JP2012094728A - 半導体レーザ装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】
本願では、位置ずれやビームの傾きのない所望のレーザ光を取り出すことのできる半導体レーザ装置と、効率よくレンズを実装することのできる半導体レーザ装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
基板と、基板上に設けられた半導体レーザ素子と、該半導体レーザ素子から出射されたレーザ光を出射方向と異なる方向に反射するミラーと、該ミラーで反射されたレーザ光を制御するレンズとを備える半導体レーザ装置において、前記ミラーは前記基板上に設けられ、前記レンズは前記ミラー上に設けられる半導体レーザ装置。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体レーザ素子、ミラー及びレンズを備える半導体レーザ装置及びその製造方法に関する。

従来の半導体レーザ装置として、レーザ発光源から送り出された光信号がプリズムの半透過ミラーで反射され、パッケージに一体的に取り付けられたレンズにより光信号を光ファイバに導くような光変換装置が挙げられる（例えば、特許文献１）。

特開平8-166527号公報

従来の半導体レーザ装置においては、半導体レーザ素子から出射されミラーで反射されたレーザ光をレンズに通す場合、レンズを配置する位置に加えて、レンズの傾きについても調整し実装を行う必要がある。位置及び傾きの調整が正確でない場合には、レンズを通して取り出されるレーザ光の位置ずれやビームの傾きが起こる。また、このようなレンズの調整には、レーザ光の光軸上にレンズの中心を合わせる、レンズの距離を調整する、レンズの傾きを調整する、という複数の段階が必要であり、調芯操作が煩雑で調整時間を費やす必要がある。
そこで本願では、位置ずれやビームの傾きのない所望のレーザ光を取り出すことのできる半導体レーザ装置と、効率よくレンズを実装することのできる半導体レーザ装置の製造方法を提供することを目的とする。

実施形態に係る半導体レーザ装置は、基板と、基板上に設けられた半導体レーザ素子と、該半導体レーザ素子から出射されたレーザ光を出射方向と異なる方向に反射するミラーと、該ミラーで反射されたレーザ光を制御するレンズとを備える半導体レーザ装置において、前記ミラーは前記基板上に設けられ、前記レンズは前記ミラー上に設けられる。
また、実施形態に係る半導体レーザ装置の製造方法は、基板上に、半導体レーザ素子と該半導体レーザ素子から出射されたレーザ光を出射方向と異なる方向に反射するミラーとを実装する工程と、前記ミラーで反射されたレーザ光を制御するレンズを光軸方向の位置を固定した状態で光軸と垂直な方向の位置合わせをして実装する工程とを備える。

本願の半導体レーザ装置によれば、位置ずれやビームの傾きのないレーザ光を取り出すことができる。また、本願の半導体レーザ装置の製造方法によれば、効率よくレンズを実装することができる。

実施形態の半導体レーザ装置の構造を説明するための概略斜視図である。 実施形態の半導体レーザ装置の構造を説明するための概略断面図である。 実施形態の半導体レーザ装置の構造を説明するための概略斜視図である。 実施形態の半導体レーザ装置の構造を説明するための概略斜視図である。

以下に図面を参照しながら実施形態を説明する。ただし、以下に示す形態は、本発明の技術思想を具体化するための半導体レーザ装置及びその製造方法を例示するものであって、本発明を以下に限定するものではない。また、実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は、特定的な記載がない限り、本発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる例示にすぎない。なお、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするために誇張していることがある。

（実施形態１）
図１は、実施形態の半導体レーザ装置の斜視図であり、図２は、図１のA−A断面における断面図であり、Ｙ軸方向から見た図である。

実施形態の半導体レーザ装置１では、基板２上に半導体レーザ素子３が配置され、同じ基板２上に半導体レーザ素子３から出射されたレーザ光Ｌを出射方向と異なる方向に反射するミラー４が配置されている。ミラー４上にはミラーで反射されたレーザ光を制御するレンズが設けられている。図１では、レンズ５ａ及び取り付け部５ｂからなるレンズが図示されている。なお、説明の便宜上、図１ではレンズ部５ａ及び取り付け部５ｂを透過させて図示している。また、レーザ光Ｌは基板と平行に出射され、Ｘ方向をレーザ光の出射方向、Ｙ方向をＸ方向と垂直であって基板と平行な方向、Ｚ方向をＸ方向及び基板と垂直な方向とする。

