置しなくてもよく、加熱が必要な範囲、例えば１８０°の範囲に配置してもよい。

複数のランプ４は、例えばハロゲンランプ等の赤外線ランプ、キセノンランプ、メタルハライドランプ、カーボンランプ、赤外線発光ダイオードランプ等の熱線を放射する熱光源を用いることができる。本実施の形態では、半導体ウエハＷを急速に加熱する急速加熱性を有するハロゲンランプを用いる。

（制御系の構成）
図４は、図１〜図３に示す熱処理装置の制御系を示す図である。

この熱処理装置１は、図４に示すように、半導体ウエハＷ上の堆積膜の膜厚の２次元的な分布をパターンとして測定し、その測定結果を出力する膜厚分布測定装置１６と、複数のランプ４に電力を供給して駆動するランプ駆動回路１５Ａと、ヒータ１４に電力を供給して駆動するヒータ駆動回路１５Ｂと、膜厚分布測定装置１６からの測定結果に基づいてランプ駆動回路１５Ａ及びヒータ駆動回路１５Ｂを制御する制御部５とを備える。なお、ランプ駆動回路１５Ａ、ヒータ駆動回路１５Ｂ及び制御部５は、駆動制御部を構成する。

膜厚分布測定装置１６は、例えば反射率分光法を用いて膜厚分布を測定し、膜厚分布データを出力するものである。

制御部５は、プログラムを記憶するメモリ、プログラムに基づいて動作するＣＰＵ等を有して構成され、膜厚分布測定装置１６からの膜厚分布データに対応する制御信号をランプ駆動回路１５Ａに出力するように構成されている。また、制御部５は、複数のランプ４に対してランプ位置に応じた点灯制御、すなわちランプ４の点灯、消灯、調光（定格出力よりも小さい出力）を行う。

ランプ駆動回路１５Ａは、制御部５からの制御信号に基づいて、ランプ４の位置に応じた電圧の駆動信号を出力するように構成されている。

（熱処理装置の動作）
次に、熱処理装置１の動作を、図面を参照して説明する。

（１）測定用の堆積膜の形成及び堆積膜の膜厚分布の測定
まず、蓋体７及びシャワー板１３を上昇させることにより搬入・搬出口６ａを開放した後、搬入・搬出口６ａから処理容器２の処理空間２ａに半導体ウエハＷを搬入してステージ３上に配置し、蓋体７及びシャワー板１３を下降させることにより搬入・搬出口６ａを閉塞して処理容器２を密閉する。

次に、制御部５は、全てのランプ４が定格出力よりも低い出力、例えば６０％の出力で点灯するようにランプ駆動回路１５Ａを制御する。ランプ駆動回路１５Ａは、全てのランプ４に定格の６０％の電圧の駆動信号を出力する。全てのランプ４が点灯し、ランプ光として赤外線を放射する。半導体ウエハＷが赤外線によって余熱される。

次に、成膜用の処理ガスとして例えばＴｉＣｌ_４ガス，Ｈ_２ガス等のガスをそれぞれ流量制御しつつ、ガス導入口７ｂ及び噴射孔１３ｃ等を介して処理空間２ａに外部から導入するとともに、排気装置によって処理容器２内を真空引きして所定の圧力（例えば、４Ｔｏｒｒ程度）に維持する。同時に、制御部５は、ランプ駆動回路１５Ａによるランプ４の点灯を継続させるとともに、ヒータ駆動回路１５Ｂを制御してヒータ１４によって半導体ウエハＷを所定の温度（例えば、３５０℃程度）に加熱維持する。ヒータ駆動回路１５Ｂがヒータ１４に電力を供給すると、ヒータ１４が発熱し、その熱がステージ３を介して半導体ウエハＷに伝導し、半導体ウエハＷが加熱される。

これにより、ＴｉＣｌ_４ガスが熱分解して半導体ウエハＷの表面に例えば１００〜３００ｎｍ厚のＴｉ膜が堆積する。本実施の形態では、ヒータ１４だけではなくランプ４によっても半導体ウエハＷが加熱されるため、成膜速度をより向上させることができる。

