JP2012099586A

JP2012099586A - 配線基板およびその製造方法

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Publication number: JP2012099586A
Application number: JP2010244843A
Authority: JP
Inventors: Hideaki Maniwa; 秀明馬庭
Original assignee: Kyocera SLC Technologies Corp
Current assignee: Kyocera SLC Technologies Corp
Priority date: 2010-10-30
Filing date: 2010-10-30
Publication date: 2012-05-24

Abstract

【課題】微細な半導体素子接続パッドを含む配線導体を形成することが可能であるとともに、外部接続パッドに剥がれが発生することのない配線基板を提供すること。
【解決手段】絶縁基板１の一方の主面に、半導体素子Ｓの電極Ｔに接続される半導体素子接続パッド３ａを含む第１の配線導体３が第１の金属箔８を下地としたセミアディティブ法により形成されているとともに、絶縁基板１の他方の主面に外部電気回路基板に接続される外部接続パッド４ａを含む第２の配線導体４が第２の金属箔１０を下地としたセミアディティブ法により形成されて成る配線基板であって、第１の金属箔８は、絶縁基板１上にプライマー樹脂層２を介して接着されているとともにプライマー樹脂２との接着面のＲｚが０．３〜１．０μｍの平滑面であり、第２の金属箔１０は、絶縁基板１上に直接接着されているとともに絶縁基板１との接着面のＲｚが１．５〜３．０μｍの粗化面である
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体素子を搭載するため等に用いられる配線基板およびその製造方法に関するものである。

従来、半導体集積回路素子等の半導体素子を搭載するための配線基板として、多数のスルーホールを有する絶縁基板の上面に半導体素子を搭載するための搭載部を設けるとともに、絶縁基板の上面からスルーホールを介して下面に導出する複数の配線導体を被着させ、この配線導体の一部を搭載部において半導体素子の電極端子に接続するための半導体素子接続パッドとして配置するとともに絶縁基板の下面において外部電気回路基板と接続するための外部接続パッドとして配置してなる配線基板が知られている。

半導体素子を搭載するための配線基板においては、半導体素子の小型化、高集積化の流れに伴い、配線導体の微細化および高密度化が要求されている。そこで、配線基板における配線導体の微細化、高密度化を実現するための方法として、図４（ａ）〜（ｅ）および図５（ｆ）〜（ｊ）に示す方法が用いられている。

この方法では、先ず、図４（ａ）に示すように、ガラスクロスに未硬化の熱硬化性樹脂を含浸させて成るプリプレグ２１Ｐと、銅箔から成るキャリアシート２２の一方の主面に極薄銅箔２３およびプライマー樹脂層２４を剥離可能に積層して成るキャリアおよびプライマー樹脂付銅箔２５とを準備する。プリプレグ２１Ｐの厚みは３０〜２００μｍ程度、キャリアシート２２の厚みは１２〜３５μｍ程度、極薄銅箔２３の厚みは１〜５μｍ程度、プライマー樹脂層２４の厚みは３〜７μｍ程度である。なお、極薄銅箔２３の両主面は１０点平均粗さＲｚで０．３〜１．０μｍ程度の平滑な面となっている。

次に、図４（ｂ）に示すように、プリプレグ２１Ｐの上下面にキャリアおよびプライマー樹脂付銅箔２５を、キャリアシート２２が外側となるようにして積み重ねるとともに、これらを上下からプレスおよび加熱してプリプレグ２１Ｐが熱硬化して成る絶縁基板２１の上下面にキャリアおよびプライマー樹脂付銅箔２５を積層一体化させる。

次に、図４（ｃ）に示すように、絶縁基板２１およびキャリアおよびプライマー樹脂付銅箔２５の積層体の上面から下面にかけてスルーホール用の貫通孔２６Ａを例えばドリル加工により穿孔する。貫通孔２６Ａの直径は、５０〜３００μｍ程度である。

次に、図４（ｄ）に示すように、絶縁基板２１とキャリアおよびプライマー樹脂付銅箔２５との積層体からキャリアシート２２を引き剥がして除去することにより上下面に極薄銅箔２３がプライマー樹脂層２４を介して積層されているとともに上面から下面にかけて複数のスルーホール２６が形成された絶縁基板２１を得る。

次に、図４（ｅ）に示すように、スルーホール２６の内壁および極薄銅箔２３の表面に無電解銅めっき層２７を被着させる。無電解銅めっき層２７の厚みは、０．５〜３．０μｍ程度である。