このような半導体レーザ装置によれば、位置ずれやビームの傾きのないレーザ光を取り出すことができ効率よくレンズを実装することができる。以下に詳細を説明する。
半導体レーザ素子から出射されたレーザ光を光軸の位置ずれがないように外部に放出するには、光軸がレンズの中心を通過するように水平方向（Ｘ方向及びＹ方向）でのレンズの位置を決定する必要がある。また、光軸がレンズの中心を通過したとしても、レンズ自体が配置されるべき所定の位置から傾いて実装された場合にはビームが曲がってしまうので、レンズが光軸に対して垂直になるように配置される必要がある。
ミラー及びレンズを備えた半導体レーザ装置では、ミラー及びレンズを別に設ける場合と比較して装置を小型化できる一方で、許容可能な公差の範囲がごく小さく、装置の実装公差に対してマージンが小さくなってしまう。そのため、時間をかけずに高精度で実装することが非常に困難である。
そこで、実施形態の半導体レーザ装置では、レンズがミラー上に設けられることで、実装時にはレンズとミラーとが直接あるいは別部材を介して面で接触するので垂直方向（Ｚ方向）の位置が決定され、レンズはＸ−Ｙ平面に平行な平面、または、Ｘ−Ｙ平面に対して一定の角度を持った平面上に保持される。そうすると、Ｘ軸及びＹ軸を回転軸として回転させて、すなわちレンズを傾けて調整する必要がなくなる。このように、レンズの傾きについて考慮する必要がなくなるので、水平方向のＸ方向及びＹ方向における位置のみを調整すればよい。その結果、これまでよりも簡単にレンズの実装を行うことができる。あるいは、これまでレンズの傾き調整に要していた時間をレンズの中心位置合わせに費やすことができるので、光軸位置合わせの精度を向上させることができ、位置ずれやビームの傾きのないレーザ光を取り出すことができる。
つまり、実施形態の半導体レーザ装置では、レンズをミラー上に設けるので、レンズはＸ−Ｙ平面に平行な平面、または、Ｘ−Ｙ平面に対して一定の角度を持った平面上に保持されＺ軸方向の位置はあらかじめ決定されるため、傾きの調整が不要となる。したがって、Ｘ軸及びＹ軸における平面での位置合わせのみを行えばよく、レンズの実装位置調整の負荷を格段に軽減させることができ、効率よくレンズを実装することができる。

以下、実施形態の各構成について説明する。
（半導体レーザ素子３）
半導体レーザ素子３は、電圧が印加されてしきい値以上の電流が流れると、活性層及びその付近でレーザ発振が起こり、生成されたレーザ光が導波路領域を通って外部に放射されるものである。また、その半導体材料は、ＩＩＩ−Ｖ族、ＩＩ−ＶＩ族等の化合物を用いたもので、いずれの波長のレーザ光を出射するものであってもよい。半導体レーザ素子の構造としては、例えば、導電性又は絶縁性の基板上にｎ型半導体層、活性層及びｐ型半導体層の順に積層され、半導体層の表面に絶縁膜や電極が形成されたものが挙げられる。また、半導体レーザ装置内には単数又は複数の半導体レーザ素子を有していてもよい。

（基板２）
本実施形態の半導体レーザ装置は、半導体レーザ素子及びミラーが基板上に載置されている。基板は、半導体レーザ素子で発生する熱を効率的に外部に放出するためにも利用される。
基板は、比較的熱伝導度が高い材料、例えば、２０Ｗ／ｍＫ程度以上の材料によって形成されることが好ましい。具体的な材料としては、Ｃｕ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｍｏ、ＣｕＷ、ＣｕＭｏ等の金属や、ＡｌＮ、ＳｉＣ、アルミナなどのセラミックが挙げられる。これらの金属またはセラミックを母材とし、その表面の全面、または一部にＡｕ、Ａｇ、Ａｌ等でめっきが施されていてもよい。なかでも、表面が金めっきされた銅又は銅合金により形成されているものが好ましい。

