JP2015501080A - 急速熱処理チャンバ - Google Patents
急速熱処理チャンバ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015501080A JP2015501080A JP2014539978A JP2014539978A JP2015501080A JP 2015501080 A JP2015501080 A JP 2015501080A JP 2014539978 A JP2014539978 A JP 2014539978A JP 2014539978 A JP2014539978 A JP 2014539978A JP 2015501080 A JP2015501080 A JP 2015501080A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- area
- substrate support
- substrate
- pyrometers
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 136
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 48
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 17
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 3
- 230000006903 response to temperature Effects 0.000 claims 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 abstract description 9
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 abstract description 5
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 abstract description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 2
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
Description
Claims (15)
- チャンバであって、
チャンバ本体と、
前記チャンバ本体内に配置される基板支持体であって、前記基板支持体は、前記基板支持体上に位置決めされた基板を加熱するため独立して加熱されることができる複数の区域を有する、前記基板支持体と、
前記チャンバ本体上に配置されるチャンバリッドとを備え、前記チャンバリッドは、
アルミニウムを含むリッド本体であって、前記リッド本体はその中を貫通して配置される円形開口部を有する、前記リッド本体と、
前記円形開口部内に位置決めされ、前記基板支持体の上面に隣接する表面を有する反射板と、
前記基板の表面の全域にわたる複数の場所で前記基板の温度を測定するため、前記反射板内に形成された開口部を貫通して配置される複数の高温計であって、前記複数の高温計の各高温計は前記複数の区域のうちの各区域に対応する、前記複数の高温計とを備える、チャンバ。 - 前記基板支持体は、複数の独立して制御可能な抵抗加熱素子を備え、前記抵抗加熱素子は前記複数の高温計によって測定された温度に応じて調整される、請求項1に記載のチャンバ。
- 前記複数の区域は前記基板支持体上の中心に配置される円形の形状を有する第1の区域と、前記第1の区域の周囲を囲む第2の区域とを含む、請求項1に記載のチャンバ。
- 前記複数の区域は第3の区域、第4の区域、第5の区域及び第6の区域を更に含み、前記第3の区域、前記第4の区域、前記第5の区域及び前記第6の区域は前記第2の区域の半径方向外側に配置される、請求項3に記載のチャンバ。
- 前記第3の区域、前記第4の区域、前記第5の区域及び前記第6の区域はそれぞれ、前記基板支持体の外周の約90度の周囲に延在する、請求項4に記載のチャンバ。
- 前記チャンバ本体は、その内面上に配置される断熱ライナと、温度制御流体を含むためその中に形成される流路とを更に備える、請求項1に記載のチャンバ。
- チャンバであって、
アルミニウムを含むチャンバ本体と、
前記チャンバ本体内に配置される基板支持体であって、前記基板支持体は前記基板支持体上に位置決めされた基板を加熱するため独立して加熱されることができる複数の区域を有する、前記基板支持体と、
前記チャンバ本体上に配置されるチャンバリッドとを備え、前記チャンバリッドは、
アルミニウムを含むリッド本体であって、前記リッド本体はその中を貫通して配置される円形開口部を有する、前記リッド本体と、
前記円形開口部内に位置決めされ、前記基板支持体の上面に隣接する表面を有する反射板と、
前記基板の表面の全域にわたる複数の場所で前記基板の温度を測定するため、前記反射板内に形成された開口部を貫通して配置される複数の高温計であって、前記複数の高温計の各高温計は前記複数の区域のうちの1つの区域に対応する、前記複数の高温計とを備える、チャンバ。 - 前記複数の区域は前記基板支持体上の中心に配置される円形の形状を有する第1の区域と、前記第1の区域の周囲を囲む第2の区域とを含む、請求項7に記載のチャンバ。
- 前記複数の区域は第3の区域、第4の区域、第5の区域及び第6の区域を更に含み、前記第3の区域、前記第4の区域、前記第5の区域及び前記第6の区域は前記第2の区域の半径方向外側に配置される、請求項8に記載のチャンバ。
- 前記基板支持体は、複数の独立して制御可能な抵抗加熱素子を備える、請求項9に記載のチャンバ。
- 前記複数の独立して制御可能な抵抗加熱素子は、前記複数の高温計によって測定された温度に応じて調整され、前記チャンバ本体は、その内面に配置される断熱ライナを更に備える、請求項10に記載のチャンバ。
- チャンバであって、
アルミニウムを含むチャンバ本体と、
前記チャンバ本体内に配置される基板支持体であって、前記基板支持体は前記基板支持体上に位置決めされた基板を加熱するため独立して加熱されることができる複数の区域を有し、前記複数の区域のうちの各区域は抵抗加熱素子を備える、前記基板支持体と、
前記チャンバ本体上に配置されるチャンバリッドであって、前記チャンバリッドは、
アルミニウムを含むリッド本体であって、前記リッド本体はその中を貫通して配置される円形開口部を有する、前記リッド本体、
前記円形開口部内に位置決めされ、前記基板支持体の上面に隣接する表面を有する反射板、及び