Ｔｉ膜が堆積した半導体ウエハＷを処理容器２から取り出し、半導体ウエハＷ上のＴｉ膜の膜厚分布を膜厚分布測定装置１６で測定する。膜厚分布測定装置１６は、半導体ウエハＷ上のＴｉ膜の膜厚分布を測定し、膜厚分布データを制御部５に出力する。

なお、上記の動作を複数（３つ程度）回行い、複数の膜厚分布を平均化した膜厚分布データを制御部５に出力してもよい。また、個々の膜厚分布データを制御部５に出力し、平均化した膜厚分布データを制御部５で生成してもよい。また、ランプ４を点灯せずに成膜して膜厚分布を測定してもよい。

図５は、全てのランプを同じ出力（定格の６０％）で点灯した場合に膜厚分布測定装置１６により測定された膜厚分布の一例を示す図である。同図は、面内の膜厚を４９点測定した場合を示している。図５中、ａで示すパターン領域は、半導体ウエハＷにおける膜厚が最大の領域を示し、ｂで示すパターン領域は、膜厚が最小の領域を示し、最大膜厚と最小膜厚で１０ｎｍ程度の差を生じている。処理空間２ａ内のガスの流れや被処理基板である半導体ウエハＷの表面状態、具体的には、パターン形状、密度等の影響や、ウエハ面内の温度分布が均一でないことが主な原因と思われる。

（２）製品用の堆積膜の形成
蓋体７及びシャワー板１３を上昇させることにより搬入・搬出口６ａを開放した後、搬入・搬出口６ａから処理容器２の処理空間２ａに半導体ウエハＷを搬入してステージ３上に配置し、蓋体７及びシャワー板１３を下降させることにより搬入・搬出口６ａを閉塞して処理容器２を密閉する。

制御部５は、膜厚分布測定装置１６からの膜厚分布データに基づいて後述するようにランプ４の点灯制御を行い半導体ウエハＷを加熱する。

図６は、堆積レート（Deposition Rate）とクリーニングレート（Cleaning Rate）を示すグラフである。図７（ａ），（ｂ）は、ランプの点灯例を示す展開図である。

堆積膜の堆積レート（Deposition Rate）は、図６に示すように、成膜温度が比較的低い場合に高くなり、成膜温度が比較的高い場合に低くなるという温度特性がある。なお、クリーニングレート（Cleaning Rate）は、堆積レートとは逆であり、温度が比較的低い場合に低くなり、温度が比較的高い場合に高くなるという温度特性がある。

図６から分かるように、図５の場合には、パターン領域ｂの膜厚が大きくなるようにパターン領域ｂに近いランプ４のランプ出力を定格出力で駆動し、他のランプ４を定格出力の６０％で駆動してパターン領域ｂを他の領域よりも加熱すると良い。そこで、制御部５は、膜厚分布測定装置１６からの膜厚分布データに基づいて、図５のパターン領域ｂの膜厚が大きくなるようにパターン領域ｂに近いランプ４、例えば図７（ａ）の一点鎖線で囲んだ範囲のランプ４ａ_４〜４ａ_６，４ｂ_４〜４ｂ_６，４ｃ_４〜４ｃ_６、４ｄ_４〜４ｄ_６を定格出力でランプ光を出力し、他のランプ４は、定格出力の６０％でランプ光が出力するように制御信号をランプ駆動回路１５Ａに出力する。なお、一部の列、例えば図７（ｂ）に示す第２列の一部のランプ４ｂ_４〜４ｂ_７を定格出力で点灯するようにしてもよい。換言すると、半導体ウエハＷの周縁方向に配置されたランプ４を選択的に駆動させることによって半導体ウエハＷの周縁方向における一部の領域を選択的に加熱することができる。

ランプ駆動回路１５Ａは、制御部５からの制御信号に基づいて、図７（ａ）に示すように、ランプ４ａ_４〜４ａ_６，４ｂ_４〜４ｂ_６，４ｃ_４〜４ｃ_６、４ｄ_４〜４ｄ_６に定格出力となる駆動信号を出力し、他のランプ４に定格の６０％出力となる駆動信号を出力する。