基板の形状、大きさは特に限定されるものではなく、半導体レーザ装置の最終的に望まれる形状及び大きさ等によって、適宜調整することができる。平面形状としては、矩形をはじめとする多角形、円形、楕円形又はこれらに近似する形状のものを用いることができる。例えば、５〜５０ｍｍ四方程度の矩形で平板状のものが挙げられる。その厚みとしては、０．５〜５ｍｍ程度であることが好ましい。また、基板は平板状のものには限定されず、その表面に凹部及び／又は凸部が設けられていてもよい。具体的には、半導体レーザ素子及び／又はミラーが載置される領域に凹部又は凸部が設けられているものが挙げられる。
また、図示していないが、基板は外部電源と接続するための端子が設けられていてもよい。端子としては、ガラスで形成され基板を貫通するように設けられた気密端子や、セラミックで形成され基板表面に設けられるものなどが挙げられる。また、基板表面や基板内部に配線パターンを有していてもよい。

（ミラー４）
ミラー４は、半導体レーザ素子からのレーザ光を所望の方向に反射する、あるいは半導体レーザ素子からのレーザ光の光軸を調整して方向転換を行うものである。また、強度変調又は波長変換等を行う機能を備えていてもよい。
ミラーは、半導体レーザ素子の出射面と対向する位置に反射面が配置されている。例えば、半導体レーザ素子の出射面に対して４５°傾斜した反射面を有し、その反射面によってレーザ光が反射され、半導体レーザ素子から出射されたレーザ光の光軸を９０°方向転換するものが挙げられる。
ミラーの外形としては、図２に示すように、反射面４ｃを挟んで上面４ａ及び底面４ｂを有し、上面４ａ、底面４ｂ、及び反射面４ｃは、各々が一定の角度を有している。底面４ｂは基板に接着され、底面と対向する上面４ａに後述するレンズが接着されることが好ましい。このような構造とすることで、前記基板面に対して平行な方向に半導体レーザ素子から出射されたレーザ光を反射し、上方の一定の方向への光取出しが可能となるためである。また、基板に接着される底面４ｂと底面４ｂと略平行な上面４ａとを有していることが好ましい。底面及び上面が略平行であることで、基板や半導体レーザ素子とも略平行にレンズを配置することができる。そのため、レンズをミラー上に配置するだけで位置合わせすることができ簡便に半導体レーザ装置を組み立てることができる。
ミラーは、レーザ光を反射することのできる材料であればよく、ガラス、石英、合成石英、サファイア、セラミック、プラスチック、金属、誘電体材料等で形成することができる。また、基板やレンズに接着するために、ミラーの底面、裏面にＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｎｉ／Ａｇ等の薄膜が形成されていてもよい。

（レンズ５）
レンズ５は、レーザ光を制御する役割を果たすものである。「レーザ光を制御する」とは、レーザ光を平行光、集光もしくは拡散させることを意味する。レンズ５は、ミラーによって反射されたレーザ光の出射方向に配置されている。実施形態の半導体レーザ装置では、図２に示すように、レンズ５はミラーの基板に接着された底面４ｂと対向する上面４ａ上に配置され接着されている。

レンズ部５ａは、レーザ光を透過することのできる材料が用いられ、ガラス、石英、合成石英、サファイア、透明セラミック、プラスチック等、一般に用いられている材料によって形成することができる。種々のアプリケーションへの適用のため、半導体レーザ装置から取り出す光を平行光とすることが好ましく、そのため、レーザ光を半導体レーザ装置から平行光として出射させるために、コリメートレンズを用いることが好ましい。なお、レンズ部５ａの形状は特に限定されず、円形または楕円形であることが好ましい。レンズ部５ａの大きさとしては、最終的に半導体レーザ装置から取り出したいレーザ光に応じて任意に決定することができる。

