JP2012094916A - 光学式撮像装置、システムおよび方法 - Google Patents

光学式撮像装置、システムおよび方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2012094916A
JP2012094916A JP2012022377A JP2012022377A JP2012094916A JP 2012094916 A JP2012094916 A JP 2012094916A JP 2012022377 A JP2012022377 A JP 2012022377A JP 2012022377 A JP2012022377 A JP 2012022377A JP 2012094916 A JP2012094916 A JP 2012094916A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
diaphragm
region
optical imaging
opening
radial direction
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2012022377A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2012094916A5 (ja
JP5444390B2 (ja
Inventor
Hermann Beke
ヘルマン ビーク
Marcus Will
マルクス ヴィル
Thomas Bischoff
トーマス ビショフ
Yim-Bun Patrick Kwan
イム−ブン パトリック クワン
Uy-Liem Nguyen
ユー−リーム グエン
Stefan Xalter
ステファン クサルター
Muhlbauer Michael
ミカエル ミュールベイヤー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Carl Zeiss SMT GmbH
Original Assignee
Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Carl Zeiss SMT GmbH filed Critical Carl Zeiss SMT GmbH
Publication of JP2012094916A publication Critical patent/JP2012094916A/ja
Publication of JP2012094916A5 publication Critical patent/JP2012094916A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5444390B2 publication Critical patent/JP5444390B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70191Optical correction elements, filters or phase plates for controlling intensity, wavelength, polarisation, phase or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0279Ionlithographic processes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274Photolithographic processes
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
    • G02B5/005Diaphragms
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B13/00Optical objectives specially designed for the purposes specified below
    • G02B13/14Optical objectives specially designed for the purposes specified below for use with infrared or ultraviolet radiation
    • G02B13/143Optical objectives specially designed for the purposes specified below for use with infrared or ultraviolet radiation for use with ultraviolet radiation
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B17/00Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
    • G02B17/02Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03BAPPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B9/00Exposure-making shutters; Diaphragms
    • G03B9/02Diaphragms
    • G03B9/04Single movable plate with two or more apertures of graded size, e.g. sliding plate or pivoting plate
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70241Optical aspects of refractive lens systems, i.e. comprising only refractive elements
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/7025Size or form of projection system aperture, e.g. aperture stops, diaphragms or pupil obscuration; Control thereof
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70808Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
    • G03F7/70825Mounting of individual elements, e.g. mounts, holders or supports
    • GPHYSICS
    • G21NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21KTECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K1/00Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
    • G21K1/02Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diaphragms, collimators
    • G21K1/04Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diaphragms, collimators using variable diaphragms, shutters, choppers
    • GPHYSICS
    • G21NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21KTECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K1/00Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
    • G21K1/06Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diffraction, refraction or reflection, e.g. monochromators
    • G21K1/067Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diffraction, refraction or reflection, e.g. monochromators using surface reflection, e.g. grazing incidence mirrors, gratings

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Diaphragms For Cameras (AREA)

Abstract

【課題】ダイアフラムを備える光学式撮像装置を提供する。
【解決手段】本発明による光学式撮像装置は、光線経路に配置された複数の光学素子と、開口部、第1領域、および第2領域を有するダイアフラムであり、第2領域が、ダイアフラムの径方向に沿って第1領域の内側に延在する、ダイアフラムと、格納部と、を備え、格納部は、複数の光学素子の前記光線経路外に配置され、ダイアフラムは、格納部内の第1位置と、光線経路内の第2位置との間で移動可能であり、第2領域は、第1領域に対して、ダイアフラムの径方向に対して垂直方向に沿って外側に延在する、ことを特徴とする。
【選択図】図3