次に、図５（ｆ）に示すように、上下面の無電解銅めっき層２７の表面に、表層配線導体のパターンに対応する開口を有するめっきレジスト層Ｒを被着形成する。めっきレジスト層Ｒの厚みは、１５〜５０μｍ程度である。

次に、図５（ｇ）に示すように、めっきレジスト層Ｒから露出する無電解銅めっき層２７の表面に電解銅めっき層２８を被着させる。電解銅めっき層２８の厚みは１０〜３０μｍ程度である。

次に、図５（ｈ）に示すように、めっきレジスト層Ｒを剥離して除去する。

次に、図５（ｉ）に示すように、電解銅めっき層２８から露出する無電解銅めっき層２７およびその下の極薄銅箔２３をエッチング除去することにより、スルーホール２６内に無電解銅めっき層２７および電解銅めっき層２８から成るスルーホール導体２９を形成するとともに、上下面に極薄銅箔２３および無電解銅めっき層２７および電解銅めっき層２８から成る表層配線導体３０を形成する。

そして最後に、図５（ｊ）に示すように、スルーホール１６の内部および絶縁基板２１の上下面に、スルーホール２６内部を充填するとともに上面の表層配線導体３０の一部を半導体素子の電極端子に接続される半導体素子接続パッド３０ａとして露出させるとともに下面の表層配線導体３０の一部を外部電気回路基板と接続するための外部接続パッド３０ｂとして露出させるソルダーレジスト層３１を形成することにより配線基板を完成させる。

この配線基板によると、極薄銅箔２３は、その両主面の１０点平均粗さＲｚが０．３〜１．０μｍの平滑な面であるため、微細な配線導体を形成することが可能である。

しかしながら、この従来の配線基板においては、プライマー樹脂層２４により極薄銅箔２３と絶縁基板２１との接着強度はある程度確保されるものの、外部電気回路基板と接続される外部接続パッド３０ｂにおける絶縁基板２１への接着強度は必ずしも十分なものではなかった。そのため、外部接続パッド３０ｂにおいては、外部電気回路基板に接続した際に大きな応力が加わるために剥がれが発生しやすいという問題点を有していた。

特開２００４−２５８３５号公報

本発明の課題は、微細な半導体素子接続パッドを含む配線導体を形成することが可能であるとともに、外部接続パッドを外部電気回路基板に接続したときに大きな応力が加わったとしても外部接続パッドに剥がれが発生することのない配線基板を提供することにある。

本発明の配線基板は、ガラスクロス入りのプリプレグを硬化させて成る絶縁基板の一方の主面に、半導体素子の電極に接続される半導体素子接続パッドを含む第１の配線導体が第１の金属箔を下地としたセミアディティブ法により形成されているとともに、前記絶縁基板の他方の主面に外部電気回路基板に接続される外部接続パッドを含む第２の配線導体が第２の金属箔を下地としたセミアディティブ法により形成されて成る配線基板であって、前記第１の金属箔は、前記絶縁基板上にプライマー樹脂層を介して接着されているとともに該プライマー樹脂との接着面の１０点平均粗さＲｚが０．３〜１．０μｍの平滑面であり、前記第２の金属箔は、前記絶縁基板上に直接接着されているとともに該絶縁基板との接着面の１０点平均粗さＲｚが１．５〜３．０μｍの粗化面であることを特徴とするものである。

また本発明の配線基板の製造方法は、ガラスクロス入りのプリプレグを硬化させて成る絶縁基板の一方の主面に、該絶縁基板側の１０点平均粗さＲｚが０．３〜１．０μｍの第１の金属箔がプライマー樹脂層を介して接着されているとともに、前記絶縁基板の他方の主面に、該絶縁基板側の１０点平均粗さＲｚが１．５〜３．０μｍの第２の金属箔が直接接着されて成る積層体を準備する工程と、前記一方の主面に半導体素子の電極に接続される半導体素子接続パッドを含む第１の配線導体を前記第１の金属箔を下地としたセミアディティブ法により形成するとともに前記他方の主面に外部電気回路基板に接続される外部接続パッドを含む第２の配線導体を前記第２の金属箔を下地としたセミアディティブ法により形成する工程とを行なうことを特徴とするものである。