レンズ５は、レンズ部５ａ及び取り付け部５ｂを一体的に成形したものが挙げられる。取り付け部５ｂは、ミラーとレンズとを決まった角度に固定する為、レンズ部５ａと同じ材質で成型されることが好ましい。形状としては、取り付け部５ｂはミラーあるいは別部材に接着されるため平板状に成型されていることが好ましい。また、レンズ部５ａと、レンズ部５ａを保持する取り付け部５ｂとが別の材料で形成されるものであってもよい。取り付け部はレンズとミラーとを連結固定するための部材である。取り付け部を形成する材料は特に限定されず、金属、合金、セラミックス等の種々の材料が挙げられる。ミラーと溶接等によって連結固定する場合には、取り付け部は、これに適する材料、例えば、ステンレス鋼等によって形成されていることが好ましい。半導体レーザと同様の方法で接着するために、取り付け部の底面にＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｎｉ／Ａｇ等の薄膜が形成されていてもよい。取り付け部は、レンズ部の位置に開口を有する板状であることが適している。
いずれの場合もレンズの平面形状は特に限定されず、例えば、矩形状のものが挙げられる。また、レンズ及び取り付け部の厚みは特に限定されない。

以下、その他の構成について説明する。
半導体レーザ素子３は、サブマウント６を介して基板上に配置されていてもよい。サブマウントは放熱のために熱伝導性の高い部材が用いられることが好ましく、具体的には、ＡｌＮ、ＣｕＷ，ダイヤモンド，ＳｉＣ、セラミックス等が挙げられる。その表面にＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ等の薄膜が形成されていてもよい。また、ミラー４も同様のサブマウントを介して基板上に配置されていてもよい。その場合、半導体レーザ素子とミラーは同一のサブマウント上に配置されてもよいし、異なるサブマウント上に配置されてもよい。異なるサブマウント上に配置されることで、基板上に半導体レーザ素子及びミラーを配置する際に各々の部材の微調整がしやすく、組み立ての精度を向上させることができる。
また、ミラーとレンズの間にも別部材が設けられていてもよい。つまり、ミラーとレンズは直接あるいは別部材を介して設けられていてもよい。間に別の部材が設けられている場合も、ミラーとレンズが直接接触する場合と同様に、後述する方法でその部材とレンズとを接着すればよいが、実装精度を向上させるという観点から、ミラーとレンズは直接接着されていることが好ましい。

また、本願の半導体レーザ装置１は、半導体レーザ素子３を被覆するようにキャップ７が基板２に取り付けられ封止されていてもよい。発振波長が３２０〜５３０ｎｍ程度の短波長の半導体材料（例えば、窒化物半導体）を用いた半導体レーザ素子を用いる場合には、有機物や水分を集塵しやすいため、キャップを設けることでレーザ装置内の気密性を高め、防水性、防塵性を高めることができ好ましい。

具体的には、図４に示すように、基板に接着されたキャップはその頂部に開口部を有し、開口部には透光性部材が支持されているものを用いることができ、透光性部材からレーザ光を取り出すことができる。
キャップの形状は、有底の筒型（円柱又は多角形柱等）、錐台型（円錐台又は多角形錐台等）又はドーム型及びこれらの変形形状等が挙げられる。キャップは、熱伝導率が高い材料で形成されていることが好ましく、例えば、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ−Ｆｅ合金、コバール、真鍮等の材料を用いることができる。
キャップの上面又は側面のレーザ光の光出射部位に対応する部分には、レーザ光を通過させる開口部を有している。開口部は、キャップの上面に形成されていることが好ましい。透光性部材は、例えば、ガラス、サファイア、セラミックス、樹脂等により形成することができる。また、その表面に、レーザ光を好適に透過させることができるように光透過膜が設けられていてもよい。また、透光性部材は、波長変換部材、光拡散材等を含有していてもよい。

また、半導体レーザ素子の出力をモニタするために基板上にフォトダイオードを配置してもよい。また、過大な電圧印加による素子破壊や性能劣化から半導体レーザ素子を保護するために保護素子を配置してもよい。

また、実施形態の半導体レーザ装置は、以下のようにして製造することができる。
まず、基板上に、半導体レーザ素子と該半導体レーザ素子から出射されたレーザ光を出射方向と異なる方向に反射するミラーとを実装する。
半導体レーザ素子の実装は、半導体レーザ素子と基板との接着面を合わせた後、所定の温度及び圧力下で保持することによって接着することができ、具体的には、熱圧着法、ダイレクトボンディング法等が挙げられる。半導体レーザ素子と基板の接合材としては、２５０℃以上の高融点材料、Ａｕ系低融点半田材（例えばＡｕ／Ｓｎ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ等）、Ａｇ系接合材料、接合樹脂を用いることができる。