前記基板の表面の全域にわたる複数の場所で前記基板の温度を測定するため、前記反射板内に形成された開口部を貫通して配置される複数の高温計であって、前記複数の高温計の各高温計は前記複数の区域のうちの1つの区域に対応する、前記複数の高温計とを備える、チャンバリッドと、
各区域の前記抵抗加熱素子に結合され、かつ前記複数の高温計に結合されるコントローラであって、前記コントローラは前記複数の高温計のそれぞれからの信号に基づいて、各区域の前記抵抗加熱素子に印加される電力の量を制御するように適合される、コントローラとを備える、チャンバ。 - 前記複数の区域は前記基板支持体上の中心に配置される円形の形状を有する第1の区域と、前記第1の区域の周囲を囲む第2の区域とを含む、請求項12に記載のチャンバ。
- 前記複数の区域は第3の区域、第4の区域、第5の区域及び第6の区域を更に含み、前記第3の区域、前記第4の区域、前記第5の区域及び前記第6の区域は前記第2の区域の半径方向外側に配置される、請求項13に記載のチャンバ。
- 前記第3の区域、前記第4の区域、前記第5の区域及び前記第6の区域はそれぞれ、前記基板支持体の外周の約90度の周囲に延在し、前記基板支持体はアルミニウムから形成され、前記抵抗加熱素子はモリブデンを含む、請求項14に記載のチャンバ。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201161632807P | 2011-11-03 | 2011-11-03 | |
US61/632,807 | 2011-11-03 | ||
US201261621179P | 2012-04-06 | 2012-04-06 | |
US61/621,179 | 2012-04-06 | ||
PCT/US2012/061290 WO2013066652A1 (en) | 2011-11-03 | 2012-10-22 | Rapid thermal processing chamber |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015501080A true JP2015501080A (ja) | 2015-01-08 |
JP6133314B2 JP6133314B2 (ja) | 2017-05-24 |
Family
ID=48192614
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014539978A Active JP6133314B2 (ja) | 2011-11-03 | 2012-10-22 | 急速熱処理チャンバ |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9202730B2 (ja) |
JP (1) | JP6133314B2 (ja) |
KR (1) | KR102022718B1 (ja) |
CN (2) | CN103858214B (ja) |
SG (1) | SG2014008270A (ja) |
TW (1) | TWI564983B (ja) |
WO (1) | WO2013066652A1 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW201448108A (zh) * | 2013-03-12 | 2014-12-16 | Applied Materials Inc | 用於電漿處理腔室的多重區域加熱及冷卻靜電夾盤 |
US10067006B2 (en) | 2014-06-19 | 2018-09-04 | Elwha Llc | Nanostructure sensors and sensing systems |
US9801332B2 (en) | 2015-09-30 | 2017-10-31 | Deere & Company | System and method for consistent depth seeding to moisture |
US9675004B2 (en) | 2015-09-30 | 2017-06-13 | Deere & Company | Soil moisture-based planter downforce control |
JP6512089B2 (ja) * | 2015-12-15 | 2019-05-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理装置の調整方法 |
US10325790B2 (en) * | 2016-04-29 | 2019-06-18 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for correcting substrate deformity |
TWI617813B (zh) * | 2017-02-09 | 2018-03-11 | 矽品精密工業股份有限公司 | 檢測設備 |
US11122731B2 (en) | 2017-10-31 | 2021-09-21 | Deere & Company | Method of managing planter row unit downforce |
US11828656B2 (en) * | 2020-11-20 | 2023-11-28 | Applied Materials, Inc. | Reflector plate for substrate processing |
US20230051521A1 (en) * | 2021-08-16 | 2023-02-16 | Applied Material, Inc. | Pyrometry error detection sensor for rtp temperature control system |
US20230076170A1 (en) * | 2021-09-03 | 2023-03-09 | Applied Materials, Inc. | Metrology slot plates |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08107071A (ja) * | 1993-06-29 | 1996-04-23 | Tokyo Electron Ltd | 載置台および減圧処理装置 |
JP2005277242A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-10-06 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板加熱時の出力の決定方法 |