本発明の配線基板およびその製造方法によれば、半導体素子接続パッドを含む第１の配線導体は、絶縁基板の一方の主面にプライマー樹脂層を介して接着された接着面の１０点平均粗さＲｚが０．３〜１．０μｍの第１の金属箔を下地としたセミアディティブ法により形成されていることから、微細なものとすることができる。また、外部接続パッドを含む第２の配線導体は、絶縁基板上に直接接着された接着面の１０点平均粗さＲｚが１．５〜３．０μｍの第２の金属箔を下地としたセミアディティブ法により形成されていることから、第２の金属箔を介して絶縁基板に極めて強固に密着し外部接続パッドに剥がれが発生することがない。

図１は、本発明の配線基板における実施形態の一例を示す概略断面図である。（ａ）〜（ｅ）は、図１に示した配線基板を本発明の製造方法により製造する実施形態の一例を説明するための工程毎の概略断面図である。（ｆ）〜（ｊ）は、図１に示した配線基板を本発明の製造方法により製造する実施形態の一例を説明するための工程毎の概略断面図である。（ａ）〜（ｅ）は、従来の配線基板の製造方法を説明するための工程毎の概略断面図である。（ｆ）〜（ｊ）は、従来の配線基板の製造方法を説明するための工程毎の概略断面図である。

次に、本発明の配線基板およびその製造方法について図１〜３を基にして説明する。図１は、本発明の配線基板の実施形態の一例を示す概略断面図であり、１は絶縁基板、２はプライマー樹脂層、３は第１の配線導体、４は第２の配線導体、５はスルーホール導体、６はソルダーレジスト層である。

絶縁基板１は、例えばガラスクロス基材にエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させた厚みが３０〜２００μｍ程度の単層または多層の絶縁層を熱硬化させた電気絶縁材料から成る。絶縁基板１の上面から下面にかけては直径が５０〜３００μｍ程度のスルーホール７が形成されている。

絶縁基板１の上面には、プライマー樹脂層２が被着されており、このプライマー樹脂層２を介して第１の配線導体３が被着されている。また、絶縁基板１の下面には第２の配線導体４が直接被着されている。さらにスルーホール７の内壁にはスルーホール導体５が被着されている。

絶縁基板１の上面に被着されたプライマー樹脂層２は、例えばエポキシ樹脂から成り、絶縁基板１の上面に第１の配線導体３を接着させるための接着剤として機能する。プライマー樹脂層２の厚みは３〜７μｍ程度である。

絶縁基板１の上面にプライマー樹脂層２を介して被着された第１の配線導体３は、半導体素子Ｓの電極端子Ｔが接続される複数の半導体素子接続パッド３ａを含んでいる。この半導体素子接続パッド３ａは、例えばその幅および間隔が２５μｍ以下の微細なパターンにより形成されている。この第１の配線導体３は、プライマー樹脂層２に接着された第１の銅箔８とその上に被着された電解銅めっき層９とから成り、第１の銅箔８を下地としたセミアディティブ法により形成されている。具体的には、絶縁基板１の上面に第１の銅箔８をプライマー樹脂層２を介して接着した後、第１の銅箔８の上に第１の配線導体３に対応する開口パターンを有するめっきマスクを被着させるとともに開口パターン内の第１の銅箔８上に第１の配線導体３に対応するパターンの電解銅めっき層９を被着させ、しかる後、めっきマスクを除去するとともに電解銅めっき層９から露出する下地の第１の銅箔８をエッチング除去することにより形成されている。

ところで、第１の銅箔８は、厚みが１〜５μｍ程度であり、プライマー樹脂層との接着面が１０点平均粗さＲｚで０．３〜１．０μｍ程度と平滑な面となっている。そのため微細な第１の配線導体３を形成することができる。第１の銅箔８のプライマー樹脂層２と接着面の１０点平均粗さＲｚが０．３μｍ未満であると、第１の銅箔８がプライマー樹脂層２の表面に食い込む凹凸が小さいものとなりすぎて両者の間の接着強度を強固に保つことが困難となる傾向にあり、逆に第１の銅箔８のプライマー樹脂層２との接着面の１０点平均粗さＲｚが１．０μｍを超えると、第１の配線導体３を微細なパターンで形成することが困難となる。したがって、第１の銅箔８のプライマー樹脂層２との接着面の１０点平均粗さＲｚは０．３〜１．０μｍの範囲に特定される。なお、電解銅めっき層９の厚みは５〜２０μｍ程度である。