半導体レーザ素子は、半導体レーザ素子の半導体層側を基板側に実装したフェイスダウン実装、半導体レーザ素子の基板側を基板側に実装したフェイスアップ実装等いずれの構造であってもよい。

サブマウントを用いる場合には、半導体レーザ素子をサブマウント上に載置して接着し、その後サブマウントを基板に接着する方法、基板上にサブマウントを載置して接着し、その後半導体レーザ素子をサブマウントに接着する方法等が挙げられる。半導体レーザ素子のサブマウントへの実装及びサブマウントの基板への実装も半導体レーザ素子の基板への実装と同様にして行うことができる。

その後、ミラーの実装を行うことが好ましい。半導体レーザ素子を先に実装し、続いてミラーを実装することで、レーザ光Ｌが適切な方向に反射されるようにミラーの位置を調整し、ミラーの実装を行うことができる。ミラーの実装も半導体レーザ素子と同様の方法で実装することができる。ミラーの位置を調整し、ミラーと基板との接着面を合わせた後、所定の温度及び圧力下で保持することで、ミラーを接着することができる。また、ミラーと基板の接着においては、ＵＶ硬化接着剤、熱硬化接着剤等によっても接着することができる。

また、ミラーを先に実装し、その後に半導体レーザを実装してもよい。このような順序で実装する場合、ミラーを実装した後に半導体レーザ素子を実装することで、ミラーの位置をカメラ等で画像認識させ、ミラーの位置を基準として半導体レーザ素子の実装位置を決定することができ、簡便な方法で正確な位置に半導体レーザ素子及びミラーを実装することができる。
半導体レーザ素子及びミラーの実装後、各部材をダイボンディングもしくはワイヤーボンディングにより電気的に接続する。

続いて、レンズ５の位置合わせ及び接着を行う。レンズの取り付け部５ｂをミラーに接触させＺ方向の位置を固定した状態でＸ方向及びＹ方向の位置合わせをする。このとき、半導体レーザ素子に電流を印加し、レーザ光の光軸方向を確認しながら調整する。そして、レーザ光の光軸が、レンズ部５ａの適所を通過するようにレンズ５をＸ方向及びＹ方向に移動させて調整する。取り付け部をミラーに接触させていることで、Ｘ−Ｙ平面上、あるいはＸ−Ｙ平面に対して一定の角度を持った平面上においてのみレンズを動かすことができ、Ｚ軸方向の位置ずれやレンズの傾きを考慮する必要がなく高精度で効率よく実装することができる。このようにしてレンズの実装の位置を決定し、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等のＵＶ硬化接着剤、熱硬化接着剤等を用いて取り付け部をミラーに固定する。ミラーと取り付け部の固定方法としては、ミラーと取り付け部の接合面を合わせた後、ＵＶ硬化接着剤の場合には、ＵＶ光を照射する。また、熱硬化接着剤においては、所定の温度及び圧力下で保持することによって、接着することができる。レーザ溶接等や、半導体レーザ素子の実装と同様の方法で接着することもできる。上述したようにミラーとレンズの間に別部材を介している場合にも同様に接着することが可能である。

また、半導体レーザ装置をキャップにより封止する場合は、抵抗溶接又は半田付け等で基板に接着することができる。封止する際は、露点−１０℃以下の乾燥した大気中や窒素雰囲気中で封止することが好ましい。また、各部材をアッシング若しくは熱処理等の方法を用いて前処理し、各部材に付着した水分や有機物の除去を行ってもよい。