JP2005303014A (ja) * | 2004-04-12 | 2005-10-27 | Ngk Insulators Ltd | 基板加熱装置 |
JP2007526637A (ja) * | 2004-02-27 | 2007-09-13 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | パターン化されたウエハの裏側急速加熱処理 |
JP2011176128A (ja) * | 2010-02-24 | 2011-09-08 | Toshiba Corp | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5059770A (en) * | 1989-09-19 | 1991-10-22 | Watkins-Johnson Company | Multi-zone planar heater assembly and method of operation |
US6190732B1 (en) | 1998-09-03 | 2001-02-20 | Cvc Products, Inc. | Method and system for dispensing process gas for fabricating a device on a substrate |
US6423949B1 (en) | 1999-05-19 | 2002-07-23 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone resistive heater |
US6802906B2 (en) | 2000-07-21 | 2004-10-12 | Applied Materials, Inc. | Emissivity-change-free pumping plate kit in a single wafer chamber |
US6970644B2 (en) * | 2000-12-21 | 2005-11-29 | Mattson Technology, Inc. | Heating configuration for use in thermal processing chambers |
JP3825277B2 (ja) * | 2001-05-25 | 2006-09-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 加熱処理装置 |
US7972663B2 (en) | 2002-12-20 | 2011-07-05 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for forming a high quality low temperature silicon nitride layer |
US7115837B2 (en) * | 2003-07-28 | 2006-10-03 | Mattson Technology, Inc. | Selective reflectivity process chamber with customized wavelength response and method |
US7147359B2 (en) * | 2004-06-25 | 2006-12-12 | Applied Materials, Inc. | Lamp assembly having flexibly positioned rigid plug |
TW200612512A (en) * | 2004-06-28 | 2006-04-16 | Ngk Insulators Ltd | Substrate heating sapparatus |
US7378618B1 (en) * | 2006-12-14 | 2008-05-27 | Applied Materials, Inc. | Rapid conductive cooling using a secondary process plane |
US7860379B2 (en) | 2007-01-15 | 2010-12-28 | Applied Materials, Inc. | Temperature measurement and control of wafer support in thermal processing chamber |
US7671412B2 (en) | 2007-02-15 | 2010-03-02 | Tokyo Electron Limited | Method and device for controlling temperature of a substrate using an internal temperature control device |
JP5064069B2 (ja) * | 2007-03-20 | 2012-10-31 | 株式会社Sokudo | 基板搬送装置および熱処理装置 |
KR101892467B1 (ko) * | 2008-05-02 | 2018-08-28 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 회전하는 기판들에 대한 비 방사상 온도 제어를 위한 시스템 |
US20100193154A1 (en) * | 2009-01-28 | 2010-08-05 | Applied Materials, Inc. | Rapid cooling of a substrate by motion |
KR101098975B1 (ko) * | 2009-12-01 | 2011-12-28 | 피에스케이 주식회사 | 기판 처리 장치 |
-
2012
- 2012-10-22 CN CN201280048459.8A patent/CN103858214B/zh active Active
- 2012-10-22 US US13/657,029 patent/US9202730B2/en active Active
- 2012-10-22 KR KR1020147007537A patent/KR102022718B1/ko active IP Right Grant
- 2012-10-22 WO PCT/US2012/061290 patent/WO2013066652A1/en active Application Filing
- 2012-10-22 SG SG2014008270A patent/SG2014008270A/en unknown
- 2012-10-22 JP JP2014539978A patent/JP6133314B2/ja active Active
- 2012-10-22 CN CN201610048304.4A patent/CN105679695B/zh active Active