また、絶縁基板１の下面に被着された第２の配線導体４は、外部電気回路基板に接続される複数の外部接続パッド４ａを含んでいる。外部接続パッド４ａは、直径が１００〜５００μｍ程度の円形であり、１００〜５００μｍの間隔で並んでいる。この第２の配線導体４は、絶縁基板１に直接接着された第２の銅箔１０とその上に被着された電解銅めっき層９とから成り、第２の銅箔１０を下地としたセミアディティブ法により形成されている。具体的には、絶縁基板１の下面に第２の銅箔１０を直接接着した後、第２の銅箔１０の上に第２の配線導体４に対応する開口パターンを有するめっきマスクを被着させるとともに開口パターン内の第２の銅箔１０上に第２の配線導体４に対応するパターンの電解銅めっき層９を被着させ、しかる後、めっきマスクを除去するとともに電解銅めっき層９から露出する下地の第２の銅箔１０をエッチング除去することにより形成されている。

第２の銅箔１０は、厚みが１〜５μｍ程度であり、絶縁基板１との接着面が１０点平均粗さＲｚで１．５〜３．０μｍ程度と粗な面となっている。そのため絶縁基板１の表面に食い込む凹凸が大きい。したがって、絶縁基板１に対する接着強度が大きなものとなり、外部接続パッド４ａと絶縁基板１との間に剥がれが発生することを有効に防止することができる。このとき、第２の配線導体４には、第１の配線導体３ほどに微細なパターンを要求されないで、十分な精度で第２の配線導体４を形成することが可能である。第２の銅箔１０の絶縁基板１との接着面の１０点平均粗さＲｚが１．５μｍ未満であると、第２の銅箔１０が絶縁基板１の表面に食い込む凹凸が小さいものとなりすぎて両者の間の接着強度を強固に保つことが困難となる傾向にあり、逆に第２の銅箔１０の絶縁基板１との接着面の１０点平均粗さＲｚが３．０μｍを超えると、厚みが１〜５μｍの薄い第２の銅箔１０を得ることが困難になる。したがって、第２の銅箔１０の絶縁基板１との接着面の１０点平均粗さＲｚは１．５〜３.０μｍの範囲に特定される。

スルーホール７内に被着されたスルーホール導体５は、スルーホール７の内壁に被着された無電解銅めっき層１１とその上に被着された電解銅めっき層９とから成る。無電解銅めっき層１１の厚みは０．５〜３．０μｍ程度である。このスルーホール導体５により第１の配線導体３と第２の配線導体４とが電気的に接続されている。

さらにスルーホール７の内部および絶縁基板１の上下面にはソルダーレジスト層６が、スルーホール７内を充填するとともに上下面の配線導体３，４における半導体素子接続パッド３ａおよび外部接続パッド４ａを露出させるようにして被着されている。このソルダーレジスト層６は、第１および第２の配線導体３，４およびスルーホール導体５を保護するためのものである。

次に、上述した配線基板を本例の製造方法により製造する方法について図２および図３を基にして説明する。

まず、図２（ａ）に示すように、ガラスクロスに未硬化の熱硬化性樹脂を含浸させて成るプリプレグ１Ｐと、銅箔から成るキャリアシート１２の一方の主面に第１の銅箔８およびプライマー樹脂層２を剥離可能に積層してなるキャリアおよびプライマー樹脂付銅箔１３と、銅箔から成るキャリアシート１４の一方の主面に第２の銅箔１０を剥離可能に積層して成るキャリア付銅箔１５とを準備する。プリプレグ１Ｐの厚みは３０〜３００μｍ程度、キャリアシート１２，１４の厚みは１２〜３５μｍ程度、第１および第２の銅箔８，１０の厚みは１〜５μｍ程度、プライマー樹脂層２の厚みは３〜７μｍ程度である。なお、第１の銅箔８のプライマー樹脂層２側の主面の１０点平均粗さＲｚは０．３〜１．０μｍであり、第２の銅箔１０のキャリアシート１４と反対側の主面の１０点平均粗さＲｚは１．５〜３．０μｍである。なお、第１の銅箔８と第２の銅箔１０とは同じ厚みであることが好ましい。