ランプ４ａ_４〜４ａ_６，４ｂ_４〜４ｂ_６，４ｃ_４〜４ｃ_６、４ｄ_４〜４ｄ_６は他のランプ４よりも光強度の大きいランプ光の赤外線を放射する。これにより、半導体ウエハＷのうちランプ４ａ_４〜４ａ_６，４ｂ_４〜４ｂ_６，４ｃ_４〜４ｃ_６、４ｄ_４〜４ｄ_６に近い領域が他の領域よりも余熱される。なお、半導体ウエハＷをランプ４で余熱する際、ヒータ１４を定格又は定格より低い電圧で駆動してもよい。

次に、成膜用の処理ガスとして例えばＴｉＣｌ_４ガス，Ｈ_２ガス等のガスをそれぞれ流量制御しつつ、ガス導入口７ｂ及び噴射孔１３ｃ等を介して処理空間２ａに外部から導入するとともに、排気装置によって処理容器２内を真空引きして所定の圧力（例えば、４Ｔｏｒｒ程度）に維持する。同時に、制御部５は、ランプ駆動回路１５Ａによるランプ４の点灯を継続させるとともに、ヒータ駆動回路１５Ｂを制御してヒータ１４によって半導体ウエハＷを所定の温度（例えば、３５０℃程度）に加熱維持する。

ここで、制御部５からの制御信号に基づいて点灯するランプが制御されているため、半導体ウエハＷ面内の堆積レートが均一化されている。これにより、ＴｉＣｌ_４ガスが熱分解して半導体ウエハＷの表面に均一な膜厚のＴｉ膜が堆積する。

そして、再び搬入・搬出口６ａを開放してステージ３上における成膜済みの半導体ウエハＷを外部に搬出した後、搬入・搬出口６ａを閉塞する。なお、本実施の形態では予め成膜したＴｉ膜の膜厚を測定してからランプ４の制御条件を決定したが、処理容器２内（Ｉｎ−ｓｉｔｕ）で膜厚が測定可能な場合にはその結果に応じてリアルタイムにランプ４を制御しても構わない。

（３）処理容器内のクリーニング
ヒータ１４を駆動するとともに、制御部５によりランプ４を点灯制御することにより、処理容器２内を加熱維持する。

そして、クリーニングガスとしてのエッチングガス、例えばフッ素ラジカル等のエッチングラジカルをガス導入口７ｂから処理空間２ａ内に導入する。エッチングラジカルにより処理容器２内の内壁に付着した膜が均一にエッチングされて除去され、処理容器２内全体が均一にクリーニングされる。

図６で説明したように、クリーニングレート（Cleaning Rate）は、堆積レート（Deposition Rate）とは、逆の温度特性があるため、これら温度特性を考慮してランプ４の点灯を制御する必要がある。

例えば、クリーニング時におけるランプ４のランプ出力は、半導体ウエハＷに対する成膜時に最大の出力に設定された場合に最小の出力に、また半導体ウエハＷに対する成膜時に最小の出力に設定された場合に最大の出力にそれぞれ設定される。従って、成膜時とクリーニング時において出力を逆に切り替える必要があるため、処理空間２ａ内の温度を制御良く調整できることが好ましい。

その後、上記「（２）製品用の堆積膜の形成」と上記「（３）処理容器内のクリーニング」が交互に行われ、次のロットを生産するときは、最初に上記「（１）測定用の堆積膜の形成及び堆積膜の膜厚分布の測定」が行われる。なお、「（１）測定用の堆積膜の形成及び堆積膜の膜厚分布の測定」を行うタイミングは、ロットの最初に限らず、途中や最後に行ってもよい。

（実施の形態の効果）
本実施の形態の効果を、図面を参照して説明する。

図８は、本実施の形態と比較例における半導体ウエハの温度が安定するまでの時間を示すグラフである。

図８から分かるように、本実施の形態のヒータ１４とランプ４による加熱の場合、半導体ウエハＷを処理容器２内に搬入してからその温度が安定するまでの時間は略２０秒である。一方、比較例のヒータ１４のみによる加熱の場合、半導体ウエハＷを同じく処理容器２内に搬入してからその温度が安定するまでの時間は略６０秒である。

従って、本実施の形態によれば、成膜前に半導体ウエハＷにおける各部位の温度を比較例のヒータのみによる場合と比べて短時間で安定した温度に高め、次の成膜工程に進めることができる。