Description

本発明は、光学式撮像装置、特に、半導体素子製造用EUVL分野におけるマイクロリソグラフィを目的とし、光線経路と、複数の光学素子と、調整可能なダイアフラム開口部形状を有するダイアフラム装置とを備えたものに関する。
光学式撮像装置のシステムダイアフラムとして、種々のダイアフラムが利用されていることが一般的に知られている。光学式撮像装置の光線経路における光線束の直径は、特に、開口径を変更可能なこれらダイアフラムによって変更することができる。
一般的に鎌形状からなり、一端が固定マウントに回転自在に支持された薄いブレイドを少なくとも4つ、大抵はそれ以上備えた所謂アイリスダイアフラムが特に普及している。この配置では、ブレイドの他端が、回転リングの溝やスロットに挿入されたピンを備えた案内装置として設けられ、回転リングが回転することによって、ブレイドが移動し、ダイアフラムの残存開口径を変更できる。
ドイツ特許公報DE 101 11 299 A1は、そのようなアイリスダイアフラムを開示しており、特に、半導体リソグラフィにおける露光目的のものであって、複数のブレイドを備え、これらのブレイドが案内部材によって案内され、ダイアフラムの開口部を調整する目的で設けられた少なくとも1つの駆動装置によって、これらのブレイドが駆動可能なものを開示している。案内部材は、アイリスダイアフラムの光軸に対する放射方向で少なくともほぼ直線的にブレイドを移動可能に設計されている。
ドイツ特許公報DE 199 55 984 A1は、光学式撮像装置を絞るための更なるダイアフラムを開示している。
既知のダイアフラムのうち、特に、ブレイドによって連続的な調整が可能なアイリスダイアフラムは、主にEUVL分野におけるマイクロリソグラフィ用の光学システムを絞る用途には不適合となっている。それは、この分野において、取付可能な空間に関してより厳しい要求がなされ、これらの構造では満たし得なくなっているからである。
そこで、小さな取付空間しか必要としないダイアフラムを用いて絞ることが可能な最初に述べた形式の光学撮像装置を開発することを本発明の目的とする。
この目的は、ダイアフラム装置が、複数の異なるダイアフラム開口部を格納したダイアフラム格納部を備え、各ダイアフラム開口部が、固定された形状を有し、光線経路に導入され得るという事実に基づく本発明により達成される。
本発明による方策は、単純且つ有利な方法で、ダイアフラム開口部形状が不変で、非常に小さな空間に格納可能なダイアフラム機構を備えた光学式撮像装置を開発することである。ダイアフラム開口部形状の幾何学形状に制限がなく、円形や、楕円形、または他の幾何学形状をダイアフラム開口部に用いることができる。既知のブレイド型アイリスダイアフラムに対して、移動される質量が比較的小さく、光学式撮像装置におけるダイアフラムの交換を非常に迅速に行うことができる。最も多彩な形式の複数のダイアフラムが、ダイアフラム開口部を備えた既存のダイアフラム格納部によって使用されるようになる。
ダイアフラム格納部が回転ディスクダイアフラム群として設計される場合、具体的には、ダイアフラム格納部が光学式撮像装置の外部に配置される場合、更に、ダイアフラム開口部を設けられた複数の回転ディスクダイアフラムを備え、更に、具体的には、回転ディスクダイアフラムが別体のプラグインユニットに収容される場合に、非常に有利である。
これらの方策によって、具体的には、光学式撮像装置外部におけるダイアフラム装置の設計における更なる空間の節約が可能となる。その結果、回転ディスクダイアグラム群に比較的多くの異なる回転ディスクダイアフラムを積み重ねることができる。内部に配置することと対比してみると、光学式撮像装置外部にダイアフラム装置を配置することは、更に、ダイアフラム装置による光学式撮像装置の汚染を最小限にする。更に、このダイアフラム装置は、光学式撮像装置における光学素子にひどい振動を誘発しないように光学式撮像装置と力学的に分離することができる。
更に、2つのローラに巻かれて張力がかけられた板金ストリップをダイアフラム格納部として設け、この板金ストリップが複数の固定形状のダイアフラム開口部を備え、具体的には、種々の固定形状のダイアフラム開口部を複数備え、ローラを回転させてダイアフラム開口部を変更することで、ダイアフラムの調整が可能である本発明の一体構造形態を提供できる。
この結果、各種のダイアフラムの非常に高い動的調整が可能となり、各種のダイアフラムを非常に小さな空間に格納することができる。移動される質量が比較的小さく、ダイアフラム開口部の幾何学形状に制限がない。ダイアフラムの交換を迅速に行うことができる。
本発明の有利な改良と展開は、更なる従属請求項に挙げられている。本発明の各実施形態は、図面を用いて以下に概ね説明されている。
標準的な光線経路を有した、EUVL分野におけるマイクロリソグラフィを行うための投影対物レンズの詳細を示す。 図1aにおける投影対物レンズに適した回転ディスクダイアフラムの上面図を示す。 図1aにおける投影対物レンズの光線経路に導入可能な複数の回転ディスクダイアフラムを備えた回転ディスクダイアフラム群の説明図を示す。 回転ディスクダイアフラムの3つの実施形態の側面図を示す。 回転ディスクダイアフラム群を備えたダイアフラム装置の一実施形態の説明図を示す。 回転ディスクダイアフラム群を備えたダイアフラム装置の一実施形態の説明図を示す。 回転ディスクダイアフラム群を備えたダイアフラム装置の一実施形態の説明図を示す。 リフト装置と、保持装置と、回転ディスクダイアフラムの絞りとしてのスプリング部材とを備えたダイアフラム装置の図を示す。 回転ディスクダイアフラムの位置決めをする電磁保持装置の一実施形態の説明図を示す。 回転ディスクダイアフラムの位置決めをする電磁保持装置の一実施形態の説明図を示す。 回転ディスクダイアフラムの位置決めをする電磁保持装置の一実施形態の説明図を示す。 ミラーの汚染監視手段の一実施形態の説明図を示す。 ミラーの汚染監視手段の一実施形態の説明図を示す。 リフト装置を備えた独創的な外部ダイアフラム装置の側面図を示す。 リスト装置を備えたダイアフラム装置の更なる実施形態の側面図を示す。 リフト装置の一実施形態の斜視図を示す。 リフト装置の一実施形態の斜視図を示す。 リフト装置の一実施形態の斜視図を示す。 回転ディスクダイアフラム群を降ろすロボット把持アームの斜視図を示す。 板金ストリップを巻かれた2つのローラを備えたダイアフラム装置の更なる実施形態の斜視図を示す。 図12のダイアフラム装置の側面図を示す。 光源、照明システム、投影対物レンズを備えたEUV投射露光装置の設計原理を示す。
図1aは、EUVL分野で使用される投影対物レンズ1の詳細を示している。投影対物レンズ1は、投影対物レンズ1における破線で描かれたハウジング1aに付設されたミラー3間に標準的な光線経路2と、対象面4(図14に詳細を説明する)とを有している。
光線経路2内に配設されているのは、投影対物レンズ1の光線を絞るためのダイアフラム開口部6を有したダイアフラム5である。図に示すように、ここでは、ダイアフラム5の特性と取付空間に関して厳しい要求がなされている。この要求は、主に円で強調されたダイアフラム5の側面5’に対してされている。したがって、図1bに図示されているように、ダイアフラム開口部6は、中心からずらされているべきである。ダイアフラム5におけるダイアフラム開口部6のこのような不可欠な配置と、投影対物レンズ1における小さな取付空間とが、従来の連続的に調整可能な(例えば、ブレイドによる)アイリスダイアフラムをこのような投影対物レンズ1、特に、EUVL分野における動作波長に使用することを困難にしている。
図2は、投影対物レンズ1の詳細を示す。投影対物レンズ1は、回転ディスクダイアフラム群7a,7bを有するダイアフラム装置7を備える。回転ディスクダイアフラム群7a,7bは、個別のダイアフラム5を備える。ダイアフラム5は、固定された形状を有する(図1b参照)回転ディスクダイアフラムとして設計され、上下に積み重ねられている。ダイアフラム開口部6は、図示された円形状に代えて、楕円形やその他の形状となっていてもよい。回転ディスクダイアフラム5は、好ましくは、ダイアフラム群7a,b内の第1位置から、矢印8で示された方向に沿って、投影対物レンズ1の光線経路2内の第2位置へ導入され、作動位置9(点線で示す)へ至る。図1bに示すように、回転ディスクダイアフラム5は、光線に隣接する側に幅の狭い縁を備え、残りの外周全体に幅が広い縁を備えるように成形されている。
図3a〜図3cに示すように、光線方向の上流側に配設されたミラー3に対する回転ディスクダイアフラム5a〜5cの最適な物理的間隔は、ダイアフラムのサイズの違いによって異なる。これを確実にするため、回転ディスクダイアフラム5a〜5cをミラー3に対して一定の高さhに配置する際に、ミラー3には、これらの配置のレンジ10に対して異なる高さが付与される。ダイアフラム5bおよび5cは、それぞれ、第1領域Iおよび第2領域IIを有し、第2領域Iは、ダイアフラム5bおよび5cの径方向に沿って第1領域Iの内側に位置する。さらに、ダイアフラム5bおよび5cは、第1領域Iおよび第2領域IIの間に、第1領域Iおよび第2領域IIに対して平行ではない第3領域IIIを有する。
図4aに図示するように、回転ディスクダイアフラム群7aは、複数の回転ディスクダイアフラム5を備え、これら回転ディスクダイアフラム5は、個別のプラグインユニット11に収容されている。各プラグインユニット11は、全てのプラグインユニット11に対して共通な連接部材(図示せず)によって、個別に回し出される(図4aの矢印12によって示す)。いずれ後述するように、この回し出されによって、各回転ディスクダイアフラム5が回し出されたのち、投影対物レンズ1の光線経路2を通って作動位置9へとリフトされ得る(図4aに点線矢印8によって示す)。プラグインユニット11の回転動作は、歯車駆動部によってなされる。歯車駆動部は、リフト機構もしくはモジュールハウジングに取り付けられ、プラグインユニット11が通過する際に当該駆動部の歯車の歯を動かすように配置される。あるいは、他の実施形態においては、他の駆動機構、具体的には、摩擦車、電磁クラッチ、あるいはロータが組み込まれた特別なモータをプラグインユニット11に設けることも可能であると考えられる。
本実施形態では、プラグインユニット11は全て同一の高さを有している。しかしながら他の実施形態では、種々のサイズのダイアフラム(図3a〜3cを比較)を使用できるように、これらのプラグインユニット11は異なる高さを有していてもよい。
回転ディスクダイアフラム5が作動位置9へ到達すると、回転ディスクダイアフラム5は、保持装置もしくは絞り13に連結する。保持装置13によって、回転ディスクダイアフラム5を繰り返しマイクロメートル範囲で精密に位置決めできる。これにより、個別のプラグインユニット11や、全体的なリフト機構(矢印8で示す)の精度要求が削減される。
図4bから明らかなように、別の実施形態においては、作動位置9へ回転ディスクダイアフラム5をリフトする代わりに、適切な回転ディスクダイアフラム5が保持装置13と実質的に同じ高さに到達するまで回転ディスクダイアフラム群7bを垂直方向(矢印8’で示す)に移動させたのち、適切な回転ディスクダイアフラム5を収容したプラグインユニット11を回し出し、更に一可能性として僅かな垂直移動(矢印8)を加えて、保持装置13に連結することも可能である。この実施形態は、ダイアフラム交換機構がミラー3の前に非常に小さな空間を必要とするだけで、この空間を追加システム(ミラークリーニングシステムなど)のために空けることができるという利点がある。垂直移動可能な回転ディスクダイアフラム群7bの作動領域14は、図4cにおいて、破線もしくは点線で図示されている。追加システム15のための自由領域15も同様である。