次に、図２（ｂ）に示すように、プリプレグ１Ｐの上面にキャリアおよびプライマー樹脂付銅箔１３をキャリアシート１２が外側となるようにして積み重ねるとともに、プリプレグ１Ｐの下面にキャリア付銅箔１５をキャリアシート１４が外側となるようにして積み重ね、しかる後、これらを上下からプレスおよび加熱してプリプレグ１Ｐが熱硬化して成る絶縁基板１の上下面にキャリアおよびプライマー樹脂付銅箔１３とキャリア付銅箔１５とを積層一体化させる。これにより、第１の銅箔８がプライマー樹脂層２を介して絶縁基板１の上面に接着されるとともに、第２の銅箔１０が絶縁基板１の下面に直接接着される。なお、このとき、第１の銅箔８は絶縁基板１の上面にプライマー樹脂層２を介して強固に接着される。他方第２の銅箔１０は、絶縁基板１の下面と接着する主面の１０点平均粗さＲｚが１．５〜３．０μｍと粗面であることから、この粗面の凹凸が絶縁基板１の下面に大きく食い込むで、極めて強固に接着される。

次に、図２（ｃ）に示すように、絶縁基板１およびキャリアおよびプライマー樹脂付銅箔１３およびキャリア付銅箔１５の積層体の上面から下面にかけてスルーホール７用の貫通孔７Ａを例えばドリル加工により穿孔する。貫通孔７Ａの直径は、３０〜３００μｍ程度である。なお、貫通孔７Ａはレーザ加工により穿孔されてもよい。

次に、図２（ｄ）に示すように、貫通孔７Ａの内壁およびキャリアシート１２，１４の表面に無電解銅めっき層１１を被着させる。無電解銅めっき層１１の厚みは、０．５〜３．０μｍ程度である。このとき、第１の銅箔８および第２の銅箔１０の表面はそれぞれキャリアシート１２，１４で覆われているので、第１の銅箔８および第２の銅箔１０のキャリアシート１２，１４で覆われた表面には無電解銅めっき層１１が被着されることはない。また、無電解銅めっき層１１が被着されるまでは第１の銅箔８および第２の銅箔１０の表面がキャリアシート１２，１４により保護されているので、その分、第１の銅箔８および第２の銅箔１０に傷や異物が付く危険性が減り、後述するように、第１の配線導体３および第２の配線導体４における断線やショートの発生を抑制することができる。

次に、図２（ｅ）に示すように、絶縁基板１とキャリアおよびプライマー樹脂付銅箔１３とキャリア付銅箔１５との積層体からキャリアシート１２，１４を引き剥がして除去する。これにより上面にプライマー樹脂層２を介して第１の銅箔８が接着されているとともに下面に第２の銅箔１０が直接接着され、かつスルーホール７内に無電解銅めっき層１１が被着された絶縁基板１を得る。

次に、図３（ｆ）に示すように、第１の銅箔８および第２の銅箔１０の表面に、第１の配線導体３および第２の配線導体４のパターンに対応する開口を有するめっきレジスト層Ｒを被着形成する。めっきレジスト層Ｒの厚みは、１５〜５０μｍ程度である。

次に、図３（ｇ）に示すように、めっきレジスト層Ｒから露出する第１の銅箔８の表面および第２の銅箔１０の表面および無電解銅めっき層１１の表面に電解銅めっき層９を被着させる。電解銅めっき層９の厚みは１０〜３０μｍ程度である。

次に、図３（ｈ）に示すように、めっきレジスト層Ｒを剥離して除去する。

次に、図３（ｉ）に示すように、電解銅めっき層９から露出する第１の銅箔８および第２の銅箔１０をエッチング除去することにより、絶縁基板１の上面にプライマー樹脂層２を介して接着された第１の銅箔８およびその上の電解銅めっき層９から成る第１の配線導体３と、絶縁基板１の下面に直接接着された第２の銅箔１０およびその上の電解銅めっき層９から成る第２の配線導体４と、スルーホール７内に無電解銅めっき層１１およびその上の電解銅めっき層９から成るスルーホール導体５とを形成する。この場合、第１の配線導体３は、絶縁基板１の一方の主面にプライマー樹脂層２を介して接着された接着面の１０点平均粗さＲｚが０．３〜１．０μｍの第１の金属箔８を下地としたセミアディティブ法により形成されていることから、半導体素子接続パッド３ａを含むパターンを微細なものとすることができる。また、外部接続パッド４ａを含む第２の配線導体４は、絶縁基板１上に直接接着された接着面の１０点平均粗さＲｚが１．５〜３．０μｍの第２の金属箔１０を下地としたセミアディティブ法により形成されていることから、第２の金属箔１０を介して絶縁基板１に極めて強固に密着し絶縁基板１との間に剥がれが発生することがない。

なお、第１の銅箔８のプライマー樹脂層２との接着面の１０点平均粗さＲｚが０．３μｍ未満であると、第１の銅箔８がプライマー樹脂層２の表面に食い込む凹凸が小さいものとなりすぎて両者の間の接着強度を強固に保つことが困難となる傾向にあり、逆に第１の銅箔８のプライマー樹脂層２との接着面の１０点平均粗さＲｚが１．０μｍを超えると、第１の配線導体３を微細なパターンで形成することが困難となる。したがって、第１の銅箔８のプライマー樹脂層２との接着面の１０点平均粗さＲｚは０．３〜１．０μｍの範囲に特定される。

また、第２の銅箔１０の絶縁基板１との接着面の１０点平均粗さＲｚが１．５μｍ未満であると、第２の銅箔１０が絶縁基板１の表面に食い込む凹凸が小さいものとなりすぎて両者の間の接着強度を強固に保つことが困難となる傾向にあり、逆に第２の銅箔１０の絶縁基板１との接着面の１０点平均粗さＲｚが３．０μｍを超えると、厚みが１〜５μｍの薄い第２の銅箔１０を得ることが困難になる。したがって、第２の銅箔１０の絶縁基板１との接着面の１０点平均粗さＲｚは１．５〜３．０μｍの範囲に特定される。

さらに、第１の銅箔８および第２の銅箔１０の表面には無電解銅めっき層１１が存在しないので、電解銅めっき層９から露出する第１の銅箔８および第２の銅箔１０の除去に必要な時間だけエッチングを行なえばよい。したがって、第１の配線導体３および第２の配線導体４を形成するためのエッチング時間を短縮することができるとともに、第１の配線導体３および第２の配線導体４に対するサイドエッチングも小さくなるので、第１の配線導体３および第２の配線導体４の更なる微細化が可能となる。また、前述したように、無電解銅めっき層１１が被着されるまでは第１の銅箔８および第２の銅箔１０の表面がキャリアシート１２，１４により保護されており、第１の銅箔８および第２の銅箔１０に傷や異物が付く危険性が少ないことから、そのような傷や異物に起因する第１の配線導体３および第２の配線導体４における断線やショートの発生を有効に抑制することができる。

そして最後に、図３（ｊ）に示すように、スルーホール７の内部および絶縁基板１の上下面に、スルーホール７内部を充填するとともに上下面における半導体素子接続パッド３ａおよび外部接続パッド４ａを露出させるソルダーレジスト層６を形成することにより図１に示した配線基板が完成する。

１絶縁基板
２プライマー樹脂層
３第１の配線導体
３ａ半導体素子接続パッド
４第２の配線導体
４ａ外部接続パッド
８第１の銅箔
１０第２の銅箔

Claims

ガラスクロス入りのプリプレグを硬化させて成る絶縁基板の一方の主面に、半導体素子の電極に接続される半導体素子接続パッドを含む第１の配線導体が第１の金属箔を下地としたセミアディティブ法により形成されているとともに、前記絶縁基板の他方の主面に外部電気回路基板に接続される外部接続パッドを含む第２の配線導体が第２の金属箔を下地としたセミアディティブ法により形成されて成る配線基板であって、前記第１の金属箔は、前記絶縁基板上にプライマー樹脂層を介して接着されているとともに該プライマー樹脂との接着面の１０点平均粗さＲｚが０．３〜１．０μｍの平滑面であり、前記第２の金属箔は、前記絶縁基板上に直接接着されているとともに該絶縁基板との接着面の１０点平均粗さＲｚが１．５〜３．０μｍの粗化面であることを特徴とする配線基板。
ガラスクロス入りのプリプレグを硬化させて成る絶縁基板の一方の主面に、該絶縁基板側の１０点平均粗さＲｚが０．３〜１．０μｍの第１の金属箔がプライマー樹脂層を介して接着されているとともに、前記絶縁基板の他方の主面に、該絶縁基板側の１０点平均粗さＲｚが１．５〜３．０μｍの第２の金属箔が直接接着されて成る積層体を準備する工程と、前記一方の主面に半導体素子の電極に接続される半導体素子接続パッドを含む第１の配線導体を前記第１の金属箔を下地としたセミアディティブ法により形成するとともに前記他方の主面に外部電気回路基板に接続される外部接続パッドを含む第２の配線導体を前記第２の金属箔を下地としたセミアディティブ法により形成する工程とを行なうことを特徴とする配線基板の製造方法。