また、各ランプ４のランプ出力を制御して半導体ウエハＷを加熱してから、ヒータ１４及びランプ４により半導体ウエハＷを加熱しつつ成膜処理を行うことにより、半導体ウエハＷの面内温度分布が均一になり、半導体ウエハＷ上に形成される堆積膜の最大膜厚と最小膜厚の差を抑制することができ、膜厚分布均一性の向上を図ることができる。

また、各ランプ４のランプ出力を制御して処理容器２内のクリーニングを行うことができるため、処理容器２内の均一なクリーニングを行うことができ、成膜後におけるクリーニング時のオーバエッチング等によるダスト発生を抑制することができる。

さらに、ランプ４はヒータに比べて応答性が良好であるため、成膜中にもランプ出力を変更することができる。

本発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施することが可能である。例えば、上記の実施の形態では、熱処理として成膜処理である場合について説明したが、本発明はこれに限定されず、例えば酸化拡散処理，エッチング処理，アニールなど他の熱処理にも適用できることは勿論である。

また、上記実施の形態では、ランプの出力を制御する場合について説明したが、点灯するランプを選択して駆動してもよい。この場合、選択したランプを定格で駆動してもよく、定格より低い電圧で駆動してもよい。

また、処理容器内に上下に電極を配置し、上下の電極間に高周波電圧を印加してプラズマを発生して成膜処理を行うプラズマＣＶＤにも適用することができる。また、クリーニングは、プラズマクリーニングでもよい。

また、上記実施の形態では、半導体ウエハＷにＴｉ膜を形成する場合について説明したが、本発明はこれに限定されず、タングステン（Ｗ）膜，タンタル（Ｔａ）膜等の他の金属膜を形成する場合や絶縁膜を形成する場合にも適用可能である。

また、ステージに内蔵した熱発生源は、ヒータに限らず、ランプ等の他の手段でもよい。

１…熱処理装置、２…処理容器、２ａ…処理空間、３…ステージ、４，４ａ_１〜４ａ_１６，４ｂ_１〜４ｂ_１６，４ｃ_１〜４ｃ_１６，４ｄ_１〜４ｄ_１６…ランプ、５…制御部、６…容器本体、６ａ…搬入・搬出口、７…蓋体、７ａ…フランジ、７ｂ…ガス導入口、８…内側筒部材、８ａ…収容空間、９…外側筒部材、１０…底板、１０ａ…ガス導出口、１１…光透過部材、１２…冷却管、１３…シャワー板、１３ａフランジ、１３ｂ…収容空間、１３ｃ…噴射孔、１４…ヒータ、１５Ａ…ランプ駆動回路、１５Ｂ…ヒータ駆動回路、１６…膜厚分布測定装置、Ｗ…半導体ウエハ、ａ，ｂ…パターン領域

Claims

処理ガスを内部に導入するガス導入口を有する処理容器と、
前記処理容器内に収容され、半導体基板が配置されるステージと、
前記ステージの周囲に配置され、前記ステージ上の前記半導体基板が配置される領域に熱線を放射する複数のランプと、
前記複数のランプの出力を選択的に制御する駆動制御部とを備えた半導体製造装置。
前記処理ガスは、成膜ガスであり、
前記駆動制御部は、前記成膜ガスが前記半導体基板表面に供給されながら前記複数のランプの出力を選択的に制御することによって前記半導体基板上に成膜を行うことを特徴とする請求項１に記載の半導体製造装置。
前記駆動制御部は、膜厚測定部と接続され、前記膜厚測定部で測定された膜厚分布に基づいて前記複数のランプの制御条件を決定することを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体製造装置。
半導体基板が配置されるステージ、及び前記ステージの周囲に配置された複数のランプを内部に有する処理容器を有する装置を用いた半導体装置の製造方法であって、
前記ステージに前記半導体基板を配置し、
前記複数のランプを選択的に点灯させて前記半導体基板の面内の温度分布を制御し、
前記処理容器内に処理ガスを導入して前記半導体基板に処理を施す半導体装置の製造方法。
前記処理は、成膜処理であり、
前記半導体基板の面内の温度分布の制御は、予め取得された膜厚分布情報に基づいて前記複数のランプを選択的に制御することを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。