特に、EUVL分野において、投影対物レンズ1は、例えばミラー3といった投影対物レンズ1における個別の光学素子の互いに対する動きとこれらの取付機構に対する動きとの双方に対して非常に敏感である。干渉的な振動の伝達を最小限とするために、投影対物レンズ1は、振動から分離されている。更に、投影対物レンズ1内部の個別の部材は、互いに堅く(高い固有振動数を有するよう)連結されており、通常は低い振動数からなる残留振動によって揺動しても、剛体として互いに動くようになっている。
全体として十分に高い固有振動数を有するダイアフラム装置7の実施形態を開発するのは困難である。そのためには、比較的大きな質量を移動させなければならないとともに、取付空間が制限されているからである。結果として、動力運動(振動)は、ダイアフラム装置7によって投影対物レンズ1全体に伝達される。しかしながら、投影対物レンズ1の他の光学素子に対するダイアフラム5の相対位置は、一般的に、あまり重大ではない。
この問題に対する可能な解決策は、ダイアフラム装置7全体を投影対物レンズ1から力学的に分離した別体の機構に取り付けることである。しかしながら、これでは、投影対物レンズ1にてダイアフラムを正確に位置決めすることがより難しくなる。
別の解決策は、選択された回転ディスクダイアフラム5を保持装置13とともにダイアフラム装置7の他の部分(回転ディスクダイアフラム群7a,7b、プラグインユニット11、リフト機構、ハウジングなど)から分離して、これらを異なる構造体に配設し、保持装置13を光学式撮像装置もしくは投影対物レンズ1に直接固定することである。ダイアフラム装置7の他の部分は、別体の機構に取り付ければよい。
別の可能な解決策は、保持装置13とリフト機構16との双方を投影対物レンズ1に固定するとともに、ダイアフラム装置7の他の部分を別体の構造体に取り付けることである。
保持装置13によって、回転ディスクダイアフラム5は、確実に、6自由度を有する状態で、投影対物レンズ1に対して精密に位置決めされる。更に、重力や他の干渉力に抗して、回転ディスクダイアフラム5を保持装置3に保持もしくは固定する必要もある。ミラー表面を粒子で汚染してしまうことを防止するために、回転ディスクダイアフラム5は、できる限り静かに固定されるべきである。
図5に描かれているように、回転ディスクダイアフラム5は、リフト装置16によって離脱位置から作動位置9へと搬送され、そこで保持装置13に保持される。図5に図示されたダイアフラム装置7の場合、主としてダイアフラム交換機構における回転機構を用いることが好ましい。それは、並進機構に比べ、例えば摩擦力によって生じる、汚染を引き起こす粒子がほとんど発生しないからである。図5に更に図示されているように、保持装置13において回転ディスクダイアフラム5を保持する実質的に一定の力は、剛性の低いスプリング部材17による単純且つ有利な方法で発生されている。スプリング部材17は、回転ディスクダイアフラム5の作動位置9に対してスプリング部材17が大きな圧縮偏差を生じてしまうことを防止するために、予め圧縮されているべきである。矢印18は、投影対物レンズ1における分離配置されたハウジング1a(破線で示す)と、同様に分離配置された投影対物レンズ1の残りの部分(破線ボックス19)との力学的な分離もしくは振動の分離を表している。
図6a〜6cは、回転ディスクダイアフラム5を固定及び/または位置決めする保持装置13の種々の実施形態を図示している。
図6aから明らかなように、保持装置13aは、永久磁石20と、コイル巻線22を施された軟鋼コア21とを備えている。回転ディスクダイアフラム5(ここでは詳細を図示せず)も同様に、軟鋼コア21’を対向側に備え、その電磁力によって保持されている。これは、更なる粒子汚染の事例につながり得る、むき出しの機械的可動部品をごく僅かにする、もしくは一切なくすという効果がある。
図6bに図示されているように、保持装置13bは、部品23に設けられ、固定部品23’と永久磁石20とを備える。回転ディスクダイアフラム5は、軟鋼コア21を備え、それによって回転ディスクダイアフラム5は保持装置13bに保持される。加えて、リフト装置16(図6bでは詳細を図示せず)は、切替可能な電磁石20’を備え、電磁石20’は、ダイアフラム交換時に保持装置13bからダイアフラムを緩めるように切り替えられる。
図6cに図示されているのは、第3実施形態の保持装置13cであり、本質的に図6bの保持装置13bに相当している。回転ディスクダイアフラム5の切欠25に係合した柔軟なスプリング部材24がこの実施形態では更に挿入されている。
図7aは、保持装置13dを回転ディスクダイアフラム5dとともに示している。ここでは、更にミラー汚染監視手段が設けられている。これは、回転ディスクダイアフラム5の開口部に沿って配設された複数の細いタングステン導線26によって達成されている。この目的のため、回転ディスクダイアフラム5dは、例えばセラミックやこれに類似した絶縁材料から作られている。タングステン導線26との電気的接続は、回転ディスクダイアフラム5dの軸受部位27上の3つの接点で達成されている。
図7bは、汚染監視手段の別実施形態を示している。ここでは、複数のタングステン導線26は、リフト装置16に一体化されている。
図8に示されているように、垂直方向に移動可能な回転ディスクダイアフラム群7bは、投影対物レンズ1の外部、もしくは、そのハウジング1aの外部に配設されている。これは、投影対物レンズ1を回転ディスクダイアフラム群7bによる汚染から保護するものである。回転ディスクダイアフラム群7bは、可動するロボット把持アームとして設計された供給装置28を設けられている。供給装置28は、回転ディスクダイアフラム群7bから対応する回転ディスクダイアフラム5を取り出し、回転ディスクダイアフラム5を投影対物レンズ1の光線経路2へ挿入するために設けられた開口部29を介して、回転ディスクダイアフラム5を投影対物レンズ1の光線経路2へ挿入する。追加的なリフト装置16’(簡略的に図示)は、同様に投影対物レンズ1の外部に配設され、回転ディスクダイアフラム5を保持装置13へ搬送し、そして、回転ディスクダイアフラム5は、作動位置9に固定される。既に上述したように、ダイアフラム交換機構及びリフト装置16’は、力学的に分離する方法で異なる構造体に取り付け可能である。リフト装置16’の柔軟なスプリング17によって力学的に分離された接続が確保される。投影対物レンズ1もしくはハウジング1aの開口部29は、作動中に閉鎖される。
図9では、リフト装置16’’が、投影対物レンズ1のハウジング1a内部へ導入され、取り付けられている。粒子汚染を防止もしくは最小限にするために、互いに摺動もしくは回転する表面は極力最小限に減らされている。これは、固定結合部や適切なアクチュエータ(音声コイルアクチュエータ、ローレンツアクチュエータ)によって実現できる。表面は、分子汚染の発生を防止するために最小限にされ、更に、脱ガス率の低い適切な材質(樹脂や潤滑油が付随していない鋼)のみが使用される。軸受の潤滑は、固体結合部を使用することで省くことができる。投射光学系の構造を力学的に損なわないように、質量は小さく維持され、あるいは、リフト装置16’’の固有振動数はできるだけ高く維持される。
図9から更に明らかなように、リフト装置16’’は、回転ディスクダイアフラム5のための保持装置13を備えている。回転ディスクダイアフラム5は、供給装置28上に配置される板金として構成されている。供給装置28は、ミラー3の下の投射光学系へ回転ディスクダイアフラム5を搬送する。回転ディスクダイアフラム5は、リフト装置16’’が上昇する際に供給装置28から持ち上げられる。リフト装置16’’は、内部絞りの反対に駆動する。回転ディスクダイアフラム5は、自重により保持装置13上に配置される。上方への持ち上がりは、例えば保護カバー(図10aと対比)によって防止できる。回転ディスクダイアフラム5は、脱落したり、ミラー3と衝突し得ない。
続く図10a〜10cは、図9のリフト装置16’’の構造形態16a,16b,16cを示す。これらは、操作用の音声コイルアクチュエータ(詳細は図示せず)を備えている。回転結合部は、それぞれ固体結合部30として設計されている。
図10aに図示したように、保護カバー31は、揺動体として構成されたリフト装置16aに回転ディスクダイアフラム5を持ち上げさせてしまうことを防止する。リフト装置16a〜16cは、各々の持ち上がり動作の終了位置を規定する内部停止端を備えている。リフト装置16aのステアリング動作は、矢印32によって示されている。
図10bは、リフト装置16bを示している。リフト装置16bは、一組のスケールとして設計され、平行四辺形状のガイドを備えている。この場合、回転ディスクダイアフラム5をほぼ垂直に上方へ移動させることができるという利点がある。
パンタグラフ型リフト装置16cが図10cに描かれている。
図11は、ロボット把持アームとして設計された供給装置28を示す。回転ディスクダイアフラム5を供給装置28のレセプタクルからリフト装置16a,16b,16cによって下から引き出すことができる。ロック機構33は、搬送中に回転ディスクダイアフラム5を固定する。他の実施形態において、回転ディスクダイアフラム5は、両側から取り付けることができるように、対照的に成形されていてもよい。加えて、供給装置28は、二重把持部として、つまり、2つの回転ディスクダイアフラム5を収容するための2つのレセプタクルを備えるように設計されていてもよい(図示せず)。それにより、ダイアフラムの交換に要する時間が実質的に短くなる。交換中、供給装置28は、回転ディスクダイアフラム5とともに投影対物レンズ1の投射光学系へと移動する。既に投射光学系に配置され、交換される回転ディスクダイアフラム5は、第2の(空の)レセプタクルに置かれる。新たな回転ディスクダイアフラム5は、リフト装置16a,16b,16cによって運ばれる。それゆえ、ダイアフラムの交換中、供給装置28の投射光学系への移動が1回少なくて済む。
投影対物レンズ1に用いるダイアフラム装置7’の更なる実施形態は、図12に図示されている。ここでの大きな利点は、小さな取付空間しか必要としないにもかかわらず、ダイアフラム交換の機構が改善されたことである。図示されているように、投射光線34は、板金ストリップ7cによって絞られる。板金ストリップ7cには、開口部35が設けられ、開口部35は、光学的要求に応じた最適な固定的幾何学形状を有している。板金ストリップ7c上には、ダイアフラムとして更なる開口部35が隣接して形成されている。開口部35の配列は、要件に応じたダイアフラム交換の適切な速度を確保するために変更可能である。
板金ストリップ7cは、2つのローラ36に巻かれている。これらは、板金ストリップ7cが折り目を生じないように駆動され、張力がかけられている。2つの追加的な張力案内ローラ37は、光線方向にダイアフラムが移動することを防止するために設けられている。その結果、特に、ローラ36(巻かれた板金ストリップ7cを含む)の径の変化が、板金ストリップ7cの傾いた位置によって顕著に影響されることはない。
ダイアフラム開口部35の最適な位置は、板金ストリップ7cのエッジにあるマーキング38を介して適切なセンサ(図示せず)を使用することで測定できる。しかしながら、別の実施形態における他の方法も考えられる。
図12のダイアフラム装置7’の前面図は、図13に図示されている。
図14に示すように、EUV投射露光装置40は、光源41と、パターンベアリングマスクが設けられた対象面4の領域を照射するEUV照明システムと、ハウジング1aと対象面4のパターンベアリングマスクを感光性基板43に撮像する光線経路2(破線で示す)とを有する投影対物レンズ1とを備える。投影対物レンズ1を絞るダイアフラム5は、点線で示されている。