- 2012-10-29 TW TW101139939A patent/TWI564983B/zh active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08107071A (ja) * | 1993-06-29 | 1996-04-23 | Tokyo Electron Ltd | 載置台および減圧処理装置 |
JP2007526637A (ja) * | 2004-02-27 | 2007-09-13 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | パターン化されたウエハの裏側急速加熱処理 |
JP2005277242A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-10-06 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板加熱時の出力の決定方法 |
JP2005303014A (ja) * | 2004-04-12 | 2005-10-27 | Ngk Insulators Ltd | 基板加熱装置 |
JP2011176128A (ja) * | 2010-02-24 | 2011-09-08 | Toshiba Corp | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
SG2014008270A (en) | 2014-11-27 |
CN103858214B (zh) | 2017-02-22 |
TW201327708A (zh) | 2013-07-01 |
US9202730B2 (en) | 2015-12-01 |
WO2013066652A1 (en) | 2013-05-10 |
CN103858214A (zh) | 2014-06-11 |
TWI564983B (zh) | 2017-01-01 |
US20130112680A1 (en) | 2013-05-09 |
KR20140088857A (ko) | 2014-07-11 |
CN105679695B (zh) | 2019-03-22 |
CN105679695A (zh) | 2016-06-15 |
KR102022718B1 (ko) | 2019-09-18 |
JP6133314B2 (ja) | 2017-05-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6133314B2 (ja) | 急速熱処理チャンバ | |
US5059770A (en) | Multi-zone planar heater assembly and method of operation | |
KR20160010342A (ko) | 온도 균일도의 증가를 위한 서셉터 히터의 국부적 온도 제어 | |
KR20150074073A (ko) | 급속 열 처리를 위한 최소 접촉 에지 링 | |
TWI662146B (zh) | 用於epi腔室的上圓頂 | |
TWI703636B (zh) | 用於低壓熱處理的光導管結構窗 | |
JP2005328027A (ja) | 被処理体の処理装置 | |
KR102289002B1 (ko) | 보다 균일한 층 두께를 위한 기판 지지 링 | |
US10519547B2 (en) | Susceptor design to eliminate deposition valleys in the wafer | |
US9184069B2 (en) | Heating apparatus, substrate processing apparatus employing the same, method of manufacturing semiconductor devices, and insulator | |
WO2016126381A1 (en) | Rapid thermal processing chamber with linear control lamps | |
US20240175753A1 (en) | Reflector plate for substrate processing | |
US8116618B2 (en) | Heating apparatus, substrate processing apparatus, and method of manufacturing semiconductor devices | |
US20180254206A1 (en) | Rotor cover | |
CN116313878A (zh) | 一种基座、基座的制造方法及等离子体处理设备 | |
US20180269083A1 (en) | Finned rotor cover | |
US20240079252A1 (en) | Reflector plate for substrate processing | |
JP2005032883A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2008311587A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2006237287A (ja) | 基板処理装置 | |
KR100899564B1 (ko) | 급속 열처리 프로세스 장치 | |
JP2003142421A (ja) | 半導体製造装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20151019 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20161114 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161206 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170303 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170321 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170419 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6133314 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |