JP2012099516A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】単結晶シリコンからなる基板10に対して、焦点位置を移動させてレーザ光Lをパルス照射し、前記単結晶シリコンを部分的に多結晶化して、前記単結晶シリコン中に連続した改質層11を形成する改質層形成工程と、前記改質層11をエッチングして除去するエッチング工程と、を備える半導体装置の製造方法とする。
【選択図】図2
Description
(他の実施形態)
上記した半導体装置の製造方法において、レーザ光の波長は、1000nm以上、1100nm以下が好適である。しかしながらこれに限らず、例えばレーザ光の平均パルスエネルギーを大きく設定すれば、レーザ光の波長は、1100nmより大きくてもよい。尚、レーザ光の波長が1000nmより小さい場合には、基板表面での吸収が支配的となり、基板内部に到達し難くなるので好ましくない。
L レーザ光
PS パルススポット
MR パルス多結晶化領域
PL 焦点位置の移動の面内ピッチ
PD 焦点位置の移動の深さピッチ
11,11a〜11d 改質層
30 センサ
34 除去領域
35 ダイヤフラム
40 容量式加速度センサ
Claims (19)
- 単結晶シリコンからなる基板に対して、焦点位置を移動させてレーザ光をパルス照射し、前記単結晶シリコンを部分的に多結晶化して、前記単結晶シリコン中に連続した改質層を形成する改質層形成工程と、
前記改質層をエッチングして除去するエッチング工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記レーザ光の波長が、1000nm以上、1100nm以下であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記レーザ光の平均パルスエネルギーが、2.5μJより大きいことを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記平均パルスエネルギーが、15μJ以下であることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記平均パルスエネルギーが、6.25μJ以上、12.5μJ以下であることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記焦点位置の移動方向が、基板面に平行方向であり、
前記焦点位置の移動の面内ピッチが、5μm以下であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記面内ピッチが、2μm以上、4μm以下であることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記焦点位置の移動方向が、基板面に垂直方向であり、
前記焦点位置の移動の深さピッチが、27μm以下であることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記深さピッチが、10μm以上、25μm以下であることを特徴とする請求項8に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体装置として、ダイヤフラムを有するセンサを適用するものであり、
前記改質層形成工程とエッチング工程を、前記ダイヤフラムの形成に適用することを特徴とする請求項1乃至9のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記改質層形成工程において、前記ダイヤフラムの下方の除去領域に対して、該除去領域の界面に沿って前記改質層を形成し、
前記エッチング工程において、前記改質層をエッチングして除去することにより、前記除去領域を刳り貫いて、前記ダイヤフラムを形成することを特徴とする請求項10に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記エッチングが、ウェットエッチングであることを特徴とする請求項11に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ダイヤフラムの基板面における最大幅が、600μm以下であることを特徴とする請求項12に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記最大幅が、350μm以下であることを特徴とする請求項13に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記改質層を、最終的に形成する前記ダイヤフラムと10μm以上、30μm以下の間隔をとって、基板面に平行に形成することを特徴とする請求項10乃至14のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体装置として、印加される力学量に応じて変位する可動部と変位しない固定部を有する半導体力学量センサを適用するものであり、
前記改質層形成工程とエッチング工程を、前記可動部と固定部の形成に適用することを特徴とする請求項1乃至9のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記半導体装置として、トレンチゲートを有するトランジスタを適用するものであり、
前記改質層形成工程とエッチング工程を、前記トレンチゲートの形成に適用することを特徴とする請求項1乃至9のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記基板が、単結晶シリコン基板であることを特徴とする請求項1乃至17のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記基板が、単結晶シリコン中に酸化膜が埋め込まれたSOI基板であることを特徴とする請求項1乃至17のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
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