（実施形態２）
図３に基づいて、本実施形態について説明する。なお、実施形態１と同様の部材については同様の番号を用いており、重複した説明は省略する。
本実施形態では、半導体レーザ装置内に複数の半導体レーザ素子を有している。この場合は、同じ波長帯の半導体レーザ素子を用いてもよいし、異なる波長帯の半導体レーザを用いてもよい。同じ波長帯の半導体レーザ素子を複数用いることで高出力のレーザ装置を得ることができる。
また、複数の半導体レーザ素子は、単一のサブマウント上に所定の間隔で実装されている。各半導体レーザ素子のビームに対応するレンズは、単一の取り付け部に各ビームを透過するための複数のレンズを備えている。
実施形態の半導体レーザ装置では、複数の半導体レーザ素子を用いたマルチエミッタタイプの半導体レーザ装置が得られ、高出力の半導体レーザ装置を得ることができる。
また、レーザ光は通常拡散光なので、マルチエミッタタイプの半導体レーザ装置では、隣接するビーム同士が干渉し合うことで、得られるビーム形状や出力に影響を及ぼすことがある。しかし本実施形態では、ミラーとレンズが近接して設けられるので、レーザ光が出射されてからレンズに到達するまでの距離が短く隣接するビーム同士が干渉し合うことを抑制することができる。つまり、マルチエミッタタイプの半導体レーザ装置であってもレーザ光の干渉を抑制することができ出力やビーム形状への影響を軽減することができる。
本実施形態の半導体レーザ装置の製造方法としては、実施形態１の製造方法に加え、複数の半導体レーザ素子の配列方向と各部材が平行になるように配置する。
まず半導体レーザ素子では、各々の半導体レーザ素子のビームが略平行に出射されるように半導体レーザ素子を配置する。例えば、基板やサブマウントをカメラ等で画像認識させ、その表面に設けられたパターン等を基準として所定の位置に半導体レーザ素子を実装することができる。
ミラーは、半導体レーザ素子の配列方向（図３ではＹ方向）とミラーの反射面が略平行になるようにミラーを配置する。ミラーの位置決めの方法としては、半導体レーザ素子の場合と同様に、画像認識によって位置を決定することができる。
レンズは、複数の半導体レーザ素子の配列方向と複数のレンズ部の配列方向が略平行になるように配置する。位置決めの方法としては、上述したように画像認識によって調整してもよいし、半導体レーザ素子を駆動させ、レーザ光の光軸方向を確認しながら位置を調整してもよい。その後は、実施形態１と同様に、レンズの位置合わせ及び接着を行うことで実施形態２の半導体レーザ装置を得ることができる。

本発明の窒化物半導体レーザ装置は、光ディスク、光通信システム、プロジェクタ、ディスプレイ、印刷機又は測定器等全てのデバイスに利用することができる。

１：半導体レーザ装置
２：基板
３：半導体レーザ素子
４：ミラー
４ａ：上面
４ｂ：底面
４ｃ：反射面
５：レンズ
５ａ：レンズ部
５ｂ：取り付け部
６：サブマウント
７：キャップ

Claims (6)

1. 基板と、基板上に設けられた半導体レーザ素子と、該半導体レーザ素子から出射されたレーザ光を出射方向と異なる方向に反射するミラーと、該ミラーで反射されたレーザ光を制御するレンズとを備える半導体レーザ装置において、
   前記ミラーは前記基板上に設けられ、前記レンズは前記ミラー上に設けられる半導体レーザ装置。
   
2. 前記ミラーは前記基板に接着される底面と該底面と略平行な上面とを有し、前記レンズはレンズの光軸と垂直な平面を有し、前記ミラーの上面に前記レンズの平面が接着される請求項１に記載の半導体レーザ装置。
   
3. 前記半導体レーザ素子は、前記基板上に複数設けられる請求項１又は２に記載の半導体レーザ装置。
   
4. 前記半導体レーザ素子、前記ミラー及び前記レンズを覆うキャップが前記基板に接着されている請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
   
5. 基板上に、半導体レーザ素子と該半導体レーザ素子から出射されたレーザ光を出射方向と異なる方向に反射するミラーとを実装する工程と、
   前記ミラーで反射されたレーザ光を制御するレンズを光軸方向の位置を固定した状態で光軸と垂直な方向の位置合わせをして実装する工程とを備える半導体レーザ装置の製造方法。
   
6. 前記レンズは、前記ミラーに接触させることによって光軸方向の位置を固定する請求項５に記載の半導体レーザ装置の製造方法。

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