Claims (20)

  1. 光学式撮像装置であって、
    光線経路に配置された複数の光学素子と、
    開口部、第1領域、および第2領域を有するダイアフラムであり、該ダイアフラムの前記第2領域が、前記ダイアフラムの径方向に沿って前記ダイアフラムの前記第1領域の内側に延在する、ダイアフラムと、
    前記ダイアフラムを格納可能な格納部と、を備え、
    前記格納部は、前記複数の光学素子の前記光線経路外に配置され、
    前記ダイアフラムは、前記格納部内の第1位置と、前記光線経路内の第2位置との間で移動可能であり、
    前記ダイアフラムの前記第2領域は、前記ダイアフラムの第1領域に対して、前記ダイアフラムの径方向に対して垂直方向に沿って外側に延在する、
    ことを特徴とする光学式撮像装置。
  2. 前記ダイアフラムの前記第2領域は前記ダイアフラムの前記開口を画定することを特徴とする、請求項1に記載の光学式撮像装置。
  3. 前記ダイアフラムは前記第2位置に位置し、
    前記複数の光学素子は、前記ダイアフラムの最も近くに位置する第1光学素子を含み、
    前記ダイアフラムの前記第2領域と前記第1光学素子との間の距離は、前記ダイアフラムの前記第1領域と前記第1光学素子との間の距離よりも短いことを特徴とする、請求項1に記載の光学式撮像装置。
  4. 前記ダイアフラムは、前記第1および第2領域の間に第3領域を有し、前記ダイアフラムの前記第3領域は、前記ダイアフラムの前記第1および第2領域に対して平行ではないことを特徴とする、請求項1に記載の光学式撮像装置。
  5. 前記ダイアフラムの前記第1領域は、前記ダイアフラムの前記第2領域に対して平行であることを特徴とする、請求項1又は4に記載の光学式撮像装置。
  6. 前記複数の光学素子は少なくとも1つのミラーを含む、請求項1に記載の光学式撮像装置。
  7. 前記複数の光学素子は、極紫外線について使用されるように構成されたことを特徴とする、請求項1に記載の光学式撮像装置。
  8. 前記光学式撮像装置は、対物レンズを含み、
    該対物レンズは、前記光線経路を有する前記複数の光学素子を含むことを特徴とする、請求項1に記載の光学式撮像装置。
  9. 前記対物レンズは、さらにハウジングを含み、前記複数の光学素子は前記ハウジング内に配置されることを特徴とする、請求項8に記載の光学式撮像装置。
  10. 前記格納装置は前記ハウジング外に配置されることを特徴とする、請求項9に記載の光学式撮像装置。
  11. 前記ハウジングは、前記ダイアフラムが前記第1位置と前記第2位置との間を移動する際に通過可能に構成された開口を有することを特徴とする、請求項10に記載の光学式撮像装置。
  12. 前記格納部は複数のダイアフラムを備え、
    該複数のダイアフラムは、開口、第1領域および第2領域を有する他のダイアフラムを含み、前記他のダイアフラムの前記第2領域が、前記第2ダイアフラムの径方向に沿って前記他のダイアフラムの前記第一領域の内側に延在し、
    前記他のダイアフラムは、前記格納部内の第1位置と、前記光線経路内の第2位置との間で移動可能であり、
    前記他のダイアフラムの前記第2領域は、前記他のダイアフラムの第1領域に対して、前記他のダイアフラムの径方向に対して垂直方向に沿って外側に延在する、
    ことを特徴とする、請求項1に記載の光学式撮像装置。
  13. 光線経路を有し、開口部を有するハウジングおよび前記光線経路内に配置されたミラーを備えるマイクロリソグラフィ対物レンズと、
    開口部、第1領域および第2領域を有するダイアフラムであり、該ダイアフラムの前記第2領域が、前記ダイアフラムの径方向に沿って前記ダイアフラムの前記第一領域の内側に延在し、前記ダイアフラムの前記第2領域は前記ダイアフラムの前記開口を画定する、ダイアフラムと、
    前記ダイアフラムを格納可能な格納部と、を備え、
    前記格納部は前記ハウジング外に配置され、
    前記ダイアフラムは、前記ハウジング内の開口部を介して、前記格納部内の第1位置と、前記光線経路内の第2位置との間で移動可能であり、
    前記ダイアフラムの前記第2領域は、前記ダイアフラムの第1領域に対して、前記ダイアフラムの径方向に対して垂直方向に沿って外側に延在する、
    ことを特徴とする、システム。
  14. 前記ダイアフラムが前記第2位置にあるときに、前記ミラーは前記ハウジング内において前記ダイアフラムに最も近い光学素子であり、前記ダイアフラムの前記第2領域と前記ミラーとの間の距離は、前記ダイアフラムの前記第1領域と前記ミラーとの間の距離よりも短いことを特徴とする請求項13に記載のシステム。
  15. 前記ダイアフラムは、前記第1および第2領域の間に第3領域を有し、前記ダイアフラムの前記第3領域は、前記ダイアフラムの前記第1および第2領域に対して平行ではないことを特徴とする、請求項13に記載のシステム。
  16. 前記ダイアフラムの前記第1領域は、前記ダイアフラムの前記第2領域に対して平行であることを特徴とする、請求項13又は15に記載のシステム。
  17. マイクロリソグラフィ対物レンズのハウジング外の第1位置から前記マイクロリソグラフィ対物レンズの光線経路内の第2位置にダイアフラムを移動させるステップを含み、
    前記ダイアフラムは開口部、第1領域、および前記ダイアフラムの径方向に沿って前記第1領域の内側に延在する第2領域を有し、前記ダイアフラムの前記第2領域は前記ダイアフラムの第1領域に対して、前記ダイアフラムの径方向に対して垂直方向で外側に延在することを特徴とする方法。
  18. 前記ダイアフラムの前記開口部は前記ダイアフラムの径方向で円形である、請求項1に記載の光学式撮像装置。
  19. 前記ダイアフラムの前記開口部は前記ダイアフラムの径方向で円形である、請求項13に記載のシステム。
  20. 前記ダイアフラムの前記開口部は前記ダイアフラムの径方向で円形である、請求項17に記載の方法。
JP2012022377A 2003-10-29 2012-02-03 光学式結像装置、システムおよび方法 Expired - Fee Related JP5444390B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10350545 2003-10-29
DE10350545.8 2003-10-29

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005510712A Division JP5065596B2 (ja) 2003-10-29 2003-12-18 ダイアフラム交換装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013231362A Division JP5882286B2 (ja) 2003-10-29 2013-11-07 光学システム及び露光装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2012094916A true JP2012094916A (ja) 2012-05-17
JP2012094916A5 JP2012094916A5 (ja) 2013-12-26
JP5444390B2 JP5444390B2 (ja) 2014-03-19

Family

ID=34608889

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005510712A Expired - Fee Related JP5065596B2 (ja) 2003-10-29 2003-12-18 ダイアフラム交換装置
JP2012022377A Expired - Fee Related JP5444390B2 (ja) 2003-10-29 2012-02-03 光学式結像装置、システムおよび方法
JP2013231362A Expired - Fee Related JP5882286B2 (ja) 2003-10-29 2013-11-07 光学システム及び露光装置

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005510712A Expired - Fee Related JP5065596B2 (ja) 2003-10-29 2003-12-18 ダイアフラム交換装置

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013231362A Expired - Fee Related JP5882286B2 (ja) 2003-10-29 2013-11-07 光学システム及び露光装置

Country Status (6)

Country Link
US (4) US7684125B2 (ja)
EP (1) EP1678558A1 (ja)
JP (3) JP5065596B2 (ja)
KR (3) KR101179286B1 (ja)
AU (1) AU2003292889A1 (ja)
WO (1) WO2005050322A1 (ja)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5065596B2 (ja) 2003-10-29 2012-11-07 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー ダイアフラム交換装置
US7724351B2 (en) 2006-01-30 2010-05-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and exchangeable optical element
US20070211352A1 (en) * 2006-03-09 2007-09-13 Nikon Corporation Aperture changing apparatus and method
KR101235492B1 (ko) 2006-07-03 2013-02-20 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 리소그래피 투사 대물렌즈 교정/수리 방법
DE102006050835A1 (de) * 2006-10-27 2008-05-08 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren und Vorrichtung zum Austausch von Objetkivteilen
EP2097789B1 (en) 2006-12-01 2012-08-01 Carl Zeiss SMT GmbH Optical system with an exchangeable, manipulable correction arrangement for reducing image aberrations
DE102007009867A1 (de) 2007-02-28 2008-09-11 Carl Zeiss Smt Ag Abbildungsvorrichtung mit auswechselbaren Blenden sowie Verfahren hierzu
JP5533656B2 (ja) * 2008-09-18 2014-06-25 株式会社ニコン 結像光学系、露光装置及び電子デバイスの製造方法
KR20100044625A (ko) * 2008-10-22 2010-04-30 삼성전자주식회사 주기적으로 활성화되는 복제 경로를 구비하는 지연 동기 루프를 구비하는 반도체 장치
US8351022B2 (en) * 2009-06-15 2013-01-08 Asml Netherlands B.V. Radiation beam modification apparatus and method
DE102011003145A1 (de) 2010-02-09 2011-08-11 Carl Zeiss SMT GmbH, 73447 Optisches System mit Blendeneinrichtung
DE102011077315A1 (de) 2011-06-09 2012-08-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Anordnung in einem Projektionsobjektiv einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage
US10293485B2 (en) * 2017-03-30 2019-05-21 Brain Corporation Systems and methods for robotic path planning
KR102028307B1 (ko) * 2019-06-25 2019-11-04 이기현 메쉬망체 이송장치 및 이를 이용한 메쉬망체 이송방법
US20230067967A1 (en) * 2021-08-30 2023-03-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Novel design of an inspection tool for an extreme ultraviolet radiation source to observe tin residual

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001060547A (ja) * 1999-08-23 2001-03-06 Nikon Corp X線投影露光装置
JP2001135570A (ja) * 1999-03-26 2001-05-18 Oki Electric Ind Co Ltd アパーチャ、及びそれを用いた露光方法
JP2001244168A (ja) * 2000-02-25 2001-09-07 Nikon Corp 露光装置および該露光装置を用いてマイクロデバイスを製造する方法
JP2002509654A (ja) * 1998-05-06 2002-03-26 コーニンクレッカ、フィリップス、エレクトロニクス、エヌ、ヴィ 走査リソグラフィック投写装置のための鏡投写システム、およびそのようなシステムを備えるリソグラフィック装置
JP2002203767A (ja) * 2000-12-27 2002-07-19 Nikon Corp 露光装置

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5234850A (en) 1975-09-10 1977-03-17 Toshio Okuda Umbrella
CA2058396C (en) * 1990-12-25 1995-05-30 Osamu Sato Light-quantity control device
JPH05234850A (ja) * 1992-02-18 1993-09-10 Canon Inc 投影露光装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法
JPH06177008A (ja) * 1992-12-01 1994-06-24 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 投影露光装置
JPH10125590A (ja) * 1996-10-21 1998-05-15 Canon Inc 照明装置及びそれを用いた投影露光装置
JPH10170808A (ja) * 1996-12-10 1998-06-26 Asahi Optical Co Ltd レンズ鏡筒の電動絞装置
DE19724903A1 (de) * 1997-06-12 1998-12-17 Zeiss Carl Fa Lichtintensitätsmeßanordnung
JP3599537B2 (ja) * 1997-08-29 2004-12-08 株式会社ニデック 眼屈折力測定装置
US6396067B1 (en) * 1998-05-06 2002-05-28 Koninklijke Philips Electronics N.V. Mirror projection system for a scanning lithographic projection apparatus, and lithographic apparatus comprising such a system
US6639696B1 (en) * 1998-06-11 2003-10-28 Fuji Photo Film Co., Ltd. Image reading apparatus
JP2000012429A (ja) * 1998-06-22 2000-01-14 Sony Corp 露光装置および露光方法
JP3296296B2 (ja) * 1998-06-30 2002-06-24 キヤノン株式会社 露光方法及び露光装置
US6930754B1 (en) * 1998-06-30 2005-08-16 Canon Kabushiki Kaisha Multiple exposure method
JP3571945B2 (ja) * 1998-12-07 2004-09-29 キヤノン株式会社 照明装置及びそれを用いた投影露光装置
JP2000173895A (ja) * 1998-12-07 2000-06-23 Sony Corp 露光装置
DE19955984A1 (de) * 1999-11-20 2001-05-23 Zeiss Carl Optische Abbildungsvorrichtung, insbesondere Objektiv mit wenigstens einer Systemblende
JP4296701B2 (ja) * 2000-10-11 2009-07-15 株式会社ニコン 投影光学系,該投影光学系を備えた露光装置,及び該露光装置を用いたデバイスの製造方法
DE10111299A1 (de) 2001-03-09 2002-09-12 Zeiss Carl Irisblende
JP2002372735A (ja) * 2001-06-14 2002-12-26 Canon Inc 光学絞り装置、露光装置、露光方法、デバイス製造方法及びデバイス
WO2004046771A1 (en) * 2002-11-21 2004-06-03 Carl Zeiss Smt Ag Projection lens with non- round diaphragm for microlithography
JP5065596B2 (ja) 2003-10-29 2012-11-07 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー ダイアフラム交換装置
JP5533656B2 (ja) 2008-09-18 2014-06-25 株式会社ニコン 結像光学系、露光装置及び電子デバイスの製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002509654A (ja) * 1998-05-06 2002-03-26 コーニンクレッカ、フィリップス、エレクトロニクス、エヌ、ヴィ 走査リソグラフィック投写装置のための鏡投写システム、およびそのようなシステムを備えるリソグラフィック装置
JP2001135570A (ja) * 1999-03-26 2001-05-18 Oki Electric Ind Co Ltd アパーチャ、及びそれを用いた露光方法
JP2001060547A (ja) * 1999-08-23 2001-03-06 Nikon Corp X線投影露光装置
JP2001244168A (ja) * 2000-02-25 2001-09-07 Nikon Corp 露光装置および該露光装置を用いてマイクロデバイスを製造する方法
JP2002203767A (ja) * 2000-12-27 2002-07-19 Nikon Corp 露光装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20070053076A1 (en) 2007-03-08
US7684125B2 (en) 2010-03-23
JP5065596B2 (ja) 2012-11-07
EP1678558A1 (en) 2006-07-12
US20160282724A1 (en) 2016-09-29
WO2005050322A1 (en) 2005-06-02
KR101281445B1 (ko) 2013-07-02
JP5444390B2 (ja) 2014-03-19
JP2014064019A (ja) 2014-04-10
JP5882286B2 (ja) 2016-03-09
KR101179286B1 (ko) 2012-09-03
US8089707B2 (en) 2012-01-03
KR101088250B1 (ko) 2011-11-30
AU2003292889A1 (en) 2005-06-08
US20120075611A1 (en) 2012-03-29
US20100134777A1 (en) 2010-06-03
KR20120089779A (ko) 2012-08-13
JP2007515772A (ja) 2007-06-14
KR20060088904A (ko) 2006-08-07
US10139733B2 (en) 2018-11-27
KR20110074925A (ko) 2011-07-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5882286B2 (ja) 光学システム及び露光装置
JP2012094916A5 (ja)
US8253929B2 (en) Stage apparatus, fixation method, exposure apparatus, exposure method, and device-producing method
US20090009742A1 (en) Optical element driving apparatus, barrel, exposure apparatus and device manufacturing method
JP2002107595A (ja) 光学取付組立体
JP2009525599A (ja) 結像欠陥の補正のための方法及び装置
JP5615855B2 (ja) 光学アセンブリ
US20080129976A1 (en) Shutter blade apparatus, shutter unit, image pickup apparatus, exposure apparatus, and method of manufacturing device
WO2011138938A1 (ja) 支持装置及び露光装置
JP4581662B2 (ja) 投影光学系及び露光装置並びにデバイスの製造方法
WO2013142083A2 (en) Mirror assembly with heat transfer mechanism
JP2004281654A (ja) 駆動機構及びそれを用いた露光装置、デバイスの製造方法
JP2004356415A (ja) 露光装置及び露光方法
JP6626833B2 (ja) 光学構成要素
US7773198B2 (en) Filtered device container assembly with shield for a reticle
JP2006140314A (ja) 駆動装置及び露光装置
JP2004235461A (ja) 露光システム
JP2005216983A (ja) 超音波アクチュエータ及びeuv露光装置
US7283200B2 (en) System and method for measuring displacement of a stage
TW200807177A (en) Stage apparatus, exposure apparatus and device manufacturing method
JP2004311774A (ja) 光学装置、位置検出装置および露光装置
JP2005340457A (ja) 面位置検出装置及び露光装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120209

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130507

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20130807

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20130812

A524 Written submission of copy of amendment under article 19 pct

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524

Effective date: 20131107

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20131203

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20131220

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5444390

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees